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JPH03109727A - Equipment for manufacture of semiconductor - Google Patents

Equipment for manufacture of semiconductor

Info

Publication number
JPH03109727A
JPH03109727A JP24864589A JP24864589A JPH03109727A JP H03109727 A JPH03109727 A JP H03109727A JP 24864589 A JP24864589 A JP 24864589A JP 24864589 A JP24864589 A JP 24864589A JP H03109727 A JPH03109727 A JP H03109727A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
processing
wafer
chambers
arm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP24864589A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshimasa Kisa
木佐 俊正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP24864589A priority Critical patent/JPH03109727A/en
Publication of JPH03109727A publication Critical patent/JPH03109727A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体製造装置に係り、特に共通の真空室内に複数の処
理室とウェハ搬送機構とを備え、半導体ウェハに例えば
ドライエツチングやレジスト除去などの複数の処理を自
動的に行う枚葉式の真空処理装置に関し、 マルチチャンバ式の真空処理装置の量産時の処理能力を
向上させることを目的とし、 真空排気されている共通の真空室内に、少なくとも一つ
のロードロック室を含む複数の処理室が放射状に配置さ
れ、該処理室間でウェハを移送する回転搬送機構が中央
に設けられてなるマルチチャンバ方式の真空処理装置で
あって、該回転搬送機構は前記処理室と同数の搬送アー
ムを有する構成である。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] It relates to a semiconductor manufacturing device, and in particular, it is equipped with a plurality of processing chambers and a wafer transport mechanism in a common vacuum chamber, and is capable of performing a plurality of processes such as dry etching and resist removal on semiconductor wafers. Regarding automated single-wafer vacuum processing equipment, at least one load lock is installed in a common vacuum chamber that is evacuated, with the aim of improving the throughput during mass production of multi-chamber vacuum processing equipment. A multi-chamber type vacuum processing apparatus including a plurality of processing chambers arranged radially, and a rotary transfer mechanism for transferring wafers between the processing chambers is provided in the center, the rotary transfer mechanism is configured to transfer wafers between the processing chambers. This configuration has the same number of transfer arms as chambers.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は半導体製造装置に係り、特に共通の真空室内に
複数の処理室とウェハ搬送機構とを備え、半導体ウェハ
に例えばドライエツチングやレジスト除去などの複数の
処理を自動的に行う枚葉式の真空処理装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a single-wafer type semiconductor manufacturing apparatus that is equipped with a plurality of processing chambers and a wafer transport mechanism in a common vacuum chamber, and that automatically performs a plurality of processes on semiconductor wafers, such as dry etching and resist removal. Related to vacuum processing equipment.

近年のA S I C(Application 5p
ecific IC)等の半導体集積回路装置は多種少
量生産で製造されるため、そのウェーハの処理には、量
産性のみで無(処理のフレキシビリティが要求されるよ
うになってきている。
Recent ASIC (Application 5P)
Semiconductor integrated circuit devices such as ICs are manufactured in small quantities with a wide variety of types, so the processing of these wafers requires not only mass production but also processing flexibility.

このため、中央のウェハ搬送機構の周囲に複数の反応室
やロードロツタ室を放射状に配置して、回転搬送機構に
よりそれらの反応室やロードロック室間のウェハの搬送
を行わしめるマルチチャンバ式と呼ばれる真空処理装置
が提案されている。
For this reason, it is called a multi-chamber system in which multiple reaction chambers and load lock chambers are arranged radially around a central wafer transfer mechanism, and wafers are transferred between these reaction chambers and load lock chambers using a rotating transfer mechanism. Vacuum processing equipment has been proposed.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の真空処理装置では量産性を重視して、複数のドラ
イエツチング処理やアッシング処理などを行う処理室を
1列に並べ、前部に搬入用ロードロック室と後部に搬出
用ロードロツタ室と、これらの複数の真空室間にウェハ
を順次移動させる直動搬送機構とが設けられたものであ
った。この装置では複数のプロセスの順番が固定されて
、必要に応じてプロセスの組み合わせを変えるなどのフ
レキシビリティが無(、種類によってプロセスの組み合
わせが異なるASIC等の製造には適さなかった。そこ
で第3図に示すマルチチャンバ方式の真空処理装置が提
案された。これは例えば共通の真空室内にロードロック
室2と三つの反応室3.4.5とからなる四つの処理室
を、搬出入ゲートを中心に向けて放射状に配置し、伸縮
及び360゛回転して各処理室のステージにウェハを搬
入・搬出する搬送アーム7を、これらの処理室配置の中
央に設けたものである。搬送アームは搬送すべきウェハ
が存在する処理室に向けてアーム71を伸ばして、先端
のトレー72でステージ上のウェハをピックアップして
から縮小し、回転軸73により搬送先の処理室まで回転
する。そしてアームが伸長してウェハを当該処理室内の
ステージに置いてくるようになっている。このような処
理室と回転機構をこのように配置することにより、不必
要な処理室を通らずバスさせてウェハを搬送することが
できるため、インライン搬送方式の処理装置に比べてプ
ロセスの組み合わせの自由度が増し、フレキシビリティ
のある真空処理装置が実現できる。
Conventional vacuum processing equipment places emphasis on mass production, with processing chambers for performing multiple dry etching processes, ashing processes, etc. arranged in a row, with a load lock chamber for carrying in at the front and a load rotor chamber for carrying out at the rear; A linear transfer mechanism was provided to sequentially move wafers between a plurality of vacuum chambers. With this device, the order of multiple processes is fixed, and there is no flexibility to change the combination of processes as needed (and it is not suitable for manufacturing ASICs, etc., where the combination of processes varies depending on the type. A multi-chamber type vacuum processing apparatus as shown in the figure has been proposed.This has, for example, four processing chambers consisting of a load lock chamber 2 and three reaction chambers 3, 4, 5 in a common vacuum chamber, and a loading/unloading gate. A transport arm 7, which is arranged radially toward the center and expands and contracts and rotates 360 degrees to carry the wafer into and out of the stage of each processing chamber, is provided at the center of the processing chamber arrangement. The arm 71 is extended toward the processing chamber where the wafer to be transferred exists, and the tray 72 at the tip picks up the wafer on the stage, and then it is reduced and rotated by the rotating shaft 73 to the processing chamber to which the wafer is to be transferred.Then, the arm extends and places the wafer on the stage within the processing chamber.By arranging the processing chamber and rotation mechanism in this way, the wafer can be placed on the bus without passing through unnecessary processing chambers. This allows for greater freedom in combining processes compared to in-line transport type processing equipment, making it possible to realize a flexible vacuum processing equipment.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来の真空装置では、処理プロセスの組み合わせが
同一のウェハを連続して量産する場合、搬送アームが一
個しかないため、−時に一個のウェハの搬送しかできず
ウェハ搬送が時間的に直列になり、このために複数の処
理を行う際にスルーブツトが悪いという問題があった。
In the conventional vacuum equipment mentioned above, when wafers with the same combination of processing processes are continuously mass-produced, since there is only one transfer arm, it is possible to transfer only one wafer at a time, and the wafer transfers are serial in time. Therefore, there was a problem of poor throughput when performing multiple processes.

これを第4図のタイムシーケンス図で説明する。This will be explained using the time sequence diagram in FIG.

図は、一つのロードロック室を含む四つの処理室を備え
たドライエツチング装置におけるウェハの流れを示すタ
イムチャートで、処理室1はウェハを真空室内に搬入及
び搬出するため真空排気とリークを行うロードロック室
、処理室2.3.4はドライエッチや後処理などの処理
を行う反応室1.2.3である。そしてロードロック室
に導入されたウェハは一つの搬送アームによって反応室
間を搬送され、それぞれの反応室で順次所定の処理がな
された後、再度ロードロック室に搬送されて装置の外部
に取り出されるという、一連のプロセスを示すものであ
る。
The figure is a time chart showing the flow of wafers in a dry etching apparatus equipped with four processing chambers including one load-lock chamber. Processing chamber 1 performs evacuation and leakage in order to carry wafers into and out of the vacuum chamber. The load lock chamber and processing chamber 2.3.4 are reaction chambers 1.2.3 in which processes such as dry etching and post-processing are performed. The wafer introduced into the load-lock chamber is transported between reaction chambers by one transport arm, and after being sequentially subjected to prescribed processing in each reaction chamber, it is transported to the load-lock chamber again and taken out of the apparatus. It shows a series of processes.

処理室l(ロードロック室)に供給されたウェハ#lは
、搬送時間T12により、処理室1(ロードロツタ室)
から処理室2(第一反応室)に搬送され、処理時間P1
で所定の処理がなされた後、搬送時間T23で処理室2
から処理室3(第2反応室)に搬送される。ウェハ#1
が第2反応室内で処理時間P2により第二処理が行われ
ている間に搬送アームは、二枚口のウェハ#2をT12
により、処理室1(ロードロック室)から処理室2(第
一反応室)に搬送する。次いで処理室3(第二反応室)
で第二処理が終わったウェハ#lを、処理室4(第三反
応室)に搬送時間T34により搬送し、処理時間P3 
 により第三処理が行われる。この間に搬送アームはウ
ェハ#2をT23により処理室3から処理室4へ、さら
に新たにロードロック室に供給された3枚目のウェハ#
3を搬送室時間T12により処理室1から処理室2に搬
送しなければならない。このように、搬送アームが他の
ウェハ搬送に専有されているため、処理3が終了した処
理室4内のウェハ#lを処理室l(ロードロツタ室)へ
搬送することができない。このためにT23+T12 
>P3の場合は、ウェハ1に関して搬送待ち時間りが発
生する。即ちウェハが処理が終了して搬送可能な状態に
なっていても搬送することができない。以下同様にし全
ての処理室にウェハが存在する定常状態では、成るウェ
ハの全処理が完了してロードロック室から取り出された
あと、次のウェハが取り出されるまでの時間(タクトタ
イム)はT34. T23. T12の総和で規定され
ることになり、この時間が長いため、従来の装置は処理
能力が低く量産には適しないという問題があった。
The wafer #l supplied to the processing chamber 1 (load lock chamber) is transferred to the processing chamber 1 (load lock chamber) by the transfer time T12.
is transported to processing chamber 2 (first reaction chamber) for processing time P1.
After the predetermined processing is performed in the processing chamber 2 at the transport time T23,
from there to the processing chamber 3 (second reaction chamber). Wafer #1
While the second process is being performed in the second reaction chamber for a process time of P2, the transfer arm transfers two wafers #2 to T12.
The sample is transported from the processing chamber 1 (load lock chamber) to the processing chamber 2 (first reaction chamber). Next, processing chamber 3 (second reaction chamber)
The wafer #l that has undergone the second process is transported to the processing chamber 4 (third reaction chamber) for a transport time T34,
Third processing is performed. During this time, the transfer arm transfers wafer #2 from processing chamber 3 to processing chamber 4 by T23, and then transfers wafer #2 from processing chamber 3 to processing chamber 4, and then transfers the third wafer #2 newly supplied to the load lock chamber.
3 must be transported from processing chamber 1 to processing chamber 2 during transport chamber time T12. As described above, since the transfer arm is exclusively used for transferring other wafers, the wafer #l in the processing chamber 4, which has undergone the processing 3, cannot be transferred to the processing chamber I (load rotter chamber). For this reason T23+T12
>P3, a transfer waiting time occurs for wafer 1. That is, even if the wafer has been processed and is ready to be transported, it cannot be transported. Similarly, in a steady state where wafers are present in all processing chambers, the time (takt time) from when all the processing of a wafer is completed and taken out from the load lock chamber until the next wafer is taken out is T34. T23. Since this time is defined by the sum of T12 and this time is long, there is a problem that conventional equipment has low processing capacity and is not suitable for mass production.

本発明は上記問題点に鑑み創出されたもので、マルチチ
ャンバ式の真空処理装置の量産時の処理能力を向上させ
ることを目的とする。
The present invention was created in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve the throughput of a multi-chamber vacuum processing apparatus during mass production.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記問題点は、 真空排気されている共通の真空室内に、少なくとも一つ
のロードロック室を含む複数の処理室が放射状に配置さ
れ、該処理室間にウェハを移送する回転搬送機構が中央
に設けられてなるマルチチャンバ方式の真空処理装置で
あって、該回転搬送機構は前記処理室と同数の搬送アー
ムを有することを特徴とする本発明の半導体製造装置に
より解決される。
The above problem is solved by a common vacuum chamber that is evacuated, in which a plurality of processing chambers including at least one load lock chamber are arranged radially, and a rotary transfer mechanism for transferring wafers between the processing chambers is provided in the center. The problem is solved by the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, which is a multi-chamber type vacuum processing apparatus, characterized in that the rotary transfer mechanism has the same number of transfer arms as the processing chambers.

〔作用〕[Effect]

複数の搬送アームを同期させて回転させ、各処理室内の
ウェハを同時に次の処理室へ搬送することが可能となる
ため、搬送待時間が無くなり処理能力を高めることがで
きる。
Since the plurality of transfer arms can be rotated in synchronization and the wafers in each processing chamber can be simultaneously transferred to the next processing chamber, transfer waiting time can be eliminated and processing capacity can be increased.

〔実施例〕〔Example〕

以下添付図により本発明の詳細な説明する。 The present invention will be explained in detail below with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明の実施例の模式平面図、第2図はその動
作を示すタイムシーケンス図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a time sequence diagram showing its operation.

第1図は四つの処理室を有する枚葉式ドライエツチング
装置の例であり、1は同一真空度に排気されて四つの処
理室を囲む共通の真空室、2は、真空室の外部にウェハ
を出し入れするためのゲートバルブやそのウェハを内部
へ送り出すためのゲートバルブとを有するロードロック
室、3.4.5はドライエツチング室や後処理室などの
反応室で、内部にはウェハを載置するステージ21.3
1.41.51が設けられている。これらの処理室は、
ウェハを出し入れする図示しない開口部を中心に向けて
放射状に配置されている。6はウェハを処理室間で搬送
する回転搬送機構で、ロードロック室を含む処理室の数
4と等しい搬送アーム61〜64が処理室の配置角度と
同じ角度で回転軸65に取付けられており、相対角度を
保ったまま360°回転するようになっている。それぞ
れの搬送アームには、伸縮するアーム60aとその先端
のウェハ搭載用トレー60bとからなる。図はアームが
縮小した状態を示し、アームが伸長し点線の状態では処
理室のステージ上にトレーのウェハを載置したり、ステ
ージ上からトレーにウェハをピックアップする。
Figure 1 shows an example of a single-wafer type dry etching apparatus having four processing chambers; 1 is a common vacuum chamber that is evacuated to the same degree of vacuum and surrounds the four processing chambers; 2 is a common vacuum chamber that surrounds the four processing chambers; 3.4.5 is a reaction chamber such as a dry etching chamber or a post-processing chamber; Stage 21.3
1.41.51 is provided. These processing rooms are
They are arranged radially toward the center with an opening (not shown) through which wafers are taken in and taken out. Reference numeral 6 denotes a rotary transfer mechanism for transferring wafers between processing chambers, and transfer arms 61 to 64, which are equal to the number of processing chambers (4) including load lock chambers, are attached to a rotating shaft 65 at the same angle as the arrangement angle of the processing chambers. , it is designed to rotate 360° while maintaining the relative angle. Each transfer arm includes an extendable arm 60a and a wafer loading tray 60b at its tip. The figure shows a state where the arm is contracted, and when the arm is extended and shown as a dotted line, a wafer is placed on a tray on a stage in a processing chamber, or a wafer is picked up from the stage onto a tray.

複数のアームの伸縮は、互いに独立に行わしめることが
できるが、回転は同時に行われる。アームが縮小した状
態では、処理室に無関係に回転することができるので、
他の処理室が処理中でも一部の搬送アームだけを動作さ
せて任意の処理室間でウェハ移動させることができる。
The arms can be extended and retracted independently of each other, but rotated simultaneously. In the contracted state, the arm can rotate independently of the processing chamber, so
Even when other processing chambers are undergoing processing, only some of the transfer arms can be operated to move the wafer between arbitrary processing chambers.

また、前述した複数の処理を順次行わしめる際には、全
部の搬送アームを動作させて、各処理室内のウェーハを
一斉にピックアップし次の処理室に同時に搬送すること
ができる。
Further, when performing the plurality of processes described above in sequence, all the transfer arms can be operated to simultaneously pick up the wafers in each processing chamber and transfer them to the next processing chamber at the same time.

この動作を第2図での動作シーケンス図で説明する。This operation will be explained using the operation sequence diagram shown in FIG.

まずアーム1で真空排気されたロードロツタ室から第一
のウェハ#1を取り出し第1反応室のステージへ搬送す
る。ウェハ#1が処理されている間に、ロードロック室
には第二のウェハ#2が供給され、供給側のゲートバル
ブが閉じて、所定の真空排気がなされる。そしてウェハ
#1の第一反応が終了したらアームlがウェハ#1を第
二反応室へ、またアーム2がウェハ#2をロードロック
室から第一反応室へそれぞれ同期して搬送する。
First, the first wafer #1 is taken out from the load rotor chamber which has been evacuated by the arm 1 and transported to the stage of the first reaction chamber. While wafer #1 is being processed, second wafer #2 is supplied to the load lock chamber, the gate valve on the supply side is closed, and a predetermined evacuation is performed. When the first reaction of wafer #1 is completed, arm 1 synchronously transports wafer #1 to the second reaction chamber, and arm 2 synchronously transports wafer #2 from the load lock chamber to the first reaction chamber.

このようにして、ウェハ#lは、アーム1によって反応
室間を搬送されて順次処理された後、ロードロック室に
搬送され装置の外に取り出される。
In this way, the wafer #1 is transported between the reaction chambers by the arm 1 and sequentially processed, and then transported to the load lock chamber and taken out of the apparatus.

同様にウェハ#2はアームで、ウェハ#3はアーム3で
、ウェハ#4はアーム4によって搬送される。そして各
反応室での処理が終了したら、それぞれのアームは対向
している処理室からウェーハを取り出し次の処理室のス
テージへ同時に並列的に搬送する。すなわちウェハ#4
が供給された時点A以降では、4つの搬送アームが同時
に動作して、それぞれのウェハを次の処理室に搬送する
Similarly, wafer #2 is transported by arm, wafer #3 is transported by arm 3, and wafer #4 is transported by arm 4. When the processing in each reaction chamber is completed, each arm takes out a wafer from the opposing processing chamber and simultaneously transfers it to the stage of the next processing chamber. i.e. wafer #4
After time A when the wafer is supplied, the four transfer arms operate simultaneously to transfer each wafer to the next processing chamber.

この場合は、成るウェハが取り出されてから次のウェハ
が取り出されるまでのタクトタイムはP1〜P3の最長
の処理時間と搬送時間Tの和で規定され、従来の3Tに
比べて大幅に短縮される。
In this case, the takt time from when one wafer is taken out to when the next wafer is taken out is defined by the sum of the longest processing time of P1 to P3 and the transport time T, and is significantly shortened compared to the conventional 3T. Ru.

なおこの放射形に配置されたマルチチャンバ方式の真空
処理装置では、不要の処理室をパスして、例えば第一反
応終了のみでロードロック室から取り出すことや、供給
用ロードロック室と取り出し用ロードロツタ室とを別個
に設け、二つの反応室をドライエツチング室として用い
て、2枚のウェハを同時にエツチング処理するなど、プ
ロセスの組み合わせの自由度が大きく多種少量生産に適
しており、これに上記マルチアーム方式を取り入れるこ
とにより、インライン方式と同様な処理能力で処理する
ことが可能となる。
In addition, in this radially arranged multi-chamber type vacuum processing equipment, it is possible to bypass unnecessary processing chambers and take out from the load lock chamber only after the first reaction is completed, or to separate the load lock chamber for supply and the load lock chamber for takeout. It has a large degree of freedom in process combinations, such as setting up a separate dry etching chamber and using two reaction chambers as dry etching chambers to simultaneously etch two wafers. By incorporating the arm method, it becomes possible to process with the same processing power as the inline method.

なお他の実施例として、伸縮する搬送アームの代わりに
、屈伸や旋回する搬送アームを処理室と同数、回転軸に
取付けたものでもよい。この場合は防塵効果が優れた回
転軸受けで関節部を構成できるので、真空室内に設置す
る搬送機構としては、伸縮アームより使い易いという利
点がある。
In addition, as another embodiment, instead of the telescopic transport arm, the same number of bending and rotating transport arms as the number of processing chambers may be attached to the rotating shaft. In this case, the joints can be configured with rotary bearings that have excellent dust-proofing effects, and therefore have the advantage that they are easier to use than telescopic arms as a transport mechanism installed in a vacuum chamber.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、処理室と同数の搬送アームを設けるこ
とにより、プロセス変更の自由度の大きいマルチチャン
バ式の真空処理装置の処理能力を増大させることが可能
となり、量産性が優れかつフレキシビリティに冨む半導
体装置を提供することができる。
According to the present invention, by providing the same number of transfer arms as processing chambers, it is possible to increase the processing capacity of a multi-chamber vacuum processing apparatus that has a high degree of freedom in process changes, resulting in excellent mass production and flexibility. It is possible to provide a semiconductor device with a large number of features.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明のマルチチャンバ式半導体製造装置の模
式平面図、 第2図は本発明の装置によるウェハ処理を示すタイムシ
ーケンス図、 第3図は従来のマルチチャンバ式半導体製造装置の模式
平面図、 第4図は従来の装置によるウェハ処理を示すタイムシー
ケンス図、 である。 図において、 ■・−・共通の真空室、    2−・・ロードロック
室、21・・−ステージ、      3−・第一の反
応室、4・・・第2の反応室、    5−・第3の反
応室、31.41.51−・・ステージ、   6−・
一回転搬送機構、61.62.63.64・−・−搬送
アーム、 64−・・・回転軸、である。 ) 1 本発明のマルチ+γシバ代午導イ本1主咬置の横へ手面
図第 面 2I 従来のマルチ千Vシバ゛弐゛半導1衣製童授置I7)模
代平面叉叢 図
FIG. 1 is a schematic plan view of a multi-chamber semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, FIG. 2 is a time sequence diagram showing wafer processing by the apparatus of the present invention, and FIG. 3 is a schematic plan view of a conventional multi-chamber semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 4 is a time sequence diagram showing wafer processing by a conventional apparatus. In the figure, 1--Common vacuum chamber, 2--Load lock chamber, 21--Stage, 3--First reaction chamber, 4--Second reaction chamber, 5--Third reaction chamber. reaction chamber, 31.41.51-... stage, 6-...
One-rotation transport mechanism, 61.62.63.64--transport arm, 64--rotation shaft. ) 1 Multi + γ Shiba Daido of the present invention 1 Hand view side to the side of the main occlusion 2 I Conventional multi 1,000 V Shiba 2 ゛ Semiconductor 1 Clothed pupil placement I 7) Model plane fork figure

Claims (1)

【特許請求の範囲】 真空排気されている共通の真空室(1)内に、少なくと
も一つのロードロック室(2)を含む複数の処理室(2
、3、4、5)が放射状に配置され、該処理室間にウェ
ハを移送する回転搬送機構(7)が中央に設けられてな
るマルチチャンバ方式の真空処理装置であって、 該回転搬送機構(7)は前記処理室(2、3、4、5)
と同数の搬送アーム(61、62、63、64)を有す
ることを特徴とする半導体製造装置。
[Claims] A plurality of processing chambers (2) including at least one load lock chamber (2) within a common vacuum chamber (1) that is evacuated.
, 3, 4, and 5) are arranged radially, and a rotary transfer mechanism (7) for transferring a wafer between the processing chambers is provided in the center, the rotary transfer mechanism comprising: (7) is the processing chamber (2, 3, 4, 5)
A semiconductor manufacturing apparatus characterized by having the same number of transfer arms (61, 62, 63, 64).
JP24864589A 1989-09-25 1989-09-25 Equipment for manufacture of semiconductor Pending JPH03109727A (en)

Priority Applications (1)

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JP24864589A JPH03109727A (en) 1989-09-25 1989-09-25 Equipment for manufacture of semiconductor

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JP24864589A JPH03109727A (en) 1989-09-25 1989-09-25 Equipment for manufacture of semiconductor

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ID=17181201

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JP24864589A Pending JPH03109727A (en) 1989-09-25 1989-09-25 Equipment for manufacture of semiconductor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03109727A (en)

Cited By (6)

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