JPH03177451A - 封止用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体装置Info
- Publication number
- JPH03177451A JPH03177451A JP31493589A JP31493589A JPH03177451A JP H03177451 A JPH03177451 A JP H03177451A JP 31493589 A JP31493589 A JP 31493589A JP 31493589 A JP31493589 A JP 31493589A JP H03177451 A JPH03177451 A JP H03177451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- organic phosphorus
- phosphorus compound
- weight
- inorganic filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- -1 bromine compound Chemical class 0.000 abstract description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical class [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) antimony(5+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Sb+3].[Sb+5] QEZIKGQWAWNWIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical class [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、耐湿性に優れるとともに、臭素化合物を含有
しないでも難燃性を有する封止用樹脂組成物および該樹
脂組成物により封止される半導体装置に関する。
しないでも難燃性を有する封止用樹脂組成物および該樹
脂組成物により封止される半導体装置に関する。
(従来の技術)
近年、環境問題が特にクローズアップされ、半導体装置
を廃棄した場合、その燃焼ガスの有害性が問われるよう
になってきた。 封止用樹脂を難燃化する方法として、
臭素化エポキシ樹脂や、三酸化アンチモンを併用した臭
素化エポキシ樹脂が用いられている。
を廃棄した場合、その燃焼ガスの有害性が問われるよう
になってきた。 封止用樹脂を難燃化する方法として、
臭素化エポキシ樹脂や、三酸化アンチモンを併用した臭
素化エポキシ樹脂が用いられている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、封止用樹脂として使用されている臭素化
エポキシ樹脂等は燃焼中に臭素化合物を発生するため、
その危険性が指摘されている。
エポキシ樹脂等は燃焼中に臭素化合物を発生するため、
その危険性が指摘されている。
また、半導体装置の特性上にも、臭素化合物等ハロゲン
化合物は、アルミ配線を腐蝕しやすいため、耐湿性能を
悪くする欠点がある。
化合物は、アルミ配線を腐蝕しやすいため、耐湿性能を
悪くする欠点がある。
本発明は、上記の欠点を解消するためになされたもめで
、難燃剤として臭素化合物を使用しないで難燃性を付与
し、かつ耐湿性にも優れた、信頼性の高い封止用樹脂組
成物および半導体装置を提供しようとするものである。
、難燃剤として臭素化合物を使用しないで難燃性を付与
し、かつ耐湿性にも優れた、信頼性の高い封止用樹脂組
成物および半導体装置を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明者は、上記の目的を遠戚しようと鋭意研究を重ね
た結果、難燃剤として後述する特定の有機リン化合物を
配合することによって、難燃性、耐湿性に優れた組成物
が得られることを見いだし、本発明を完成したものであ
る。
た結果、難燃剤として後述する特定の有機リン化合物を
配合することによって、難燃性、耐湿性に優れた組成物
が得られることを見いだし、本発明を完成したものであ
る。
すなわち、本発明は、
(A)エポキシ樹脂、
(B)ノボラック型フェノール樹脂、
(C)一般式(I)で示される有機リン化合物お・・・
(I) 〈但し、式中R1は、1価の芳香族基を、R2は1価の
脂肪族基又はアリールアルキル基を、A「は3価の芳香
族基をそれぞれ表す) (D)無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の有
機リン化合物を0.1〜10重量%、また前記(D)の
無機質充填剤を25〜90重量%含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物である。
(I) 〈但し、式中R1は、1価の芳香族基を、R2は1価の
脂肪族基又はアリールアルキル基を、A「は3価の芳香
族基をそれぞれ表す) (D)無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の有
機リン化合物を0.1〜10重量%、また前記(D)の
無機質充填剤を25〜90重量%含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物である。
また、その封止用樹脂組成物で半導体素子を封止してな
ることを特徴とする半導体装置である。
ることを特徴とする半導体装置である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる(A)エポキシ樹脂としては、その分子
中にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である限
り、分子構造、分子量など特に制限はなく、一般に封止
用樹脂として使用されているものは広く包含することが
できる。 例えば、ビスフェノール型等の芳香族系、シ
クロヘキサン誘導体等の指環族系、さらに次の一般式で
示されるエポキシノボラック系等の樹脂が挙げられる。
中にエポキシ基を少なくとも2個有する化合物である限
り、分子構造、分子量など特に制限はなく、一般に封止
用樹脂として使用されているものは広く包含することが
できる。 例えば、ビスフェノール型等の芳香族系、シ
クロヘキサン誘導体等の指環族系、さらに次の一般式で
示されるエポキシノボラック系等の樹脂が挙げられる。
(但し、式中R′は水素原子、ハロゲン原子又はアルキ
ル基を、R2は水素原子又はアルキル基を、nは1以上
の整数をそれぞれ表す) これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2種以上混合し
て使用することができる。
ル基を、R2は水素原子又はアルキル基を、nは1以上
の整数をそれぞれ表す) これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2種以上混合し
て使用することができる。
本発明に用いる(B)ノボラック型フェノール樹脂とし
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはバラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これら
の樹脂は単独もしくは2種以上混合して使用することが
できる。 ノボラック型フェノール樹脂の配合割台は、
前述した(A)エポキシ樹脂のエポキシ基(a )と(
B)ノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基
(b )との当量比[(a>/(b)]が0.1〜10
の範囲内にあることが望ましい、 当量比が0.1未満
らしくは10を超えると、耐湿性、成形作業性および硬
化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましくな
い、 従って、上記の範囲内に限定するのがよい。
ては、フェノール、アルキルフェノール等のフェノール
類とホルムアルデヒドあるいはバラホルムアルデヒドと
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、お
よびこれらの変性樹脂、例えばエポキシ化もしくはブチ
ル化ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられ、これら
の樹脂は単独もしくは2種以上混合して使用することが
できる。 ノボラック型フェノール樹脂の配合割台は、
前述した(A)エポキシ樹脂のエポキシ基(a )と(
B)ノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水酸基
(b )との当量比[(a>/(b)]が0.1〜10
の範囲内にあることが望ましい、 当量比が0.1未満
らしくは10を超えると、耐湿性、成形作業性および硬
化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましくな
い、 従って、上記の範囲内に限定するのがよい。
本発明に用いる(C)有機リン化合物は、前記した一般
式を有すればよく、その分子量、分子構造等に特に制限
はなく使用することができる。
式を有すればよく、その分子量、分子構造等に特に制限
はなく使用することができる。
有機リン化合物の配合割合は、樹脂組成物に対して0.
1〜10重量%含有させる。 その割合が0.1重量%
末溝では難燃性に効果なく、また、10重量%を超える
と金型汚れ、溶融粘度の増加等、成形性に悪影響を与え
、実用に適さず好ましくない。
1〜10重量%含有させる。 その割合が0.1重量%
末溝では難燃性に効果なく、また、10重量%を超える
と金型汚れ、溶融粘度の増加等、成形性に悪影響を与え
、実用に適さず好ましくない。
この有機リン化合物を配合することによって封止樹脂の
イオン性不純物量が低減されるとともに、はがれ、剥離
がなくなり耐湿性を向上させることができる。
イオン性不純物量が低減されるとともに、はがれ、剥離
がなくなり耐湿性を向上させることができる。
本発明に用いる(D>無機質充填剤としては、シリカ粉
末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カルシ
ウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ベンガラ、ガラ
ス繊維、炭素繊維等が挙げられ、これらは単独又は2種
以上混合して使用することができる。 これらの中でも
特にシリカ粉末やアルミナが好ましく使用される。 無
機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して2
5〜90重量%含有させる。 その割合が25重量%未
溝では耐湿性、1liit熱性、機械的特性および成形
性に効果なく、また90重量%を超えるとカサバリが大
きくなり、成形性が悪く実用に適さず好ましくない。
末、アルミナ、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カルシ
ウム、チタンホワイト、クレーマイカ、ベンガラ、ガラ
ス繊維、炭素繊維等が挙げられ、これらは単独又は2種
以上混合して使用することができる。 これらの中でも
特にシリカ粉末やアルミナが好ましく使用される。 無
機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して2
5〜90重量%含有させる。 その割合が25重量%未
溝では耐湿性、1liit熱性、機械的特性および成形
性に効果なく、また90重量%を超えるとカサバリが大
きくなり、成形性が悪く実用に適さず好ましくない。
本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、有機リン化合物および無機質充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、カーボンブラック
、ベンガラなどの着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜添
加配合することができる。
ク型フェノール樹脂、有機リン化合物および無機質充填
剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度に
おいて、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、合
成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エス
テル類、パラフィン類などの離型剤、カーボンブラック
、ベンガラなどの着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜添
加配合することができる。
本発明の封止用樹脂組成物を成形材料として調製する場
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂、有機リン化合物、無機質充填剤、その他を
所定の組成比に選択し、その原料組成分をミキサー等に
よって十分均一に混合した後、更に熱ロールによる溶融
混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、冷却固化
させ適当な大きさに粉砕して成形材料とする。
合の一般的な方法は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェ
ノール樹脂、有機リン化合物、無機質充填剤、その他を
所定の組成比に選択し、その原料組成分をミキサー等に
よって十分均一に混合した後、更に熱ロールによる溶融
混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、冷却固化
させ適当な大きさに粉砕して成形材料とする。
本発明の半導体装置は、上記のようにして得られた封止
用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することによっ
て容易に製造することができる。
用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することによっ
て容易に製造することができる。
封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー
成形法があるが、射出成形、圧綿成形、注型等による封
止も可能である。 封止用樹脂組成物は封止め際に加熱
して硬化させ、最終的には、組成物の硬化物によって封
止された半導体装置が得られる。 加熱による硬化は1
50℃以上加熱して硬化させることが望ましい、 封止
される半導体素子としては、IC,LSI、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。
成形法があるが、射出成形、圧綿成形、注型等による封
止も可能である。 封止用樹脂組成物は封止め際に加熱
して硬化させ、最終的には、組成物の硬化物によって封
止された半導体装置が得られる。 加熱による硬化は1
50℃以上加熱して硬化させることが望ましい、 封止
される半導体素子としては、IC,LSI、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。
本発明の封止用樹脂組成物は、半導体素子以外の電子部
品或いは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すること
が可能で、優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。
品或いは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すること
が可能で、優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。
(実施例)
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本
発明は以下の実施例に限定されるものではない、 以下
の実施例および比較例において1%」とは「重量%」を
意味する。
発明は以下の実施例に限定されるものではない、 以下
の実施例および比較例において1%」とは「重量%」を
意味する。
実施例
クレゾールノボラックエポキシ樹脂〈エポキシ当量21
5) 15%、ノボラックフェノール樹脂〈フェノール
当量1(17) 7%、有機リン化合物3%、溶融シ
リカ70%、その他の成分3%を常温で混合し、さらに
90〜95℃で混練して冷却した後、粉砕して成形材料
(A)を製造した。
5) 15%、ノボラックフェノール樹脂〈フェノール
当量1(17) 7%、有機リン化合物3%、溶融シ
リカ70%、その他の成分3%を常温で混合し、さらに
90〜95℃で混練して冷却した後、粉砕して成形材料
(A)を製造した。
比較例
クレゾールノボラックエポキシ樹脂(エポキシ当量21
5) 12%、臭素化エポキシ樹脂(エポキシ当量28
5) 3%、ノボラックフェノール樹脂〈フェノール
当量107) 7%、溶融シリカ68%、二酸化アン
チモン2%、その他の成分3%を実施例と同様にして成
形材料(B)を製造した。
5) 12%、臭素化エポキシ樹脂(エポキシ当量28
5) 3%、ノボラックフェノール樹脂〈フェノール
当量107) 7%、溶融シリカ68%、二酸化アン
チモン2%、その他の成分3%を実施例と同様にして成
形材料(B)を製造した。
実施例および比較例で製造した成形材料(A)、(B)
を用いて、110℃に加熱した金型内に半導体素子をセ
ットし、トランスファー注入して硬化させ、半導体装置
を製造した。 この装置等について諸試験を行い、結果
を得たので第1表に示したが本発明の効果が確認された
。 諸試験は次ようにして行った。
を用いて、110℃に加熱した金型内に半導体素子をセ
ットし、トランスファー注入して硬化させ、半導体装置
を製造した。 この装置等について諸試験を行い、結果
を得たので第1表に示したが本発明の効果が確認された
。 諸試験は次ようにして行った。
吸水率は、成形材料を用いて直径501m厚さ31の成
形品をトランスファー成形によってつくり、これを12
7℃、2.5気圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増
加した重量によって求めた。 ガラス転移温度は、吸水
率の試験と同様な成形品をつくり、これを175℃で8
時間の条件で後硬化を行い、適当な大きさのテストピー
スとして熱機器分析装置を用いて測定した。i!燃性は
、成形材料を用いトランスファー成形によって127x
12.7x O,8allの成形品をつくり、UL法
を用いて測定した。
形品をトランスファー成形によってつくり、これを12
7℃、2.5気圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増
加した重量によって求めた。 ガラス転移温度は、吸水
率の試験と同様な成形品をつくり、これを175℃で8
時間の条件で後硬化を行い、適当な大きさのテストピー
スとして熱機器分析装置を用いて測定した。i!燃性は
、成形材料を用いトランスファー成形によって127x
12.7x O,8allの成形品をつくり、UL法
を用いて測定した。
耐湿性は、2本以上のアルミニウム配線を有するシリコ
ン製チップ(テストチップ)を通常の42アロイフレー
ムに接着し、175℃で2分間の条件でトランスファー
成形してDIR−16pinをつくった。 これを17
5℃で8時間の条件で後硬化させ、次いで127℃、2
.5気圧の水蒸気中で耐湿性試験を行い、アルミニウム
配線の腐食による断線を生じたものを不良として評価し
た。
ン製チップ(テストチップ)を通常の42アロイフレー
ムに接着し、175℃で2分間の条件でトランスファー
成形してDIR−16pinをつくった。 これを17
5℃で8時間の条件で後硬化させ、次いで127℃、2
.5気圧の水蒸気中で耐湿性試験を行い、アルミニウム
配線の腐食による断線を生じたものを不良として評価し
た。
第
表
(単位)
[発明の効果]
以上の説明および第1表から明らかなように、本発明の
封止用樹脂組成物は臭素化合物を含有しないにもかかわ
らす難燃性を有するとともに、耐湿性にも優れており、
この組成物を用いることによって信頼性の高い半導体装
置あるいは電子・電気部品等を得ることができる。
封止用樹脂組成物は臭素化合物を含有しないにもかかわ
らす難燃性を有するとともに、耐湿性にも優れており、
この組成物を用いることによって信頼性の高い半導体装
置あるいは電子・電気部品等を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1(A)エポキシ樹脂、 (B)ノボラック型フェノール樹脂、 (C)一般式( I )で示される有機リン化 合物および ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (但し、式中R^1は、1価の芳香族基を、R^2は1
価の脂肪族基又はアリールアル キル基を、Arは3価の芳香族基をそれ ぞれ表す)。 (D)無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の有
機リン化合物を0.1〜10重量%、また前記(D)の
無機質充填剤を25〜90重量%含有してなることを特
徴とする封止用樹脂組成物。 2(A)エポキシ樹脂、 (B)ノボラック型フェノール樹脂、 (C)一般式( I )で示される有機リン化 合物および ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (但し、式中R^1は、1価の芳香族基を、R^2は1
価の脂肪族基又はアリールアル キル基を、Arは3価の芳香族基をそれ ぞれ表す) (D)無機質充填剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記(C)の有
機リン化合物を0.1〜10重量%、また前記(D)の
無機質充填剤を25〜90重量%含有する封止用樹脂組
成物で、半導体素子を封止してなることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31493589A JPH03177451A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31493589A JPH03177451A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03177451A true JPH03177451A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18059422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31493589A Pending JPH03177451A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03177451A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000080251A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | リン変性難燃性エポキシ樹脂組成物およびその製造方法およびそのリン変性難燃性エポキシ樹脂組成物を用いた成形品および積層体 |
WO2001042359A1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-14 | Dow Global Technologies Inc. | Flame retardant phosphorus element-containing epoxy resin compositions |
JP2002265562A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Japan Epoxy Resin Kk | リン含有エポキシ樹脂及び難燃性組成物 |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31493589A patent/JPH03177451A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000080251A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | リン変性難燃性エポキシ樹脂組成物およびその製造方法およびそのリン変性難燃性エポキシ樹脂組成物を用いた成形品および積層体 |
WO2001042359A1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-14 | Dow Global Technologies Inc. | Flame retardant phosphorus element-containing epoxy resin compositions |
JP2003516455A (ja) * | 1999-12-13 | 2003-05-13 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | 難燃性リン元素含有エポキシ樹脂組成物 |
JP2002265562A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Japan Epoxy Resin Kk | リン含有エポキシ樹脂及び難燃性組成物 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61166822A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP3032528B1 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH03177451A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体装置 | |
JPS5981328A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPS59105018A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP2892433B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH04120128A (ja) | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 | |
JPS6225118A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS6222822A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS62240312A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP3072099B1 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH03221518A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH1112442A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP3298084B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPS6289721A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS62192423A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP3506423B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPS6333416A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP3388503B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPH11130943A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPS63110213A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPH09208808A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JPS62292824A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS6296522A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JPS60155224A (ja) | 封止用樹脂組成物 |