JPH03160722A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03160722A JPH03160722A JP1299601A JP29960189A JPH03160722A JP H03160722 A JPH03160722 A JP H03160722A JP 1299601 A JP1299601 A JP 1299601A JP 29960189 A JP29960189 A JP 29960189A JP H03160722 A JPH03160722 A JP H03160722A
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- Japan
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- aluminum layer
- layer
- out part
- bonding pad
- surface protecting
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
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- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05567—Disposition the external layer being at least partially embedded in the surface
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置、特に、その半導体チップのボン
ディングノＪ？ツドの構造に関する。
ディングノＪ？ツドの構造に関する。
第４図，第５図はそれぞれ従来の半導体装置の半導体チ
ップにかける〆ンディングＡツドの一例の構造を示す平
面図，断面図である。
ップにかける〆ンディングＡツドの一例の構造を示す平
面図，断面図である。
図にかいてｌは絶縁膜層、２ａはボンディング・ヘッド
アルミニウム層，２ｂはリード引き出し部アルミニウム
層、３ぱ表面保護膜層、４は表面保護膜目抜き部分であ
る。
アルミニウム層，２ｂはリード引き出し部アルミニウム
層、３ぱ表面保護膜層、４は表面保護膜目抜き部分であ
る。
従来の半導体装置の半導体チップのボンデイング１４’
ツドでは、表面保護膜目抜き部分４ぱ、表面保護膜の正
方形状（正方形に準ずる形状のものもある）ノソターン
のアルミニウム層２ａ上の部分のみが、アルミニウムＮ
２ｌＬの周辺に重なる部分を残シテエッチング除去され
た構造が採られてきた。
ツドでは、表面保護膜目抜き部分４ぱ、表面保護膜の正
方形状（正方形に準ずる形状のものもある）ノソターン
のアルミニウム層２ａ上の部分のみが、アルミニウムＮ
２ｌＬの周辺に重なる部分を残シテエッチング除去され
た構造が採られてきた。
第６図は第４図，第５図に示す構造のボ／７′イングＡ
−）ドにワイヤがンディングする状態の一例を示す断面
図である。
−）ドにワイヤがンディングする状態の一例を示す断面
図である。
図にかいて１．２ａ，２ｂ．３．４は第４図，第５図の
同一符号と同一の部分を示し、５はポンディングワイヤ
である。
同一符号と同一の部分を示し、５はポンディングワイヤ
である。
上記のような構造の従来のボンディングパッドでは、ワ
イヤポンディングの際、第６図に示すように、リード引
き出し部アルミニウム層２ｂ上の表面保護膜層３が、が
ンディングワイヤ５のポールから外力を受け、下のアル
ミニウム層２ｂのスライドを伴い、外方向へスリップア
ウトするか、スリップアウトに達しないまでも、表面保
護膜層３にクラックが生じ、耐湿性の劣化、アルミ配線
へのストレスによる断線等の悪影響を及ぼすという問題
点があった。
イヤポンディングの際、第６図に示すように、リード引
き出し部アルミニウム層２ｂ上の表面保護膜層３が、が
ンディングワイヤ５のポールから外力を受け、下のアル
ミニウム層２ｂのスライドを伴い、外方向へスリップア
ウトするか、スリップアウトに達しないまでも、表面保
護膜層３にクラックが生じ、耐湿性の劣化、アルミ配線
へのストレスによる断線等の悪影響を及ぼすという問題
点があった。
１た、アルミニウム層２ｂ上の表面保護膜層３がスリッ
プアウトした場合、絶縁膜層１のアルミニウム層２ｂの
下の領域とアルミニウム層の存在しない領域の境界部分
で、太きなせん断応力が生じ、絶縁膜層１の劣化へ進展
するという問題点があった。
プアウトした場合、絶縁膜層１のアルミニウム層２ｂの
下の領域とアルミニウム層の存在しない領域の境界部分
で、太きなせん断応力が生じ、絶縁膜層１の劣化へ進展
するという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解消するためになされたもので
、ワイヤボンディングの際、リード引き出し部アルミニ
ウム層２ｂ上の表面保護膜層３がスリップアウトしたり
、該膜層３にクラックや歪が生じたり、絶縁膜層１にせ
ん断応力が生じたりすることのないものを提供すること
を目的とする。
、ワイヤボンディングの際、リード引き出し部アルミニ
ウム層２ｂ上の表面保護膜層３がスリップアウトしたり
、該膜層３にクラックや歪が生じたり、絶縁膜層１にせ
ん断応力が生じたりすることのないものを提供すること
を目的とする。
本発明の半導体装置は、上記目的を達成するため、半導
体チップのボンディングパッドの’Ｒ面保護膜目抜き部
分を該ぱンディング・ｅｙドに接続するリード引き出し
部アルミニウム層の表面が段差によって下がった領域ま
で延長拡大したものであるＯ 〔実施例〕 第１図，第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示す平面
図，断面図である。
体チップのボンディングパッドの’Ｒ面保護膜目抜き部
分を該ぱンディング・ｅｙドに接続するリード引き出し
部アルミニウム層の表面が段差によって下がった領域ま
で延長拡大したものであるＯ 〔実施例〕 第１図，第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示す平面
図，断面図である。
図にふ−いて１．２ａ，２ｂ，３は第４図，第５図の同
一符号と同−１たは相当する部分を示し、４ａはボンデ
ィングｉＰツドアルミニウム層２ａと該アルミニウム層
２ａと接続するリード引き出し部アルミニウム層２ｂの
表面が段差によって下がった領域までの上の表面保護膜
をアルミニウム層２ａとアルミニウム層２ｂの周辺に重
なる部分を残してエッチング除去した目抜き部分である
。
一符号と同−１たは相当する部分を示し、４ａはボンデ
ィングｉＰツドアルミニウム層２ａと該アルミニウム層
２ａと接続するリード引き出し部アルミニウム層２ｂの
表面が段差によって下がった領域までの上の表面保護膜
をアルミニウム層２ａとアルミニウム層２ｂの周辺に重
なる部分を残してエッチング除去した目抜き部分である
。
第３図は第１図，第２図に示す構造のボンディングパッ
ドにワイヤボンディングする状態の一例を示す断面図で
ある。
ドにワイヤボンディングする状態の一例を示す断面図で
ある。
図にふ・いて１，２ａ，２ｂ，３，４ａｊ５は第１図，
第２図及び！６図の同一符号と同−１たは相当する部分
を示す。
第２図及び！６図の同一符号と同−１たは相当する部分
を示す。
目抜き部分４ａを上記のような構造にすると、第３図に
示すように、ワイヤボンデイングの際、ワイヤ５のポー
ルがリード引き出し部アルミニウム層２ｂ上の表面保護
膜層３に達することがないので、アルミニウム層２ｂの
みが外方向にスライドすることで、ボール５からの外力
が吸収され、下部の絶縁膜層１に生ずるせん断応力は著
し〈減少し、絶縁膜層１の劣化が防止される。
示すように、ワイヤボンデイングの際、ワイヤ５のポー
ルがリード引き出し部アルミニウム層２ｂ上の表面保護
膜層３に達することがないので、アルミニウム層２ｂの
みが外方向にスライドすることで、ボール５からの外力
が吸収され、下部の絶縁膜層１に生ずるせん断応力は著
し〈減少し、絶縁膜層１の劣化が防止される。
したがって、半導体素子の性能劣化が軽減され、信頼性
が高筐る。
が高筐る。
以上説明したように、本発明によれば、ワイヤボンディ
ングの際、リード引き出し部アルミニウム層上の表面保
護膜層がスリップアウトしたり、該膜層にクラックや歪
が生じたり、絶縁膜層にせん断応力が生じたりすること
がなくなり、１頷性が高まるという効果がある。
ングの際、リード引き出し部アルミニウム層上の表面保
護膜層がスリップアウトしたり、該膜層にクラックや歪
が生じたり、絶縁膜層にせん断応力が生じたりすること
がなくなり、１頷性が高まるという効果がある。
第１図，第２図はそれぞれ本発明の一実施例を示す平面
図．断面図、第３図は第１図，第２図に示ス構造のゼン
ディングパッドにワイヤボンデイングする状態の一例を
示す断面図、第４図．第５図は従来の半導体装置の半導
体チップにふ・けるボンディングパッドの一例の構造を
示す平面図、断面図、第６図は第４図．第５図に示す構
造のボンディングパッドにワイヤボンディングする状態
の一例を示す断面図である。 １・・・絶縁膜層、２ａ・・・ポンディング・ぞツドア
ルミニウム層、２ｂ・・・リード引き出し部アルミニウ
ム層、３・・・表面保護膜層、４ａ・・・表面保護膜目
抜き部分、５・・・ワイヤ な釦各図中同一符号は同−１たは相当する部分を示す。
図．断面図、第３図は第１図，第２図に示ス構造のゼン
ディングパッドにワイヤボンデイングする状態の一例を
示す断面図、第４図．第５図は従来の半導体装置の半導
体チップにふ・けるボンディングパッドの一例の構造を
示す平面図、断面図、第６図は第４図．第５図に示す構
造のボンディングパッドにワイヤボンディングする状態
の一例を示す断面図である。 １・・・絶縁膜層、２ａ・・・ポンディング・ぞツドア
ルミニウム層、２ｂ・・・リード引き出し部アルミニウ
ム層、３・・・表面保護膜層、４ａ・・・表面保護膜目
抜き部分、５・・・ワイヤ な釦各図中同一符号は同−１たは相当する部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップのボンディングパッドの表面保護膜の目抜
きを該ボンディングパッドに接続するリード引き出し部
アルミニウム層の表面が段差によって下がった領域まで
延長拡大したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299601A JPH03160722A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1299601A JPH03160722A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03160722A true JPH03160722A (ja) | 1991-07-10 |
Family
ID=17874747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1299601A Pending JPH03160722A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03160722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2942809A1 (en) * | 2014-04-14 | 2015-11-11 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with a plurality of pads and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP1299601A patent/JPH03160722A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2942809A1 (en) * | 2014-04-14 | 2015-11-11 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device with a plurality of pads and method of manufacturing the same |
| US9391035B2 (en) | 2014-04-14 | 2016-07-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US9761541B2 (en) | 2014-04-14 | 2017-09-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10283458B2 (en) | 2014-04-14 | 2019-05-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10923437B2 (en) | 2014-04-14 | 2021-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11482498B2 (en) | 2014-04-14 | 2022-10-25 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11810869B2 (en) | 2014-04-14 | 2023-11-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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