JPH0262064A - Ceramic package - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波やミリ波の回路を封止した超高周波用のセラ
ミックパッケージに関し、
高周波特性を劣化させることなく、他の外部回路との接
続を容易にすることを目的とし、金属ブロックに固定し
たセラミック基板上にマイクロ波回路を形成して封止し
、該マイクロ波回路の入出力端子を、前記セラミック基
板の端部上に中心導体パターンと接地導体パターンとか
らなるコプレーナラインにより導出し、前記接地導体パ
ターンを前記金属プロ・ツクに接地接続して構成した。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a ceramic package for ultra-high frequencies that encapsulates microwave or millimeter wave circuits, and that facilitates connection with other external circuits without deteriorating the high-frequency characteristics. A microwave circuit is formed and sealed on a ceramic substrate fixed to a metal block, and the input/output terminals of the microwave circuit are connected from a center conductor pattern and a ground conductor pattern on the edge of the ceramic substrate. The ground conductor pattern was grounded to the metal block.
本発明は、マイクロ波やミリ波の回路を封止した超高周
波用のセラミックパッケージに関するものである。The present invention relates to a ceramic package for ultra-high frequencies in which microwave or millimeter wave circuits are sealed.
マイクロ波やミリ波の超高周波帯に於ける増幅回路や周
波数変換回路等の各種回路をセラミック基板上に形成し
、このセラミック基板を封止したセラミックパッケージ
が知られている。このセラミックパッケージに封止され
た状態で回路の特性試験等を行う必要があり、その為の
取扱いが容易となる構成が要望されている。2. Description of the Related Art Ceramic packages are known in which various circuits such as amplifier circuits and frequency conversion circuits for ultra-high frequency bands such as microwaves and millimeter waves are formed on a ceramic substrate and the ceramic substrate is sealed. It is necessary to perform circuit characteristic tests, etc. while sealed in this ceramic package, and there is a demand for a configuration that allows easy handling for this purpose.
従来例のマイクロ波帯用のセラミックパッケージは、例
えば、第5図の側面図及び第6図の底面図に示すように
、セラミック基板20上にマイクロ波用のトランジスタ
等を含むマイクロ波回路(図示せず)を形成して、金属
のカバー26により封止し、セラミツ久基板20を貫通
して底面に端子を導出したものであり、21は入力端子
、22は出力端子、23はバイアス端子、24は制御端
子、25は接地端子を示す。このセラミックパッケージ
は、18GHz程度まで使用することができる。For example, as shown in the side view of FIG. 5 and the bottom view of FIG. (not shown) is sealed with a metal cover 26, and terminals are led out to the bottom surface by penetrating the ceramic substrate 20, 21 is an input terminal, 22 is an output terminal, 23 is a bias terminal, 24 is a control terminal, and 25 is a ground terminal. This ceramic package can be used up to about 18 GHz.
又第7図に示す従来例は、金属ブロック31にセラミッ
ク壁32を嵌入できる溝を形成し、そのセラミック壁3
2を同軸型で貫通するように、図示を省略したマイクロ
波回路の入出力端子をマイクロストリップライン33に
より形成したものであり、34は蓋板である。このセラ
ミックパッケージは、20GHz程度まで使用すること
ができる。Further, in the conventional example shown in FIG. 7, a groove into which a ceramic wall 32 can be inserted is formed in a metal block 31, and the ceramic wall 3
Input/output terminals of a microwave circuit (not shown) are formed by a microstrip line 33 coaxially passing through the microstrip line 2, and 34 is a cover plate. This ceramic package can be used up to about 20 GHz.
又マイクロ波回路側のマイクロストリップラインと、入
出力端子側のマイクロストリップライン33との導体パ
ターンは、例えば、50Ωの特性インピーダンスとなる
ように幅を選定し、セラミック壁32を貫通する部分は
、例えば、タングステン(W)等の金属を用いた導体パ
ターンとすると共に、その幅を狭(して、50Ωの特性
インピーダンスが得られるようにした構成が一般的であ
る。Further, the width of the conductor patterns of the microstrip line on the microwave circuit side and the microstrip line 33 on the input/output terminal side is selected so as to have a characteristic impedance of, for example, 50Ω, and the portion that penetrates the ceramic wall 32 is For example, it is common to use a conductor pattern made of metal such as tungsten (W) and to narrow the width of the conductor pattern so as to obtain a characteristic impedance of 50Ω.
又第7図に示す従来例のセラミックパッケージに於いて
、蓋板34により封止されたマイクロ波回路を試験する
場合、例えば、第8図に示すように、金属基板上に金属
ブロック31.41を固定し、入出力端子としてのマイ
クロストリップライン33と、試験装置側の金属ブロッ
ク41上のセラミック基板42上に形成したマイクロス
トリップライン43とを金(Au) リボン44により
接続し、マイクロ波回路と試験装置とを接続するもので
ある。或いは、第9図に示すように、マイクロストリッ
プライン33に接触ばね45の一端を固定接続し、その
他端を、試験装置側のセラミック基板42上のマイクロ
ストリップライン43に圧接接続することにより、マイ
クロ波回路と試験装置とを接続する構成が用いられてい
る。In addition, in the conventional ceramic package shown in FIG. 7, when testing a microwave circuit sealed by the lid plate 34, for example, as shown in FIG. A microstrip line 33 serving as an input/output terminal is connected to a microstrip line 43 formed on a ceramic substrate 42 on a metal block 41 on the test equipment side using a gold (Au) ribbon 44 to form a microwave circuit. and the test equipment. Alternatively, as shown in FIG. 9, one end of the contact spring 45 is fixedly connected to the microstrip line 33, and the other end is pressure-connected to the microstrip line 43 on the ceramic substrate 42 on the test device side. A configuration is used that connects the wave circuit and the test equipment.
金リボン44にマイクロストリップライン33.43間
を接続する場合に比較して、第9図に示すような接触ば
ね45により接続する構成は、試験装置に対するセラミ
ックパッケージの接続、取外しが容易となる。Compared to the case where the microstrip lines 33 and 43 are connected to the gold ribbon 44, the connection using the contact spring 45 as shown in FIG. 9 makes it easier to connect and remove the ceramic package from the test device.
第5図及び第6図に示す従来例のセラミックパッケージ
は、前述のように、セラミック基板20を貫通して入出
力端子を導出するものであり、製作が容易でないと共に
、20GHz以上の超高周波帯では使用できない欠点が
あった。又セラミック基板20上に搭載したマイクロ波
用のトランジスタの放熱は、接地端子25を形成した接
地導体パターンを介して行われるだけであり、充分な熱
放散特性を得ることが困難であるから、大出力のトラン
ジスタを搭載することはできない欠点があった。As mentioned above, the conventional ceramic package shown in FIGS. 5 and 6 has input/output terminals extending through the ceramic substrate 20, and is not easy to manufacture and is not suitable for ultra-high frequency bands of 20 GHz or higher. There was a drawback that it could not be used. Furthermore, the heat dissipation of the microwave transistor mounted on the ceramic substrate 20 is performed only through the ground conductor pattern formed with the ground terminal 25, and it is difficult to obtain sufficient heat dissipation characteristics. It had the disadvantage that it could not be equipped with an output transistor.
又第7図に示す従来例のセラミックパッケージは、金属
ブロック31を介して放熱できるから、比較的大きな出
力のトランジスタも実装することが可能となり、且つ2
0GH2程度の高周波帯で使用することができる。しか
し、入出力端子を同軸型で導出する為のセラミック壁3
2を固定する為に、金属ブロック31に溝を形成する必
要があり、このような金属ブロック31の加工によって
コストが上昇することになる。Furthermore, since the conventional ceramic package shown in FIG. 7 can radiate heat through the metal block 31, it is possible to mount transistors with a relatively large output.
It can be used in a high frequency band of about 0GH2. However, the ceramic wall 3 for leading out the input and output terminals in a coaxial type
2, it is necessary to form a groove in the metal block 31, and such processing of the metal block 31 increases the cost.
又第8図に示すように、マイクロストリップライン33
.43間を金リボン44により接続し、封止されたマイ
クロ波回路と、試験装置とを接続する場合、金リボン4
4による仮接続ではあるが、正しく接続しないと試験結
果を正しく得ることができないと共に、接続、取外しが
煩雑となる欠点がある。又セラミックパッケージの金属
ブロック31と、試験装置側の金属ブロック41との間
には、図示のような隙間が生じることになり、接地側の
経路が、金属ブロック31.41を固定する金属基板を
介した経路となり、高周波特性が劣化する欠点があった
。Further, as shown in FIG. 8, the microstrip line 33
.. 43 with a gold ribbon 44 to connect the sealed microwave circuit and the test device, the gold ribbon 4
Although it is a temporary connection according to No. 4, it has the disadvantage that test results cannot be obtained correctly unless it is connected correctly, and connection and disconnection are complicated. In addition, a gap as shown in the figure will be created between the metal block 31 of the ceramic package and the metal block 41 on the test equipment side, and the path on the ground side will connect the metal substrate that fixes the metal blocks 31 and 41. This has the drawback of deteriorating high frequency characteristics.
又第9図に示すように、接触ばね45を用いて試験装置
側のマイクロストリップライン43と接続する構成に於
いては、セラミックパッケージに封止されたマイクロ波
回路の試験の為の接続が、金リボン44により接続する
場合に比較して非常に簡単となるが、接触ばね45を上
から抑える為の治具を必要とし、この治具の誘電率εが
1ではないから、50Ωの特性インピーダンスを維持す
ることができない状態となる。又接触ばね45の先端部
分で接触し、その途中は浮いた状態となるから、20C
;Hz以上の帯域では高周波特性を劣化させる原因とな
り、正確な試験が困難となる欠点があった。In addition, as shown in FIG. 9, in the configuration in which a contact spring 45 is used to connect to the microstrip line 43 on the test equipment side, the connection for testing the microwave circuit sealed in the ceramic package is Although it is much simpler than connecting with the gold ribbon 44, it requires a jig to hold down the contact spring 45 from above, and since the dielectric constant ε of this jig is not 1, the characteristic impedance is 50Ω. becomes unable to maintain. Also, since the tip of the contact spring 45 makes contact and is floating in the middle, the 20C
; In the band above Hz, it causes deterioration of high frequency characteristics, and has the disadvantage that accurate testing is difficult.
又RFブローバ(コプレーナ型)は、高精度でパラメー
タ測定ができることが知られており、半導体チップの測
定に用いられている。このRFブローバを用いて、第7
図に示す従来例のバ・ノケージの測定を行うことが考え
られる。しかし、このバフケージのマイクロストリップ
ラインを形成したセラミック面と、それに隣接する金属
ブロック面とを正確に同一平面とすることは困難であり
、RFプローバは、極めて高い平面精度を要求するもの
であるから、RFプローバを用いて第7図に示すような
従来例のパフケージの測定を行うことは不可能であった
。Further, an RF blower (coplanar type) is known to be capable of measuring parameters with high precision, and is used for measuring semiconductor chips. Using this RF blower, the seventh
It is conceivable to measure the conventional bar cage shown in the figure. However, it is difficult to make the ceramic surface on which the microstrip line of the buff cage is formed exactly the same as the adjacent metal block surface, and RF probers require extremely high planar accuracy. It was impossible to measure the conventional puff cage as shown in FIG. 7 using an RF prober.
本発明は、高周波特性を劣化させることなく、他の外部
回路との接続を容易にし、RFブローバによる測定を可
能とすることを目的とするものである。An object of the present invention is to facilitate connection with other external circuits and to enable measurement using an RF blower without deteriorating high frequency characteristics.
本発明のセラミックパッケージは、コプレーナラインの
入出力端子を設けたものであり、第1図を参照して説明
する。The ceramic package of the present invention is provided with coplanar line input/output terminals, and will be described with reference to FIG.
金属ブロック1に固定したセラミック基板2上にマイク
ロ波回路を形成して、セラミック壁6と蓋板5等により
封止し、このマイクロ波回路の入出力端子を、セラミッ
ク基板2の端部2a上に中心導体パターン3aと接地導
体パターン3bとからなるコプレーナライン3により導
出し、接地導体パターン3bを金属ブロック1にバイア
ホール4等により接地接続したものである。A microwave circuit is formed on a ceramic substrate 2 fixed to a metal block 1, sealed with a ceramic wall 6, a cover plate 5, etc., and the input/output terminals of this microwave circuit are connected to the end 2a of the ceramic substrate 2. A coplanar line 3 consisting of a center conductor pattern 3a and a ground conductor pattern 3b is used to connect the ground conductor pattern 3b to the metal block 1 through a via hole 4 or the like.
コプレーナライン3は、中心導体パターン3aとその周
辺の接地導体パターン3bとからなり、接地導体パター
ン3bを金属ブロック1に対してバイアポール4や層状
金属や壁面パターン等により接地接続したものであるか
ら、入出力端子を構成するセラミック基板2の端部2a
上に、コプレーナラインで構成した高周波プローブを接
触させることが可能となり、試験接続が極めて簡単とな
る。The coplanar line 3 consists of a center conductor pattern 3a and a ground conductor pattern 3b around it, and the ground conductor pattern 3b is grounded to the metal block 1 by a via pole 4, layered metal, wall pattern, etc. , an end portion 2a of the ceramic substrate 2 constituting an input/output terminal
A high frequency probe made of a coplanar line can be brought into contact with the top, making test connections extremely simple.
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図は本発明の実施例の斜視図であり、金属ブロック
1上に固定したセラミック基板2上に、図示を省略した
マイクロ波用トランジスタ等からなるマイクロ波回路を
形成し、セラミック壁6と金属等の蓋板5とにより封止
し、又セラミック基板2の端部2a上に、中心導体パタ
ーン3aとその周辺の接地導体パターン3bとによるコ
プレーナライン3を形成して、マイクロ波回路の入出力
端子とし、その接地導体パターン3bを金属ブロック1
に対して接地接続したものである。FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, in which a microwave circuit consisting of a microwave transistor (not shown) is formed on a ceramic substrate 2 fixed on a metal block 1, and a ceramic wall 6 and A coplanar line 3 is formed on the end portion 2a of the ceramic substrate 2 by a center conductor pattern 3a and a ground conductor pattern 3b around it, so that the microwave circuit can be input. As an output terminal, the ground conductor pattern 3b is connected to the metal block 1.
It is connected to ground.
接地導体パターン3bと金属ブロック1との接地接続は
、第1図に於いては、バイアホール4により行うた場合
を示すものであるが、セラミック基板2内に層状金属を
設けて、高周波的に接地接続することもできる。又セラ
ミック基板2の側面等のメタライズによる壁面パターン
によって接地導体パターン3bと金属ブロック1との接
地接続を行うこともできる。即ち、接地導体パターン3
bを延長して端部2aの側面にも形成し、金属ブロック
1と接続するものである。又それらの組合せによる接地
接続を行うことも可能である。Although the grounding connection between the grounding conductor pattern 3b and the metal block 1 is shown in FIG. 1 through the via hole 4, it is also possible to connect the grounding conductor pattern 3b to the metal block 1 using a via hole 4. It can also be connected to ground. Further, the ground conductor pattern 3b and the metal block 1 can be grounded by a metalized wall pattern on the side surface of the ceramic substrate 2, etc. That is, the ground conductor pattern 3
b is extended and also formed on the side surface of the end portion 2a, and connected to the metal block 1. It is also possible to make a ground connection using a combination of these.
コプレーナライン3は、中心導体パターン3aと接地導
体パターン3bとがセラミック基板(誘電体基板)2上
に形成されて構成されたものであり、電界分布はそれら
の面を中心に上下はぼ対称形となる。これに対して、前
述の従来例に於けるマイクロストリップラインは、前述
の接地導体パターンに相当する接地導体上に誘電体基板
を介して中心導体パターンに相当する導体パターンを形
成したものであり、電界分布はその導体パターンと接地
導体との間の誘電体基板内に殆ど生じることになる。The coplanar line 3 is constructed by forming a center conductor pattern 3a and a ground conductor pattern 3b on a ceramic substrate (dielectric substrate) 2, and the electric field distribution is vertically symmetrical about these planes. becomes. On the other hand, in the microstrip line in the conventional example described above, a conductor pattern corresponding to the center conductor pattern is formed on a ground conductor corresponding to the above-mentioned ground conductor pattern via a dielectric substrate, The electric field distribution will occur mostly within the dielectric substrate between the conductor pattern and the ground conductor.
第2図は接地接続をバイアホール4により行った場合の
要部断面図であり、セラミック基板2の底面にメタライ
ズ等による金属層を形成し、金属ブロック1に鑞付は等
により固定すると共に、セラミック基板2の端部2a上
の接地導体パターン3bと、セラミック基板2の底面の
金属層との間を、バイアホール4の内面の導体N4aに
より接続したものである。従って、中心導体パターン3
aの周辺の接地導体パターン3bを最短距離で金属ブロ
ック1と接続することができる。又バイアホール4内を
導電ペースト等により充填した接続構成とすることもで
きる。又セラミック基板2の周辺にセラミック壁6を固
定し、金属の蓋板5によりマイクロ波回路を封止したも
のである。FIG. 2 is a cross-sectional view of the main part when the ground connection is made through the via hole 4. A metal layer is formed on the bottom surface of the ceramic substrate 2 by metallization or the like, and it is fixed to the metal block 1 by brazing or the like. The ground conductor pattern 3b on the end 2a of the ceramic substrate 2 and the metal layer on the bottom surface of the ceramic substrate 2 are connected by a conductor N4a on the inner surface of the via hole 4. Therefore, the center conductor pattern 3
The ground conductor pattern 3b around a can be connected to the metal block 1 through the shortest distance. Alternatively, a connection structure may be employed in which the inside of the via hole 4 is filled with a conductive paste or the like. Further, a ceramic wall 6 is fixed around the ceramic substrate 2, and the microwave circuit is sealed with a metal cover plate 5.
第3図は入出力端子部分の導体パターンを示すものであ
り、中心導体パターン3aの幅は、セラミック壁6を貫
通する部分もその他の部分と同一とし、接地導体パター
ン3bについては、セラミック壁6の貫通部分に於いて
中心導体パターン3aとの間隔を大きくして、例えば、
50Ωの特性インピーダンスが得られるように構成した
ものである。従って、セラミック壁6の貫通部分をタン
グステン(W)等の金属を用いて中心導体パターン3a
と接地導体パターン3bとを形成しても、中心導体パタ
ーン3aの幅を狭くしないから、抵抗値が増大しないこ
とになり、高周波特性の低下を防止することが可能とな
る。FIG. 3 shows the conductor pattern of the input/output terminal part, and the width of the center conductor pattern 3a is the same as that of the other parts in the part penetrating the ceramic wall 6. By increasing the distance from the center conductor pattern 3a at the penetrating portion, for example,
The structure is such that a characteristic impedance of 50Ω can be obtained. Therefore, the penetrating portion of the ceramic wall 6 is made of metal such as tungsten (W) to form the center conductor pattern 3a.
Even if the ground conductor pattern 3b is formed, the width of the center conductor pattern 3a is not narrowed, so the resistance value does not increase, and it is possible to prevent the high frequency characteristics from deteriorating.
セラミックパッケージの入出力端子部分は、セラミック
基板2の端部2a上にコプレーナラインとして形成した
ものであるから、中心導体パターン3aと接地導体パタ
ーン3bとは同一平面となる。従って、コプレーナライ
ンにより構成した高周波プローブ15を用いて試験装置
と簡単に接続することが可能となる。なお、第7図に示
す従来例の構成に於いては、金属ブロック31とセラミ
ック壁32上のマイクロストリップライン33との面を
同一平面とすることは、金属ブロック31の機械加工精
度と、セラミック壁32の製作精度の関係から容易では
ないので、高周波プローブを使用して接続することは困
難である。Since the input/output terminal portion of the ceramic package is formed as a coplanar line on the end portion 2a of the ceramic substrate 2, the center conductor pattern 3a and the ground conductor pattern 3b are on the same plane. Therefore, it becomes possible to easily connect the high frequency probe 15 to the test equipment using a coplanar line. Note that in the conventional configuration shown in FIG. Due to the manufacturing precision of the wall 32, it is difficult to connect using a high frequency probe.
又第4図に示すように、金リボンによりセラミックパッ
ケージのコプレーナラインと、試験装置或いは他の回路
のコプレーナラインとを接続する場合、セラミックパッ
ケージの金属ブロック1と、試験装置或いは他の回路の
金属ブロック11とを金属基板上に固定し、セラミック
基板2の端部2a上の接地導体パターン3bと、セラミ
ック基板12上の接地導体パターン13bとを金リボン
14bで接続し、端部2a上の中心導体パターン3aと
、セラミック基板12上の中心導体パターン13aとを
金リボン14aで接続することになる。従って、金属ブ
ロック1.11間に隙間が生じても、接地経路が長くな
るようなことはなく、高周波特性の劣化が生じない接続
構成を得ることができる。In addition, as shown in FIG. 4, when the coplanar line of the ceramic package and the coplanar line of the test equipment or other circuit are connected using a gold ribbon, the metal block 1 of the ceramic package and the metal of the test equipment or other circuit are connected. The block 11 is fixed on a metal substrate, and the ground conductor pattern 3b on the end 2a of the ceramic substrate 2 and the ground conductor pattern 13b on the ceramic substrate 12 are connected with a gold ribbon 14b, and The conductor pattern 3a and the center conductor pattern 13a on the ceramic substrate 12 are connected by a gold ribbon 14a. Therefore, even if a gap occurs between the metal blocks 1, 11, the grounding path will not become long, and a connection configuration that does not cause deterioration of high frequency characteristics can be obtained.
以上説明したように、本発明は、金属ブロック1に固定
したセラミック基板2上にマイクロ波用のトランジスタ
等からなるマイクロ波回路を形成して封止し、セラミッ
ク基板2の端部2a上に、中心導体パターン3aと接地
導体パターン3bとからなるコプレーナラインによりマ
イクロ波回路の入出力端子を導出したものであり、金属
ブロックl及びセラミック基板2は平板状とすることが
できるから、加工コストを引き下げることが可能となる
。As explained above, the present invention forms and seals a microwave circuit consisting of a microwave transistor etc. on the ceramic substrate 2 fixed to the metal block 1, and on the end portion 2a of the ceramic substrate 2, The input/output terminals of the microwave circuit are derived from a coplanar line consisting of a center conductor pattern 3a and a ground conductor pattern 3b, and the metal block l and ceramic substrate 2 can be made into a flat plate shape, thereby reducing processing costs. becomes possible.
又入出力端子部分は、セラミック基板2の端部2a上に
形成したもので、平坦面であるから、第3図について説
明したように、高周波プローブを用いて試験装置と簡単
に接続することが可能となる。又金リボンを用いて接続
する場合は、中心導体パターン3aと共に接地導体パタ
ーン3bもそれぞれ金リボンにより接続するものである
から、接地経路が短(なり、金属ブロック1と他の回路
の金属ブロックとの間に間隔が生じても、高周波特性を
低下させるようなことはなくなる。文中心導体パターン
3a間に接地導体パターン3bが介在しているので、中
心導体パターン3a間の干渉を防止できる利点がある。Furthermore, since the input/output terminal portion is formed on the end portion 2a of the ceramic substrate 2 and is a flat surface, it can be easily connected to the test equipment using a high frequency probe as explained with reference to FIG. It becomes possible. In addition, when making connections using gold ribbons, since both the center conductor pattern 3a and the ground conductor pattern 3b are connected by gold ribbons, the ground path is short (and the connection between metal block 1 and metal blocks of other circuits is short). Even if there is a gap between the center conductor patterns 3a, the high frequency characteristics will not be degraded.Since the ground conductor patterns 3b are interposed between the center conductor patterns 3a, there is an advantage that interference between the center conductor patterns 3a can be prevented. be.
第1図は本発明の実施例の斜視図、第2図は本発明の実
施例の要部断面図、第3図は本発明の実施例の導体パタ
ーンの説明図、第4図は金リボン接続の説明図、第5図
は従来例の側面図、第6図は従来例の底面図、第7図は
従来例の斜視図、第8図は従来例の金リボン接続の説明
図、第9図は従来例のばね接続の説明図である。
lは金属ブロック、2はセラミック基板、2aは端部、
3はコプレーナライン、3aは中心導体パターン、3b
は接地導体パターン、4はバイアホール、5は蓋板、6
はセラミック壁である。Fig. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view of essential parts of an embodiment of the invention, Fig. 3 is an explanatory diagram of a conductor pattern of an embodiment of the invention, and Fig. 4 is a gold ribbon. 5 is a side view of the conventional example, FIG. 6 is a bottom view of the conventional example, FIG. 7 is a perspective view of the conventional example, and FIG. 8 is an explanatory diagram of the gold ribbon connection of the conventional example. FIG. 9 is an explanatory diagram of a conventional spring connection. l is a metal block, 2 is a ceramic substrate, 2a is an end,
3 is a coplanar line, 3a is a center conductor pattern, 3b
is a ground conductor pattern, 4 is a via hole, 5 is a cover plate, 6
is a ceramic wall.
Claims (1)
上にマイクロ波回路を形成して封止し、該マイクロ波回
路の入出力端子を、前記セラミック基板(2)の端部(
2a)上に中心導体パターン(3a)と接地導体パター
ン(3b)とからなるコプレーナライン(3)により導
出し、前記接地導体パターン(3b)を前記金属ブロッ
ク(1)に接地接続した ことを特徴とするセラミックパッケージ。[Claims] Ceramic substrate (2) fixed to metal block (1)
A microwave circuit is formed on the top and sealed, and the input/output terminals of the microwave circuit are connected to the end (2) of the ceramic substrate (2).
2a) is derived by a coplanar line (3) consisting of a center conductor pattern (3a) and a ground conductor pattern (3b), and the ground conductor pattern (3b) is grounded to the metal block (1). Ceramic package.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63212564A JPH0262064A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63212564A JPH0262064A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Ceramic package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0262064A true JPH0262064A (en) | 1990-03-01 |
Family
ID=16624789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63212564A Pending JPH0262064A (en) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | Ceramic package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0262064A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0438855A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Package for microwave band ic |
JPH04363901A (en) * | 1990-11-26 | 1992-12-16 | Mitsubishi Materials Corp | Hybrid integrated circuit for high frequency microwave and its manufacture |
US10819246B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-10-27 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Power supply circuit based on feedback signal, power supply device and control method |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63212564A patent/JPH0262064A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0438855A (en) * | 1990-06-04 | 1992-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | Package for microwave band ic |
JPH04363901A (en) * | 1990-11-26 | 1992-12-16 | Mitsubishi Materials Corp | Hybrid integrated circuit for high frequency microwave and its manufacture |
US10819246B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-10-27 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Power supply circuit based on feedback signal, power supply device and control method |
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