JPH0235555B2 - - Google Patents
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- JPH0235555B2 JPH0235555B2 JP56067845A JP6784581A JPH0235555B2 JP H0235555 B2 JPH0235555 B2 JP H0235555B2 JP 56067845 A JP56067845 A JP 56067845A JP 6784581 A JP6784581 A JP 6784581A JP H0235555 B2 JPH0235555 B2 JP H0235555B2
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- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
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- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタインバータに係り、特に
主回路トランジスタのベースドライブ回路に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a transistor inverter, and more particularly to a base drive circuit for a main circuit transistor.
従来、この種のベースドライブ回路は第１図に
示すように構成されている。すなわち主回路トラ
ンジスタQ1のベースを、一対のトランジスタQ2，
Q3が抵抗RBを間に挾んで電源＋VSとアースとの
間に直列接続された回路におけるトランジスタ
Q3のコレクタオーに接続している。この場合、
ベースドライブ用トランジスタQ2，Q3は同一制
御信号によつてオン、オフするものであり、一方
がオンのとき、他方はオフとなる。ここでは制御
信号がＬのときトランジスタQ2がオンになつて
主回路トランジスタQ1にベース電流を供給し、
制御信号がＨのときはトランジスタQ3がオンと
なつてトランジスタQ1へのベース電流供給を行
わない。ベース電流の大きさは抵抗RBの値によ
つて定まる。 Conventionally, this type of base drive circuit has been constructed as shown in FIG. In other words, the base of the main circuit transistor Q 1 is connected to a pair of transistors Q 2 ,
A transistor in a circuit in which Q 3 is connected in series between the power supply +V S and ground with a resistor R B in between.
It is connected to the collector of Q3 . in this case,
The base drive transistors Q 2 and Q 3 are turned on and off by the same control signal, and when one is on, the other is off. Here, when the control signal is L, transistor Q2 turns on and supplies base current to main circuit transistor Q1 ,
When the control signal is H, transistor Q3 is turned on and does not supply base current to transistor Q1 . The magnitude of the base current is determined by the value of resistor R B.
ここにおいて、この回路の電源VSの電圧が変
動すると、第２図に示すように主回路トランジス
タQ1のベース電流IBが変動するという問題が生じ
る。電源電圧が低下するとベース電流が不足して
主回路トランジスタQ1がオンせず、また電源電
圧が上昇すると主回路トランジスタQ1が過飽和
となつてスイツチング時間が遅れ、ベースドライ
ブ電力の無駄が生じるという問題である。 Here, if the voltage of the power supply V S of this circuit fluctuates, a problem arises in that the base current I B of the main circuit transistor Q 1 fluctuates as shown in FIG. 2. When the power supply voltage decreases, the base current is insufficient and the main circuit transistor Q1 does not turn on, and when the power supply voltage increases, the main circuit transistor Q1 becomes oversaturated, delaying the switching time and wasting base drive power. That's a problem.
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、互
にオン、オフを逆関係に行う直列接続された一対
のベースドライブトランジスタの中間接続された
一対のベースドライブトランジスタの中間接続点
に主回路トランジスタのベースを接続し、前記ベ
ースドライブトランジスタの一方が、オン、他方
がオフになることによつて前記主回路トランジス
タがベース電流を供給するトランジスタインバー
タにおける主回路トランジスタのベースドライブ
回路において、前記一方のベースドライブトラン
ジスタに流れる電流を検出する検出要素と、前記
一方のベースドライブトランジスタのベースに接
続され、前記検出要素の出力を入力して前記一方
のベースドライブトランジスタのベースに流れる
電流の増加に対して前記一方のベースドライブト
ランジスタのベース電流を減少させ、前記一方の
ベースドライブトランジスタの流れる電流の減少
に対して前記一方のベースドライブトランジスタ
のベース電流を増加させ、前記一方のベースドラ
イブトランジスタに流れる電流を定電流変化する
定電流化回路とを備えた構成としたものである。 The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and the main circuit is connected between a pair of base drive transistors connected in series, each of which turns on and off in an inverse relationship. In a base drive circuit of a main circuit transistor in a transistor inverter in which bases of transistors are connected and one of the base drive transistors is turned on and the other is turned off, the main circuit transistor supplies a base current. a detection element for detecting the current flowing through the base drive transistor; and a detection element connected to the base of the one base drive transistor and inputting the output of the detection element to detect an increase in the current flowing to the base of the one base drive transistor. reducing the base current of the one base drive transistor, increasing the base current of the one base drive transistor in response to the decrease in the current flowing through the one base drive transistor, and increasing the base current of the one base drive transistor, and the current flowing through the one base drive transistor. This configuration includes a constant current circuit that changes the current at a constant rate.
以下第３図および第４図を参照して本発明の一
実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 3 and 4.
第３図は本発明の一実施例を示したもので、ベ
ースドライブトランジスタQ2，Q3は直列接続さ
れ、トランジスタQ2のエミツタと電源＋VSとの
間に電流検出抵抗RSが接続される。この抵抗RS
は第１図における抵抗RBよりも抵抗値がはるか
に小さなものである。定電流化回路としてのトラ
ンジスタQ4は、この抵抗RSの両端間電圧をベー
ス電圧として与えられ、トランジスタQ2のベー
ス電流を加減して、トランジスタQ2を通る主回
路トランジスタQ1のベース電流を定電流化する
ものである。 FIG. 3 shows an embodiment of the present invention, in which base drive transistors Q 2 and Q 3 are connected in series, and a current detection resistor R S is connected between the emitter of transistor Q 2 and the power supply +V S. Ru. This resistance R S
has a much smaller resistance value than the resistor R B in FIG. Transistor Q 4 as a constant current circuit is given the voltage across this resistor R S as a base voltage, adjusts the base current of transistor Q 2 , and adjusts the base current of main circuit transistor Q 1 passing through transistor Q 2 . This is to make the current constant.
いまベースドライブトランジスタQ2がオンし
て主回路トランジスタQ1にベース電流が供給し
ているとする。このとき電源電圧が上昇すると電
流検出抵抗RSを流れる電流が増加し、その両端
間電圧が増加する。これによりトランジスタQ4
のベース・エミツタ間電圧が増加してトランジス
タQ4のエミツタコレクタ間は完全導通状態に近
づく。したがつてベースドライブトランジスタ
Q2のベース電圧は電源＋VSの電位に近づく。こ
の結果、ベースドライブトランジスタQ2のベー
ス・エミツタ間電圧が減少してベースドライブト
ランジスタQ2から主回路トランジスタQ1のベー
スに与える電流も抑制される。 Assume that base drive transistor Q2 is now turned on and base current is supplied to main circuit transistor Q1 . At this time, when the power supply voltage increases, the current flowing through the current detection resistor R S increases, and the voltage across it increases. This results in transistor Q 4
The base-emitter voltage of transistor Q4 increases, and the emitter-collector of transistor Q4 approaches a fully conductive state. Therefore the base drive transistor
The base voltage of Q 2 approaches the potential of the power supply +V S. As a result, the base-emitter voltage of base drive transistor Q 2 decreases, and the current applied from base drive transistor Q 2 to the base of main circuit transistor Q 1 is also suppressed.
逆に電源電圧が低下すれば、主回路トランジス
タQ1のベース電流を低下させないように動作す
る。 Conversely, if the power supply voltage decreases, the main circuit transistor Q1 's base current does not decrease.
第４図は電源電圧VSの変動時のベース電流IBの
様子を示したもので、ベース電流IBは一定値VBE
（Q4）／RSを保つている。したがつて電源電圧の
変動によつてトランジスタインバータ動作が不安
定になることはない。 Figure 4 shows the state of the base current I B when the power supply voltage V S fluctuates, and the base current I B is a constant value V BE
(Q 4 ) / Maintains R S. Therefore, the operation of the transistor inverter does not become unstable due to fluctuations in the power supply voltage.
上記説明ではトランジスタQ4のベース・エミ
ツタ間電圧VBE（Q4）を一定と考えているが、実
際には周囲温度変化等により僅かに変化する。し
かし実用上問題になる値ではない。したがつて抵
抗RSの値を適宜選択することにより、主回路ト
ランジスタQ1のベース電流を安定化できる。 In the above explanation, the base-emitter voltage V BE (Q 4 ) of the transistor Q 4 is considered to be constant, but in reality it changes slightly due to changes in ambient temperature, etc. However, this value is not a practical problem. Therefore, by appropriately selecting the value of the resistor R S , the base current of the main circuit transistor Q 1 can be stabilized.
本発明は上述のように、主回路トランジスタの
ベースドライブトランジスタに流れる電流を検出
する検出要素と、この検出要素の出力に応じてベ
ースドライブトランジスタのベース電流を加減す
る定電流回路とを備えることにより、主回路トラ
ンジスタのベース電流を安定化するようにしたた
め、トランジスタインバータがベースドライブ回
路の電源電圧の変動によつて動作不安定になるこ
とを防止することができる。 As described above, the present invention includes a detection element that detects the current flowing through the base drive transistor of the main circuit transistor, and a constant current circuit that adjusts the base current of the base drive transistor according to the output of this detection element. Since the base current of the main circuit transistor is stabilized, it is possible to prevent the transistor inverter from becoming unstable due to fluctuations in the power supply voltage of the base drive circuit.
また、従来回路における抵抗値の大きな電流制
制限抵抗が不要となるため、電源電圧低下時にお
いては電流制限用抵抗の電圧降下がなくなる分だ
け電源電圧の低下限界値を低くでき、逆に、電源
電圧上昇時においては、この電流制限用抵抗での
損失を少なくすることができる。さらに、ベース
ドライブトランジスタは不飽和動作されるため、
スイツチング速度が速くなり、トランジスタイン
バータの動作特性も改善される。 In addition, since the current limiting resistor with a large resistance value in the conventional circuit is not required, when the power supply voltage drops, the lower limit value of the power supply voltage can be lowered by the amount that the voltage drop of the current limiting resistor is eliminated. When the voltage increases, the loss in this current limiting resistor can be reduced. Furthermore, since the base drive transistor is operated in unsaturated state,
The switching speed is increased and the operating characteristics of the transistor inverter are also improved.
そして、トランジスタインバータに接続された
誘導負荷に矩形波PWM電圧を与えることを考え
た場合、主回路トランジスタの並列接続されたフ
ライホイールダイオードを介して電流が流れる際
に、同時に主回路トランジスタのベースからコレ
クタに電流が流れるが、この電流値についても抑
制することができる。 If we consider applying a square wave PWM voltage to an inductive load connected to a transistor inverter, when current flows through the parallel-connected flywheel diode of the main circuit transistor, at the same time it flows from the base of the main circuit transistor. A current flows through the collector, but this current value can also be suppressed.
第１図は従来のトランジスタインバータの主回
路トランジスタのベースドライブ回路を示す図、
第２図は第１図の回路の電源電圧変動時のベース
電流変化を示す特性図、第３図は本発明の一実施
例を示す回路図、第４図は同実施例における第２
図と同様の特性図である。
Q1……主回路トランジスタ、Q2……一方のベ
ースドライブトランジスタ、Q3……他方のベー
スドライブトランジスタ、Q4……定電流化回路
（トランジスタ）、RB……電流制限抵抗、RS……
検出要素（電流検出抵抗）。VS……電源電圧、IB
……主回路トランジスタのベース電流、VBE……
ベース・エミツタ間電圧。
Figure 1 is a diagram showing the base drive circuit of the main circuit transistor of a conventional transistor inverter.
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the base current change when the power supply voltage fluctuates in the circuit of FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG.
It is a characteristic diagram similar to the figure. Q 1 ... Main circuit transistor, Q 2 ... One base drive transistor, Q 3 ... Other base drive transistor, Q 4 ... Constant current circuit (transistor), R B ... Current limiting resistor, R S ……
Detection element (current detection resistor). V S ...Power supply voltage, I B
……Base current of main circuit transistor, V BE ……
Base-emitter voltage.
Claims (1)
れた一対のベースドライブトランジスタの中間接
続点に主回路トランジスタのベースを接続し、前
記ベースドライブトランジスタの一方がオン、他
方がオフになることによつて前記主回路トランジ
スタにベース電流を供給するトランジスタインバ
ータにおける主回路トランジスタのベースドライ
ブ回路において、前記一方のベースドライブトラ
ンジスタに流れる電流を検出する検出要素と、前
記一方のベースドライブトランジスタのベースに
接続され、前記検出要素の出力を入力して前記一
方のベースドライブトランジスタのベースに流れ
る電流の増加に対して前記一方のベースドライブ
トランジスタのベース電流を減少させ、前記一方
のベースドライブトランジスタに流れる電流の減
少に対して前記一方のベースドライブトランジス
タのベース電流を増加させ、前記一方のベースド
ライブトランジスタに流れる電流を定電流化する
定電流化回路とを備えたことを特徴とするトラン
ジスタインバータにおける主回路トランジスタの
ベースドライブ回路。1 The base of the main circuit transistor is connected to the intermediate connection point of a pair of series-connected base drive transistors that turn on and off in an inverse relationship, and one of the base drive transistors turns on and the other turns off. In the base drive circuit of the main circuit transistor in the transistor inverter that supplies base current to the main circuit transistor, a detection element that detects a current flowing through the one base drive transistor; , inputting the output of the detection element to reduce the base current of the one base drive transistor in response to an increase in the current flowing to the base of the one base drive transistor, and reducing the current flowing to the one base drive transistor; and a constant current regulating circuit that increases the base current of the one base drive transistor relative to the base drive transistor and makes the current flowing through the one base drive transistor a constant current. base drive circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067845A JPS57183276A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Base driving circuit for main circuit transistor in transistor inverter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56067845A JPS57183276A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Base driving circuit for main circuit transistor in transistor inverter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57183276A JPS57183276A (en) | 1982-11-11 |
| JPH0235555B2 true JPH0235555B2 (en) | 1990-08-10 |
Family
ID=13356688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56067845A Granted JPS57183276A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Base driving circuit for main circuit transistor in transistor inverter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57183276A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5153274A (en) * | 1982-12-24 | 1992-10-06 | The Secretary Of State For Defence In Her Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Curable thermosetting prepolymerised imide resin compositions |
| JP2949529B2 (en) * | 1991-05-20 | 1999-09-13 | 三菱電機株式会社 | Numerical control unit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912048A (en) * | 1972-05-17 | 1974-02-02 | ||
| JPS52140829A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-24 | Sansui Electric Co | Apparatus for driving inverter |
-
1981
- 1981-05-06 JP JP56067845A patent/JPS57183276A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4912048A (en) * | 1972-05-17 | 1974-02-02 | ||
| JPS52140829A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-24 | Sansui Electric Co | Apparatus for driving inverter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57183276A (en) | 1982-11-11 |
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