JPH03197677A - ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法 - Google Patents
ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法Info
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- JPH03197677A JPH03197677A JP33756989A JP33756989A JPH03197677A JP H03197677 A JPH03197677 A JP H03197677A JP 33756989 A JP33756989 A JP 33756989A JP 33756989 A JP33756989 A JP 33756989A JP H03197677 A JPH03197677 A JP H03197677A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)産業上の利用分野
本発明は、Al−Si合金のような軽合金を高速で切削
することが可能なダイヤモンドコーティング工具に関す
るものである。
することが可能なダイヤモンドコーティング工具に関す
るものである。
(2)従来の技術
ダイヤモンドは高硬度でAl、Cu等の軟質金属と殆ど
反応しないという特性を有するので、これらの軟質金属
を高速で切削することが可能な材料として、単結晶ある
いは焼結体として広く実用に供されている。一方近年、
低圧気相中よりダイヤモンドを合成する技術が開発され
た。
反応しないという特性を有するので、これらの軟質金属
を高速で切削することが可能な材料として、単結晶ある
いは焼結体として広く実用に供されている。一方近年、
低圧気相中よりダイヤモンドを合成する技術が開発され
た。
この技術を用いて工具基体の表面にダイヤモンドを被覆
するダイヤモンドコーティング工具を作製すれば、高価
な単結晶や焼結体ダイヤモンド工具に次ぐ新しいダイヤ
ニ具が実用に供されるものと其月待されている。
するダイヤモンドコーティング工具を作製すれば、高価
な単結晶や焼結体ダイヤモンド工具に次ぐ新しいダイヤ
ニ具が実用に供されるものと其月待されている。
(3)発明が解決しようとする課題
ダイヤモンドの気相合成技術を利用して、ダイヤモンド
コーティング工具を作製しようとする試みは数多く行わ
れているが、基材とダイヤモンドコーテイング膜との接
着強度が不十分であるために、ダイヤモンド切削工具の
主な用途であるAl−Si合金等の軽合金の切削では、
切削条件によっては切削途中でダイヤモンド膜が剥離し
てしまい、十分な寿命延長効果が得られないために、極
めてわずかしか実用に供せられていないと言う問題があ
った。ダイヤモンド膜と基材との接着強度を向上させる
ために、超硬合金やセラミックの基材材質、エツチング
や傷入れ処理等の基材の表面処理、中間層、コーティン
グ条件、ダイヤモンド薄膜の構造や品質などが検討され
ているが、未だ大量に実用に供されるレベルに達してい
ない。
コーティング工具を作製しようとする試みは数多く行わ
れているが、基材とダイヤモンドコーテイング膜との接
着強度が不十分であるために、ダイヤモンド切削工具の
主な用途であるAl−Si合金等の軽合金の切削では、
切削条件によっては切削途中でダイヤモンド膜が剥離し
てしまい、十分な寿命延長効果が得られないために、極
めてわずかしか実用に供せられていないと言う問題があ
った。ダイヤモンド膜と基材との接着強度を向上させる
ために、超硬合金やセラミックの基材材質、エツチング
や傷入れ処理等の基材の表面処理、中間層、コーティン
グ条件、ダイヤモンド薄膜の構造や品質などが検討され
ているが、未だ大量に実用に供されるレベルに達してい
ない。
(4)課朋を解決するための手段
本発明者らはダイヤモンドコーティング工具の接着強度
を向上させ、工具寿命を延長するために鋭意検討を重ね
た結果、本発明に至ったのである。
を向上させ、工具寿命を延長するために鋭意検討を重ね
た結果、本発明に至ったのである。
a1本願は、基材ζこダイヤモンドを被覆してなるダイ
ヤモンドコーティング工具であって、ダイヤモンド層が
複数層からなるコーティング工具である。第−層のダイ
ヤモンドコーティング層は、第二層のダイヤモンドコー
ティング層より多くの不純物を含有し、かつ第一層中の
ダイヤモンド粒子径が第二層中のダイヤモンド粒子径よ
り小さく、かつ該基材が超硬合金、サーメット、窒化硅
素焼結体または酸化アルミニウム焼結体より成っている
。そうして前記した不純物としては、Ti、V。
ヤモンドコーティング工具であって、ダイヤモンド層が
複数層からなるコーティング工具である。第−層のダイ
ヤモンドコーティング層は、第二層のダイヤモンドコー
ティング層より多くの不純物を含有し、かつ第一層中の
ダイヤモンド粒子径が第二層中のダイヤモンド粒子径よ
り小さく、かつ該基材が超硬合金、サーメット、窒化硅
素焼結体または酸化アルミニウム焼結体より成っている
。そうして前記した不純物としては、Ti、V。
Nb、 Ta、 Cr、 Mo、 W、 N
i、 B、 AI。
i、 B、 AI。
Si、 N、 Pから選ばれる元素および無定形炭
素、グラファイトから選ばれる少なくとも一つ以上から
なる成分等である。また第二層のダイヤモンド層はダイ
ヤモンドの純度が高く、かつ結晶性の良好なダイヤモン
ドよりなる。
素、グラファイトから選ばれる少なくとも一つ以上から
なる成分等である。また第二層のダイヤモンド層はダイ
ヤモンドの純度が高く、かつ結晶性の良好なダイヤモン
ドよりなる。
b、第−層のダイヤモンドの粒子径は0.0Si!m〜
3.umの範囲が、さらに好ましくは0.1〜1゜5μ
mの範囲が良好である。また第二層のダイヤモンドの粒
子径は0.31j、m〜10μmの範囲が、さらに好ま
しくは0. 5〜5umの範囲が良好である。
3.umの範囲が、さらに好ましくは0.1〜1゜5μ
mの範囲が良好である。また第二層のダイヤモンドの粒
子径は0.31j、m〜10μmの範囲が、さらに好ま
しくは0. 5〜5umの範囲が良好である。
また第二層のダイヤモンド層はダイヤモンドの純度が高
く、かつ結晶性の良好なダイヤモンドよりなる。
く、かつ結晶性の良好なダイヤモンドよりなる。
また、低圧気相合成ダイヤモンドの表面被覆層を有する
ダイヤモンドコーティング工具において、フィラメント
CVD装置で、基材表面温度950℃以上1200℃以
下にて、0.05um以上5Lμm以下の厚さの第−層
を被覆した後、マイクロ波プラズマCVD装置で、基材
表面温度800℃以上1050℃以下にて、0.2μm
以上15Lμm以下の厚さの第二層を被覆することによ
り、ダイヤモンド薄膜と基材との接着強度が著しく向上
し、ダイヤモンドコーティング工具の寿命延長が図れる
ことを見い出した。
ダイヤモンドコーティング工具において、フィラメント
CVD装置で、基材表面温度950℃以上1200℃以
下にて、0.05um以上5Lμm以下の厚さの第−層
を被覆した後、マイクロ波プラズマCVD装置で、基材
表面温度800℃以上1050℃以下にて、0.2μm
以上15Lμm以下の厚さの第二層を被覆することによ
り、ダイヤモンド薄膜と基材との接着強度が著しく向上
し、ダイヤモンドコーティング工具の寿命延長が図れる
ことを見い出した。
またマイクロ波プラズマCVD装置で被覆するダイヤモ
ンド膜が第1図に示すラマン分光法で測定されるダイヤ
モンドのピーク強度(D)に対する無定形炭素のピーク
強度(G)の比G/Dが0゜25以下である純度の高い
ものとすることにより、摩耗の進行が抑えられ、より一
層寿命延長が図れることが判明した。さらにマイクロ波
プラズマCVD装置で被覆するダイヤモンド膜の表面の
結晶粒径が3μm以下の微細なものとすることにより、
ダイヤモンド膜の強度が向上し、−層の寿命延長が可能
で有ることがわかった。
ンド膜が第1図に示すラマン分光法で測定されるダイヤ
モンドのピーク強度(D)に対する無定形炭素のピーク
強度(G)の比G/Dが0゜25以下である純度の高い
ものとすることにより、摩耗の進行が抑えられ、より一
層寿命延長が図れることが判明した。さらにマイクロ波
プラズマCVD装置で被覆するダイヤモンド膜の表面の
結晶粒径が3μm以下の微細なものとすることにより、
ダイヤモンド膜の強度が向上し、−層の寿命延長が可能
で有ることがわかった。
(5)作用
本発明者らはダイヤモンドViJifflliと工具基
材との接着強度を高めるために鋭意検討を重ねた結果、
接着強度にはコーティングの初期の状態が大きな影響を
及ぼすことを見いだした。そして接着強度を高めるため
には基材表面温度を高めることが重要であることを知見
した。
材との接着強度を高めるために鋭意検討を重ねた結果、
接着強度にはコーティングの初期の状態が大きな影響を
及ぼすことを見いだした。そして接着強度を高めるため
には基材表面温度を高めることが重要であることを知見
した。
しかし表面温度が高い条件でダイヤモンドを合成すると
、ダイヤモンドに混入する無定形炭素の割合が多くなり
、ダイヤモンドの純度が低下して、耐摩耗性の劣下を招
くと言う問題があった。またマイクロ波プラズマCVD
装置で表面温度が高い条件でダイヤモンドを合成すると
、高いプラズマ強度を必要とし、基材のスパッタリング
効果により、核発生密度が低下するので、粗大粒子が成
長するだけで膜にならなかったり、たとえ成膜したとし
てもダイヤモンド粒子が成長合体して膜を形成するまで
に、結晶粒が粗大化してしまい、基材とダイヤモンド膜
の間に隙間が多く残るため、接着強度の低いダイヤモン
ド膜しか得られなかった。
、ダイヤモンドに混入する無定形炭素の割合が多くなり
、ダイヤモンドの純度が低下して、耐摩耗性の劣下を招
くと言う問題があった。またマイクロ波プラズマCVD
装置で表面温度が高い条件でダイヤモンドを合成すると
、高いプラズマ強度を必要とし、基材のスパッタリング
効果により、核発生密度が低下するので、粗大粒子が成
長するだけで膜にならなかったり、たとえ成膜したとし
てもダイヤモンド粒子が成長合体して膜を形成するまで
に、結晶粒が粗大化してしまい、基材とダイヤモンド膜
の間に隙間が多く残るため、接着強度の低いダイヤモン
ド膜しか得られなかった。
これに対して、フィラメントCVD法においては基材表
面温度が高い条件でダイヤモンドを合成しても、かかる
スパッタリングの問題は生じない。
面温度が高い条件でダイヤモンドを合成しても、かかる
スパッタリングの問題は生じない。
フィラメント温度を上昇させるか、フィラメントと基材
との間隔を接近させて基材温度を高めた場合には、むし
ろ核発生密度が増大し、基材表面温度が1000℃を超
える高温でも微細組織膜を形成することが可能である。
との間隔を接近させて基材温度を高めた場合には、むし
ろ核発生密度が増大し、基材表面温度が1000℃を超
える高温でも微細組織膜を形成することが可能である。
しかし、前述したようにダイヤモンドに混入する無定形
炭素の割合が多くなるという問題がある。
炭素の割合が多くなるという問題がある。
またフィラメントCVDでは原料ガスの分解、活性化に
2000℃以上に加熱した超高温フィラメントを使用す
るために、フィラメント材料がダイヤモンド中に不純物
として混入し、高純度のダイヤモンドを得られないとい
う問題があった。
2000℃以上に加熱した超高温フィラメントを使用す
るために、フィラメント材料がダイヤモンド中に不純物
として混入し、高純度のダイヤモンドを得られないとい
う問題があった。
一方マイクロ波プラズマCVD法は、無極放電によるマ
イクロ波プラズマというクリーンな励起源を使用するた
め、かかる不純物の混入は避けられる。また無定形炭素
の含有量を低減でき、ダイヤモンドの高純度化に有効な
酸素源の添加も問題なく行えるが、フィラメントCVD
ではフィラメント材料と反応を生じて、フィラメント材
料の混入を増大させるので、その添加量には限度があり
、酸素源添加による改善効果も制限されたものとなる。
イクロ波プラズマというクリーンな励起源を使用するた
め、かかる不純物の混入は避けられる。また無定形炭素
の含有量を低減でき、ダイヤモンドの高純度化に有効な
酸素源の添加も問題なく行えるが、フィラメントCVD
ではフィラメント材料と反応を生じて、フィラメント材
料の混入を増大させるので、その添加量には限度があり
、酸素源添加による改善効果も制限されたものとなる。
以上の知見に基づき高い接着強度を有し、高純度のダイ
ヤモンド薄膜をコーティングする方法として、フィラメ
ントCVD装置を用いて、高い表面温度で接着強度の高
いダイヤモンドを薄く形成した後に、マイクロ波プラズ
マCVD装置で高純度のダイヤモンド膜を形成する構造
を考案し、実施したところ、果して著しい工具性能の向
上が得られた。
ヤモンド薄膜をコーティングする方法として、フィラメ
ントCVD装置を用いて、高い表面温度で接着強度の高
いダイヤモンドを薄く形成した後に、マイクロ波プラズ
マCVD装置で高純度のダイヤモンド膜を形成する構造
を考案し、実施したところ、果して著しい工具性能の向
上が得られた。
以下に特許請求の範囲の限定理由について述べる。低圧
気相合成ダイヤモンドの表面被覆層を有するダイヤモン
ドコーティング工具において、フィラメントCVD装置
で被覆する第−層を形成する際の基材表面温度を950
℃以上1200℃以下としたのは、950℃よりも低温
であるとダイヤモンド膜の接着強度が不十分だからであ
り、1200℃よりも高温であるとダイヤモンドの合成
が難しいからである。
気相合成ダイヤモンドの表面被覆層を有するダイヤモン
ドコーティング工具において、フィラメントCVD装置
で被覆する第−層を形成する際の基材表面温度を950
℃以上1200℃以下としたのは、950℃よりも低温
であるとダイヤモンド膜の接着強度が不十分だからであ
り、1200℃よりも高温であるとダイヤモンドの合成
が難しいからである。
フィラメントCVD装置で形成する第−層の厚さを0.
05μm以上5μm以下としたのは0.05μmよりも
薄いと、特許請求範囲の表面温度では成膜が難しいから
であり、5Lμmよりも厚いと金庫に対して純度の劣る
ダイヤモンドの占める割合が増え、耐摩耗性が低下する
からである。
05μm以上5μm以下としたのは0.05μmよりも
薄いと、特許請求範囲の表面温度では成膜が難しいから
であり、5Lμmよりも厚いと金庫に対して純度の劣る
ダイヤモンドの占める割合が増え、耐摩耗性が低下する
からである。
マイクロ波プラズマCVD装置で被覆する第二層を形成
する際の基材表面温度を800℃以上1050℃以下と
したのは、800℃よりも低温であると結晶性が高く、
無定形炭素の含有量の少ない、高純度のダイヤモンド膜
を得るのが難しいからであり、1050℃よりも高温で
あると無定形炭素の含有量の少ない、高純度のダイヤモ
ンド膜を得るのが難しいからである。
する際の基材表面温度を800℃以上1050℃以下と
したのは、800℃よりも低温であると結晶性が高く、
無定形炭素の含有量の少ない、高純度のダイヤモンド膜
を得るのが難しいからであり、1050℃よりも高温で
あると無定形炭素の含有量の少ない、高純度のダイヤモ
ンド膜を得るのが難しいからである。
マイクロ波プラズマCVD装置で被覆する第二層の厚さ
を0.2um以上15Lμm以下としたのは、0.2μ
mよりも薄いと、耐摩耗性が低下するからであり、15
μmよりも厚いとダイヤモンド…莫が剥離しやすくなる
からである。
を0.2um以上15Lμm以下としたのは、0.2μ
mよりも薄いと、耐摩耗性が低下するからであり、15
μmよりも厚いとダイヤモンド…莫が剥離しやすくなる
からである。
さらに好ましくはフィラメントCVD装置で形成する第
−層の厚さを2μm以下とし、第二層を加えた全厚が5
Lμm以下としたのは、第−層の厚さが2μmよりも厚
いと、5μm以下の全厚に対して純度の劣るダイヤモン
ドの占める割合が増え、耐摩耗性が低下するからであり
、全厚が5μmよりも厚いと、大きな衝撃荷重の加わる
過酷な断続切削の場合には、刃先の強度が不足して欠損
を生じる場合があるからである。
−層の厚さを2μm以下とし、第二層を加えた全厚が5
Lμm以下としたのは、第−層の厚さが2μmよりも厚
いと、5μm以下の全厚に対して純度の劣るダイヤモン
ドの占める割合が増え、耐摩耗性が低下するからであり
、全厚が5μmよりも厚いと、大きな衝撃荷重の加わる
過酷な断続切削の場合には、刃先の強度が不足して欠損
を生じる場合があるからである。
マイクロ波プラズマCVD装置で被覆するダイヤモンド
膜がラマン分光法で測定されるダイヤモンドのピーク強
度に対する無定形炭素のピーク強度の比が0.25以下
としたのは、0.25よりも大きいとダイヤモンド膜の
耐摩耗性並びに強度が低下し、優れた工具性能を得るこ
とが難しいからである。
膜がラマン分光法で測定されるダイヤモンドのピーク強
度に対する無定形炭素のピーク強度の比が0.25以下
としたのは、0.25よりも大きいとダイヤモンド膜の
耐摩耗性並びに強度が低下し、優れた工具性能を得るこ
とが難しいからである。
マイクロ波プラズマCVD装置で被覆するダイヤモンド
膜表面の結晶粒径を3μm以下としたのは、ダイヤモン
ド膜の表面がなめらかとなり、良好な被削材の仕上げ面
が得られるからである。また組織が微細であるほどダイ
ヤモンド膜の強度が向上し、大きな衝撃荷重の加わる過
酷な断続切削の場合でも、十分使用可能な刃先の強度を
保つことができるからである。
膜表面の結晶粒径を3μm以下としたのは、ダイヤモン
ド膜の表面がなめらかとなり、良好な被削材の仕上げ面
が得られるからである。また組織が微細であるほどダイ
ヤモンド膜の強度が向上し、大きな衝撃荷重の加わる過
酷な断続切削の場合でも、十分使用可能な刃先の強度を
保つことができるからである。
以下に実施例により本発明の詳細な説明する。
(6)実施例
実施例1
ダイヤモンドコーティング工具の基材は、基材材質に5
i3Na (住友電気工業株式会社製:N5130)
とl5O−KIO超硬合金(住友電気工業株式会社製:
H1)の二種類を選択し、型番が5PGN12030B
のスローアウェイチップを使用した。基材表面処理はS
i3N4の方が予め#400のダイヤ電着砥石で傷入れ
処理を行い、超硬合金の方はレジンボンドの#600の
ダイヤ砥石で傷入れ処理を行った。
i3Na (住友電気工業株式会社製:N5130)
とl5O−KIO超硬合金(住友電気工業株式会社製:
H1)の二種類を選択し、型番が5PGN12030B
のスローアウェイチップを使用した。基材表面処理はS
i3N4の方が予め#400のダイヤ電着砥石で傷入れ
処理を行い、超硬合金の方はレジンボンドの#600の
ダイヤ砥石で傷入れ処理を行った。
フィラメントCVD装置を用いて、まず第一層目を被覆
した。フィラメント温度は2250℃。
した。フィラメント温度は2250℃。
フィラメントと基材表面との間隔を6mmに設定した。
表面温度を冷却機構のついた基材支持台の冷却能を変化
させて所定温度に調節した。また原料ガスは水素−メタ
ン系と水素−エタノール系を使用した。反応容器内の圧
力は100Torrに固定してダイヤモンドコーティン
グを実施した。
させて所定温度に調節した。また原料ガスは水素−メタ
ン系と水素−エタノール系を使用した。反応容器内の圧
力は100Torrに固定してダイヤモンドコーティン
グを実施した。
ダイヤモンドの膜厚に関してはコーティング時間を調節
して所定の膜厚が得られるようにした。第1表に試験に
用いた基材とコーティング条件を示し、得られた第−層
の膜厚を併記した。
して所定の膜厚が得られるようにした。第1表に試験に
用いた基材とコーティング条件を示し、得られた第−層
の膜厚を併記した。
AIO条件でダイヤモンドを合成した基材には、時間を
かけても粒状のダイヤモンドがまばらに析出するのみで
、成膜しなかったので、これ以降の試験は中止した。
かけても粒状のダイヤモンドがまばらに析出するのみで
、成膜しなかったので、これ以降の試験は中止した。
フィラメントCVDで第1層を被覆した後、マイクロ波
プラズマCVD装置で、第2層を被覆した。マイクロ波
プラズマCVD装置は実開昭62−198277号公報
に開示した装置を使用した。
プラズマCVD装置で、第2層を被覆した。マイクロ波
プラズマCVD装置は実開昭62−198277号公報
に開示した装置を使用した。
第1層まで被覆した基材を、第1表から条件を選択して
複数個準備し、第2表に示す条件でダイヤモンドコーテ
ィングを実施した。
複数個準備し、第2表に示す条件でダイヤモンドコーテ
ィングを実施した。
この際基材表面温度はマイクロ波出力を変化させること
と、基材の下に設置したヒートシンクの熱容量を変える
ことで調節した。また反応容器内の圧力は80Torr
とした。
と、基材の下に設置したヒートシンクの熱容量を変える
ことで調節した。また反応容器内の圧力は80Torr
とした。
第2層まで被覆を完了した試料の基材材質、第1層のコ
ーティング条件、第2層のコーティング条件、成長上面
から見たダイヤモンドの結晶粒径。
ーティング条件、第2層のコーティング条件、成長上面
から見たダイヤモンドの結晶粒径。
ラマン分光法によるダイヤモンドのピーク強度に対する
無定形炭素のピーク強度の比を取りまとめて第3表に示
した。
無定形炭素のピーク強度の比を取りまとめて第3表に示
した。
第3表
第3表に示したダイヤモンドコーティング切削子・ンブ
の切削性能を評価するために、幅100mm。
の切削性能を評価するために、幅100mm。
長さ500mmのAl−17%Si合金(A390−T
6)を被削材に使用し、第4表に示す条件でフライス切
削試験を実施した。また比較のために基材として使用し
たダイヤモンドコーティングを施さないSi3N4並び
に超硬合金の切削チップを用意し、同一の条件で性能評
価を実施した。30paSS切削後の結果を第5表に取
りまとめて示した。
6)を被削材に使用し、第4表に示す条件でフライス切
削試験を実施した。また比較のために基材として使用し
たダイヤモンドコーティングを施さないSi3N4並び
に超硬合金の切削チップを用意し、同一の条件で性能評
価を実施した。30paSS切削後の結果を第5表に取
りまとめて示した。
第4表
第5表
*:本発明のコーティング工具
ダイヤモンドコーティングを行わない超硬合金は2pa
ss切削後に逃げ面摩耗幅が0.26mmに達し、寿命
と判断された。またダイヤモンドコーティングを行わな
いSi3N4は3pass切削後に逃げ面摩耗幅が0.
24mmに達し、寿命と判断された。
ss切削後に逃げ面摩耗幅が0.26mmに達し、寿命
と判断された。またダイヤモンドコーティングを行わな
いSi3N4は3pass切削後に逃げ面摩耗幅が0.
24mmに達し、寿命と判断された。
本発明のダイヤモンドコーティング工具である試料No
、 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9
. 11゜12、 13. 14. 16. 17.
1B、 20. 21゜22.23及び24は30p
ass切削後も大きな剥離が発生せず、逃げ面摩耗幅も
0.09mm以下に抑えられており、ダイヤモンドコー
ティングを行うことによって、著しく工具寿命が延長さ
れたことが明かとなった。
、 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9
. 11゜12、 13. 14. 16. 17.
1B、 20. 21゜22.23及び24は30p
ass切削後も大きな剥離が発生せず、逃げ面摩耗幅も
0.09mm以下に抑えられており、ダイヤモンドコー
ティングを行うことによって、著しく工具寿命が延長さ
れたことが明かとなった。
これに対して本発明の範囲をはずれる試料N001.1
0.15及び19は5pass以下の切削でダイヤモン
ド膜の大きな剥離が生じ、剥離した部分では摩耗が急激
に進行して工具寿命に至り、ダイヤモンドコーティング
による寿命延長の効果が得られなかった。
0.15及び19は5pass以下の切削でダイヤモン
ド膜の大きな剥離が生じ、剥離した部分では摩耗が急激
に進行して工具寿命に至り、ダイヤモンドコーティング
による寿命延長の効果が得られなかった。
次ニ34料No、 2. 3. 4. 5. 6.
7. 8゜9、 11. 12. 13. 14. 1
6. 17. 1B。
7. 8゜9、 11. 12. 13. 14. 1
6. 17. 1B。
20.21.22.23及び24の切削チップを、前述
の第4表の切削条件において、被削材に5mmの幅の満
を5本人れ、送りを0.3mm/刃、切込み深さを2.
0mmに変えて、10passの切削試験を実施した。
の第4表の切削条件において、被削材に5mmの幅の満
を5本人れ、送りを0.3mm/刃、切込み深さを2.
0mmに変えて、10passの切削試験を実施した。
試料No、 6. 7. 18゜20.21及び24
は10passの切削後、程度の差はあるが刃先にチッ
ピングを生じた。そして、ダイヤモンド膜が厚い程少な
い切削pass数で゛チッピングが発生する傾向にあっ
た。
は10passの切削後、程度の差はあるが刃先にチッ
ピングを生じた。そして、ダイヤモンド膜が厚い程少な
い切削pass数で゛チッピングが発生する傾向にあっ
た。
一方ダイヤモンド膜の全厚が5μm以下の残りの試料は
チッピングが発生しなかった。
チッピングが発生しなかった。
(7)発明の詳細
な説明した様に、本発明による気相合成ダイヤモンドコ
ーティング工具では従来のダイヤモンドコーティング工
具の問題点であったダイヤモンド膜と基体との接着強度
を著しく向上させるごとができた。
ーティング工具では従来のダイヤモンドコーティング工
具の問題点であったダイヤモンド膜と基体との接着強度
を著しく向上させるごとができた。
また併せてダイヤモンド膜の高品質化を実現したことに
より、ダイヤモンド膜の強度及び耐摩耗性が向上し、高
性能かつ長寿命の工具が作製できた。ダイヤモンド切削
工具の主な用途であるA、1−3i合金等の軽合金の切
削に用いると特に効果的である。
より、ダイヤモンド膜の強度及び耐摩耗性が向上し、高
性能かつ長寿命の工具が作製できた。ダイヤモンド切削
工具の主な用途であるA、1−3i合金等の軽合金の切
削に用いると特に効果的である。
このダイヤモンドコーティング工具の性能は軽合金の切
削に用いられる超硬合金工具の性能をはるかに凌ぐもの
であり、大幅な工具費用の削減が可能になるものと朋待
される。
削に用いられる超硬合金工具の性能をはるかに凌ぐもの
であり、大幅な工具費用の削減が可能になるものと朋待
される。
第1図は気相合成ダイヤモンド膜のラマン分光分析結果
の一例である。 Dはダイヤモンドのピーク強度、Cは無定形炭素のピー
ク強度を示す。
の一例である。 Dはダイヤモンドのピーク強度、Cは無定形炭素のピー
ク強度を示す。
Claims (6)
- (1)基材にダイヤモンドを被覆してなる、ダイヤモン
ドコーティング工具において、ダイヤモンド層が複数層
からなり、第一層中の不純物組成が第二層中の不純物組
成より高く、第一層中のダイヤモンド粒子径が第二層中
のダイヤモンド粒子径より小さく、かつ該基材が超硬合
金、サーメット、窒化硅素焼結体または酸化アルミニウ
ム焼結体であることを特徴とするダイヤモンドコーティ
ング工具。 - (2)第一層のダイヤモンド層中の不純物がTi,V,
Nb,Ta,Cr,Mo,W,Ni,B,Al,Si,
N,Pから選ばれる元素および無定形炭素、グラファイ
トの中から選ばれる少なくとも一つ以上の不純物であり
、かつダイヤモンドの粒子径が0.05μm〜3μmで
あることを特徴する請求項第(1)項記載のダイヤモン
ドコーティング工具。 - (3)第一層の厚さが0.05um以上2μm以下で、
第二層を加えた全厚が5μm以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項記載のダイヤモンドコーテ
ィング工具 - (4)マイクロ波プラズマCVD装置で被覆するダイヤ
モンド膜がラマン分光法で測定されるダイヤモンドのピ
ーク強度に対する無定形炭素のピーク強度の比が0.2
5以下であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)
項記載のダイヤモンドコーティング工具 - (5)マイクロ波プラズマCVD装置で被覆するダイヤ
モンド膜表面の結晶粒径が、3μm以下であることを特
徴とする特許請求の範囲第(2)項記載のダイヤモンド
コーティング工具 - (6)低圧気相合成ダイヤモンドの表面被覆層を有する
ダイヤモンドコーティング工具において、フィラメント
CVD装置で、基材表面温度950℃以上1200℃以
下にて、0.05μm以上5μm以下の厚さの第一層を
被覆した後、マイクロ波プラズマCVD装置で、基材表
面温度800℃以上1050℃以下にて、0.2μm以
上15μm以下の厚さの第二層を被覆することを特徴と
するダイヤモンドコーティング工具の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33756989A JPH03197677A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33756989A JPH03197677A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03197677A true JPH03197677A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18309879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33756989A Pending JPH03197677A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | ダイヤモンドコーティング工具及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03197677A (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-12-25 JP JP33756989A patent/JPH03197677A/ja active Pending
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