JPH0284942A - 歯科用ｘ線診断装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、患者のあごのパノラマ断層撮影を行うため
の歯科用Ｘ線診断装置に関する。

［従来の技術］ この種のＸ線診断装置はドイツ連邦共和国特許出願公開
第３７０４８５８号明細書に記載されている。

かかる装置は、二次絞りの少ろを通過して動かされるＸ
線フィルムの代わりに固定されたＣＣＤセンサ装置が用
いられるという点で、従来のパノラマ断層撮影装置と異
なっている。Ｘ線フィルムが従来の撮影技術において二
次スリットに対し相対的に動かされるのと同じ速度で、
得られた電荷像が記憶領域へクロックパルスに同期して
与えられそして行ごとにシフトレジスタを介して再び読
み出されるように、このＣＣＤセンサ装置がクロックパ
ルス発生器により制御される。その際クロックパルス周
波数は次の式 により選択され、ここでＶはフィルム速度、またｎ８は
像伝送系の結像尺度、またａは行間隔である。

［発明が解決しようとする課題］ この発明は前記の種類のＸ線診断装置において、−回の
撮影中に同時に複数の断層を検出できる可能性を提供す
ることを課題とし、その際成る限界内の複数の断層を自
由に決定できるようにしようとするものである。更に平
面上に無い、もつと正確に言えば例えば斜めにあごの中
に並んだ歯列の湾曲した経路を通る断層の情報豊かな撮
影を行うことができる可能性をも提供しようとするもの
である。

［課題を解決するための手段］ この課題はこの発明に基づき、一端にＸ線源をまた他端
に二次スリットを備えた絞りを支持し垂直な軸線を中心
として回動可能なユニットと、Ｘ線を可視光線へ変換す
るための手段と、Ｘ線強度に比例する電気信号を形成す
るための検出器装置と、この検出器装置に結合され検出
器装置から与えられる電圧をディジタル化するＡ−Ｄ変
換器と、像記憶装置と、コンピュータを備え撮影中に検
出器装置から供給された信号から全体像を計算するデー
タ処理装置と、このデータ処理装置に接続された像再現
装置とを備え、検出器装置が一つ又は複数のＣＣＤセン
サを備え、このＣＣＤセンサはその像領域上に二次スリ
ットを結像できるように配置され、その際スリットの長
手方向の線がＣＣＤの行上に結像され、ＣＣＤセンサに
はクロックパルス発生器が結合され、そのクロックパル
スにより二次スリットの中の光像に相応する電荷像が全
体電荷像となるよう加算され、その際電荷像が像領域か
ら場合によっては記憶領域へ転送され、その後にシフト
レジスタを介して読み出され続いてＡ−Ｄ変換器に与え
られ、Ｘ線フィルムが従来の撮影技術の場合に二次スリ
ットに対し相対的に動かされるのと同じ速度により、電
荷像が行ごとにシフトレジスタを介してクロックパルス
に同期して出力されるように、クロックパルス発生器の
クロックパルス周波数が選択され、ＣＣＤの列のうちの
少なくとも数列が個々に又は群にまとめられて、分離さ
れたクロックパルス入力端を介して異なるクロックパル
ス周波数により制御されることにより解決される。

［発明の効果］ ＣＣＤセンサ装置のＣＣＤの列のうちの少なくとも数列
が分離されたクロックパルス入力端を経て異なるクロッ
クパルス周波数により制御されることにより、複数の断
層を一回の撮影経過中に同時に検出することができる。

その際各断層を成る限界内で自由に決定することができ
る。

異なる制御をＣＣＤセンサにわたって一様に行う必要は
ない。異なる制御をＣＣＤセンサは又はセンサ装置の所
定の面領域上に集中できるので有利である。列の群のク
ロックパルス周波数は撮影される断層が湾曲された経路
を通るように分配することができるので、斜めにあごの
中に並んだ歯列をも鮮明に結像することができる。

撮影される断層の被写界深度は、センサの数行を不活性
化してセンサの像領域幅を変更することにより変えるこ
とができる。

［実施例］ 次にこの発明に基づくＸ線診断装置の一実施例を示す図
面により、この発明の詳細な説明する。

第１図は斜視略図でパノラマ断層撮影を行うための歯科
用Ｘ線診断装置の主要部を示す０周知のようにこの診断
装置は支持アーム２から成り鉛直な軸線を中心として回
動可能な回転二二ッ）１を備え、支持アームの一方の端
部にはＸ線源３が保持され、また他方の端部にはＸ線撮
影ユニット４が保持されている０回転ユニット１は周知
のように、患者のあご６全体の原寸撮影を行うことがで
きるように患者頭部５に対し相対的に位置調節可能であ
る。このために必要な調節装置と回転ユニットが行う運
動経過とは十分に知られており、それゆえ詳細な説明は
省略する。

Ｘ線撮影ユニット４は周知のように、例えば５Ｘ１２５
ｍｍの寸法の二次スリット８を有する絞り７を備えてい
る。二次スリット８にはＸ線を可視光線へ変換するため
の手段が接続する。この実施例ではこのために二次スリ
ット面上に二次スリットの寸法のシンチレータ層９が設
けられている（第２図参照）。シンチレータ層９にはフ
ァイバ光学系の形の像伝送要素１０が接続し、ファイバ
光学系は５Ｘ１２５ｍｍの二次スリットのフォーマット
を例えば８　Ｘ　８　ｍｍの寸法のＣＣＤセンサ１１の
像領域のフォーマットへ縮小する。

ＣＣＤセンサ１１は、記憶領域１１ｂと像領域１１ａと
がチップの中に空間的に分離配置され、シフトレジスタ
１１ｃがＣＣＤ記憶領域１１ｂに結合されている形式の
ものである。このＣＣＤ形式の代わりに像領域と記憶領
域とがチップの中に隣り合って配置されているＣＣＤ形
式を用いることもできる。電荷移動とフィルム移動との
間の前記の相似性に関連して、記憶領域をもはや備えず
従って信号が行ごとに直接シフトレジスタへ転送されク
ロックパルスに同期して読み出されるＣＣＤセンサを用
いるのが有利である。

作用の説明東部単化するために以下の説明では第２図に
示すように、二次スリット８全体が単一のＣＣＤセンサ
の表面上に結像されることを前提とする。しかしながら
現在の視点からは第３図に示すように、二次スリット８
をカバーするために複数のＣＣＤセンサを用いることが
知られている。第３図によれば二次スリット８の結像の
ために、二次スリット面に対しほぼ直角に配置された二
つのＣＣＤセンサ１２．１３と伝送要素として二つのフ
ァイバ光学要素１４．１５とが用いられている０個々の
ＣＣＤセンサは第２図におけると同じ形式であり、従っ
て像領域１２ａ、１３ａから空間的に分離された記憶領
域１２ｂ、１３ｂとこれに接続するシフトレジスタ１２
ｃ、１３ｃとを備える。前記のようにこれらのＣＣＤセ
ンサは記憶領域無しに構成することもできるので有利で
ある。

信号処理を第４図に示すブロック線図により説明する。

このブロック線図によれば検出器装置（ＣＣＤセンサ）
から得られた信号が信号編集の後にＡ−Ｄ変換器１６へ
与えられ、この変換器には前処理装置１７、像記憶装置
１８、像読み出しユニット１９、モニタ２０及びコンピ
ュータ２１を備えたディジタル画像処理装置が接続する
。最後に符号２２により後に詳細に説明するクロックパ
ルス発生器が示され、このクロックパルス発生器により
ＣＣＤセンサ１１が制御される０列のに個の群に応じて
に個のシフトレジスタ、Ｋ個の像編集装置及びに個のＡ
−Ｄ変換器を用いることができるので有利である。

ＣＣＤセンサ１１（第２図参照）のシフトレジスタ１１
ｃの出力端に現れる像情報は付属するＡ−Ｄ変換器１６
の中でディジタル化され、そして直接像記憶装置１８へ
入力されるか又はユニット１７の中での前処理の後に像
記憶装置１８に記憶される。このためにコンピュータ２
１が必要な制御命令又は読み出し命令を与える。

Ａ−Ｄ変換器から受けた信号を像記憶装置１８へ直接入
力することは、像記憶装置が容認できる価格又は組立体
積であって相応の大きい容量を有するときに有利である
。この場合には回転ユニットの１回転中にデータがまず
単に記憶され、撮影の完了後に従って患者頭部を中心と
するＸ線源の回動後に初めて処理される、すなわちフィ
ルム撮影に相応する速度で加算される。このために比較
的大きいデータ量を処理しなければならないが、この解
決法は複数の任意の断層の表示が可能であるという長所
を有する。

前記の観点のもとに必要な像記憶装置容量が経済的に容
認できる費用により入手できないならば、前記の前処理
ユニット１７を中間に接続することができるので有利で
ある。この前処理ユニットは中間記憶装置と演算処理装
置とを備え、それによりＡ−Ｄ変換器１６からのディジ
タルデータがコンピュータ２１からの制御命令に応じて
適時に加算され、すなわち所望の断層位置の断層像が生
じるように集成される。前処理ユニット１７から生じ加
工されたデータが続いて像記憶装置１８へ与えられる。

従って前処理ユニット１７を中間接続することにより比
較的容量の小さい像記憶装置１８を用いることができる
。特に断層位置はかかる前処理ユニットの中間接続によ
り決定され。

すなわち像データが一回の撮影の後に初めて断層像に集
成されるようになっている前処理ユニット無しの前記変
形案とは対照的に、断層位置をもはや成る限界内で変更
することはできない。

両可能性の間では妥協を行うこともでき、この妥協によ
れば前処理ユニット１７の中で像記憶装置１８の中へ記
憶する前に隣接する複数の像の列が適時に加算され、一
つの像列へのこれらの合計の列の加算が記憶の後に行わ
れる。

次に像形成を簡単に説明する。

患者はＸ線源３の中に設けられた一次絞りにより画成さ
れた方形のスリット状Ｘ線東により透視される。Ｘ線は
二次絞り７の二次スリット８上に当たりそしてシンチレ
ータ層９上に当たり、そこで可視光線へ変換され、最後
にこの可視光線がＣＣＤセンサにより撮影される。ＣＣ
Ｄセンサにより撮影された信号は患者頭部を透過したＸ
線の放射線強度に比例する。

従来の断層與影技術の場合棒は二次絞りの後ろ。

を従って二次スリット８の後ろを、感光させようとする
Ｘ線フィルムが所定の速度で通過して引かれ、その際選
ばれた速度が断層撮影される断層の位置に影響を与える
。すなわちフィルム速度の変更により断層撮影される断
層を変えることができる。Ｘ線フィルムが電子式検出器
装置により置き換えられたこの発明の方法の場合には、
検出器で生じる信号が次に詳細に説明するように所定の
方法で、モニタ上に再現可能なパノラマ断層像となるよ
うに処理される。

次に第５図及び第６図により二次スリットとＣＣＤセン
サの像領域との間の関係を説明する。

二次スリット８が一つ又は複数のＣＣＤセンサの像領域
上に結像されることを前提とする。その際結像尺度はＸ
方向において従って二次スリット８の長平方向に直角に
１：ｎ×であり、Ｘ方向において１　：　ｎｙである。

二次スリット８は約５ｍｍの幅を有し現在使用可能なＣ
ＣＤセンサは８ｍｍの像領域幅を有するので、この場合
はｎｘ＝１である。用いられる像センサの数と大きさと
に応じてスリット長手方向における結像尺度ｎｙは１な
いし約２０とすることができる。

ａａ　ｂ　（ａ＝行間隔、ｂ＝列間隔）の寸法を有する
ＣＣＤ像領域面上の画素は、二次スリット面上では（ｎ
ｘ　　ａ）　　　（ｎｙ　　ｂ）の画素に相応する。従
って第４図及び第５図に略示された全体図では、二次ス
リットでの１ないしｎの光画素がＣＣＤセンサでの１な
いしｎの電荷画素に相応する。二次スリットの長平方向
では相似性が成立する。従って二次スリットの方向にお
ける一つの直線が一つの０００行の上に結像される。

クロックパルス発生器２２を介して相応のクロックパル
スを印加することにより像は像領域１１ａから記憶領域
１１ｂへ転送され、そこからシフトレジスタｌｉｅを介
して読み出されＡ−Ｄ変換器へ入力される。正常運転の
場合にはすなわちＣＣＤセンサの標準クロックレートで
は像集成時間は約２０ｍ５である。その後に像は記憶領
域へクロックパルスに同期して与えられる。このために
ＣＣＤセンサの有する行数と同数のクロックパルスが必
要である。従って３００行を有するＣＣＤ形式と２ｇｓ
のパルス周期とに基づけば、像領域は約０．６ｍｓの後
には空になり、直ちに新しい像を撮影することができる
。従来の断層撮影技術の場合にはフィルムが所定の速度
で二次スリットの後ろを通過して動かされ、従ってフィ
ルムの運動中に二次スリットに存在する画像情報が所定
の時間を経て像に集成されるが、この発明によれば、シ
ンチレータに生じた光像がＣＣＤセンサの表面上に結像
され、生じた電荷像が所定のクロックレートで像領域か
ら記憶領域へクロックパルスに同期して与えられ、その
除行ごとにシフトレジスタを介してクロックパルスに同
期して読み出されることにより、像情報のこの集成が電
子的に模倣される。その際電荷像が二次スリット面上に
換算してＸ方向にフィルムが従来の断層撮影技術の場合
に有するのと同じ速度を有するように、クロックレート
が選択される。算出されたクロックパルス周波数はフィ
ルムの等価速度（Ｖ）に対して次式の関係 ｆ＋ａｉ＋ｔ＝ｖ／　（ｎｘ　　ａ） にあり、その際ｆ　Ｔａｋｔは毎秒の秒数を示し、（ｎ
ｘ”ａ）は二次スリット面上に換算したＣＣＤ行間隔を
示す。３０ｍｍ／ｓの典型的なフィルム速度と２０ｇｍ
の行間隔の場合にＸ方向に１：１の結像尺度を基礎にお
けば、１５００Ｈｚのクロックパルス周波数が得られる
。

像集成の過程はここではこれ以上説明しない。

そのためには前記のドイツ連邦共和国特許出願公開第３
７０４８５８号明細書を参照されたい、この明細書には
像集成の説明のための一連の図表が示されている。

既に述べたようにＣＣＤセンサにおいては記憶領域が存
在することは必ずしも必要ではない。むしろ電荷を像領
域から行ごとに直接シフトレジスタへ転送しそこでクロ
ックパルスに同期して読み出すのが有利である。それに
より不必要な電荷転送を避けることができる。

第６図に示されるようにＣＣＤセンサ１１はｂ！ないし
ｂ−の列に分割されている。既に述べたように像領域、
１１ａの中での電荷の集成と運動とにより電荷像が発生
させられ、この電荷像は従来の照射されたＸ線フィルム
上の露出領域に相応する。電荷は列ごとにＣＣＤの一つ
の行から次の行へ転送され、記憶領域１１ｂの中へ又は
直接シフトレジスタ１１ｃの中へクロックパルスに同期
して与えられる。この過程が行われる速度は転送りロッ
クパルス周波数により設定される。鮮明に結像される断
層は次式から与えられる。

ここで、 ｄ＝フィルムから対象物までの距離 ｌ＝フィルムからＸ線源までの距離 ■＝対象物に垂直なＸ線源の速度 ａ＝ＣＣＤ行の幅 ｆ＝クロックパルス局波数 積ａ−ｆは従来のＸ線撮影技術の場合のフィルム速度に
相応する。

第７図に示すように、ＣＣＤ列ｂ！りいしｂ−のうちの
数列が異なるクロックパルス周波数ｔ１ないしｔｋによ
り制御される。その際各クロックパルス周波数は一つの
撮影断層に相応する。制御をＣＣＤセンサ上に一様に分
散して行うことができる。しかしながら列の異なる制御
をＣＣＤセンサ要素の所定の面領域上に集中するか、又
ぼ複数のＣＣＤセンサ要素が二次スリットをカバーする
ときに二次スリットの所定の領域上に集中するのが有利
である。所定の面領域上でのかかる集中は例えば、多数
の像領域の中で複数の断層を検出しようとしその際解像
力の低減を犠牲にすることができ、−万能の像領域では
単一の断層で十分であるときに行われる。第７図はＣＣ
Ｄセンサの上側の面部分上でのかかる集中を示す、この
実施例ではクロックパルス周波数ｔ１により列ｂ２、ｂ
４．ｂｂ、ｂｎ、ｂｌＯが、またクロックパルス周波数
ｔ２により列ｂ３．ｂｙ　、ｂｎが、またクロックパル
ス周波数ｔ３により列ｂｌ　、ｂ５、ｂ９　、ｂ１２と
それ以降の各列が制御される。このことはＣＣＤ要素の
上側の部分においては異なる三つの断層に相応するクロ
ックパルス周波数により列が制御され、一方センサの第
１２番目の列置下では一つのクロックパルス周波数だけ
により制御されるということを意味する。従って図示の
実施例では、上側の像部分においてクロックパルス周波
数ｔｌ、ｔ２．ｔ３に相応する三つの異なる断層を検出
でき、−劣下側の像部分ではただ一つの断層すなわちク
ロックパルス周波数ｔ３に相応する断層だけが結像され
る。

同一クロックパルス周波数により制御される列が群にま
とめて制御されるのが有利である。しかしながら単独制
御も考えることができる。制御のために各列は相応のク
ロックパルス入力端を有し、この入力端は第４図に示す
ようにクロックパルス発生器２２に結合されている。

あごから平らでなく湾曲された断層が撮影されるように
、クロックパルス周波数ｔ１ないしｔｋを配分すること
ができるので有利である。

コンピュータ２１と画像処理ユニット１７とを用いてす
べての所望の断層を相互に無関係に表示し、また別の中
間断層を計算し、また複数の断層を比較的大きい被写界
深度を有する一つの断層へまとめることもできる。

被写界深度の変更が活性のセンサ面の幅の変更により達
成できるということを前提として、この発明の実施態様
によれば、像領域の縁に存在するＣＣＤ行の選択的な不
活性化により撮影中に列の幅に意図的に影響を与えるよ
うにされる０行の不活性化又は分離はＣＣＤセンサの基
板（大地）への電荷の導出により達成できる。電荷のか
かる電気的減結合は、ＣＣＤセンサ上に集積されたアナ
ログスイッチが設けられ、これらのアナログスイッチが
外から相応に設けられた信号導線を介して生かされるこ
とにより実施できるので有利である。相応に生かすこと
により活性のセンサ面に影響を与えることができ、その
際活性のセンサ面が大きいほど被写界深度が小さくなる
。

第８図ないし第１Ｏ図により電荷の脱結合また減結合の
可能性を説明する。その際ＣＣＤセンサとして分離され
た像領域と記憶領域とを備えたもの又は記憶領域を備え
ないものを使用することができる。第８図はまず原理図
でＣＣＤセンサの感光性セルと電極との配置を示す。

ＣＣＤセンサの各画素が四つの領域すなわち、図におい
てｎ個の行に対し各列ｂ１．ｂ２・・・ｂ−の中に上下
に並んで示されている感光性セルａ１１．ａ１２、ａ１
３°”Ｌｌｎと。

減結合過程の制御のための図示されていない端子を備え
た各行のための阻止電極ＣＩｌ、ＣＩ２、Ｃ１３・・・
Ｃ１ｎと、 電荷が減結合の後に吸い取られ大地（ＣＣＤセンサの基
板）へ導かれるポテンシャルのトラップｄｌ　、ｄ２・
・・ｄ、と、 個々の列ｂｌ、ｂ２　　・・・ｂｎ　　の間の分離域ｅ
　　１　、　　ｅ２　　”’ｅ　霞 とから成ることを前提とする。

第９図及び第１０図に示すように四つの領域が四つの異
なる電位（Ｕ）上に置かれ、その際矢印で示すように矢
じりが高い方の電位を指し示す。

通常は電荷が行ごとに（行１．２・・・ｎ）　ａ１１、
ａ１２・・・ａｌｎから像記憶領域まで流れるか、又は
像記憶領域が存在しないときには直接シフトレジスタま
で流れる。これらの四つの領域に対する電位の分布はこ
の状態において第９図に示されている。

特定の個所例えばＣｒ２で阻止電極が生かされると、す
なわち相応の端子を介して阻止電極に信号が加えらえる
と、ａ１１ないしａ１３のすべての電荷がポテンシャル
のトラップｄｌ　の中に落ち、それによりこれらの電荷
が消される。この状態は第ｉｏ図に示されている。

所定の阻止電極の適切な制御により像面の所定の場所で
の電荷転送を中断することができ、それにより前記のよ
うに被写界深度を変更することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に基づくＸ線診断装置の一実施例の主
要部の斜視略図、第２図は第１図に示すＸ線撮影ユニッ
トの拡大斜視図、第３図はＸ線撮影ユニットの変形例の
斜視図、第４図は第１図に示す装置の像信号の編集兼評
価装置のブロック線図、第５図は第２図に示す二次スリ
ットの正面図、第６図は第２図に示すＣＣＤセンサの正
面図、第７図は異なるクロックパルス周波数によるＣＣ
Ｄ列の制御の原理説明図、第８図は第６図に示す像領域
の詳細図、第９図及び第１０図はそれぞれ第８図に示す
一つの画素における電荷転送中断の前及び後の電位分布
図である。 ｌ・・・回転ユニット ３・・・Ｘ線源 ７・・・二次絞り ８・・・二次スリット ９・・・シンチレータ層 １１・・・検出器装置（ＣＣＤセンサ）１１ａ・・・像
領域 １１ｂ・・・記憶領域 １１ｃ・・・シフトレジスタ １２．１３・・・センサ装置 １６・・・Ａ−Ｄ変換器 １８・・・像記憶装置 ２０・・・像再現装置 ２１・・・コンピュータ ２２・・・クロックパルス発生器 ｂＩ”ｂｎ・・・ＣＣＤ列 ｔ１〜ｔｋ・・・クロックパルス周波数ＦＩＧ　４ ｂｌｘ ｂ２＋＋ ＦＩＧ　８

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）患者のあごのパノラマ断層撮影を行うための歯科用
   Ｘ線診断装置において、一端にＸ線源（３）をまた他端
   に二次スリットを備えた絞り（７）を支持し垂直な軸線
   を中心として回動可能なユニット（１）と、Ｘ線を可視
   光線へ変換するための手段（９）と、Ｘ線強度に比例す
   る電気信号を形成するための検出器装置（１１）と、こ
   の検出器装置に結合され検出器装置から与えられる電圧
   をディジタル化するＡ−Ｄ変換器（１６）と、像記憶装
   置（１８）と、コンピュータ（２１）を備え撮影中に検
   出器装置から供給された信号から全体像を計算するデー
   タ処理装置と、このデータ処理装置に接続された像再現
   装置（２０）とを備え、検出器装置が一つ又は複数のＣ
   ＣＤ（電荷結合素子）センサ（１１）を備え、このＣＣ
   Ｄセンサはその像領域（１１ａ）上に二次スリット（８
   ）を結像できるように配置され、その際スリットの長手
   方向の線がＣＣＤの行上に結像され、ＣＣＤセンサ（１
   １）にはクロックパルス発生器（２２）が結合され、そ
   のクロックパルスにより二次スリット（８）の中の光像
   （ＬｉＢ）に相応する電荷像（ＬＢ）が全体電荷像（Ｌ
   Ｂ＿ｇ＿ｅ＿ｓ＿．）となるよう加算され、その際電荷
   像（ＬＢ）が像領域（１１ａ）から場合によっては記憶
   領域（１１ｂ）へ転送され、その後にシフトレジスタ（
   １１ｃ）を介して読み出され続いてＡ−Ｄ変換器（１６
   ）に与えられ、Ｘ線フィルムが従来の撮影技術の場合に
   二次スリット（８）に対し相対的に動かされるのと同じ
   速度（ｖ）により、 電荷像（ＬＢ）が行ごとにシフトレジスタ（１１ｃ）を
   介してクロックパルスに同期して出力されるように、ク
   ロックパルス発生器（２２）のクロックパルス周波数（
   ｆ＿Ｔ＿ａ＿ｋ＿ｔ）が選択され、ＣＣＤの列（ｂ＿１
   ないしｂ＿ｎ）のうちの少なくとも数列が個々に又は群
   （ｂ＿２＿／＿１、ｂ＿４＿／＿１・・・ｂ＿１＿０＿
   ／＿１；ｂ＿３＿／＿２、ｂ＿７＿／＿２、ｂ＿１＿１
   ＿／＿２）にまとめられて、分離されたクロックパルス
   入力端を介して異なるクロックパルス周波数（ｔ＿１、
   ｔ＿２、ｔ＿３・・・ｔ＿ｋ）により制御されることを
   特徴とする歯科用Ｘ線診断装置。 ２）ＣＣＤの列（ｂ＿１・・・ｂ＿ｍ）の異なる制御が
   ＣＣＤセンサ（１１）又はセンサ装置（１２、１３）の
   所定の面領域上に集中されることを特徴とする請求項１
   記載の装置。 ３）あごから湾曲された断層が撮影されるように、クロ
   ックパルス周波数（ｔ＿１ないしｔ＿ｋ）がクロックパ
   ルス発生器（２２）により分配されることを特徴とする
   請求項１又は２記載の装置。 ４）ＣＣＤセンサ（１１）の像領域（１１ａ）の縁の電
   荷の電気的減結合により、活性のセンサ面（８）の幅従
   って撮影される断層の被写界深度が変更されることを特
   徴とする請求項１記載の装置。 ５）電荷の減結合が電荷転送の中断により行われ、この
   目的のためにＣＣＤセンサ（１１）が集積されたアナロ
   グスイッチを備え、このアナログスイッチが所定の電荷
   をＣＣＤセンサの基板又は大地へ導出することを特徴と
   する請求項４記載の装置。