JPH03145608A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
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- JPH03145608A JPH03145608A JP28566389A JP28566389A JPH03145608A JP H03145608 A JPH03145608 A JP H03145608A JP 28566389 A JP28566389 A JP 28566389A JP 28566389 A JP28566389 A JP 28566389A JP H03145608 A JPH03145608 A JP H03145608A
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- optical fiber
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はケーブルテレビジョンシステム等のアナログ
信号の光伝送装置の光源に用いられるレーザダイオード
モジュールに関するものである。
信号の光伝送装置の光源に用いられるレーザダイオード
モジュールに関するものである。
[従来の技術]
第3図は「“マルチギガピット伝送用〜LDモジュール
“、三菱電機技報Vo1.62No、 上0(198
8)Jに掲載された従来のレーザダイオードモジュール
(以下LDモジュールと略記する)を示す断面図で、図
において(1)はレーザダイオード素子(以下LD素子
と略記する)、(2)は第ルンズ、(3)は第2レンズ
、(4)はパッケージ、(5)は光ファイバである。
“、三菱電機技報Vo1.62No、 上0(198
8)Jに掲載された従来のレーザダイオードモジュール
(以下LDモジュールと略記する)を示す断面図で、図
において(1)はレーザダイオード素子(以下LD素子
と略記する)、(2)は第ルンズ、(3)は第2レンズ
、(4)はパッケージ、(5)は光ファイバである。
LD素子(↓)から出射された信号光は第ルンズ(2)
及び第2レンズ(3)によって光ファイバ(5)に集光
され入射しパッケージ(4)外に導波される。光ファイ
バ(5)の長さは通常1〜3m程度である。
及び第2レンズ(3)によって光ファイバ(5)に集光
され入射しパッケージ(4)外に導波される。光ファイ
バ(5)の長さは通常1〜3m程度である。
第4図は光ファイバ(5)の詳細を示す図で、図におい
て(6)はコア層、(7)はクラッド層、(8)は被覆
層である。コア層(6)の屈折率はクラッド層(7)の
屈折率より大きくなっており、コア層(6)に入射した
光はコア層(6)とクラッド層の境界で全反射を繰り返
しながらコア層(6)内を伝搬する。被覆層(8)は表
面保護及び曲げ強度の向1″の目的で設けられているo
辿j:’r、被覆層(8)の材料はクラッド層(7)
より屈折率の大きいシリコン樹脂で、その厚さは数1
u mである。クラッド層(7)に入射した光は被覆層
(8)に抜けるため減衰が大きいが、実際にはクラッド
層(7)と被差層(8)の境界で生じる軽微な反射及び
−度被覆層(8)に入った光が再びクラッド層(7)に
再入射する事によりクラッド層(7)内を伝搬する光が
存在する。一般に−に記りラッド層(7)内伝搬光をク
ラッドモードと呼んでいる。クラッドモードは伝搬中に
減衰し、3m程度の長さでは10dB程度減衰すると推
定される。
て(6)はコア層、(7)はクラッド層、(8)は被覆
層である。コア層(6)の屈折率はクラッド層(7)の
屈折率より大きくなっており、コア層(6)に入射した
光はコア層(6)とクラッド層の境界で全反射を繰り返
しながらコア層(6)内を伝搬する。被覆層(8)は表
面保護及び曲げ強度の向1″の目的で設けられているo
辿j:’r、被覆層(8)の材料はクラッド層(7)
より屈折率の大きいシリコン樹脂で、その厚さは数1
u mである。クラッド層(7)に入射した光は被覆層
(8)に抜けるため減衰が大きいが、実際にはクラッド
層(7)と被差層(8)の境界で生じる軽微な反射及び
−度被覆層(8)に入った光が再びクラッド層(7)に
再入射する事によりクラッド層(7)内を伝搬する光が
存在する。一般に−に記りラッド層(7)内伝搬光をク
ラッドモードと呼んでいる。クラッドモードは伝搬中に
減衰し、3m程度の長さでは10dB程度減衰すると推
定される。
LD素子(1)を数百MHzの周波数で振幅変調した場
合に、基本波成分に対して−50〜−70dBの割合で
第2高調波歪が発生ずることが知られている。また、L
D素子(土)を振幅変調した場合、変調に同期して発振
波長が変化するチャーブ現象が生ずる。発振波長の変化
によってL D素子(1)の出射光パターンが変化する
ことからクラッドJim(7)に入射する光量が変化す
るが、上記LD素子(1)出射光の振幅変化と発振波長
変化の関係は非線形である。またクラッド層(7)内の
伝搬損失も発振波長変化に対して非線形である。このた
めクラッド層(7)内を伝搬する光の第2高調波歪はL
D素子(1)本来の第2高調波歪より大きくなり一30
dB程度の割合の付加第2高調波成分を持つ。
合に、基本波成分に対して−50〜−70dBの割合で
第2高調波歪が発生ずることが知られている。また、L
D素子(土)を振幅変調した場合、変調に同期して発振
波長が変化するチャーブ現象が生ずる。発振波長の変化
によってL D素子(1)の出射光パターンが変化する
ことからクラッドJim(7)に入射する光量が変化す
るが、上記LD素子(1)出射光の振幅変化と発振波長
変化の関係は非線形である。またクラッド層(7)内の
伝搬損失も発振波長変化に対して非線形である。このた
めクラッド層(7)内を伝搬する光の第2高調波歪はL
D素子(1)本来の第2高調波歪より大きくなり一30
dB程度の割合の付加第2高調波成分を持つ。
第5図はケーブルテレビジョンシステム等に用いられる
光信号伝送路を示す図で、図において(9)は第3図に
示す従来のLDモジュール、(工0)は受信用のフォト
ダイオードモジュール、(11)は上記フォトダイオー
ドモジュール(王0)の光ファイバ、(↓2)は結合レ
ンズ、(13)はフォトダイオード素子、(14)はL
Dモジュール(9)の光ファイバ(5)とフォトダイオ
ードモジュール(10)の光ファイバ(1↓)との接続
面、(15)は接続コネクタ、(16a)は金属スリー
ブa、 (16b)金属スリーブbである。
光信号伝送路を示す図で、図において(9)は第3図に
示す従来のLDモジュール、(工0)は受信用のフォト
ダイオードモジュール、(11)は上記フォトダイオー
ドモジュール(王0)の光ファイバ、(↓2)は結合レ
ンズ、(13)はフォトダイオード素子、(14)はL
Dモジュール(9)の光ファイバ(5)とフォトダイオ
ードモジュール(10)の光ファイバ(1↓)との接続
面、(15)は接続コネクタ、(16a)は金属スリー
ブa、 (16b)金属スリーブbである。
LDモジュール(9)から出射された光は光ファイバ(
5)中及びフォトダイオードモジュール(10)の光フ
ァイバ(11)中を伝搬し結合レンズ(12)によって
フォトダイオード素子(13)上に集光される。金属ス
リーブa(16a)及び金属スリーブb(16b)は接
続精度の向上のために取り付けられる。
5)中及びフォトダイオードモジュール(10)の光フ
ァイバ(11)中を伝搬し結合レンズ(12)によって
フォトダイオード素子(13)上に集光される。金属ス
リーブa(16a)及び金属スリーブb(16b)は接
続精度の向上のために取り付けられる。
第6図は上記LDモジュール(9)の光ファイバ(5)
と上記フォトダイオードモジュール(10)の光ファイ
バ(↓1)との接続状態を示す図で、図において(5)
〜(8)は第4図に示したものと同一まもの、(11)
は第5図に示したちのと同一のものである。(17)は
上記光ファイバ(1王)のコア層、(」−8)は−上記
先光ファイバ1土)のクラッド層、(↓9)は上記光フ
ァイバ(↓1)の被覆層、(20)はクラッド・コア伝
搬径路である。接続点(14)ではLDモジュール(9
)の光ファイバ(5)のコア層(6)とフォトダイオー
ドモジュール(10)の光ファイバ(11)のコア層(
↓7)の外周が完全に一致するのが理想的であるが、実
際には接続コネクタ(15)、金属スリーブa(↓6a
)、金属スリーブb(16b)の工作精度により↓um
〜2umの中心軸ずれが生じてしまう。このためL D
モジュール(9)の光ファイバ(5)のコア層(6)を
伝搬してきた光がフォトダイオードモジュール(10)
の光ファイバ(1t)のコア層(17)に入射する本来
の径路の他に、LDモジュール(9)の光ファイバ(5
)のクラッド層(7)を伝搬してきた光がフォトダイオ
ードモジュール(10)の光ファイバ(↓工)のコア層
(17)に入射する伝搬径路(20)が生じる。
と上記フォトダイオードモジュール(10)の光ファイ
バ(↓1)との接続状態を示す図で、図において(5)
〜(8)は第4図に示したものと同一まもの、(11)
は第5図に示したちのと同一のものである。(17)は
上記光ファイバ(1王)のコア層、(」−8)は−上記
先光ファイバ1土)のクラッド層、(↓9)は上記光フ
ァイバ(↓1)の被覆層、(20)はクラッド・コア伝
搬径路である。接続点(14)ではLDモジュール(9
)の光ファイバ(5)のコア層(6)とフォトダイオー
ドモジュール(10)の光ファイバ(11)のコア層(
↓7)の外周が完全に一致するのが理想的であるが、実
際には接続コネクタ(15)、金属スリーブa(↓6a
)、金属スリーブb(16b)の工作精度により↓um
〜2umの中心軸ずれが生じてしまう。このためL D
モジュール(9)の光ファイバ(5)のコア層(6)を
伝搬してきた光がフォトダイオードモジュール(10)
の光ファイバ(1t)のコア層(17)に入射する本来
の径路の他に、LDモジュール(9)の光ファイバ(5
)のクラッド層(7)を伝搬してきた光がフォトダイオ
ードモジュール(10)の光ファイバ(↓工)のコア層
(17)に入射する伝搬径路(20)が生じる。
先に述べたようにLD素子(1)の発振波長変化に伴う
光ファイバ(5)のクラッド層(7)内での付加第2高
調波歪は一30clBで、LD素子(1)の変調時に発
生する第2高調波歪−50〜70dBに比べて大きいた
め、伝搬径路(20)の伝搬光の第2高調波歪はほぼ〜
306. Bである。
光ファイバ(5)のクラッド層(7)内での付加第2高
調波歪は一30clBで、LD素子(1)の変調時に発
生する第2高調波歪−50〜70dBに比べて大きいた
め、伝搬径路(20)の伝搬光の第2高調波歪はほぼ〜
306. Bである。
フォトダイオード素子(13)にはL Dモジュル(9
)の光ファイバ(5)のコア層(6)及びフォトダイオ
ードモジュール(10)の光ファイバ(11)のコア肋
(↓7)を伝搬する本来の径路の光も同時に集光される
。LD素子(1)で発生する第2高調波歪が一60dB
で、LDモジュール(9)内でコア層(6)に入射する
光量とクラッド層(7)に入射する光量が同程度の場合
、伝搬径路(20)の伝搬光は光ファイバ(5)のクラ
ッド層(7)内での10dBの減衰と接続面(14)で
の20dBの減衰をするため、最終的にフォトダイオー
ド素子(13)に集光される光の第2高調波歪は約−5
7dBになる。
)の光ファイバ(5)のコア層(6)及びフォトダイオ
ードモジュール(10)の光ファイバ(11)のコア肋
(↓7)を伝搬する本来の径路の光も同時に集光される
。LD素子(1)で発生する第2高調波歪が一60dB
で、LDモジュール(9)内でコア層(6)に入射する
光量とクラッド層(7)に入射する光量が同程度の場合
、伝搬径路(20)の伝搬光は光ファイバ(5)のクラ
ッド層(7)内での10dBの減衰と接続面(14)で
の20dBの減衰をするため、最終的にフォトダイオー
ド素子(13)に集光される光の第2高調波歪は約−5
7dBになる。
ケーブルテレビジョンシステム等の用途においては、一
般的に一60dB以下の低い第2高調波歪を持つ光信号
伝送路が要求される。LD素子(1)の変調時に発生す
る第2高調波歪が要求を満たす一60dBの場合であっ
ても、フォトダイオード素子(13)に集光された光の
第2高調波歪は上記のように約−57dBに増加し要求
を満足できない。
般的に一60dB以下の低い第2高調波歪を持つ光信号
伝送路が要求される。LD素子(1)の変調時に発生す
る第2高調波歪が要求を満たす一60dBの場合であっ
ても、フォトダイオード素子(13)に集光された光の
第2高調波歪は上記のように約−57dBに増加し要求
を満足できない。
この対策として、上記LDモジュール(9)を光伝送装
置の光源として実使用する場合には、LDモジュール(
9)の光ファイバ(5)と伝送路の光ファイバを融着に
よって永久接続することが多い。現在の融着技術によれ
ば、接続点でのコア層の中心軸ずれは0.2um〜0.
3umに抑えることが可能である。このため伝搬径路(
20)の接続面での損失は40dB以上に大きくなり、
伝搬径路(20)の影響は考慮する必要がなく、フォト
ダイオード素子(13)に集光される光の第2高調波歪
はLD素子(1)で発生する一60dBである。
置の光源として実使用する場合には、LDモジュール(
9)の光ファイバ(5)と伝送路の光ファイバを融着に
よって永久接続することが多い。現在の融着技術によれ
ば、接続点でのコア層の中心軸ずれは0.2um〜0.
3umに抑えることが可能である。このため伝搬径路(
20)の接続面での損失は40dB以上に大きくなり、
伝搬径路(20)の影響は考慮する必要がなく、フォト
ダイオード素子(13)に集光される光の第2高調波歪
はLD素子(1)で発生する一60dBである。
しかし、送信側のシステム構成をひんばんに変更するテ
ストシステムに適用する場合には融着接続よりもコネク
タ接続の方が変更が容易である。
ストシステムに適用する場合には融着接続よりもコネク
タ接続の方が変更が容易である。
また、L Dモジュールの光ファイバにタララドモード
ストリッパを取り付けてクラッドモードを除去する方法
はLDモジュールが大型化する。
ストリッパを取り付けてクラッドモードを除去する方法
はLDモジュールが大型化する。
また、LDモジュールの光ファイバ長を数十mに長くし
てクラッド層内を伝搬する光を減衰させる方法は、光フ
ァイバのコストが高くなりかつ組み立て時の取扱いが繁
雑になる。
てクラッド層内を伝搬する光を減衰させる方法は、光フ
ァイバのコストが高くなりかつ組み立て時の取扱いが繁
雑になる。
[発明が解決しようとする逼黒鎮i]
従来のLDモジュールは上記のように構成されているた
め、受光用のフォトダイオードモジュールとの接続状態
によっては第2高調波歪が増加してしまうという問題点
があった。
め、受光用のフォトダイオードモジュールとの接続状態
によっては第2高調波歪が増加してしまうという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、コネクタを用いた簡易接続状態においてもL
D素子が発生する本来の第2高調波歪を維持できるLD
モジュールを得ることを目この発明に係わるLDモジュ
ールは、被覆層をクラッド層の屈折率より大きい屈折率
を持つと共にL D素子の発振波長域で吸収特性を持つ
材料にした光ファイバを用いたものである。
たもので、コネクタを用いた簡易接続状態においてもL
D素子が発生する本来の第2高調波歪を維持できるLD
モジュールを得ることを目この発明に係わるLDモジュ
ールは、被覆層をクラッド層の屈折率より大きい屈折率
を持つと共にL D素子の発振波長域で吸収特性を持つ
材料にした光ファイバを用いたものである。
また、この発明の別の発明に係わるLDモジュールは、
クラッド層外周表面をLD素子の発振波長の0.7倍以
上の最大あらさに粗した光ファイバを用いたものである
。
クラッド層外周表面をLD素子の発振波長の0.7倍以
上の最大あらさに粗した光ファイバを用いたものである
。
[作用]
この発明に係わるLDモジュールにおいては、L D素
子から出射され光ファイバのクラッド層に入射しさらに
被覆層に入射した光は被覆層内で吸収されクラッド層に
再入射することが無いため、光ファイバのクラッド層内
を伝搬する光の伝搬損失が高くなりコネクタ接続によっ
てフォトダイオードモジュールの光ファイバのコア層に
入る光量は少なくなり本来の径路を伝搬する光の第2高
調波成分の大きさに比べて無視できる程度となるため、
LD素子で発生する第2高調波歪が維持できる。
子から出射され光ファイバのクラッド層に入射しさらに
被覆層に入射した光は被覆層内で吸収されクラッド層に
再入射することが無いため、光ファイバのクラッド層内
を伝搬する光の伝搬損失が高くなりコネクタ接続によっ
てフォトダイオードモジュールの光ファイバのコア層に
入る光量は少なくなり本来の径路を伝搬する光の第2高
調波成分の大きさに比べて無視できる程度となるため、
LD素子で発生する第2高調波歪が維持できる。
また、この発明の別の発明に係わるLDモジュ0
−ルにおいては、LD素子から出射され光ファイバのク
ラッド層に入射した光はクラッド層と被覆層の境界のあ
らさによって乱反射されるため、光ファイバのクラッド
層内を伝搬する光の伝搬損失が高くなりコネクタ接続に
よってフォトダイオードモジュールの光ファイバのコア
層に入る光量は少なくなり本来の径路を伝搬する光の第
2高調波成分の大きさに比べて無視できる程度となるた
め、LD素子で発生する第2高調波歪が維持できる。
ラッド層に入射した光はクラッド層と被覆層の境界のあ
らさによって乱反射されるため、光ファイバのクラッド
層内を伝搬する光の伝搬損失が高くなりコネクタ接続に
よってフォトダイオードモジュールの光ファイバのコア
層に入る光量は少なくなり本来の径路を伝搬する光の第
2高調波成分の大きさに比べて無視できる程度となるた
め、LD素子で発生する第2高調波歪が維持できる。
[発明の実施例]
以下この発明の一実施例について示す。第1図はこの発
明のLDモジュールの一実施例を示す図で、図において
(1); (4)、(6)、(7)。
明のLDモジュールの一実施例を示す図で、図において
(1); (4)、(6)、(7)。
は従来装置と同一ものである。(21)は球レンズ、(
22)は金属スリーブ、(23)は吸収被覆層、(24
)は吸収被覆層付き光ファイバである。
22)は金属スリーブ、(23)は吸収被覆層、(24
)は吸収被覆層付き光ファイバである。
LD素子(1)および球レンズ(21)がパッケージ(
4)内に搭載されており、金属スリーブ(22)を取り
付けた吸収被覆層付き光ファイバ(24)がLD素子(
1)の出射光に対して光学的に結合されパッケージ(4
)に固定される。
4)内に搭載されており、金属スリーブ(22)を取り
付けた吸収被覆層付き光ファイバ(24)がLD素子(
1)の出射光に対して光学的に結合されパッケージ(4
)に固定される。
LD素子(1)の出射光は吸収被覆層付き光ファイバ(
24)のコア層(6)及びクラッド層(7)に入射する
。コア層(6)に入射した光は従来装置と同様にLD素
子(1)の変調時の第2高調波歪を保ったままコア層(
6)内を伝搬し、クラッド層(7)内に入射した光は波
長変化の非線形によって第2高調波歪が高くなる。吸収
被覆層(23)の屈折率はクラッド層(7)の屈折率よ
り大きいため、クラッド層(7)内の光は吸収被覆層(
23)に抜けていく。吸収被覆層(23)はLD素子(
1)の発振波長域で吸収特性を持ち、吸収被覆層(23
)に入射した光は大きく減衰されるためクラッド層に再
入射することは無い。結局クラッド層(7)内にはクラ
ッド層(7)と吸収被覆層(23)の境界の不完全さに
よるわずかな反射に起因する伝搬光が存在するが、光量
は従来装置のクラッドモードに比べ一10dB以下であ
る。このため、フォトダイオードモジュールをコネクタ
接続した場合に生じるクラッドモードのフォトダイオー
ドモジュールの光ファイバのコア層への入射光量も従来
装置の一10dB以下の大きさとなり、−1−記入射光
の第2高調波成分はコア層(6)内を伝搬してきた光の
第2高調波成分に比べ一10dB以下の大きさとなり、
フォトダイオード素子ではコア層(6)を伝搬してきた
光の第2高調波歪すなわちLD素子(1)本来の第2高
調波歪が得られる。
24)のコア層(6)及びクラッド層(7)に入射する
。コア層(6)に入射した光は従来装置と同様にLD素
子(1)の変調時の第2高調波歪を保ったままコア層(
6)内を伝搬し、クラッド層(7)内に入射した光は波
長変化の非線形によって第2高調波歪が高くなる。吸収
被覆層(23)の屈折率はクラッド層(7)の屈折率よ
り大きいため、クラッド層(7)内の光は吸収被覆層(
23)に抜けていく。吸収被覆層(23)はLD素子(
1)の発振波長域で吸収特性を持ち、吸収被覆層(23
)に入射した光は大きく減衰されるためクラッド層に再
入射することは無い。結局クラッド層(7)内にはクラ
ッド層(7)と吸収被覆層(23)の境界の不完全さに
よるわずかな反射に起因する伝搬光が存在するが、光量
は従来装置のクラッドモードに比べ一10dB以下であ
る。このため、フォトダイオードモジュールをコネクタ
接続した場合に生じるクラッドモードのフォトダイオー
ドモジュールの光ファイバのコア層への入射光量も従来
装置の一10dB以下の大きさとなり、−1−記入射光
の第2高調波成分はコア層(6)内を伝搬してきた光の
第2高調波成分に比べ一10dB以下の大きさとなり、
フォトダイオード素子ではコア層(6)を伝搬してきた
光の第2高調波歪すなわちLD素子(1)本来の第2高
調波歪が得られる。
第2図はこの発明の別の発明の一実施例を示す図で、図
において(1)、(4)、 (6)、(8)は従来装
置と同一もの、(21)、 (22)は第1図と同一
のものである。(25)外周表面を最大粗さがLD素子
(1)の発振波長の0.7倍以上に粗したクラッド層、
(26)は乱反射境界付き光ファイバである。
において(1)、(4)、 (6)、(8)は従来装
置と同一もの、(21)、 (22)は第1図と同一
のものである。(25)外周表面を最大粗さがLD素子
(1)の発振波長の0.7倍以上に粗したクラッド層、
(26)は乱反射境界付き光ファイバである。
LD素子(1)および球レンズ(2t)がパッケージ(
4)内に搭載されており、金属スリーブ(22)を取り
付けた乱反射境界付き光ファイバ(26)がL D素子
(1)の出射光に対して光学3 的に結合されパッケージ(4)に固定される。LD素子
(1)の出射光は乱反射境界付き光ファイバ(26)の
コア層(6)及び外周表面を粗したクラッド層(25)
に入射する。コア層(6)に入射した光は従来装置と同
様にLD素子(↓)の変調時の第2高調波歪を保ったま
まコア層(6)内を伝搬する。
4)内に搭載されており、金属スリーブ(22)を取り
付けた乱反射境界付き光ファイバ(26)がL D素子
(1)の出射光に対して光学3 的に結合されパッケージ(4)に固定される。LD素子
(1)の出射光は乱反射境界付き光ファイバ(26)の
コア層(6)及び外周表面を粗したクラッド層(25)
に入射する。コア層(6)に入射した光は従来装置と同
様にLD素子(↓)の変調時の第2高調波歪を保ったま
まコア層(6)内を伝搬する。
最大あらさが波長の0.7倍程度以」二のあらさを持つ
面に光が照射された場合、散乱によって乱反射が生じる
ことが良く知られている。同様に外周表面をL D素子
(1)の発振波長の0.7倍以上の最大あらさに粗した
クラッド層(25)に入射した光は被覆層(8)との境
界で乱反射される。
面に光が照射された場合、散乱によって乱反射が生じる
ことが良く知られている。同様に外周表面をL D素子
(1)の発振波長の0.7倍以上の最大あらさに粗した
クラッド層(25)に入射した光は被覆層(8)との境
界で乱反射される。
乱反射された光に一部はクラッドモードとして残るが、
はとんどは被覆層(8)に入射しさらに乱反射境界付き
光ファイバ(26)外に抜けていく。
はとんどは被覆層(8)に入射しさらに乱反射境界付き
光ファイバ(26)外に抜けていく。
また、被覆層(8)からクラッド層(25)に再入射し
てくる光量も少なくなる。上記のような乱反射を繰り返
すことにより、外周表面を粗したクラッド層(25)を
伝搬する光の光量は従来装置4 の−10dB以下である。従って、上記の実施例と同様
にフォトダイオードモジュールをコネクタ接続した場合
でも、フォトダイオード素子ではLD素子(1)本来の
第2高調波歪が得られる。
てくる光量も少なくなる。上記のような乱反射を繰り返
すことにより、外周表面を粗したクラッド層(25)を
伝搬する光の光量は従来装置4 の−10dB以下である。従って、上記の実施例と同様
にフォトダイオードモジュールをコネクタ接続した場合
でも、フォトダイオード素子ではLD素子(1)本来の
第2高調波歪が得られる。
なお、上記実施例では結合光学系に球レンズを用いた場
合について示したが、光フアイバ先端ををレンズ加工す
る等の他の光学系を用いた場合あるいは光学フィルタ等
の光学部品を付加した場合にも同様の発明の効果が得ら
れる。
合について示したが、光フアイバ先端ををレンズ加工す
る等の他の光学系を用いた場合あるいは光学フィルタ等
の光学部品を付加した場合にも同様の発明の効果が得ら
れる。
また、上記実施例ではL I)素子を用いた場合につい
て示したが、LEDLD素子部変調光素子、双安定窓光
素子等を用いた場合にも同様の発明の効果が得られる。
て示したが、LEDLD素子部変調光素子、双安定窓光
素子等を用いた場合にも同様の発明の効果が得られる。
[発明の効果]
上記のようにこの発明によれば光ファイバにLD素子の
発振波長域で吸収特性を持つ吸収被覆層を設けることに
より、クラッド層から吸収被覆層に入射した光は吸収被
覆層で吸収されクラッド層に再入射せずクラッドモード
は大きく減衰されるため、一般的なフォトダイオードモ
ジュールとコネクタ接続した場合でも第2高調波歪が増
加しない。
発振波長域で吸収特性を持つ吸収被覆層を設けることに
より、クラッド層から吸収被覆層に入射した光は吸収被
覆層で吸収されクラッド層に再入射せずクラッドモード
は大きく減衰されるため、一般的なフォトダイオードモ
ジュールとコネクタ接続した場合でも第2高調波歪が増
加しない。
またこの発明の別の発明によれば光ファイバの)クラッ
ド層外周表面をLD素子の発振波長の0゜7倍以上の最
大あらさに粗すことにより、クラッド層に入射した光は
被覆層との境界で乱反射されクラッドモードは大きく減
衰されるため、一般的なフォトダイオードモジュールと
コネクタ接続した場合でも第2高調波歪が増加しない。
ド層外周表面をLD素子の発振波長の0゜7倍以上の最
大あらさに粗すことにより、クラッド層に入射した光は
被覆層との境界で乱反射されクラッドモードは大きく減
衰されるため、一般的なフォトダイオードモジュールと
コネクタ接続した場合でも第2高調波歪が増加しない。
第1図はこの発明のL Dモジュールの一実施例を示す
断面図、第2図はこの発明の別の発明の一実施例を示す
断面図、第3図は従来装置を示す断面図、第4図は光フ
ァイバの詳細を示す図、第5図は光信号伝送路を示す図
、第6図はLDモジュールの光ファイバとフォトダイオ
ードモジュールの光ファイバとの接続状態を示す図であ
る。 図において、(1)はレーザダイオード素子、(2)は
第1−レンズ、(3)は第2レンズ、(4)はパッケー
ジ、(5)はL Dモジュールの光ファイバ、 (6
)はLDモジュールの光ファイバのコア層、(7)はL
Dモジュールの光ファイバのクラッド層、(8)はL
Dモジュールの光ファイバの被覆層、(9)は従来のL
Dモジュール、(10)はフォトダイオードモジュール
、(11)はフォトダイオードモジュールの光ファイバ
、(12)は結合レンズ、(13)はフォトダイオード
素子、(14)はLDモジュールの光ファイバとフォト
ダイオードモジュールの光ファイバの接続面、(15)
は接続コネクタ、(16a)は金属スリーブa、 (
16b)は金属スリーブb1 (17)はフォトダイオ
ードモジュールの光ファイバのコア層、(工8)はフォ
トダイオードモジュールの光ファイバのクラッド層、(
19)はフォトダイオードモジュールの光ファイバの被
覆層、(20)はクラッド・コア伝搬径路、(21)は
球レンズ、(22)は金属スリーブ、(23)は吸収被
覆層、(24)は吸収被覆層付き光ファイバ、(25)
外周表面を粗したクラッド層、(26)は乱反射境界付
き光ファイバである。 ]7 なお、 図中同一符号は、 同一または相当部分を 示す。
断面図、第2図はこの発明の別の発明の一実施例を示す
断面図、第3図は従来装置を示す断面図、第4図は光フ
ァイバの詳細を示す図、第5図は光信号伝送路を示す図
、第6図はLDモジュールの光ファイバとフォトダイオ
ードモジュールの光ファイバとの接続状態を示す図であ
る。 図において、(1)はレーザダイオード素子、(2)は
第1−レンズ、(3)は第2レンズ、(4)はパッケー
ジ、(5)はL Dモジュールの光ファイバ、 (6
)はLDモジュールの光ファイバのコア層、(7)はL
Dモジュールの光ファイバのクラッド層、(8)はL
Dモジュールの光ファイバの被覆層、(9)は従来のL
Dモジュール、(10)はフォトダイオードモジュール
、(11)はフォトダイオードモジュールの光ファイバ
、(12)は結合レンズ、(13)はフォトダイオード
素子、(14)はLDモジュールの光ファイバとフォト
ダイオードモジュールの光ファイバの接続面、(15)
は接続コネクタ、(16a)は金属スリーブa、 (
16b)は金属スリーブb1 (17)はフォトダイオ
ードモジュールの光ファイバのコア層、(工8)はフォ
トダイオードモジュールの光ファイバのクラッド層、(
19)はフォトダイオードモジュールの光ファイバの被
覆層、(20)はクラッド・コア伝搬径路、(21)は
球レンズ、(22)は金属スリーブ、(23)は吸収被
覆層、(24)は吸収被覆層付き光ファイバ、(25)
外周表面を粗したクラッド層、(26)は乱反射境界付
き光ファイバである。 ]7 なお、 図中同一符号は、 同一または相当部分を 示す。
Claims (2)
- (1)レーザダイオード素子がパッケージ内に収納され
、上記レーザダイオード素子と光結合された光ファイバ
が上記パッケージ外に導き出されたレーザダイオードモ
ジュールにおいて、光ファイバとしてクラッド層の屈折
率より大きい屈折率を持ち上記レーザダイオード素子の
発振波長域で吸収特性を持つ材料を上記クラッド層の外
側に被覆した光ファイバを用いたことを特徴とするレー
ザダイオードモジュール。 - (2)レーザダイオード素子がパッケージ内に収納され
、上記レーザダイオード素子と光結合された光ファイバ
が上記パッケージ外に導き出されたレーザダイオードモ
ジュールにおいて、光ファイバとしてクラッド層外周表
面を上記レーザダイオード素子の発振波長の0.7倍以
上の最大あらさに粗した光ファイバを用いたことを特徴
とするレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28566389A JPH03145608A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28566389A JPH03145608A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03145608A true JPH03145608A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17694447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28566389A Pending JPH03145608A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03145608A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2679548A1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-01-29 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication de fibres optiques actives. |
JP2011100154A (ja) * | 2011-01-04 | 2011-05-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 出力光モニタ付光導波路型光変調器 |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP28566389A patent/JPH03145608A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2679548A1 (fr) * | 1991-07-25 | 1993-01-29 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication de fibres optiques actives. |
US5364429A (en) * | 1991-07-25 | 1994-11-15 | Alcatel Fibres Optiques | Method of manufacturing active optical fibers |
JP2011100154A (ja) * | 2011-01-04 | 2011-05-19 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 出力光モニタ付光導波路型光変調器 |
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