JPH0298954A - 半導体ウェハー温度検出方法 - Google Patents
半導体ウェハー温度検出方法Info
- Publication number
- JPH0298954A JPH0298954A JP25260688A JP25260688A JPH0298954A JP H0298954 A JPH0298954 A JP H0298954A JP 25260688 A JP25260688 A JP 25260688A JP 25260688 A JP25260688 A JP 25260688A JP H0298954 A JPH0298954 A JP H0298954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- wafer
- temperature detection
- silicon
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 56
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程のうち特に半導体ウェハー処理
装置における加熱もしくは冷却された半導体ウェハーの
温度検出方法に関する。
装置における加熱もしくは冷却された半導体ウェハーの
温度検出方法に関する。
半導体ウェハー処理装置において最適なプロセス条件を
得るために半導体ウェハー（以下、ウェハーと記す）の
加熱、もしくは冷却を行う装置ではモニタ用として熱電
対等の温度検出素子を処理室内に備え、その出力をフィ
ードバックすることによりウェハーの温度制御を行って
いる。例えば薄膜形成のためのスパッタリング装置では
ウェハー上に形成されるアルミニウムなどの金属薄膜の
比抵抗８反射率、硬度、ダレインサイズ等の膜質が温度
依存性を有しているためウェハー温度を所望の温度に精
度良くコントロールすることは、非常に重要である。
得るために半導体ウェハー（以下、ウェハーと記す）の
加熱、もしくは冷却を行う装置ではモニタ用として熱電
対等の温度検出素子を処理室内に備え、その出力をフィ
ードバックすることによりウェハーの温度制御を行って
いる。例えば薄膜形成のためのスパッタリング装置では
ウェハー上に形成されるアルミニウムなどの金属薄膜の
比抵抗８反射率、硬度、ダレインサイズ等の膜質が温度
依存性を有しているためウェハー温度を所望の温度に精
度良くコントロールすることは、非常に重要である。
一般に温度測定位置に搬送されてきたウェハーに温度検
出素子を移動させ熱接触状態良く接触させることは困難
であり、かつ再現性にも乏しい。
出素子を移動させ熱接触状態良く接触させることは困難
であり、かつ再現性にも乏しい。
これは処理室内に備えられている温度検出素子の多くは
その感温部が面状ではないため、ウェハーとの接触が不
安定になり物体の表面温度測定には適していないこと、
さらには、ウェハーへ接触させる際に加えられる力の強
さ、あるいは方向がわずかでも変化すると、接触状態が
変化し検出温度にばらつきが生じることなどに起因して
いる。またウェハーと接触する際の圧力により機械的強
度に乏しい温度検出素子にダメージを与えたり、あるい
は破損したりする恐れもある。このため一般に半導体ウ
ェハー処理装置ではモニタ用の温度検出素子はウェハー
の近傍に取付けられウェハーとは非接触で温度検出が行
われている。
その感温部が面状ではないため、ウェハーとの接触が不
安定になり物体の表面温度測定には適していないこと、
さらには、ウェハーへ接触させる際に加えられる力の強
さ、あるいは方向がわずかでも変化すると、接触状態が
変化し検出温度にばらつきが生じることなどに起因して
いる。またウェハーと接触する際の圧力により機械的強
度に乏しい温度検出素子にダメージを与えたり、あるい
は破損したりする恐れもある。このため一般に半導体ウ
ェハー処理装置ではモニタ用の温度検出素子はウェハー
の近傍に取付けられウェハーとは非接触で温度検出が行
われている。
例えば、第３図（ａ）のように、加熱ランプ９゜反射板
１０から成る加熱系においては加熱中のウェハー８の温
度は加熱エリア内に取り付けられた熱電対２０により検
出され、フィードバック制御が行われている。また、第
３図（ｂ）に示すヒータ１６を内蔵した加熱ブロック１
７により加熱されているウェハー８の温度は加熱ブロッ
ク１７の内部に埋め込まれた熱電対２０によって検出さ
れている。
１０から成る加熱系においては加熱中のウェハー８の温
度は加熱エリア内に取り付けられた熱電対２０により検
出され、フィードバック制御が行われている。また、第
３図（ｂ）に示すヒータ１６を内蔵した加熱ブロック１
７により加熱されているウェハー８の温度は加熱ブロッ
ク１７の内部に埋め込まれた熱電対２０によって検出さ
れている。
上述した従来の半導体ウェハー処理装置におけるウェハ
ー温度検出方法はウェハー温度そのものではなく、加熱
系、あるいは冷却系内部に設けられた温度検出素子によ
る間接的な温度検出であるため実際のウェハー温度との
間に誤差が生じてしまうという欠点があった。この誤差
はウェハーと温度検出素子の間に存在する空間や物体に
よる熱損失、さらにウェハーと温度検出素子両者の加熱
源もしくは冷却源との位置関係の相違などの要因により
生じるものである。このため、例えばウェハー温度が３
００℃の時に温度検出素子による検出温度が５０℃以上
の誤差を招くことも決して少くはなく、モニタ用温度検
出素子によるウェハー温度はあくまでも一つのめやすに
しかすぎなかった。
ー温度検出方法はウェハー温度そのものではなく、加熱
系、あるいは冷却系内部に設けられた温度検出素子によ
る間接的な温度検出であるため実際のウェハー温度との
間に誤差が生じてしまうという欠点があった。この誤差
はウェハーと温度検出素子の間に存在する空間や物体に
よる熱損失、さらにウェハーと温度検出素子両者の加熱
源もしくは冷却源との位置関係の相違などの要因により
生じるものである。このため、例えばウェハー温度が３
００℃の時に温度検出素子による検出温度が５０℃以上
の誤差を招くことも決して少くはなく、モニタ用温度検
出素子によるウェハー温度はあくまでも一つのめやすに
しかすぎなかった。
このように、従来の半導体ウェハー処理装置では真のウ
ェハー温度を測定することができず、ウェハーの温度を
最適値に精度良くコントロールすることが難しいという
問題点があった。
ェハー温度を測定することができず、ウェハーの温度を
最適値に精度良くコントロールすることが難しいという
問題点があった。
上述した従来の非接触でのウェハー温度検出方法に対し
本発明は温度検出素子と一体化された面状の温度検出用
チップを用いてウェハーと良好な熱接触状態を保ちなが
ら、温度検出を行うという相違点を有する。
本発明は温度検出素子と一体化された面状の温度検出用
チップを用いてウェハーと良好な熱接触状態を保ちなが
ら、温度検出を行うという相違点を有する。
本発明のウェハー温度検出方法は、ウェハーと熱的性質
の近似した材料の基板に温度検出素子を一体に形成する
ことにより作られた温度検出用チップを処理室内部に備
え、温度測定位置まで搬送されてきたウェハーの表面も
しくは裏面に、温度検出用チップを接触させた状態で、
温度検出素子の出力により、ウェハーの温度を検出する
方法である。
の近似した材料の基板に温度検出素子を一体に形成する
ことにより作られた温度検出用チップを処理室内部に備
え、温度測定位置まで搬送されてきたウェハーの表面も
しくは裏面に、温度検出用チップを接触させた状態で、
温度検出素子の出力により、ウェハーの温度を検出する
方法である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例における温度検出
用チップ１の断面図、（ｂ）は平面図である。
用チップ１の断面図、（ｂ）は平面図である。
本実施例では、温度測定の対象となるウェハーをシリコ
ンウェハーとしており、このため温度検出用チップ１の
基板にもシリコンを用いている。まず、第１図（ａ）、
（ｂ）に示すように、シリコン基板２上に酸化膜から
なる絶縁膜３を形成した後、その上に白金、金の合金電
極４ａ、４ｂを取り付け、さらにＲＦ蒸着法、あるいは
ＲＦスパッタリング法により炭化ケイ素（ＳｉＣ）５を
数μｍの厚さに堆積させる。なお、各々の膜はＬＳＩ製
造の工法を用いて選択的に形成されている。以上の工程
によりシリコン基板２に温度検出素子として炭化ケイ素
薄膜サーミスタ５を一体に形成することができ、これを
、数鵬角の大きさにスライスして温度検出チップ１とす
る。
ンウェハーとしており、このため温度検出用チップ１の
基板にもシリコンを用いている。まず、第１図（ａ）、
（ｂ）に示すように、シリコン基板２上に酸化膜から
なる絶縁膜３を形成した後、その上に白金、金の合金電
極４ａ、４ｂを取り付け、さらにＲＦ蒸着法、あるいは
ＲＦスパッタリング法により炭化ケイ素（ＳｉＣ）５を
数μｍの厚さに堆積させる。なお、各々の膜はＬＳＩ製
造の工法を用いて選択的に形成されている。以上の工程
によりシリコン基板２に温度検出素子として炭化ケイ素
薄膜サーミスタ５を一体に形成することができ、これを
、数鵬角の大きさにスライスして温度検出チップ１とす
る。
次に絶縁性が良く、かつ熱電導率が小さい材料であるセ
ラミック製の棒６の先端に第１図（Ｃ）に示すように温
度検出チップ１を接着し、さらに２つの白金、金合金電
極４ａ、４ｂに出力線７ａ。
ラミック製の棒６の先端に第１図（Ｃ）に示すように温
度検出チップ１を接着し、さらに２つの白金、金合金電
極４ａ、４ｂに出力線７ａ。
７ｂを結線する。このセラミック棒６をウェハー処理室
内部に取付けて、以下に示す手順によりシリコンウェハ
ーの温度測定を行う。
内部に取付けて、以下に示す手順によりシリコンウェハ
ーの温度測定を行う。
まず、シリコンウェハー８がウェハー処理装置の搬送機
構によって、処理室内の例えば第１図（ｄ）のような加
熱ランプ９２反射板１０から成る加熱位置へ搬送されて
くると直線運動機構１１を備えたセラミック棒６が、シ
リコンウェハー８へ向って移動していく。セラミック棒
６は緩衝機構１２を有しており、このためセラミック棒
６の先端の温度検出用チップ１とシリコンウェハー８と
がソフトコンタクトするしくみとなっている。
構によって、処理室内の例えば第１図（ｄ）のような加
熱ランプ９２反射板１０から成る加熱位置へ搬送されて
くると直線運動機構１１を備えたセラミック棒６が、シ
リコンウェハー８へ向って移動していく。セラミック棒
６は緩衝機構１２を有しており、このためセラミック棒
６の先端の温度検出用チップ１とシリコンウェハー８と
がソフトコンタクトするしくみとなっている。
従って点線で示すようにシリコンウェハー８に温度測定
用チップ１を面接触させた状態で炭化ケイ素薄膜ザーミ
スタ５の電気抵抗値を測ることにより、加熱中のシリコ
ンウェハー８の温度検出がリアルタイムに行われる。
用チップ１を面接触させた状態で炭化ケイ素薄膜ザーミ
スタ５の電気抵抗値を測ることにより、加熱中のシリコ
ンウェハー８の温度検出がリアルタイムに行われる。
なお、炭化ケイ素系の薄膜サーミスタは使用温度範囲が
（−） １００〜（＋） ４５０℃と広く、また熱サイ
クルにおける安定性も優れているため、本実施例ではシ
リコンウェハーの常温から高温までの広範囲な加熱過程
にわたって、信頼性良く温度の測定をすることが可能と
なっている。
（−） １００〜（＋） ４５０℃と広く、また熱サイ
クルにおける安定性も優れているため、本実施例ではシ
リコンウェハーの常温から高温までの広範囲な加熱過程
にわたって、信頼性良く温度の測定をすることが可能と
なっている。
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第２の実施例におけ
る温度検出用チップ１′の断面図、および平面図である
。第２図（ａ）、 （ｂ）に示すように、実施例１と同
様にＬＳＩ製造の工法によりシリコン基板２′上に絶縁
膜３′を形成した後、その上に測温抵抗体として一般に
用いられている白金の薄膜１３を選択的に形成する。通
常使用されている白金側温抵抗体の抵抗値は例えば′ｏ
（℃）において１００（Ω）であるので、同様な抵抗値
となるよう白金膜１３の膜厚、線幅、長さを決定する。
る温度検出用チップ１′の断面図、および平面図である
。第２図（ａ）、 （ｂ）に示すように、実施例１と同
様にＬＳＩ製造の工法によりシリコン基板２′上に絶縁
膜３′を形成した後、その上に測温抵抗体として一般に
用いられている白金の薄膜１３を選択的に形成する。通
常使用されている白金側温抵抗体の抵抗値は例えば′ｏ
（℃）において１００（Ω）であるので、同様な抵抗値
となるよう白金膜１３の膜厚、線幅、長さを決定する。
膜厚が１０００人の場合、白金膜の層抵抗は、約１゜７
５Ω／口であるので線幅を１０μｍとすれば長さは約６
００μｍとなる。さらに、その上に保護膜としてポロン
リン珪酸ガラス（Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ）膜１４を形成した後
、白金膜１３の抵抗体素子の両端よりアルミ電極１５ａ
、１５ｂを取り出す。以上のようにシリコン基板２′上
に温度検出素子として白金側温抵抗体１３を形成した後
、数−角の大きさにスライスして温度検出チップ１′と
する。この第２の実施例は第２図（Ｃ）のようにヒータ
１６を内蔵した銅製の加熱ブロック１７によって加熱さ
れるシリコンウェハー８の温度測定に関する。まず初め
に白金測温抵抗体１３のアルミ電極１５ａ、１５ｂに図
示されていない出力線を結線し、次に温度検出用チップ
１′をセラミック製の基板１８に接着する。加熱ブロッ
ク１７には、あらかじめ溝が作られており、セラミック
基板１８を緩衝機構１２′を介して溝部に取り付ける。
５Ω／口であるので線幅を１０μｍとすれば長さは約６
００μｍとなる。さらに、その上に保護膜としてポロン
リン珪酸ガラス（Ｂ Ｐ Ｓ Ｇ）膜１４を形成した後
、白金膜１３の抵抗体素子の両端よりアルミ電極１５ａ
、１５ｂを取り出す。以上のようにシリコン基板２′上
に温度検出素子として白金側温抵抗体１３を形成した後
、数−角の大きさにスライスして温度検出チップ１′と
する。この第２の実施例は第２図（Ｃ）のようにヒータ
１６を内蔵した銅製の加熱ブロック１７によって加熱さ
れるシリコンウェハー８の温度測定に関する。まず初め
に白金測温抵抗体１３のアルミ電極１５ａ、１５ｂに図
示されていない出力線を結線し、次に温度検出用チップ
１′をセラミック製の基板１８に接着する。加熱ブロッ
ク１７には、あらかじめ溝が作られており、セラミック
基板１８を緩衝機構１２′を介して溝部に取り付ける。
ただし、この時温度検出チップ１′が加熱ブロック１７
の前面より１〜２（ｍｍ）程度外側へ出るように組み立
てられており、このため、搬送されてきたシリコンウェ
ハー８が抑え機構１９によって加熱ブロック１７に押し
つけられると温度検出チップ１′も加熱ブロック１７の
前面と同じ位置まで押し込まれた状態でシリコンウェハ
ー８の裏面と接触する。この状態において、温度検出チ
ップ１′の白金側温抵抗体１３の抵抗値を測定すれば加
熱中のシリコ・ンウェハー８の温度を検出することがで
きる。
の前面より１〜２（ｍｍ）程度外側へ出るように組み立
てられており、このため、搬送されてきたシリコンウェ
ハー８が抑え機構１９によって加熱ブロック１７に押し
つけられると温度検出チップ１′も加熱ブロック１７の
前面と同じ位置まで押し込まれた状態でシリコンウェハ
ー８の裏面と接触する。この状態において、温度検出チ
ップ１′の白金側温抵抗体１３の抵抗値を測定すれば加
熱中のシリコ・ンウェハー８の温度を検出することがで
きる。
以上説明したように本発明は、処理室内の温度測定位置
において温度検出素子と一体化された温度検出チップと
ウェハーとを面接触させた状態で温度検出を行うことに
より、温度検出素子とウェハーの熱接触状態を良好に、
かつ常に一定に保つことができ、ウェハーの真の温度を
高精度に、再現性良く測定することが可能である。
において温度検出素子と一体化された温度検出チップと
ウェハーとを面接触させた状態で温度検出を行うことに
より、温度検出素子とウェハーの熱接触状態を良好に、
かつ常に一定に保つことができ、ウェハーの真の温度を
高精度に、再現性良く測定することが可能である。
このため、加熱系や冷却系へ常時、正確なウェハー温度
をフィードバックすることができ、ウェハー処理プロセ
スにおいてウェハー温度を所望の温度に制御できるとい
う効果がある。
をフィードバックすることができ、ウェハー処理プロセ
スにおいてウェハー温度を所望の温度に制御できるとい
う効果がある。
第１図および第２図はそれぞれ本発明・の実施例を示す
図であり、第３図は従来技術を示す図である。 ■、１′・・・・・・温度検出用チップ、２・・・・・
・シリコン基板、３，３′・・・・・・絶縁膜、４ａ、
４ｂ・・・・・・白金・金合金電極、５・・・・・・炭
化ケイ素膜（炭化ケイ素薄膜サーミスタ）、６・・・・
・・セラミック棒、７ａ。 ７ｂ・・・・・・出力線、８・・・・・・シリコンウェ
ハー ９・・・・・・加熱ランプ、１０・・・・・・反
射板、１１・・・・・・直線駆動機構、１２．１２’・
・・・・・緩衝機構、１３・・・・・・白金膜（白金測
温抵抗体）、１４・・・・・・ポロンリン珪酸ガラス（
Ｅ Ｐ Ｓ Ｇ）、１５ ａ、 １５ ｂ−アルミ電極
、 ６・・・・・・ヒータ、 ７・・・・・・加熱ブロック、 ８・・・・・・セラミック基板、 ■ ９・・・・・・ウェハー押え 機構、 ２０・・・・・・熱電対。
図であり、第３図は従来技術を示す図である。 ■、１′・・・・・・温度検出用チップ、２・・・・・
・シリコン基板、３，３′・・・・・・絶縁膜、４ａ、
４ｂ・・・・・・白金・金合金電極、５・・・・・・炭
化ケイ素膜（炭化ケイ素薄膜サーミスタ）、６・・・・
・・セラミック棒、７ａ。 ７ｂ・・・・・・出力線、８・・・・・・シリコンウェ
ハー ９・・・・・・加熱ランプ、１０・・・・・・反
射板、１１・・・・・・直線駆動機構、１２．１２’・
・・・・・緩衝機構、１３・・・・・・白金膜（白金測
温抵抗体）、１４・・・・・・ポロンリン珪酸ガラス（
Ｅ Ｐ Ｓ Ｇ）、１５ ａ、 １５ ｂ−アルミ電極
、 ６・・・・・・ヒータ、 ７・・・・・・加熱ブロック、 ８・・・・・・セラミック基板、 ■ ９・・・・・・ウェハー押え 機構、 ２０・・・・・・熱電対。
Claims (1)
- 半導体ウェハー処理装置における半導体ウェハー温度検
出方法において、温度検出素子と一体に形成された温度
検出用チップを処理室内に有し、温度測定位置にて該温
度検出用チップを半導体ウェハーに面接触させた状態で
温度検出を行うことを特徴とする半導体ウェハー温度検
出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25260688A JPH0298954A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 半導体ウェハー温度検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25260688A JPH0298954A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 半導体ウェハー温度検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298954A true JPH0298954A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17239707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25260688A Pending JPH0298954A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 半導体ウェハー温度検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017160507A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ膜の製造装置 |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP25260688A patent/JPH0298954A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017160507A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ膜の製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5260668A (en) | Semiconductor surface resistivity probe with semiconductor temperature control | |
| JP4879060B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
| KR101783362B1 (ko) | 온도 측정용 판 형상체 및 그것을 구비한 온도 측정 장치 | |
| JPH0810231B2 (ja) | フローセンサ | |
| TW201135199A (en) | Wafer-type temperature sensor and manufacturing method thereof | |
| WO2020235542A1 (ja) | 温調ユニット | |
| JP2007218591A (ja) | ハイブリッド型表面温度計、温度分布測定装置及び測定方法 | |
| JPH0298954A (ja) | 半導体ウェハー温度検出方法 | |
| KR100413646B1 (ko) | 온도검출소자 | |
| JPH11148849A (ja) | 流体検出センサ | |
| US11774298B2 (en) | Multi-point thermocouples and assemblies for ceramic heating structures | |
| JPH11354302A (ja) | 薄膜抵抗素子 | |
| CN207964129U (zh) | 一种温度校准的装置 | |
| JP3042786B2 (ja) | 真空内被処理物の温度測定方法並びに温度制御方法及び装置 | |
| WO2008038922A1 (en) | High-power device having thermocouple embedded therein and method for manufacturing the same | |
| JPH0584867B2 (ja) | ||
| JPS6386542A (ja) | ウエハ表面温度測定方法 | |
| KR100974502B1 (ko) | 로내부의 온도감지장치 | |
| JPS61239127A (ja) | 熱流束センサ | |
| US20230375418A1 (en) | Thermopile laser sensor with response time acceleration and methods of use and manufacture | |
| JPS62231148A (ja) | 熱分析装置 | |
| KR100974503B1 (ko) | 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치 | |
| JPH01105151A (ja) | 熱伝導率及び温度測定プローブとその製造方法 | |
| JPH04215027A (ja) | 圧力センサおよびそれを用いた半導体製造装置 | |
| JP2004022803A (ja) | 温度測定機能付き突き上げピン |