JPH023927A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH023927A JPH023927A JP15281788A JP15281788A JPH023927A JP H023927 A JPH023927 A JP H023927A JP 15281788 A JP15281788 A JP 15281788A JP 15281788 A JP15281788 A JP 15281788A JP H023927 A JPH023927 A JP H023927A
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- diffusion
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- wiring
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に−層アルミ配線半導体
集積回路装置における配線交差部の構造に関する。
集積回路装置における配線交差部の構造に関する。
第２図（ａ）および（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ従来の一
部アルミ配線半導体集積回路装置の配線交差部の構造を
示す平面図およびそのＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ′断面図で、ア
ルミ配線１と交差する同じ一層目のアルミ配線２は、下
側となるアルミ配線１の一部に形成されるＮ型エピタキ
シャル層６上の埋設Ｎ＋拡散導体層１０上を通るように
形成される。ここで、Ｌａ、ｌｂはそれぞれアルミ配線
１とＮ＋拡散導体層１０とのコンタクト、５はＮ＋拡散
導体層１０を埋設するＮ型エピタキシャル層６を島状領
域に分離するための素子分離用Ｐ＋型拡散領域、７はＰ
−型シリコン基板、８．１１はそれぞれ絶縁膜を示す。
部アルミ配線半導体集積回路装置の配線交差部の構造を
示す平面図およびそのＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ′断面図で、ア
ルミ配線１と交差する同じ一層目のアルミ配線２は、下
側となるアルミ配線１の一部に形成されるＮ型エピタキ
シャル層６上の埋設Ｎ＋拡散導体層１０上を通るように
形成される。ここで、Ｌａ、ｌｂはそれぞれアルミ配線
１とＮ＋拡散導体層１０とのコンタクト、５はＮ＋拡散
導体層１０を埋設するＮ型エピタキシャル層６を島状領
域に分離するための素子分離用Ｐ＋型拡散領域、７はＰ
−型シリコン基板、８．１１はそれぞれ絶縁膜を示す。
しかしながら、」二連した従来の半導体集積回路装置は
、配線交差部に用いるＮ＋型拡散導体層１０を基板上の
ＮＰＮトランジスタ（図示しない）のエミッタ領域と同
じく製造プロセス上最終の拡散工程で作るため、このＮ
＋型拡散導体層１０上の絶縁膜１１が最も薄く形成され
る。これは各拡散工程で形成される拡散領域上の絶縁膜
が拡散工程毎に一旦除去されるためであり、後工程で形
成する拡散領域上の絶縁膜はど膜の成長時間が短くなる
ためである。従って、絶縁膜１１はアルミ配線１または
２を介して入力される外部からの静電気により、第２図
（Ｃ）の点線部で示したようにコンタクトｌａ、ｌｂの
近傍部で破壊され、アルミ配線１と２がＮ＋形拡散導体
層１０を介して電気的にショートされる欠点が有る。
、配線交差部に用いるＮ＋型拡散導体層１０を基板上の
ＮＰＮトランジスタ（図示しない）のエミッタ領域と同
じく製造プロセス上最終の拡散工程で作るため、このＮ
＋型拡散導体層１０上の絶縁膜１１が最も薄く形成され
る。これは各拡散工程で形成される拡散領域上の絶縁膜
が拡散工程毎に一旦除去されるためであり、後工程で形
成する拡散領域上の絶縁膜はど膜の成長時間が短くなる
ためである。従って、絶縁膜１１はアルミ配線１または
２を介して入力される外部からの静電気により、第２図
（Ｃ）の点線部で示したようにコンタクトｌａ、ｌｂの
近傍部で破壊され、アルミ配線１と２がＮ＋形拡散導体
層１０を介して電気的にショートされる欠点が有る。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、−層配線同志が互
いに交差する配線交差部の絶縁耐力を充分に高め得な半
導体集積回路装置を提供することである。
いに交差する配線交差部の絶縁耐力を充分に高め得な半
導体集積回路装置を提供することである。
本発明によれば、半導体集積回路装置は、基板上に互い
に交差する２つの一層配線を有する半導体集積回路装置
において、前記交差する２つの一層配線の配線交差部が
異なる拡散工程で形成される２つの拡散層から成る拡散
導電層で形成されることを含んで構成される。
に交差する２つの一層配線を有する半導体集積回路装置
において、前記交差する２つの一層配線の配線交差部が
異なる拡散工程で形成される２つの拡散層から成る拡散
導電層で形成されることを含んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明の
一実施例を示す一層アルミ配線半導体集積回路装置の配
線交差部の平面図およびそのＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’断面
図である。本実施例によれば、本発明半導体集積回路装
置の配線交差部は、下側アルミ配線１の一部が形成する
Ｎ＋＋散導体層が異なる拡散工程で形成される２つのＮ
′″拡散層３および４から成ることを含む。すなわち、
アルミ配線２直下のＮ１型拡散Ｎ３はトランジスタのエ
ミッタを形成する最終の拡散工程に先立つそれより以前
の工程で形成され、ついでＮ１拡散層４がこの最終工程
でトランジスタのエミッタ領域と同時に形成される。こ
れによりアルミ配線２とＮ＋型型数散層３間絶縁膜９を
厚膜に形成することができる。ここで、絶縁膜９のａ部
はＮ＋型型数散層４形成後に成長したものであり、また
ｂ部はこのＮ＋型型数散層４り前のＮ＋型型数散層３形
成後から成長を始めＮ＋型型数散層４形成後もａ部と同
様に成長した膜厚である。したがって、先に形成された
領域上の絶縁膜はど厚く形成される。
一実施例を示す一層アルミ配線半導体集積回路装置の配
線交差部の平面図およびそのＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’断面
図である。本実施例によれば、本発明半導体集積回路装
置の配線交差部は、下側アルミ配線１の一部が形成する
Ｎ＋＋散導体層が異なる拡散工程で形成される２つのＮ
′″拡散層３および４から成ることを含む。すなわち、
アルミ配線２直下のＮ１型拡散Ｎ３はトランジスタのエ
ミッタを形成する最終の拡散工程に先立つそれより以前
の工程で形成され、ついでＮ１拡散層４がこの最終工程
でトランジスタのエミッタ領域と同時に形成される。こ
れによりアルミ配線２とＮ＋型型数散層３間絶縁膜９を
厚膜に形成することができる。ここで、絶縁膜９のａ部
はＮ＋型型数散層４形成後に成長したものであり、また
ｂ部はこのＮ＋型型数散層４り前のＮ＋型型数散層３形
成後から成長を始めＮ＋型型数散層４形成後もａ部と同
様に成長した膜厚である。したがって、先に形成された
領域上の絶縁膜はど厚く形成される。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、−層アル
ミ配線半導体集積回路装置の配線交差部は、互いに異な
る拡散工程で形成された２つの拡散層から成る２段構造
の拡散導体層により形成され、拡散導体層上に厚膜の絶
縁膜を備えているので、外部からのサージ入力に対する
交差配線間の絶縁耐力を高めることができ、信顆性を著
しく改善することができる。
ミ配線半導体集積回路装置の配線交差部は、互いに異な
る拡散工程で形成された２つの拡散層から成る２段構造
の拡散導体層により形成され、拡散導体層上に厚膜の絶
縁膜を備えているので、外部からのサージ入力に対する
交差配線間の絶縁耐力を高めることができ、信顆性を著
しく改善することができる。
１．２・・・互いに交差する一層同志のアルミ配線、１
．ａ、ｌｂ・・・コンタクト、３，４・・・Ｎ＋型型数
散層５・・・素子分離用Ｐ＋型拡散領域、６・・・Ｎ−
型エピタキシャル層、７・・・Ｐ−型シリコン基板、８
．９・・・絶縁膜。
．ａ、ｌｂ・・・コンタクト、３，４・・・Ｎ＋型型数
散層５・・・素子分離用Ｐ＋型拡散領域、６・・・Ｎ−
型エピタキシャル層、７・・・Ｐ−型シリコン基板、８
．９・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 基板上に互いに交差する２つの一層配線を有する半導体
集積回路装置において、前記交差する２つの一層配線の
配線交差部が異なる拡散工程で形成される２つの拡散層
から成る拡散導電層で形成されることを特徴とする半導
体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15281788A JPH023927A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15281788A JPH023927A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023927A true JPH023927A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15548806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15281788A Pending JPH023927A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5941837A (en) * | 1995-12-18 | 1999-08-24 | Seiko Epson Corporation | Health management device and exercise support device |
| KR100660860B1 (ko) * | 2005-02-11 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 서지 전압으로 인한 집적 회로의 오동작 방지용 장치 및 방법 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15281788A patent/JPH023927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5941837A (en) * | 1995-12-18 | 1999-08-24 | Seiko Epson Corporation | Health management device and exercise support device |
| KR100660860B1 (ko) * | 2005-02-11 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 서지 전압으로 인한 집적 회로의 오동작 방지용 장치 및 방법 |
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