JPH0239431A - 酸化膜の形成方法 - Google Patents
酸化膜の形成方法Info
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- JPH0239431A JPH0239431A JP18907388A JP18907388A JPH0239431A JP H0239431 A JPH0239431 A JP H0239431A JP 18907388 A JP18907388 A JP 18907388A JP 18907388 A JP18907388 A JP 18907388A JP H0239431 A JPH0239431 A JP H0239431A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は酸化膜の形成方法に関するものである。
［従来の技術］
Ｉｆｆ−Ｖ族化合物半導体は高周波、高速素子、受発素
子に用いられている。これらの素子を作製するだめに、
デバイスの表面不活性化技術、プレーナー集積化技術の
確立が重要なものとなっている。
子に用いられている。これらの素子を作製するだめに、
デバイスの表面不活性化技術、プレーナー集積化技術の
確立が重要なものとなっている。
化合物半導体表面に良質の酸化膜を形成する技術はまだ
確立していない。
確立していない。
この主たる原因は、従来、シリコンで有用とされた種々
の高温プロセスによる絶縁膜形成技術を化合物半導体に
適用すると、種々の本質的な困難が生じることにある。
の高温プロセスによる絶縁膜形成技術を化合物半導体に
適用すると、種々の本質的な困難が生じることにある。
これらの方法として高温酸化法、ＣＶＤ法によりＡｇ２
Ｏ３、ＳｉＯ２を付着する方法がある。又、最近注目さ
れだした低温プロセスとして、陽極酸化法、低温熱酸化
法、低温プラズマ法がある。特に室温において安定に、
且つ電気的に酸化膜を制御できる陽極酸化法の研究が最
も進んでいるが、まだ確立するには至っていない。
Ｏ３、ＳｉＯ２を付着する方法がある。又、最近注目さ
れだした低温プロセスとして、陽極酸化法、低温熱酸化
法、低温プラズマ法がある。特に室温において安定に、
且つ電気的に酸化膜を制御できる陽極酸化法の研究が最
も進んでいるが、まだ確立するには至っていない。
［発明が解決しようとする課題］
シリコンで有用とされた高温熱酸化を施すと、例えばＧ
ａＡＳの場合ＧａＡＳ自身が熱分解し、又酸化膜は主と
して多結晶、多孔質のβ−Ｇａ２０３となり、Ａｓは脱
離してしまう。又、Ｓ○ 、Ａｌｌ ２ ｏ３をＣＶＤ
法等で付着させようとすると、高温で行うとＧａＡＳの
熱分解につながり、低温で行うと付着性が悪く剥離し易
い。
ａＡＳの場合ＧａＡＳ自身が熱分解し、又酸化膜は主と
して多結晶、多孔質のβ−Ｇａ２０３となり、Ａｓは脱
離してしまう。又、Ｓ○ 、Ａｌｌ ２ ｏ３をＣＶＤ
法等で付着させようとすると、高温で行うとＧａＡＳの
熱分解につながり、低温で行うと付着性が悪く剥離し易
い。
又、陽極酸化法は、良質な酸化膜が得られるものの半導
体に通電するために、オーミック接触をとらねばならず
、この作業は煩雑なものとなっている。又、酸化プロセ
スが電解液のＰＨ１不純物に敏感であるという欠点があ
る。
体に通電するために、オーミック接触をとらねばならず
、この作業は煩雑なものとなっている。又、酸化プロセ
スが電解液のＰＨ１不純物に敏感であるという欠点があ
る。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、良質な酸
化膜を形成することを可能とした酸化膜の形成方法を提
供することを目的とするものである。
化膜を形成することを可能とした酸化膜の形成方法を提
供することを目的とするものである。
［￥１１題を解決するための手段］
上記目的は、臭素溶液を水又は過酸化水素水に溶解し、
臭素濃度が０．０８〜０．２０％の研磨液で結晶基板の
結晶を研磨し、結晶表面に酸化膜を形成させることによ
り、達成される。
臭素濃度が０．０８〜０．２０％の研磨液で結晶基板の
結晶を研磨し、結晶表面に酸化膜を形成させることによ
り、達成される。
［作 用］
臭素濃度が０．０８〜０．２０％の研磨液で結晶基板の
結晶を研磨し、結晶表面に酸化膜を形成したので、付着
性がよく均一な酸化膜が得られるようになって、良質な
酸化膜が形成されるようになる。
結晶を研磨し、結晶表面に酸化膜を形成したので、付着
性がよく均一な酸化膜が得られるようになって、良質な
酸化膜が形成されるようになる。
［実 施 例］
本実施例では結晶基板上に酸化膜を形成するのに、臭素
溶液を水又は過酸化水素水に溶解し、臭素濃度が０．０
８〜０，２０％の研磨液で結晶基板の結晶を研磨し、結
晶表面に酸化膜を形成さけた。このようにすることによ
り付着性がよく均一な酸化膜が得られるようになって、
良質な酸化膜を形成することを可能とした酸化膜の形成
方法を得ることができる。
溶液を水又は過酸化水素水に溶解し、臭素濃度が０．０
８〜０，２０％の研磨液で結晶基板の結晶を研磨し、結
晶表面に酸化膜を形成さけた。このようにすることによ
り付着性がよく均一な酸化膜が得られるようになって、
良質な酸化膜を形成することを可能とした酸化膜の形成
方法を得ることができる。
以下１．： Ｉ ｎ Ｐｒ０例を示す。ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐでも同様に実施し、良好な結果を１１１た。
Ｐでも同様に実施し、良好な結果を１１１た。
臭素溶液は、臭素をメタノールに溶解させ１ｖ０１％と
した。この臭素溶液を水又はＨ２Ｏ２で希釈したものを
研磨液とした。通常の回転円盤式研磨機を用い、研磨定
盤に研磨布を貼り付けた。
した。この臭素溶液を水又はＨ２Ｏ２で希釈したものを
研磨液とした。通常の回転円盤式研磨機を用い、研磨定
盤に研磨布を貼り付けた。
研磨布に上述の研磨液を滴下しながら接着盤に接着した
２インチインジウムリン結晶ウェハを５０ｒｐｍで回転
するＴ盤に１００ ／ ｔｉの圧力で押しつけ、ＦＪｍ
力により自転させ研磨した。用いた研磨液の組成を第１
表に示す。又、研磨結果もあわせて第１表に示す。
２インチインジウムリン結晶ウェハを５０ｒｐｍで回転
するＴ盤に１００ ／ ｔｉの圧力で押しつけ、ＦＪｍ
力により自転させ研磨した。用いた研磨液の組成を第１
表に示す。又、研磨結果もあわせて第１表に示す。
第 １ 表
同表から明らかなように、臭素Ｗｉ度０．０８〜０．２
０％の範囲では均一な酸化膜が得られたが、０．０８％
より低い濃度では酸化膜は発生せず、０．２０％より高
い濃度では均一な酸化膜は得られなかった。又、水を用
いた場合でも過酸化水素水、水と過酸化水素水との混合
溶液の場合でち臭Ｘ瀧度０．０８〜０．２０％の範囲で
は良好な酸化膜層が得られた。
０％の範囲では均一な酸化膜が得られたが、０．０８％
より低い濃度では酸化膜は発生せず、０．２０％より高
い濃度では均一な酸化膜は得られなかった。又、水を用
いた場合でも過酸化水素水、水と過酸化水素水との混合
溶液の場合でち臭Ｘ瀧度０．０８〜０．２０％の範囲で
は良好な酸化膜層が得られた。
このように本実施例によれば均一な厚さの酸化膜付きウ
ェハを作製できることは、工業的に大きなインパクトを
与える。それにより高品質なデバイスを製造することが
できる。更に良質な酸化膜が得られるため、デバイスの
歩留りを大幅に向上することができる。
ェハを作製できることは、工業的に大きなインパクトを
与える。それにより高品質なデバイスを製造することが
できる。更に良質な酸化膜が得られるため、デバイスの
歩留りを大幅に向上することができる。
尚、結晶の研磨は次の３つのプロセスで反応が進む。
（１）反応種の結晶基板への拡散。
（２）反応種と結晶との反応により、酸化物が基板上に
形成する。
形成する。
（３）基板上の酸化物が研磨液中に拡散する。
基板上を皮膜で覆い、かつ所定の膜厚までそれを成長さ
せるためには、 （２）、（３）の反応速度をバランス
よくコントロールしな【プればならない。
せるためには、 （２）、（３）の反応速度をバランス
よくコントロールしな【プればならない。
臭素濃度が０．０８％より低くなると、 （３）の反応
速度が （２）に比較して速いため、酸化物層が形成さ
れない。臭素濃度が０．２０％より高くなると （２）
の速度が （３）に比較して非常に速くなる。
速度が （２）に比較して速いため、酸化物層が形成さ
れない。臭素濃度が０．２０％より高くなると （２）
の速度が （３）に比較して非常に速くなる。
酸化物層は形成されるものの均一な酸化物層は形成され
ず、酸化膜層にスクラッチが入ってしまう。
ず、酸化膜層にスクラッチが入ってしまう。
そのため臭素濃度０．０８〜０．２０％にしなければな
らない。又膜厚は臭素濃度によりコント１］−ルできる
。
らない。又膜厚は臭素濃度によりコント１］−ルできる
。
酸化物を形成さけるためには、酸素を供給する物′ｄが
必用である。臭素とメタノールだ（プで研磨を行った場
合、酸化物は全く形成しない。不純物を含まない良質な
酸化膜を形成するための酸素供給物質はｌ−１０又はＨ
２０，２が望ましい。
必用である。臭素とメタノールだ（プで研磨を行った場
合、酸化物は全く形成しない。不純物を含まない良質な
酸化膜を形成するための酸素供給物質はｌ−１０又はＨ
２０，２が望ましい。
又、本実施例による結晶研磨ウェハは■−Ｖ族化合物半
導体のＧａＡｓ、Ｉｎｒ）、ＧａＰを対架とする。
導体のＧａＡｓ、Ｉｎｒ）、ＧａＰを対架とする。
［発明の効果］
上述のように本発明は臭素溶液を水又は過酸化水素水に
溶解し、臭素濃度が０．０８〜０．２０％の研磨液で結
晶基板の結晶を研磨することにより結晶表面に酸化膜を
形成させるので、付着性がよく良質な酸化膜を均一に得
ることができる。
溶解し、臭素濃度が０．０８〜０．２０％の研磨液で結
晶基板の結晶を研磨することにより結晶表面に酸化膜を
形成させるので、付着性がよく良質な酸化膜を均一に得
ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、結晶基板上に酸化膜を形成する酸化膜の形成方法に
おいて、臭素溶液を水又は過酸化水素水に溶解し、臭素
濃度が０．０８〜０．２０％の研磨液で前記結晶基板の
結晶を研磨することにより、結晶表面に酸化膜を形成さ
せることを特徴とする酸化膜の形成方法。 ２、前記臭素溶液が、水、メタノール又はエタノールの
いずれか一つ或いはこれら３つ以上の混合溶液に臭素を
溶解させた臭素濃度が２％以下の溶液である特許請求の
範囲第１項記載の酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907388A JPH0239431A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907388A JPH0239431A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239431A true JPH0239431A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16234852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18907388A Pending JPH0239431A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0239431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2705080A1 (fr) * | 1993-05-10 | 1994-11-18 | De Lattre Bertrand | Dispositif de fixation d'une chaussure sur une pédale, et chaussure et pédale équipées d'un tel dispositif. |
| US7250994B2 (en) | 1996-11-20 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for manufacturing light reflecting film thereof |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP18907388A patent/JPH0239431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2705080A1 (fr) * | 1993-05-10 | 1994-11-18 | De Lattre Bertrand | Dispositif de fixation d'une chaussure sur une pédale, et chaussure et pédale équipées d'un tel dispositif. |
| US7250994B2 (en) | 1996-11-20 | 2007-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for manufacturing light reflecting film thereof |
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