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JPH0248811A - Surface acoustic wave element - Google Patents

Surface acoustic wave element

Info

Publication number
JPH0248811A
JPH0248811A JP20064388A JP20064388A JPH0248811A JP H0248811 A JPH0248811 A JP H0248811A JP 20064388 A JP20064388 A JP 20064388A JP 20064388 A JP20064388 A JP 20064388A JP H0248811 A JPH0248811 A JP H0248811A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
bonding pad
aluminum
titanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20064388A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutoshi Okamoto
岡本 和敏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP20064388A priority Critical patent/JPH0248811A/en
Publication of JPH0248811A publication Critical patent/JPH0248811A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the close adhesion between a piezoelectric substrate and an aluminum pattern by vapor-depositing titanium onto a background of the aluminum pattern at a bonding pad part. CONSTITUTION:The bonding pad part 1 is made of an aluminum electrode prolonged from an interdigital transducer 3 as it is. Moreover, a bonding pad reinforcement titanium film 4 is vapor-deposited to the background of the aluminum electrode as to the pad 1 only. Thus, the close adhesion of the pad part 1 is improved, the process is simplified and the working time is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、弾性表面波素子に関し、特に弾性表面波を
伝播させる圧電性基板上に、少な(とも2個のトランス
デユーサを持ち、いずれか一方を入力側、他方を出力側
とする弾性表面波フィルタに関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a surface acoustic wave device, and particularly relates to a surface acoustic wave device having a small number of transducers (two transducers) on a piezoelectric substrate that propagates surface acoustic waves. The present invention relates to a surface acoustic wave filter in which one side is an input side and the other side is an output side.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は、例えば、1981年IEEEウルトラソニッ
クス シンポジウム(Ultrasonics Sym
posium)1190−5607/8110000−
0089 SOo、75に示された従来の弾性表面波素
子を示し、図において2は反射器、3はインタディジタ
ルトランスデユーサ(IDT)、6はチタンエプロン、
51は入力電極、52は出力電極、53は入力接地電極
、54は出力接地電極であり、これら51〜54はチタ
ン、白金、金の合金を蒸着したボンディングパッドであ
る。
Figure 2 shows, for example, the 1981 IEEE Ultrasonics Symposium.
posium) 1190-5607/8110000-
0089 SOo, 75 shows a conventional surface acoustic wave element, in which 2 is a reflector, 3 is an interdigital transducer (IDT), 6 is a titanium apron,
51 is an input electrode, 52 is an output electrode, 53 is an input ground electrode, 54 is an output ground electrode, and these 51 to 54 are bonding pads on which an alloy of titanium, platinum, and gold is deposited.

次に作用について説明する。第2図に示した弾性表面波
素子は共振型の一例を示すものであるが、一般に共振型
弾性表面波素子では、インタディジタルトランスデユー
サ(IDT)3及び反射器2が対称型に配置され、ID
T3からの引き出しパターン上でボンディングによる電
気的入出力を行っている。
Next, the effect will be explained. The surface acoustic wave device shown in FIG. 2 is an example of a resonant type surface acoustic wave device, but generally in a resonant type surface acoustic wave device, an interdigital transducer (IDT) 3 and a reflector 2 are arranged symmetrically. , ID
Electrical input/output is performed by bonding on the lead-out pattern from T3.

弾性表面波素子の電気的作用としては、入力電極51及
び入力接地電極53より入力された高周波電気信号はI
DT3で電気機械変換−機械電気変換を受けた後、出力
電極52及び出力接地電極54から取り出される。ここ
で反射器2は信号がIDT3を通過する時、狭帯域化す
るための共振器として働く。
As for the electrical action of the surface acoustic wave element, the high frequency electrical signal input from the input electrode 51 and the input ground electrode 53 is
After undergoing electromechanical conversion-mechano-electric conversion at DT3, it is taken out from the output electrode 52 and the output ground electrode 54. Here, the reflector 2 acts as a resonator to narrow the band when the signal passes through the IDT 3.

ところで、IDT3の構造としては一般に圧電性基板上
にアルミを薄く蒸着したものであるが、このアルミ電極
と圧電性基板とは密着性が不十分であるため、特に機械
的ストレスが加わるボンディング面についてはチタン、
白金、金の合金等の強化蒸着膜を用いている。この場合
、IDT3のアルミ膜とボンディングパッドの強化蒸着
膜の接続箇所の強化のためチタンエプロン6を用いてい
る。
By the way, the structure of the IDT3 is generally a thin layer of aluminum deposited on a piezoelectric substrate, but since the adhesion between the aluminum electrode and the piezoelectric substrate is insufficient, it is difficult to avoid bonding, especially on the bonding surface where mechanical stress is applied. is titanium,
A reinforced vapor-deposited film of platinum, gold alloy, etc. is used. In this case, a titanium apron 6 is used to strengthen the connection between the aluminum film of the IDT 3 and the reinforcing vapor deposited film of the bonding pad.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の弾性表面波素子は、以上のように構成されている
ので、ボンディングパッドの強化のプロセスが複雑であ
り、また各プロセスでの位置合わせが難しく、工期が長
くなるとともに、歩留りが劣化する恐れがある等の問題
点があった。
Conventional surface acoustic wave devices are constructed as described above, so the process of strengthening the bonding pads is complicated, and positioning during each process is difficult, prolonging the construction period and potentially reducing yield. There were some problems such as:

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ボンディングパッドの強度を必要十分なだけ
確保した上で、ボンディングパッドの強化プロセスを簡
単化できるとともに、位置合わせ等の要求精度をも低く
できる弾性表面波素子を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to simplify the process of reinforcing the bonding pad by ensuring the necessary and sufficient strength of the bonding pad, and also to meet the required accuracy such as positioning. The object of the present invention is to obtain a surface acoustic wave element that can also reduce the .

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

この発明に係る弾性表面波素子は、ボンディングパッド
部にのみ下地としてチタンを蒸着し、その上にIDTと
同じプロセスでボンディングパッドと一体化したアルミ
パターンを蒸着したものである。
In the surface acoustic wave device according to the present invention, titanium is deposited as a base only on the bonding pad portion, and an aluminum pattern integrated with the bonding pad is deposited thereon using the same process as the IDT.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、ボンディングパッド部にはアルミ
パターンの下地にチタンが蒸着されているためパッド部
における圧電基板とアルミパターンの密着性を向上でき
る。またボンディングパッドのアルミパターンとIDT
とは一体になっており、接続箇所は無い、しかもチタン
蒸着エリアはIDTと離れた位置にあり、ボンディング
部分についてのみアルミパターンの下地が形成されれば
良いため、チタン蒸着とアルミ蒸着の位置合わせ精度は
厳しい要求とはならない。
In this invention, since titanium is vapor-deposited on the base of the aluminum pattern in the bonding pad part, the adhesion between the piezoelectric substrate and the aluminum pattern in the pad part can be improved. Also, the bonding pad aluminum pattern and IDT
Since the titanium evaporation area is integrated with the IDT and there are no connection points, and the titanium evaporation area is located away from the IDT, it is only necessary to form the base of the aluminum pattern for the bonding area, so it is difficult to align the titanium evaporation and aluminum evaporation. Accuracy is not a strict requirement.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例による弾性表面波素子を示し
、図において、1はAlボンディングパッド、2は反射
器、3はインクディジタルトランスデユーサ(IDT)
、4はボンディングパッド強化チタン蒸着膜である。
FIG. 1 shows a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention, in which 1 is an Al bonding pad, 2 is a reflector, and 3 is an ink digital transducer (IDT).
, 4 is a bonding pad reinforced titanium vapor deposited film.

次に作用について説明する。Next, the effect will be explained.

弾性表面波素子としての電気的作用は第2図の場合と同
じであるが、IDT3からそのまま延長されるアルミ電
極によってボンディングパッド部1が形成される。また
ボンディングパッド部1についてのみアルミ電極の下地
にボンディングパッド強化チタン膜4が蒸着されている
。従ってパッド部の密着性が改善され、またプロセスが
簡単化し、工期の短縮及び歩留りの向上が得られる。
The electrical function as a surface acoustic wave element is the same as that shown in FIG. 2, but the bonding pad portion 1 is formed by an aluminum electrode extending directly from the IDT 3. Further, only for the bonding pad portion 1, a bonding pad reinforcing titanium film 4 is deposited on the base of the aluminum electrode. Therefore, the adhesion of the pad portion is improved, the process is simplified, the construction period is shortened, and the yield is improved.

なお、上記実施例ではボンディングパッド部の強度を必
要十分なだけ確保するためにボンディングパッド部にチ
タンを蒸着したが、これはチタンの代わりに他の密着性
改善物質を蒸着するように、してもよい。
In the above example, titanium was deposited on the bonding pad in order to ensure the necessary and sufficient strength of the bonding pad. Good too.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のようにこの発明にかかる弾性表面波素子によれば
、ボンディングパッドとしてアルミ電極をそのまま用い
、ボンディングパッド部でのみ下地にチタン蒸着を行う
ことにより、パッド部の密着性を改善できるようにした
ため、プロセスが簡単化し、工期の短縮及び歩留りの向
上を達成できる効果がある。
As described above, according to the surface acoustic wave device of the present invention, the adhesion of the pad portion can be improved by using the aluminum electrode as it is as the bonding pad and vapor depositing titanium on the base only in the bonding pad portion. This has the effect of simplifying the process, shortening the construction period, and improving yield.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例による弾性表面波フィルタ
を示す平面図、第2図は従来の弾性表面波フィルタを示
す平面図である。 1はアルミボンディングパッド、2は反射器、3はID
T、4はボンディングバンド強化チタン蒸着膜、6はチ
タンエプロン、51は人力電極、52は出力電極、53
は入力接地電極、54は出力接地電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a plan view showing a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a conventional surface acoustic wave filter. 1 is aluminum bonding pad, 2 is reflector, 3 is ID
T, 4 is a bonding band reinforced titanium vapor deposited film, 6 is a titanium apron, 51 is a manual electrode, 52 is an output electrode, 53
is an input ground electrode, and 54 is an output ground electrode. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)圧電体基板上に形成した、少なくとも2個のイン
タディジタルトランスデューサ(IDT)をもち、いず
れか一方を入力側、他方を出力側とする弾性表面波素子
において、 ボンディングパッド部にのみ下地としてチタンを蒸着し
、 その上に上記IDTと同じプロセスでボンディングパッ
ドと一体化したアルミパターンを蒸着したことを特徴と
する弾性表面波素子。
(1) In a surface acoustic wave element formed on a piezoelectric substrate and having at least two interdigital transducers (IDT), one of which is used as an input side and the other as an output side, a base layer is used only on the bonding pad portion. A surface acoustic wave device characterized in that titanium is vapor-deposited, and an aluminum pattern integrated with a bonding pad is vapor-deposited thereon using the same process as the above-mentioned IDT.
JP20064388A 1988-08-10 1988-08-10 Surface acoustic wave element Pending JPH0248811A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20064388A JPH0248811A (en) 1988-08-10 1988-08-10 Surface acoustic wave element

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20064388A JPH0248811A (en) 1988-08-10 1988-08-10 Surface acoustic wave element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0248811A true JPH0248811A (en) 1990-02-19

Family

ID=16427805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20064388A Pending JPH0248811A (en) 1988-08-10 1988-08-10 Surface acoustic wave element

Country Status (1)

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JP (1) JPH0248811A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803919A1 (en) * 1996-04-25 1997-10-29 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Method of manufacturing a metallisation on a piezoelectric substrate
US7112913B2 (en) 2000-12-26 2006-09-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave apparatus and manufacturing method therefor

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0803919A1 (en) * 1996-04-25 1997-10-29 SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GmbH & CO. KG Method of manufacturing a metallisation on a piezoelectric substrate
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