[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH0234022B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0234022B2
JPH0234022B2 JP59084703A JP8470384A JPH0234022B2 JP H0234022 B2 JPH0234022 B2 JP H0234022B2 JP 59084703 A JP59084703 A JP 59084703A JP 8470384 A JP8470384 A JP 8470384A JP H0234022 B2 JPH0234022 B2 JP H0234022B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
atoms
receiving member
ocn
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59084703A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS60227263A (en
Inventor
Keishi Saito
Masahiro Kanai
Tetsuo Sueda
Teruo Misumi
Yoshio Tsuezuki
Kyosuke Ogawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59084703A priority Critical patent/JPS60227263A/en
Priority to AU41465/85A priority patent/AU585855C/en
Priority to US06/725,751 priority patent/US4705733A/en
Priority to CA000479951A priority patent/CA1254435A/en
Priority to DE8585302872T priority patent/DE3581112D1/en
Priority to EP85302872A priority patent/EP0163415B1/en
Publication of JPS60227263A publication Critical patent/JPS60227263A/en
Publication of JPH0234022B2 publication Critical patent/JPH0234022B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

〔産業上の利用分野〕 本発明は、光(ここでは広義の光で紫外線、可
視光線、赤外線、X線、γ線等を示す)の様な電
磁波に感受性のある電子写真用光受容部材に関す
る。さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性
光を用いるのに適した電子写真用光受容部材に関
する。 〔従来の技術〕 デジタル画像情報を画像として記録する方法と
して、デジタル画像情報に応じて変調したレーザ
ー光で光受容部材を光学的に走査することにより
静電潜像を形成し、次いで該潜像を現像、必要に
応じて転写、定着などの処理を行ない、画像を記
録する方法がよく知られている。中でも電子写真
法を使用した画像形成法では、レーザーとしては
小型で安価なHe―Neレーザーあるいは半導体レ
ーザー(通常は650〜820nmの発光波長を有する)
で像記録を行なうことが一般である。 特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電
子写真用の光受容部材としては、その光感度領域
の整合性が他の種類の光受容部材と比べて格段に
優れている点に加えて、ビツカース硬度が高く、
社会的には無公害である点で、例えば特開昭54−
86341号公報や特開昭56−83746号公報に開示され
ているシリコン原子を含む非晶質材料(以後「A
―Si」と略記する)から成る感光層を有する光受
容部材が注目されている。 而乍ら、感光層を単層構成のA―Si層とする
と、その高光感度を保持しつつ、電子写真用とし
て要求される1012Ωcm以上の暗抵抗を確保するに
は、水素原子やハロゲン原子或いはこれ等に加え
てボロン原子とを特定の量範囲で層中に制御され
た形で構造的に含有させる必要性がある為に、層
形成のコントロールを厳密に行う必要がある等、
光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限
がある。 この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある
程度低暗低抗であつても、その高光感度を有効に
利用出来る様にしたものとしては、例えば、特開
昭54−121743号公報、特開昭57−4053号公報、特
開昭57−4172号公報に記載されてある様に光受容
層を伝導特性の異なる層を積層した二層以上の層
構成として、光受容層内部に空乏層を形成した
り、或いは特開昭57−52178号、同52179号、同
52180号、同58159号、同58160号、同58161号の各
公報に記載されてある様に光受容層を支持体と感
光層の間、又は/及び感光層の上部表面に障壁層
を設けた多層構造としたりして、見掛け上の暗抵
抗を高めた光受容部材が提案されている。 この様な提案によつて、A―Si系光受容部材は
その商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造
上の管理の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進
展し、商品化に向けての開発スピードが急速化し
ている。 この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用
いてレーザー記録を行う場合、各層の層厚に斑が
ある為に、レーザー光が可干渉性の単色光である
ので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光
受容層を構成する各層及び支持体と光受容層との
層界面(以後、この自由表面及び層界面の両者を
併せた意味で「界面」と称す)より反射して来る
反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。 この干渉現象は、形成される可視画像に於い
て、所謂、干渉縞模様となつて現われ、画像不良
の要因となる。殊に階調性の高い中間調の画像を
形成する場合には、画像の見悪くさは顕著とな
る。 まして、使用する半導体レーザー光の波長領域
が長波長になるにつれ感光層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので前記の干渉現象は顕
著である。 この点を図面を以つて説明する。 第1図に、光受容部材の光受容層を構成するあ
る層に入射した光I0と上部界面102で反射した
反射光R1、下部界面101で反射した反射光R2
を示している。 層の平均層厚をd、屈折率をn、光の波長をλ
として、ある層の層厚がなだらかにλ/2n以上の層 厚差で不均一であると、反射光R1,R2が2nd=
mλ(mは整数、この場合反射光は強め合う)と
2nd=(m+1/2)λ(mは整数、この場合反射光
は弱め合う)の条件のどちらに合うかによつて、
ある層の吸収光量および透過光量に変化を生じ
る。 多層構成の光受容部材においては、第1図に示
す干渉効果が各層で起り、第2図に示すように、
それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。そ
の為に該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材
上に転写、定着された可視画像に現われ、不良画
像の原因となつていた。 この不都合を解消する方法としては、支持体表
面をダイヤモンド切削して、±500Å〜±10000Å
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法(例えば
特開昭58−162975号公報)アルミニウム支持体表
面を黒色アルマイト処理したり、或いは樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸
収層を設ける方法(例えば特開昭57−165845号公
報)、アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したり、サンドブラストにより砂目状の
微細凹凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反
射防止層を設ける方法(例えば特開昭57−16554
号公報)等が提案されている。 而乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現わ
れる干渉縞模様を完全に解消することが出来なか
つた。 即ち、第1の方法は支持体表面を特定の大きさ
の凹凸が多数設けられただけである為、確かに光
散乱効果による干渉縞模様の発現を低減させては
いるが、光散乱としては依然として正反射光成分
が残存している為に、該正反射光による干渉縞模
様が残存することに加えて、支持体表面での光散
乱効果の為に照射スポツトに拡がりが生じ(所
謂、滲み現象)、実質的な解像度低下の要因とな
つていた。 第2の方法は、黒色アルマイト処理程度では、
完全吸収は無理であつて、支持体表面での反射光
は残存する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場
合はA―Si感光層を形成する際、樹脂層よりの脱
気現象が生じ、形成される感光層の層品質が著し
く低下すること、樹脂層がA―Si系感光層形成の
際のプラズマによつてダメージを受けて、本来の
吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪化に
よるその後のA―Si系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合さを有する。 支持体表面を不規則に荒す第3方法の場合に
は、第3図に示す様に、例えば入射光I0は、光受
容層302の表面でその一部が反射されて反射光
R1となり、残りは、光受容層302の内部に進
入して透過光I1となる。透過光I1は、支持体30
2の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡
散光K1,K2,K3……となり、残りが正反射され
て反射光R2となり、その一部が出射光R3となつ
て外部に出て行く。従つて、反射光R1と干渉す
る成分である出射光R3が残留する為、依然とし
て干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。 又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射
を防止する為に支持体301の表面の拡散性を増
加させると、光受容層内で光が拡散してハレーシ
ヨンを生ずる為解像度が低下するという欠点もあ
つた。 特に、多層構成の光受容部材においては、第4
図に示すように、支持体401表面を不規則的に
荒しても、第1層402の表面での反射光R2
第2層403の表面での反射光R1、支持体40
1の表面での正反射光R3の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがつて干渉縞模様が生じ
る。従つて、多層構成の光受容部材においては、
支持体401表面を不規則に荒すことでは、干渉
縞を完全に防止することは不可能であつた。 又、サンドブラスト等の方法によつて支持体表
面を不規則に荒す場合は、その粗面度がロツト間
に於いてバラツキが多く、且つ同一ロツトに於い
ても粗面度に不均一性があつて、製造管理上具合
が悪かつた。加えて、比較的大きな突起がランダ
ムに形成される機会が多く、斯かる大きな突起が
光受容層の局所的な電気的ブレークダウンの原因
となつていた。 又、単に支持体表面501を規則的に荒した場
合、第5図に示すように、通常、支持体501表
面の凹凸形状に沿つて、光受容層502が堆積す
るため、支持体501の凹凸の傾斜面503と光
受容層502の凹凸の傾斜面504とが平行にな
る。 したがつて、その部分では入射光は2nd1=mλ
または2nd1=(m+1/2)λが成立ち、夫々明部ま
たは暗部となる。又、光受容層全体では光受容層
の層厚d1,d2,d3,d4の夫々の差の中の最大が
λ/2n以上である様な層厚の不均一性があるため明 暗の縞模様が現われる。 従つて、支持体501表面を規則的に荒しただ
けでは、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはで
きない。 又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成
の光受容層を推積させた場合にも、第3図におい
て、一層構成の光受容部材で説明した支持体表面
での正反射光と、光受容層表面での反射光との干
渉の他に、各層間の界面での反射光による干渉が
加わるため、一層構成の光受容部材の干渉縞模様
発現度合より一層複雑となる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感
受性のある新規な電子写真用光受容部材を提供す
ることである。 本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる
画像形成に適すると共に製造管理が容易である電
子写真用光受容部材を提供することである。 本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出す
る干渉縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時に
しかも完全に解消することができる電子写真用光
受容部材を提供することでもある。 本発明のもう1つの目的は、電子写真法を利用
するデジタル画像記録、取分けハーフトーン情報
を有するデジタル画像記録が鮮明に且つ高解像
度、高品質で行える電子写真用光受容部材を提供
することでもある。 本発明の更にもう1つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光受容部材を提供するこ
とでもある。 〔発明の概要〕 本発明の電子写真用光受容部材(以後、「光受
容部材」と称す)は、所定の切断位置での断面形
状が0.3μm〜500μmピツチで、0.1μm〜5μmの最
大深さの主ピークに副ピークが重畳された凸状形
状である凸部が多数表面に形成されている支持体
と、シリコン原子と水素原子及び/又はハロゲン
原子を含有する非晶質材料で構成された単一層構
成の自由表面を有する光受容層とからなり、前記
光受容層は、酸素原子、炭素原子、及び窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を層厚方向に
不均一に含有し、かつ、該光受容層はシヨートレ
ンジ内に少なくとも1対以上の非平行な界面を有
することを特徴とする。 以下、本発明を図面に従つて具体的に説明す
る。 第6図は、本発明の基本原理を説明するための
説明図である。 第6図には装置の要求解像力よりも微小な凹凸
形状を有する支持体(不図示)上に、その凹凸の
傾斜面に沿つて、1つ以上の感光層を有する多層
構成の光受容層を、図の一部に拡大して示してあ
る。第6図に示されるように、第2層602の層
厚がd5からd6と連続的に変化している為に、界面
603と界面604とは互いに傾向きを有してい
る。従つて、この微小部分(シヨートレンジ)l
に入射した可干渉性光は、該微小部分lに於て干
渉を起し、微小な干渉縞模様を生ずる。 又、第7図に示す様に第1層701と第2層7
02の界面703と第2層702の自由表面70
4とが非平行であると、第7図のAに示す様に入
射光I0に対する反射光R1とに出射光R3とはその
進行方向が互いに異る為、界面703と704と
が平行な場合(第7図の「B」)に較べて干渉の
度合が減少する。 従つて、第7図のCに示す様に、一対の界面が
平行な関係にある場合(「B」)よりも非平行な場
合(「A」)は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が
無視し得る程度に小さくなる。その結果、微小部
分の入射光量は平均化される。 このことは、第6図に示す様に、第2層602
の層厚がマクロ的に不均一(d7≠d8)でも同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる
(第6図の「D」参照)。 また、光受容層が多層構成である場合に於いて
照射側から第2層まで可干渉性光が透過した場合
に就いて本発明の効果を述べれば、第8図に示す
様に、入射光I0に対して、反射光R1,R2,R3
R4,R5が存在する。その為各々の層で第7図を
似つて前記に説明したことが生ずる。 その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリ
ツトとして働き、そこで回折現象を生じる。 そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉
と層界面の回折による干渉との積として効果が現
われる。 従つて、光受容層全体で考えると干渉は夫々の
層での相乗効果となる為、本発明によれば、光受
容層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉効果を防止することが出来る。 又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部
分の大きさが照射光スポツト径より小さい為、即
ち、解像度限界より小さい為、画像に現れること
はない。又、仮に画像に現われているとしても眼
の分解能以下なので実質的には何等支障を生じな
い。 本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方
向へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが
望ましい。 本発明に適した微小部分の大きさl(凹凸形状
の一周期分)は、照射光のスポツト径をLとすれ
ば、l≦Lであることが望ましい。 この様に設計することにより、微小部分の端の
回折効果を積極的に利用することが出来、干渉縞
の発現をより一層抑制することが出来る。 又本発明の目的をより効果的に達成する為には
微小部分lに於ける層厚の差(d5−d6)は、照射
光の波長をλとすると、 d5−d6≧λ/2n(n:第2層602の屈折率)で あるのが望ましい(第6図参照)。 本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部
分lの層厚内(以後「微小カラム」と称す)に於
て、少なくともいずれか2つの層界面が非平行な
関係にある様に各層の層厚が各層の形成の際に微
小カラム内に於て制御されるが、この条件を満足
するならば該微小カラム内にいずれか2つの層界
面が平行な関係にあつても良い。 但し、平行な層界面を形成する層は、任意の2
つの位置に於る層厚の差が λ/2n(n:層の屈折率) 以下である様に全領域に均一層厚に形成される
のが望ましい。 光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、
電気絶縁性材料からなる障壁層等の各層の形成に
は本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する
為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できるこ
とからプラズマ気相法(PCVD法)、光CVD法、
熱CVD法が採用される。 本発明の目的を達するための支持体の加工方法
としては、化学エツチング、電気メツキなどの化
学的方法、蒸着、スパツタリングなどの物理的方
法、施盤加工などの機械的方法などが利用でき
る。しかし、生産管理を容易に行うために、施盤
などの機械的加工方法が好ましいものである。 たとえば、支持体を旋盤等で加工する場合、第
29図に示すようにV字形状の切刃を有するバイ
トをダイモンドパウダーで擦り所望の形状とした
切刃を有するバイト1をフライス盤、旋盤等の切
削加工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支
持体を予め所望に従つて設計されたプログラムに
従つて回転させながら規則的に所定方向に移動さ
せることにより、支持体表面を正確に切削加工す
ることで所望の凹凸形状、ピツチ、深さで形成さ
れる。この様な切削加工法によつて形成される凹
凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心
軸を中心にした螺線構造を有する。突起部の螺線
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は交叉螺
線構造とされても差支えない。 或いは、螺線構造に加えて中心軸に沿つた直線
構造を導入しても良い。 本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明
の効果を高めるためと、加工管理を容易にするた
めに、一次近似的に同一形状であることが好まし
い。 又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために
規則的または、周期的に配列されていることが好
ましい。又、更に、前記凸部は、本発明の効果を
一層高め、光受容層と支持体との密着性を高める
ために、副ピークを複数有することが好ましい。
これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向
に散乱するために、前記凸部が主ピークを中心に
対称(第9図A)または非対称形(第9図B)に
統一されていることが好ましい。しかし支持体の
加工管理の自由度を高める為には両方が混在して
いるのが良い。 本発明に於ては、管理された状態で支持体表面
に設けられる凹凸の各デイメンシヨンは、以下の
点を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成
出来る様に設定される。 即ち、第1はA―Si層は、層形成される表面の
状態に構造敏感であつて、表面状態に応じて層品
質は大きく変化する。 従つて、A―Si層の層品質の低下を招来しない
様に支持体表面に設けられる凹凸のデイメンシヨ
ンを設定する必要がある。 第2には光受容層の自由表面に極端な凹凸があ
ると、画像形成後のクリーニングに於てクリーニ
ングを完全に行なうことが出来なくなる。 また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレ
ードのいたみが早くなるという問題がある。 上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロ
セス上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を
検討した結果、支持体表面の凹部のピツチは、好
ましくは500μm〜0.3μm、より好ましくは200μm
〜1μm、最適には50μm〜5μmであるのが望まし
い。 又凹部の最大の深さは、好ましくは0.1μm〜5μ
m、より好ましくは0.3μm〜3μm、最適には0.6μ
m〜2μmとされるのが望ましい。 支持体表面の凹部のピツチと最大深さが上記の
範囲にある場合、凹部(又は線上突起部)の傾斜
面の傾きは、好ましくは1度〜20度、より好まし
くは3度〜15度、最適には4度〜10度とされるの
が望ましい。 又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚
の不均一性に基く層厚差の最大は、同一ピツチ内
で好ましくは0.1μm〜2μm、より好ましくは0.1μ
m〜1.5μm、最適には0.2μm〜1μmとされるのが
望ましい。 次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具
体例を示す。 第10図に示される光受容部材1000は、本
発明の目的を達成する様に表面切削加工された支
持体1001上に、光受容層1002を有し、該
光受容層1002は支持体1001側より電荷注
入防止層1003、感光層1004が設けられた
構成とされている。 支持体1001としては、導電性でも電気絶縁
性であつてもよい。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr,ステンレス,Al,Cr,Mo,Au,
Nb,Ta,V,Ti,Pt,Pd等の金属又はこれ等
の合金が上げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面に、NiCr,
Al,Cr,Mo,Au,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,
Pd,In2O3,SnO2,ITO(In2O3+SnO2)等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr,Al,Ag,Pd,Zn,Ni,
Au,Cr,Mo,Ir,Nb,Ta,V,Ti,Pt,等の
金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツ
タリング等でその表面に設け、又は、前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第1
0図の光受容部材1000を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形
成される様に適宜決定されるが、光受容部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が十分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。しかしながら、この様な場合、支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、好ましくは10μ以上とされる。 電荷注入防止層1003は、感光層1004へ
の支持体1001側からの電荷の注入を防いで見
掛上の高抵抗化を計る目的で設けられる。 電荷注入防止層1003は、水素原子又は/及
びハロゲン原子(X)を含有するA―Si(以後
「A―Si(H,X)」と記す)で構成されると共に
伝導性を支配する物質(C)が含有される。電荷注入
防止層1003に含有される伝導性を支配する物
質(C)としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Siに
対して、p型伝導特性を与えるp型不純物及びn
型伝導性を与えるn型不純物を挙げることができ
る。具体的には、p型不純物としては周期律表第
族に属する原子(第族原子)、例えばB(硼
素),Al(アルミニウム),Ga(ガリウム),In(イ
ンジウム),Tl(タリウム)等があり、殊に好適
に用いられるのは、B,Ga,である。 n型不純物としては周期律表第族に属する原
子(第族原子)、例えばP(燐),As(砒素),Sb
(アンチモン),Bi(ビスマス)等であり、殊に好
適に用いられるのは、P,As,である。本発明
に於て、電荷注入防止層1003に含有される伝
導性を支配する物質(C)の含有量は、要求される電
荷注入防止特性、或いは該電荷注入防止層100
3が支持体1001上に直に接触して設けられる
場合には、該支持体1001との接触界面に於け
る特性との関係等、有機的関連性に於いて適宜選
択することが出来る。又、前記電荷注入防止層1
003に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質(C)
の含有量が適宜選択される。 本発明に於て、電荷注入防止層1003中に含
有される伝導性を制御する物質(C)の含有量として
は、好適には0.001〜5×104atomic ppm,より
好適には0.5〜1×104atomic ppm,最適には1
〜5×103atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層1003に於け
る物質(C)の含有量は、好ましくは、30atomic
ppm以上、より好適には50atomic ppm以上,最
適には100atomic ppm以上とすることによつて、
以下に述べる効果をより顕著に得ることが出来
る。例えば含有させる物質(C)が前記のp型不純物
の場合には、光受容層1002の自由表面が極
性に帯電処理を受けた際に支持体1001側から
感光層1004中へ注入される電子の移動を、よ
り効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質(C)が前記のn型不純物の場合には、光受
容層1002の自由表面が極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から感光層1004中へ注入さ
れる正孔の移動を、より効果的に阻止することが
出来る。 電荷注入防止層1003の層厚は、好ましく
は、30Å〜10μ、より好適には40Å〜8μ,最適に
は50Å〜5μとされるのが望ましい。 感光層1004は、A―Si(H,X)で構成さ
れ、レーザー光の照射によつてフオトキヤリアを
発生する電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷
輸送機能の両機能を有する。 感光層1004の層厚としては、好ましくは、
1〜100μm,より好ましくは1〜80μm,最適に
は2〜50μmとされるのが望ましい。 感光層1004には、電荷注入防止層1003
に含有される伝導特性を支配する物質の極性とは
別の極性の伝導特性を支配する物質を含有させて
も良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する
物質を、電荷注入防止層1003に含有される実
際の量が多い場合には、該量よりも一段と少ない
量にして含有させても良い。 この様な場合、前記感光層1004中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、電荷注入防止層1003に含有される前記物
質の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜決定
されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm,より好適には0.05〜
500atomic ppm,最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層1003及び感
光層1004に同種の伝導性を支配する物質を含
有させる場合には、感光層1004に於ける含有
量としては、好ましくは30atomic ppm以下とす
るのが望ましい。 本発明に於て、電荷注入防止層1003及び感
光層1004中に含有される水素原子(H)の量又は
ハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和(H+X)は、好ましくは1〜
40atomic%,より好適には5〜30atomic%とさ
れるのが望ましい。 ハロゲン原子(X)としては、F,Cl,Br,
Iが挙げられ、これ等の中でF,Clが好ましいも
のとして挙げられる。 第10図に示す光受容部材に於ては、電荷注入
防止層1003の代りに電気絶縁性材料から成
る、所謂、障壁層を設けても良い。或いは、該障
壁層と電荷注入防止層1003とを併用しても差
支えない。 障壁層形成材料としては、Al2O3,SiO2
Si3N4等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。 本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を図る目的の為に、光受容層中に
は、酸素原子,炭素原子,窒素原子の中から選択
される少なくとも一種の原子が層厚方向には不均
一な分布状態で含有される。光受容層中に含有さ
れるこの様な原子(OCN)は、光受容層の全層
領域に含有されても良いし、或いは、光受容層の
一部の層領域のみに含有させることで偏在させて
も良い。 原子(OCN)の分布状態は分布濃度C(OCN)
が、光受容層の支持体の表面と平行な面内に於い
ては均一であることが望ましい。 本発明に於いて、光受容層に設けられる原子
(OCN)の含有されている層領域(OCN)は、
光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合に
は、光受容層の全層領域を占める様に設けられ、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図るの
を主たる目的とする場合には、光受容層の支持体
側端部層領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域(OCN)中に含有される
原子(OCN)の含有量は、高光感度を維持する
為に比較的少なくされ、後者の場合には、支持体
との密着性の強化を確実に図る為に比較的多くさ
れるのが望ましい。 本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域
(OCN)に含有される原子(OCN)の含有量は、
層領域(OCN)自体に要求される特性、或いは
該層領域(OCN)が支持体に直に接触して設け
られる場合には、該支持体との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。 又、前記層領域(OCN)に直に接触して他の
層領域が設けられる場合には、該他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係も考慮されて、原子(OCN)の含有量が
適宜選択される。 層領域(OCN)中に含有される原子(OCN)
の量は、形成される光受容部材に要求される特性
に応じて所望に従つて適宜決められるが、好まし
くは0.001〜50atomic%,より好ましくは、0.002
〜40atomic%、最適には0.003〜30atomic%とさ
れるのが望ましい。 本発明に於いて、層領域(OCN)が光受容層
の全域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占
めなくとも、層領域(OCN)の層厚Toの光受容
層の層厚Tに占める割合が充分多い場合には、層
領域(OCN)に含有される原子(OCN)の含有
量の上限は、前記の値より充分少なくされるのが
望ましい。 本発明の場合には、層領域(OCN)の層厚To
が光受容層の層厚Tに対して占める割合が5分の
2以上となる様な場合には、層領域(OCN)中
に含有有される原子(OCN)の上限としては、
好ましくは30atomic%以下、より好ましくは
20atomic%以下、最適には10atomic%以下とさ
れるのが望ましい。 本発明の好適な実施態様例によれば、原子
(OCN)は、支持体上に直接設けられる前記の電
荷注入防止層及び障壁層には、少なくとも含有さ
れるのが望ましい。詰り、光受容層の支持体側端
部層領域に原子(OCN)を含有させることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計るこ
とが出来る。 更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子
との共存下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の
確保が一層出来るので、感光層に所望量含有され
ることが望ましい。 又、これ等の原子(OCN)は、光受容層中に
複数種含有させても良い。即ち、例えば、電荷注
入防止層中には、酸素原子を含有させ、感光層中
には、窒素原子を含有させたり、或いは、同一層
領域中に例えば酸素原子と窒素原子とを共存させ
る形で含有させても良い。 第16図乃至第24図には、本発明における光
受容部材の層領域(OCN)中に含有される原子
(OCN)の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。 第16図乃至第24図において、横軸は原子
(OCN)の分布濃度Cを、縦軸は、層領域
(OCN)の層厚を示し、tBは支持体側の層領域
(OCN)の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の層領域(OCN)の端面の位置を示す。即ち、
原子(OCN)の含有される層領域(OCN)はTB
側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第16図には、層領域(OCN)中に含有され
る原子(OCN)の層厚方向の分布状態の第1の
典型例が示される。 第16図に示される例では、原子(OCN)の
含有される層領域(OCN)が形成される表面と
該層領域(OCN)の表面とが接する界面位置tB
よりt1の位置までは、原子(OCN)の分布濃度
CがC1になる一定の値を取り乍ら原子(OCN)
が形成される層領域(OCN)に含有され、位置
t1よりは濃度C2より界面位置tTに至るまで徐々に
連続的に減少されている。界面位置tTにおいては
原子(OCN)の分布濃度Cは濃度C3とされる。 第17図に示される例においては、含有される
原子(OCN)の分布濃度Cは位置TBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第18図の場合には、位置tBより位置t2までは
原子(OCN)の分布濃度Cは濃度C6と一定値と
され、位置t2と位置tTとの間において、徐々に連
続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Cは
実質的に零とされている(ここで実質的に零とは
検出限界量未満の場合である)。 第19図の場合には、原子(OCN)の分布濃
度Cは位置TBより位置tTに至るまで、濃度C8
り連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて、実
質的に零とされている。 第20図に示す例においては、原子(OCN)
の分布濃度Cは位置TBと位置t3間においては、濃
度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度C10
される。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度C
は一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減少
されている。 第21図に示される例においては、分布濃度C
は位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取
り、位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13
までは一次関数的に減少する分布状態とされてい
る。 第22図に示す例においては、位置TBより位
置tTに至るまで、原子(OCN)の分布濃度Cは
濃度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に
減少している。 第23図においては、位置tBより位置t5に至る
までは原子(OCN)の分布濃度Cは、濃度C15
りC16まで一次関数的に減少され、位置t5と位置tT
との間においては、濃度C16の一定値とされた例
が示されている。 第24図に示される例においては、原子
(OCN)の分布濃度Cは、位置tBにおいては濃度
C17であり、位置t6に至るまではこの濃度C17より
初めは緩やかに減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少され
て位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間
では、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8
において、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間に
おいては、濃度C20より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第16図乃至第24図により、層領域
(OCN)中に含有される原子(OCN)の層厚方
向の分布状態の典型例の幾くつかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、原子
(OCN)の分布濃度Cの高い部分を有し、界面tT
側においては、前記分布濃度Cは支持体側に較べ
て可成り低くされた部分を有する原子(OCN)
の分布状態が層領域(OCN)に設けられている。 原子(OCN)の含有される層領域(OCN)
は、上記した様に支持体側の方に原子(OCN)
が比較的高濃度で含有されている局在領域(B)を有
するものとして設けられるのが望ましく、この場
合には、支持体と光受容層との間の密着性をより
一層向上させることが出来る。 上記局在領域(B)は、第16図乃至第24図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ以
内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置tBより5μ厚までの全領域(LT)とされる場合も
あるし、又、層領域(LT)の一部とされる場合
もある。 局在領域(B)を層領域(LT)の一部とするか又
は全部とするかは、形成される光受容層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(B)はその中に含有される原子(OCN)
の層厚方向の分布状態として原子(OCN)分布
濃度Cの最大値Cmaxが、好ましくは500atomic
ppm以上、より好適には800atomic ppm以上、
最適には1000atomic ppm以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、原子(OCN)の含
有される層領域(OCN)は、支持体側からの層
厚で5μ以内(tBから5μ厚の層領域)に分布濃度C
の最大値Cmaxが存在する様に形成されるのが望
ましい。 本発明において、層領域(OCN)が光受容層
の一部の層領域を占める様に設けられる場合には
層領域(OCN)と他の層領域との界面において、
屈折率が緩やかに変化する様に、原子(OCN)
の層厚方向の分布状態を形成するのが望ましい。 この様にすることで、光受容層に入射される光
が層接触界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模
様の発現をより効果的に防止することが出来る。 又、層領域(OCN)中での原子(OCN)の分
布濃度Cの変化線は滑らかな屈折率変化を与える
点で、連続して緩やかに変化しているのが望まし
い。 この点から、例えば、第16図乃至第19図、
第22図及び第24図に示される分布状態となる
様に、原子(OCN)を層領域(OCN)中に含有
されるのが望ましい。 本発明において、水素原子又は/及びハロゲン
原子を含有するA―Si(「A―Si(H,X)」と記
す)で構成される感光層を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイグ法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、a―Si(H,X)で構成される感光層を形成
するには、基本的には、シリコン原子(Si)を供
給し得るSi供給用の原料ガスと、必要に応じて水
素原子(H)導入用の原料ガス又は/及びハロゲン原
子(X)導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得
る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆
積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に
設置されてある所定の支持体表面上にa―Si(H,
X)からなる層を形成させれば良い。又、スパツ
タリング法で形成する場合には、例えばAr,He
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたターゲツト
を使用して、必要に応じてHe,Ar等の稀釈ガス
で稀釈された水素原子(H)又は/及びハロゲン原子
(X)導入用のガスをスパツタリング用の堆積室
に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成し
て前記のターゲツトをスパツタリングしてやれば
良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法(EB法)
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4,Si2H6,Si3H8
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素(シラン類)が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4,Si2H6,が好ましい
ものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化
合物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更に
は、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素と
するガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子
を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発
明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF,ClF,ClF3
BrF5,BrF3,IF3,IF7,ICl,IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4,SiF6,SiCl4,SiBr4等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出
来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光受
容部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素硅素ガスを使用しなくとも、所
望の支持体上にハロゲン原子を含むa―Siから成
る感光層を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む感
光層を作成する場合、基本的には、例えばSi供給
用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とAr,H2
He等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによつて、所望の支持体上に感光
層を形成し得るものであるが、水素原子の導入割
合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等の
ガスに更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合
物のガスも所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。スパツタリング法、イオンプレーテイング法
の何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子
を導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記
のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類等のガス類をスパツタリング用の堆積室
中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成し
てやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF,HCl,
HBr,HI等のハロゲン化水素、SiH2F2
SiH2I2,SiH2Cl2,SiHCl3,SiH2Br2,SiHBr2
SiHBr3等のハロゲン置換水素化硅素、等のガス
状態の或いはガス化し得る物質も有効な感光層形
成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
合物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に
おいては好適なハロゲン導入用の原料として使用
される。 光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層
中に、伝導特性を制御する物質(C)、例えば、第
族原子或いは第族原子を構造的に導入するに
は、各層の形成の際に、第族原子導入用の出発
物質或いは第族原子導入用の出発物質をガス状
態で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第族
原子導入用の出発物質と成り得るものとしては、
常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件
下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望
ましい。その様な第族原子導入用の出発物質と
して具体的には硼素原子導入用としては、B2H6
B4H10,B5H9,B5H11,B6H10,B6H12,B6H14
等の水素化硼素、BF3,BCl3,BBr3等のハロゲ
ン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3
GaCl3,Ga(CH33,InCl3,TlCl3等も挙げるこ
とが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3,S2H4等の水素化燐、PH4I,PF3
PF5,PCl3,PCl5,PBr3,PBr5,PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他AsH3,AsF3
AsCCl3,AsBr3,AsF5,SbH3,SbF3,SbF5
SbCl3,SbCl5,BiH3,BiCl3,BiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、光受容層に原子(OCN)の
含有された層領域(OCN)を設けるには、光受
容層の形成の際に原子(OCN)導入用の出発物
質を前記した光受容層形成用の出発物質と共に使
用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやれば良い。 層領域(OCN)を形成するのにグロー放電法
を用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従つて選択されたものに原
子(OCN)導入用の出発物質が加えられる。そ
の様な原子(OCN)導入用の出発物質としては、
少なくとも原子(OCN)を構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したもの
の中の大概のものが使用される。 具体的には、例えば酸素(O2),オゾン(O3),
一酸化窒素(NO),二酸化窒素(NO2),一二酸
化窒素(N2O),三二酸化窒素(N2O3)四二酸化
窒素(N2O4),五二酸化窒素(N2O5),三四酸化
窒素(NO3),シリコン原子(Si)と酸素原子
(O)と水素原子(H)とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン(H3SiOSiH3),トリシロキサン
(H3SiOSiH2OSiH3)等の低級シロキサン,メタ
ン(CH4),エタン(C2H6),プロパン(C3H8),
n―ブタン(n―C4H10),ペンタン(C5H12)等
の炭素数1〜5の飽和炭化水素、エチレン
(C2H4),プロピレン(C3H6),ブテン―1
(C4H8),ブテン―2(C4H8),イソブチレン
(C4H8),ベンテン(C5H10)等の炭素数2〜5
のエチレン系炭化水素、アセチレン(C2H2),メ
チルアセチレン(C3H4),ブチン(C4H6)等の
炭素数2〜4のアセチレン系炭化水素、窒素
(N2)、アンモニア(NH3),ヒドラジン
(H2NNH2),アジ化水素(HN3N3),アジ化ア
ンモニウム(HH4N3),三弗化窒素(F3N),四
弗化窒素(F4N)等々を挙げることが出来る。 スパツタリング法の場合には、原子(OCN)
導入用の出発物質としては、グロー放電法の際に
列挙した前記のガス化可能な出発物質の外に、固
体化出発物質として、SiO2,Si3N4,カーボンブ
ラツク等を挙げることが出来る。これ等は、Si等
のターゲツトと共にスパツタリング用のターゲツ
トとしての形で使用される。 本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子
(OCN)の含有される層領域(OCN)を設ける
場合、該層領域(OCN)に含有される原子
(OCN)の分布濃度Cを層厚方向に変化させて所
望の層厚方向の分布状態(depth profile)を有
する層領域(OCN)を形成するには、グロー放
電の場合には、分布濃度Cを変化させるべき原子
(OCN)を導入用の出発物質のガスを、そのガス
流量を所望の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍
ら、堆積室内に導入することによつて成される。 例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流量系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
暫時変化させる操作を行えば良い。このとき、流
量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。 層領域(OCN)をスパツタリング法によつて
形成する場合、原子(OCN)の層厚方向の分布
濃度Cを層厚方向で変化させて、原子(OCN)
の層厚方向の所望の分布状態(depth profile)
を形成するには、第一には、グロー放電法による
場合と同様に、原子導入用の出発物質をガス状態
で使用し、該ガスを堆積質中へ導入する際のガス
流量を所望に従つて適宜変化させることによつて
成される。第二にはスパツタリング用のターゲツ
トを、例えばSiとSiO2との混合されたターゲツ
トを使用するのであれば、SiとSiO2との混合比
をターゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させ
ておくことによつて成される。 以下本発明の実施例について説明する。 実施例 1 本実施例ではスポツト径80μmの半導体レーザ
ー(波長780nm)を使用した。したがつてA―
Si:Hを堆積させる円筒状のAl支持体(長さ(L)
357mm,径(r)800mm)上に旋盤で溝を作製し
た。このときの溝の形を第11図Bに示す。 このAl支持体上に第12図の装置で電荷注入
防止層,感光層を次の様にして堆積した。 まず装置の構成を説明する。1201は高周波
電源、1202はマツチングボツクス、1203
は拡散ポンプおよびメカニカルブースターポン
プ、1204はAl支持体回転用モータ、120
5はAl支持体、1206はAl支持体加熱用ヒー
タ、1207はガス導入管、1208は高周波導
入用カソード電極、1209はシールド板、12
10はヒータ用電源、1221〜1226,12
41〜246はバルブ、1231〜1236はマ
スフロコントローラー、1251〜1256はレ
ギユレーター、1261は水素(H2)ボンベ、
1262はシラン(SiH4)ボンベ、1263は
ジボラン(B2H6)ボンベ、1264は酸化窒素
(NO)ボンベ、1265はメタン(CH4)ボン
ベ、1266はアンモニア(NH3)ボンベであ
る。 次に作製手順を説明する。ボンベ1261〜1
266の元栓をすべてしめた後に、すべてのマス
フロコントローラー1231〜1236およびバ
ルブ1221〜1226,1241〜1246を
開け、拡散ポンプ1203により堆積装置内を
10-7Torrまで減圧した。それと同時にヒータ1
206によりAl支持体1205を250℃まで加熱
し、250℃で一定に保つた。Al支持体1205の
温度が250℃で一定になつた後、バルブ1221
〜1226,1241〜1246,1251〜1
256の夫々を閉じ、ボンベ1261〜1266
の元栓を開け、拡散ポンプ1203をメカニカル
ブースターポンプに代えた。レギユレーター付き
バルブ1251〜1256の二次圧を1.5Kg/cm2
に設定した。マスフロコントローラー1231を
300SCCMに設定し、バルブ1241とバルブ1
221を順に開き堆積装置内にH2ガスを導入し
た。 次にボンベ1261のSiH4ガスを、マスフロ
コントローラー1232の設定を150SCCMに設
定して、H2ガスの導入と同様の操作でSiH4ガス
を堆積装置に導入しボンベ1263のB2H6ガス
流量をSiH4ガス流量に対して、1600Vol ppmに
なるようにマスフローコントローラー1233を
設定して、H2ガスの導入と同様な操作でB2H6
スを堆積装置内に導入した。 次にボンベ1264のNOガス流量をSiH4ガス
流量に対して、初期値が3.4Vol%になるようにマ
スフロコントローラー1234を設定して、H2
ガスの導入と同様な操作でNOガスを堆積装置内
に導入した。 そして堆積装置内の内圧が0.2Torrで安定した
ら、高周波電源1201のスイツチを入れマツチ
ングボツクス1202を調節して、Al支持体1
205とカソード電極1208間にグロー放電を
生じさせ、高周波電力を160Wとし5μm厚にA―
Si:H:B:O層(B,Oを含むP型のA―Si:
H層となる)を堆積した(電荷注入防止層)。こ
の際、NOガス流量をSiH4ガス流量に対して、第
22図に示す様に変化させ、層作成終了時には
NOガス流量が雰になるようにした。この様にし
て5μm厚のA―Si:H:B:O(P型)層を堆積
したのち、放電を切らずに、バルブ1223及び
1224を閉めB2H6,NOの流入を止めた。 そして高周波電力160Wで20μm厚のA―Si:H
層(non―doped)を堆積した(感光層)。その後
高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積
装置を排気し、Al支持体の温度を室温まで下げ
て、光受容層を形成した支持体を取り出した。 この場合、第11図B,Cのように感光層の表
面と支持体の表面とは非平行であつた。この場合
Al支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚
差は2μmであつた。 この場合の光受容部材について、波長780nmの
半導体レーザーをスポツト径80μmで第14図に
示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写し
て画像を得た。 この場合干渉縞模様は、観察されず、実用に十
分な電子写真特性を示すものが得られた。 実施例 2 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第1表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例1と
同様の条件と手順に従つた。これら電子写真用光
受容部材について、実施例1と同様な画像露光装
置を用いて、画像露光を行い、現像、転写、定着
して、普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを10万回連続繰返し行つた。 この場合、得られた画像の総てに於いて、干渉
縞は見られず、実用上十分な特性であつた。又、
初期の画像と10万回目の画像の間には、何等差違
はなく、高品質の画像であつた。 実施例 3 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第2表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例1と
同様の条件と手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合に得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であつた。 実施例 4 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第3表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例1と
同様の条件と手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であつた。 実施例 5 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第4表に示す条件で電子写真
用光受容部材を形成した。その他は、実施例1と
同様の条件と手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用上十分な特性であつた。 実施例 6 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第5表に示す条件と第25図
に示す、NOとSiH4のガス流量比の変化率曲線に
従つて、電子写真用光受容部材を形成した。その
他は実施例1と同様の条件と手順に従つた。 これらの電子写真用光受容部材について、実施
例1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を
行い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画
像を得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 実施例 7 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第6表に示す条件と第26図
に示すNOとSiH4ガスのガス流量の変化曲線に従
つて、電子写真用光受容部材を形成した。その他
は、実施例1と同様の手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して普通紙上に可視画像を
得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 実施例 8 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第7表に示す条件と第27図
に示すNOとSiH4ガスのガス流量比の変化曲線に
従つて、電子写真用光受容部材を形成した。その
他は、実施例1と同様の条件と手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 実施例 9 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第8表に示す条件と第28図
に示すNOとSiH4ガスの流量比の変化曲線に従つ
て電子写真用光受容部材を形成した。その他は、
実施例1と同様の条件と手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 実施例 10 第13図、第14図に示す表面性のシリンダー
状Al支持体上に、第9表に示す条件と第28図
に示すNOとSiH4ガスのガス流量比の変化曲線に
従つて電子写真用光受容部材を形成した。その他
は、実施例1と同様の条件と手順に従つた。 これら電子写真用光受容部材について、実施例
1と同様な画像露光装置を用いて、画像露光を行
い、現像、転写、定着して、普通紙上に可視画像
を得た。 この場合、得られた画像には、干渉縞は見られ
ず、実用に十分な特性であつた。 〔発明の効果〕 以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、
可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管
理が容易であり、且つ画像形成時に現出する干渉
縞模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも
完全に解消することができ、更には、高光感度
性、高SN比特性、及び支持体との間に良好な電
気的接触性を有し、デジタル画像記録に好適な光
受容部材を提供することができる。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a light-receiving member for electrophotography that is sensitive to electromagnetic waves such as light (here, light in a broad sense refers to ultraviolet rays, visible light, infrared rays, X-rays, γ-rays, etc.). . More specifically, the present invention relates to an electrophotographic light receiving member suitable for using coherent light such as laser light. [Prior Art] As a method of recording digital image information as an image, an electrostatic latent image is formed by optically scanning a light-receiving member with a laser beam modulated according to the digital image information, and then the latent image is A well-known method is to develop the image, perform processes such as transfer and fixing as necessary, and then record the image. In particular, in image forming methods using electrophotography, the laser used is a small and inexpensive He-Ne laser or semiconductor laser (usually with an emission wavelength of 650 to 820 nm).
It is common to record images using . In particular, as a light-receiving material for electrophotography that is suitable when using a semiconductor laser, in addition to the fact that the consistency of the photosensitivity region is much better than that of other types of light-receiving materials, the Vickers hardness is is high,
In terms of being non-polluting from a social perspective, for example,
Amorphous materials containing silicon atoms (hereinafter referred to as "A
A light-receiving member having a photosensitive layer made of a material (abbreviated as "-Si") is attracting attention. However, if the photosensitive layer is a single-layer A-Si layer, in order to maintain its high photosensitivity and ensure a dark resistance of 10 12 Ωcm or more, which is required for electrophotography, hydrogen atoms and halogen Since it is necessary to structurally contain atoms or boron atoms in addition to these atoms in a specific amount range in a controlled manner in the layer, it is necessary to strictly control the layer formation, etc.
There are considerable limitations on the tolerances in the design of light receiving members. Examples of systems that can expand this design tolerance and make effective use of high light sensitivity even if there is clogging and low dark resistance to some extent include JP-A No. 54-121743; As described in Publication No. 57-4053 and Japanese Patent Application Laid-open No. 57-4172, the photoreceptive layer is made of two or more layers with different conductivity characteristics, and a depletion layer is formed inside the photoreceptive layer. JP-A-57-52178, JP-A No. 52179, JP-A-57-52179;
As described in Patent Publications No. 52180, No. 58159, No. 58160, and No. 58161, a photoreceptive layer is provided between the support and the photosensitive layer, or/and a barrier layer is provided on the upper surface of the photosensitive layer. A light-receiving member with increased apparent dark resistance, such as a multilayer structure, has been proposed. Through such proposals, A-Si light-receiving members have made dramatic progress in terms of commercialization design tolerances, ease of manufacturing management, and productivity, and have become commercially viable. The speed of development towards this is accelerating. When laser recording is performed using a light-receiving member with such a multilayered light-receiving layer, the thickness of each layer is uneven, and the laser light is coherent monochromatic light, so the light-receiving layer is Reflected from the free surface of the laser beam irradiation side, each layer constituting the light-receiving layer, and the layer interface between the support and the light-receiving layer (hereinafter, both the free surface and the layer interface are collectively referred to as the "interface"). There is a possibility that each of the reflected lights may cause interference. This interference phenomenon appears as a so-called interference fringe pattern in the formed visible image and becomes a cause of image defects. Particularly when forming a half-tone image with high gradation, the image becomes noticeably unsightly. Furthermore, as the wavelength range of the semiconductor laser light used becomes longer, the absorption of the laser light in the photosensitive layer decreases, so the above-mentioned interference phenomenon becomes remarkable. This point will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 shows light I 0 incident on a certain layer constituting the light-receiving layer of a light-receiving member, reflected light R 1 reflected at the upper interface 102, and reflected light R 2 reflected at the lower interface 101.
It shows. The average layer thickness of the layer is d, the refractive index is n, and the wavelength of light is λ.
If the thickness of a certain layer is uneven with a gradual thickness difference of λ/2n or more, the reflected lights R 1 and R 2 will be 2nd =
mλ (m is an integer, in this case the reflected light strengthens each other) and
Depending on which of the following conditions is met: 2nd = (m + 1/2) λ (m is an integer, in this case the reflected light weakens each other).
Changes occur in the amount of light absorbed and transmitted by a certain layer. In a light-receiving member with a multilayer structure, the interference effect shown in FIG. 1 occurs in each layer, and as shown in FIG.
A synergistic negative effect of each interference occurs. Therefore, interference fringes corresponding to the interference fringe pattern appear in the visible image transferred and fixed onto the transfer member, causing a defective image. To overcome this inconvenience, diamond cutting the surface of the support allows for
A method of forming a light-scattering surface by providing unevenness (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 162975/1983), by treating the surface of an aluminum support with black alumite, or by dispersing carbon, color pigments, or dyes in a resin. A method of providing a light absorption layer (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 165845/1984) involves applying a satin-like alumite treatment to the surface of an aluminum support, or creating fine roughness in the form of grains by sandblasting. A method of providing an anti-scattering anti-reflection layer (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-16554)
Publication No.) etc. have been proposed. However, with these conventional methods, it has not been possible to completely eliminate the interference fringe pattern appearing on the image. In other words, in the first method, only a large number of irregularities of a specific size are provided on the surface of the support, so although it does reduce the appearance of interference fringes due to light scattering effects, it does not affect the light scattering. Since the specularly reflected light component still remains, in addition to the remaining interference fringe pattern caused by the specularly reflected light, the irradiation spot spreads due to the light scattering effect on the support surface (so-called smearing). phenomenon), which was the cause of a substantial drop in resolution. The second method is at the level of black alumite treatment,
Complete absorption is impossible, and the light reflected on the surface of the support remains. In addition, when a colored pigment dispersed resin layer is provided, when forming an A-Si photosensitive layer, a degassing phenomenon occurs from the resin layer, and the layer quality of the formed photosensitive layer is significantly deteriorated. Inconveniences such as being damaged by plasma during the formation of the Si-based photosensitive layer, reducing the original absorption function, and adversely affecting the subsequent formation of the A-Si-based photosensitive layer due to deterioration of the surface condition. has. In the case of the third method of irregularly roughening the surface of the support, as shown in FIG .
The remaining light enters the light receiving layer 302 and becomes transmitted light I1 . The transmitted light I 1 is transmitted through the support 30
On the surface of 2, part of the light is scattered and becomes diffused light K 1 , K 2 , K 3 ..., the rest is specularly reflected and becomes reflected light R 2 , and part of it becomes emitted light R 3 and goes outside. Therefore, since the emitted light R3 , which is a component that interferes with the reflected light R1 , remains, the interference fringe pattern cannot be completely erased. Furthermore, if the diffusivity of the surface of the support 301 is increased in order to prevent interference and multiple reflections inside the light-receiving layer, the resolution will decrease because light will diffuse within the light-receiving layer and cause halation. There was also the drawback of doing so. In particular, in a multilayered light receiving member, the fourth
As shown in the figure, even if the surface of the support 401 is irregularly roughened, the reflected light R 2 on the surface of the first layer 402,
Reflected light R 1 on the surface of the second layer 403, support 40
Each of the specularly reflected lights R 3 on the surface of the light receiving member interferes with each other, and an interference fringe pattern is generated depending on the thickness of each layer of the light receiving member. Therefore, in a multilayered light receiving member,
It has been impossible to completely prevent interference fringes by irregularly roughening the surface of the support 401. Furthermore, when the surface of the support is irregularly roughened by a method such as sandblasting, the degree of roughness varies greatly between lots, and even within the same lot there is non-uniformity in the degree of roughness. However, there was a problem with manufacturing control. In addition, relatively large protrusions are frequently formed randomly, and such large protrusions cause local electrical breakdown of the photoreceptive layer. Furthermore, if the surface of the support 501 is simply roughened regularly, as shown in FIG. The inclined surface 503 of the photoreceptor layer 502 and the uneven inclined surface 504 of the light receiving layer 502 are parallel to each other. Therefore, in that part, the incident light is 2nd 1 = mλ
Or, 2nd 1 = (m+1/2)λ holds true, resulting in a bright area or a dark area, respectively. In addition, there is non-uniformity in the layer thickness in the entire photoreceptive layer, such that the maximum difference among the respective layer thicknesses d 1 , d 2 , d 3 , d 4 of the photoreceptor layer is λ/2n or more. A pattern of light and dark stripes appears. Therefore, simply by regularly roughening the surface of the support 501, it is not possible to completely prevent the occurrence of interference fringes. Furthermore, even when a multi-layered light-receiving layer is deposited on a support whose surface is regularly roughened, the specularly reflected light on the surface of the support as explained for the single-layered light-receiving member in FIG. In addition to the interference with the reflected light on the surface of the light-receiving layer, interference due to the reflected light at the interface between each layer is added, so that the degree of interference fringe pattern development becomes more complicated than that of a single-layered light-receiving member. OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a new light-sensitive electrophotographic light-receiving member which eliminates the above-mentioned drawbacks. Another object of the present invention is to provide an electrophotographic light-receiving member that is suitable for image formation using coherent monochromatic light and that is easy to manufacture and control. Still another object of the present invention is to provide an electrophotographic light-receiving member that can simultaneously and completely eliminate the interference fringe pattern that appears during image formation and the appearance of spots during reversal development. Another object of the present invention is to provide a light-receiving member for electrophotography that allows digital image recording using electrophotography, especially digital image recording with halftone information to be performed clearly, with high resolution, and with high quality. be. Yet another object of the present invention is high photosensitivity,
Another object of the present invention is to provide an electrophotographic light-receiving member having high signal-to-noise ratio characteristics and good electrical contact with a support. [Summary of the Invention] The light-receiving member for electrophotography of the present invention (hereinafter referred to as "light-receiving member") has a cross-sectional shape at a predetermined cutting position with a pitch of 0.3 μm to 500 μm, and a maximum depth of 0.1 μm to 5 μm. The support is composed of a support having a large number of convex portions formed on its surface, in which a sub-peak is superimposed on a main peak, and an amorphous material containing silicon atoms, hydrogen atoms, and/or halogen atoms. a photoreceptive layer having a free surface of a single layer structure, the photoreceptive layer containing at least one selected from oxygen atoms, carbon atoms, and nitrogen atoms nonuniformly in the layer thickness direction, Further, the photoreceptive layer is characterized in that it has at least one pair of non-parallel interfaces within the short range. The present invention will be specifically described below with reference to the drawings. FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the basic principle of the present invention. FIG. 6 shows a multilayered photoreceptive layer having one or more photosensitive layers on a support (not shown) having unevenness that is smaller than the required resolution of the device, along the slope of the unevenness. , shown enlarged in part of the figure. As shown in FIG. 6, since the layer thickness of the second layer 602 changes continuously from d5 to d6 , the interface 603 and the interface 604 have a tendency toward each other. Therefore, this minute portion (short range) l
The coherent light incident on the microscopic portion 1 causes interference to produce a microscopic interference fringe pattern. In addition, as shown in FIG. 7, the first layer 701 and the second layer 7
02 interface 703 and the free surface 70 of the second layer 702
4 are non-parallel, as shown in A in FIG. 7, the traveling directions of the reflected light R 1 and the emitted light R 3 for the incident light I 0 are different from each other, so that the interfaces 703 and 704 are The degree of interference is reduced compared to the parallel case ("B" in FIG. 7). Therefore, as shown in C in Figure 7, when a pair of interfaces are non-parallel ("A") than when they are parallel ("B"), even if there is interference, the brightness of the interference fringe pattern will be lower. The difference becomes negligible. As a result, the amount of light incident on the minute portions is averaged. This means that the second layer 602, as shown in FIG.
The same can be said even if the layer thickness is macroscopically non-uniform (d 7 ≠ d 8 ), so the amount of incident light becomes uniform over the entire layer region (see "D" in FIG. 6). Furthermore, to describe the effects of the present invention in the case where coherent light is transmitted from the irradiation side to the second layer when the light-receiving layer has a multilayer structure, as shown in FIG. For I 0 , the reflected lights R 1 , R 2 , R 3 ,
R 4 and R 5 exist. Therefore, in each layer, what has been described above similar to FIG. 7 occurs. Moreover, each layer interface within a microscopic portion acts as a kind of slit, where a diffraction phenomenon occurs. Therefore, the effect of interference in each layer appears as a product of interference due to the difference in layer thickness and interference due to diffraction at the layer interface. Therefore, when considering the entire photoreceptive layer, interference is a synergistic effect in each layer, so according to the present invention, as the number of layers constituting the photoreceptive layer increases, the interference effect is further prevented. I can do it. Further, interference fringes generated within a minute portion do not appear in the image because the size of the minute portion is smaller than the irradiation light spot diameter, that is, smaller than the resolution limit. Moreover, even if it appears in the image, it will not cause any substantial trouble because it is below the resolution of the eye. In the present invention, the uneven inclined surface is desirably mirror-finished in order to reliably align the reflected light in one direction. It is desirable that the size l (one period of the uneven shape) of the minute portion suitable for the present invention satisfies l≦L, where L is the spot diameter of the irradiated light. By designing in this way, the diffraction effect at the edge of the minute portion can be actively utilized, and the appearance of interference fringes can be further suppressed. In addition, in order to more effectively achieve the object of the present invention, the difference in layer thickness (d 5 - d 6 ) in the minute portion l is expressed as d 5 - d 6 ≧λ, where λ is the wavelength of the irradiated light. /2n (n: refractive index of the second layer 602) is desirable (see FIG. 6). In the present invention, within the layer thickness of a microscopic portion l of a multilayered photoreceptive layer (hereinafter referred to as a "microcolumn"), at least any two layer interfaces are in a non-parallel relationship. The layer thickness of each layer is controlled within the microcolumn during the formation of each layer, but if this condition is satisfied, any two layer interfaces may be in a parallel relationship within the microcolumn. However, the layers forming the parallel layer interface can be any two layers.
It is desirable that the layer be formed to have a uniform layer thickness over the entire area so that the difference in layer thickness at two positions is λ/2n (n: refractive index of the layer) or less. A photosensitive layer constituting a photoreceptive layer, a charge injection prevention layer,
In order to more effectively and easily achieve the purpose of the present invention, the plasma vapor phase method (PCVD method) is used to form each layer such as the barrier layer made of electrically insulating material because the layer thickness can be precisely controlled at the optical level. ), optical CVD method,
Thermal CVD method is adopted. As a method for processing the support to achieve the object of the present invention, chemical methods such as chemical etching and electroplating, physical methods such as vapor deposition and sputtering, and mechanical methods such as lathe processing can be used. However, in order to easily manage production, mechanical processing methods such as lathes are preferred. For example, when machining the support with a lathe, etc., as shown in Fig. 29, a cutting tool 1 having a V-shaped cutting edge is rubbed with diamond powder and the cutting edge is shaped into the desired shape. For example, by fixing the cylindrical support at a predetermined position on a cutting machine and regularly moving it in a predetermined direction while rotating it according to a program designed in advance as desired, the surface of the support can be accurately cut. By doing so, the desired uneven shape, pitch, and depth are formed. The linear protrusion created by the unevenness formed by such a cutting method has a spiral structure centered on the central axis of the cylindrical support. The spiral structure of the protrusion may be a double or triple spiral structure, or a crossed spiral structure. Alternatively, a linear structure along the central axis may be introduced in addition to the spiral structure. In order to enhance the effects of the present invention and to facilitate processing control, it is preferable that the convex portions within a predetermined cross section of the support of the present invention have the same shape in a linear approximation. Further, the convex portions are preferably arranged regularly or periodically in order to enhance the effects of the present invention. Further, it is preferable that the convex portion has a plurality of sub-peaks in order to further enhance the effect of the present invention and improve the adhesion between the light-receiving layer and the support.
In addition to each of these, in order to efficiently scatter incident light in one direction, the convex portions are unified into a symmetrical shape (FIG. 9A) or an asymmetrical shape (FIG. 9B) around the main peak. Preferably. However, in order to increase the degree of freedom in controlling the processing of the support, it is better to have both of them mixed together. In the present invention, each dimension of the irregularities provided on the surface of the support in a controlled manner is set in such a way that the object of the present invention can be achieved as a result, taking into account the following points. First, the A-Si layer is structurally sensitive to the condition of the surface on which it is formed, and the quality of the layer changes greatly depending on the surface condition. Therefore, it is necessary to set the dimension of the irregularities provided on the surface of the support so as not to cause a deterioration in the layer quality of the A-Si layer. Secondly, if the free surface of the photoreceptive layer is extremely uneven, it becomes impossible to perform cleaning completely after image formation. Further, when cleaning the blade, there is a problem that the blade gets damaged quickly. As a result of examining the above-described problems in layer deposition, process problems in electrophotography, and conditions for preventing interference fringes, the pitch of the recesses on the surface of the support is preferably 500 μm to 0.3 μm, more preferably 200μm
It is desirable that the thickness is ~1 μm, optimally 50 μm to 5 μm. Also, the maximum depth of the recess is preferably 0.1 μm to 5 μm.
m, more preferably 0.3μm to 3μm, optimally 0.6μm
It is desirable that the thickness is between m and 2 μm. When the pitch and maximum depth of the recesses on the support surface are within the above range, the slope of the recesses (or linear protrusions) is preferably 1 degree to 20 degrees, more preferably 3 degrees to 15 degrees, The optimum angle is preferably 4 degrees to 10 degrees. Further, the maximum difference in layer thickness due to the non-uniformity of the layer thickness of each layer deposited on such a support is preferably 0.1 μm to 2 μm, more preferably 0.1 μm within the same pitch.
It is desirable that the thickness be 0.2 μm to 1 μm, most preferably 0.2 μm to 1 μm. Next, specific examples of the multilayered light receiving member according to the present invention will be shown. A light-receiving member 1000 shown in FIG. 10 has a light-receiving layer 1002 on a support 1001 whose surface has been machined to achieve the object of the present invention, and the light-receiving layer 1002 is on the side of the support 1001. The structure includes a charge injection prevention layer 1003 and a photosensitive layer 1004. The support 1001 may be electrically conductive or electrically insulating. Examples of the conductive support include NiCr, stainless steel, Al, Cr, Mo, Au,
Examples include metals such as Nb, Ta, V, Ti, Pt, and Pd, or alloys thereof. As the electrically insulating support, films or sheets of synthetic resins such as polyester, polyethylene, polycarbonate, cellulose acetate, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide, glass, ceramic, paper, etc. are usually used. . Preferably, at least one surface of these electrically insulating supports is conductively treated, and another layer is preferably provided on the conductively treated surface side. For example, if it is glass, NiCr,
Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt,
Conductivity can be imparted by providing a thin film made of Pd, In 2 O 3 , SnO 2 , ITO (In 2 O 3 +SnO 2 ), etc., or if it is a synthetic resin film such as polyester film, NiCr, Al ,Ag,Pd,Zn,Ni,
A thin film of metal such as Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc. is provided on the surface by vacuum evaporation, electron beam evaporation, sputtering, etc., or the surface is laminated with the above metal. This imparts conductivity to the surface. The shape of the support may be any shape such as a cylinder, a belt, or a plate, and the shape is determined as desired.
If the light-receiving member 1000 shown in FIG. 0 is used as an electrophotographic image forming member, it is desirable to have an endless belt shape or a cylindrical shape in the case of continuous copying. The thickness of the support is determined as appropriate so that the desired light-receiving member is formed, but if flexibility is required as a light-receiving member, the support can sufficiently function as a support. It is made as thin as possible within this range. However, in such a case, the thickness is preferably 10 μm or more in view of manufacturing and handling of the support, mechanical strength, etc. The charge injection prevention layer 1003 is provided for the purpose of preventing charge injection into the photosensitive layer 1004 from the support 1001 side and increasing the apparent resistance. The charge injection prevention layer 1003 is composed of A-Si (hereinafter referred to as "A-Si (H, C) is contained. The substance (C) that controls conductivity contained in the charge injection prevention layer 1003 can be impurities known in the semiconductor field, and in the present invention, Si has p-type conductivity. p-type impurity and n
Examples include n-type impurities that provide type conductivity. Specifically, p-type impurities include atoms belonging to a group of the periodic table (group atoms), such as B (boron), Al (aluminum), Ga (gallium), In (indium), Tl (thallium), etc. Among them, B and Ga are particularly preferably used. N-type impurities include atoms belonging to the group of the periodic table (group atoms), such as P (phosphorus), As (arsenic), and Sb.
(antimony), Bi (bismuth), etc., and particularly preferably used are P and As. In the present invention, the content of the substance (C) that controls conductivity contained in the charge injection prevention layer 1003 is determined according to the required charge injection prevention property or the charge injection prevention layer 100.
3 is provided in direct contact with the support 1001, it can be appropriately selected depending on the organic relationship, such as the relationship with the characteristics at the contact interface with the support 1001. Further, the charge injection prevention layer 1
A substance (C) that controls conduction properties is taken into account, taking into account the characteristics of other layer regions provided in direct contact with 003 and the relationship with the characteristics at the contact interface with the other layer regions.
The content of is selected as appropriate. In the present invention, the content of the substance (C) that controls conductivity contained in the charge injection prevention layer 1003 is preferably 0.001 to 5×10 4 atomic ppm, more preferably 0.5 to 1 ×10 4 atomic ppm, optimally 1
It is desirable that the content be 5×10 3 atomic ppm. In the present invention, the content of the substance (C) in the charge injection prevention layer 1003 is preferably 30 atomic
ppm or more, more preferably 50 atomic ppm or more, optimally 100 atomic ppm or more,
The effects described below can be obtained more significantly. For example, if the substance (C) to be contained is the p-type impurity described above, electrons injected from the support 1001 side into the photosensitive layer 1004 when the free surface of the photoreceptive layer 1002 is polarized are charged. In addition, when the substance (C) to be contained is the n-type impurity, when the free surface of the photoreceptive layer 1002 is subjected to polar charging treatment, The movement of holes injected into the photosensitive layer 1004 from the support side can be more effectively prevented. The thickness of the charge injection prevention layer 1003 is preferably 30 Å to 10 μm, more preferably 40 Å to 8 μm, and most preferably 50 Å to 5 μm. The photosensitive layer 1004 is made of A--Si (H, The thickness of the photosensitive layer 1004 is preferably as follows:
It is desirable that the thickness be 1 to 100 μm, more preferably 1 to 80 μm, and optimally 2 to 50 μm. The photosensitive layer 1004 includes a charge injection prevention layer 1003.
The charge injection prevention layer 1003 may contain a substance that controls conduction properties with a polarity different from the polarity of the substance that controls conduction properties contained in the charge injection prevention layer 1003. If the actual amount contained in is large, it may be contained in an amount much smaller than the actual amount. In such a case, the content of the substance controlling the conduction properties contained in the photosensitive layer 1004 may be determined as desired depending on the polarity and content of the substance contained in the charge injection prevention layer 1003. It is determined as appropriate, but preferably 0.001~
1000 atomic ppm, more preferably 0.05~
500atomic ppm, optimally 0.1-200atomic ppm
It is desirable that this is done. In the present invention, when the charge injection prevention layer 1003 and the photosensitive layer 1004 contain the same type of substance that controls conductivity, the content in the photosensitive layer 1004 is preferably 30 atomic ppm or less. is desirable. In the present invention, the amount of hydrogen atoms (H), the amount of halogen atoms (X), or the sum of the amounts of hydrogen atoms and halogen atoms (H+X) contained in the charge injection prevention layer 1003 and the photosensitive layer 1004 is as follows: Preferably 1~
It is desirable that the content be 40 atomic %, more preferably 5 to 30 atomic %. Halogen atoms (X) include F, Cl, Br,
Among them, F and Cl are preferred. In the light receiving member shown in FIG. 10, a so-called barrier layer made of an electrically insulating material may be provided in place of the charge injection prevention layer 1003. Alternatively, the barrier layer and the charge injection prevention layer 1003 may be used together. Barrier layer forming materials include Al 2 O 3 , SiO 2 ,
Examples include inorganic electrically insulating materials such as Si 3 N 4 and organic electrically insulating materials such as polycarbonate. In the light-receiving member of the present invention, for the purpose of increasing photosensitivity and dark resistance, and further improving the adhesion between the support and the light-receiving layer, the light-receiving layer contains , oxygen atoms, carbon atoms, and nitrogen atoms are contained in a non-uniform distribution state in the layer thickness direction. Such atoms (OCN) contained in the photoreceptive layer may be contained in the entire layer area of the photoreceptive layer, or they may be unevenly distributed by being contained only in some layer areas of the photoreceptive layer. You can let me. The distribution state of atoms (OCN) is the distribution concentration C (OCN)
However, it is desirable that the photoreceptive layer be uniform in a plane parallel to the surface of the support. In the present invention, the layer region (OCN) containing atoms (OCN) provided in the photoreceptive layer is
When the main purpose is to improve photosensitivity and dark resistance, it is provided so as to occupy the entire layer area of the photoreceptive layer.
When the main purpose is to strengthen the adhesion between the support and the photoreceptive layer, it is provided so as to occupy the end layer region of the photoreception layer on the side of the support. In the former case, the content of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) is kept relatively low in order to maintain high photosensitivity, while in the latter case, the content of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) is kept relatively low to maintain high photosensitivity; It is desirable to use a relatively large amount to ensure accuracy. In the present invention, the content of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) provided in the photoreceptive layer is as follows:
The characteristics required for the layer region (OCN) itself, or when the layer region (OCN) is provided in direct contact with the support, the relationship with the characteristics at the contact interface with the support, etc. Depending on the organic relationship, it can be selected as appropriate. In addition, when another layer region is provided in direct contact with the layer region (OCN), the relationship with the characteristics of the other layer region and the characteristics at the contact interface with the other layer region. The content of atoms (OCN) is selected appropriately, taking into account the following. Atoms contained in the layer region (OCN)
The amount is determined as desired depending on the properties required of the light receiving member to be formed, but is preferably 0.001 to 50 atomic%, more preferably 0.002 atomic%.
It is desirable to set it to ~40 atomic%, optimally 0.003 to 30 atomic%. In the present invention, whether the layer region (OCN) occupies the entire area of the photoreceptive layer or even if it does not occupy the entire area of the photoreceptor layer, the layer thickness T of the photoreceptor layer is When the proportion of atoms (OCN) in the layer region (OCN) is sufficiently large, it is desirable that the upper limit of the content of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) is sufficiently smaller than the above value. In the case of the present invention, the layer thickness To of the layer region (OCN)
In cases where the ratio of T to the layer thickness T of the photoreceptive layer is two-fifths or more, the upper limit of the atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) is:
Preferably 30 atomic% or less, more preferably
It is desirable that it be 20 atomic % or less, optimally 10 atomic % or less. According to a preferred embodiment of the present invention, atoms (OCN) are preferably contained at least in the charge injection prevention layer and the barrier layer that are provided directly on the support. By including atoms (OCN) in the support side end layer region of the photoreceptive layer,
It is possible to strengthen the adhesion between the support and the light-receiving layer. Furthermore, in the case of nitrogen atoms, for example, in coexistence with boron atoms, it is possible to further improve dark resistance and ensure high photosensitivity, so it is desirable to contain a desired amount in the photosensitive layer. Further, a plurality of types of these atoms (OCN) may be contained in the photoreceptive layer. That is, for example, the charge injection prevention layer may contain oxygen atoms, the photosensitive layer may contain nitrogen atoms, or, for example, oxygen atoms and nitrogen atoms may coexist in the same layer region. It may also be included. 16 to 24 show typical examples of the distribution state of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) of the light-receiving member according to the present invention in the layer thickness direction. In FIGS. 16 to 24, the horizontal axis shows the distribution concentration C of atoms (OCN), the vertical axis shows the layer thickness of the layer region (OCN), and t B is the end face of the layer region (OCN) on the support side. t T indicates the position of the end surface of the layer region (OCN) on the opposite side to the support side. That is,
The layer region (OCN) containing atoms (OCN) is T B
Layer formation is performed from the t side toward the t T side. FIG. 16 shows a first typical example of the distribution state of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) in the layer thickness direction. In the example shown in FIG. 16, the interface position t B where the surface where the layer region (OCN) containing atoms (OCN) is formed and the surface of the layer region (OCN) are in contact with each other.
Up to the position t 1 , the distribution concentration C of atoms (OCN) takes a constant value of C 1 , and the atoms (OCN)
is contained in the layer region (OCN) where
From t 1 onward, the concentration C 2 is gradually and continuously reduced up to the interface position t T . At the interface position tT , the distribution concentration C of atoms (OCN) is assumed to be the concentration C3 . In the example shown in FIG. 17, the distribution concentration C of the contained atoms (OCN) is from the position T B to the position t T
A distribution state is formed in which the concentration gradually and continuously decreases from C 4 until reaching C 5 at position t T . In the case of Fig. 18, the distribution concentration C of atoms (OCN) from position t B to position t 2 is a constant value of concentration C 6 , and gradually becomes continuous between position t 2 and position t T. The distributed concentration C is substantially reduced to zero at the position tT (substantially zero here means less than the detection limit amount). In the case of FIG. 19, the distribution concentration C of atoms (OCN) is gradually decreased from the concentration C 8 from the position T B to the position t T , and at the position t T , it becomes substantially zero. has been done. In the example shown in Figure 20, atoms (OCN)
The distribution concentration C of is a constant value of concentration C 9 between position T B and position t 3 , and the concentration C 10 at position t T
be done. Between position t3 and position tT , the distribution concentration C
is linearly decreased from position t 3 to position t T . In the example shown in FIG. 21, the distribution concentration C
takes a constant value of concentration C 11 from position t B to position t 4 , and from position t 4 to position t T the concentration is C 12 to C 13
Until then, the distribution is said to decrease linearly. In the example shown in FIG. 22, from position T B to position t T , the distribution concentration C of atoms (OCN) decreases linearly from the concentration C 14 to substantially zero. In FIG. 23, from position t B to position t 5 , the distribution concentration C of atoms (OCN) decreases linearly from the concentration C 15 to C 16 , and from position t 5 to position t T
An example is shown in which the concentration C 16 is set to a constant value. In the example shown in FIG. 24, the distribution concentration C of atoms (OCN) is the concentration C at position tB .
The concentration C 17 is initially gradually decreased from this concentration C 17 until reaching the position t 6 , and around the position t 6 , it is rapidly decreased to the concentration C 18 at the position t 6 . Between position t 6 and position t 7 , the concentration is first rapidly decreased, and then gradually decreased to reach C 19 at position t 7 , and between position t 7 and t 8 , very slowly and gradually decreased to position t 8
At , a concentration of C 20 is reached. Between position t8 and position tT , the concentration is reduced from C20 to substantially zero according to a curve shaped as shown in the figure. As described above with reference to FIGS. 16 to 24, some typical examples of the distribution state of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) in the layer thickness direction, in the present invention, On the support side, there is a part with a high distribution concentration C of atoms (OCN), and the interface t T
On the side, the distribution concentration C is atom (OCN) with a portion that is considerably lower than on the support side.
distribution state is provided in the layer area (OCN). Layer region containing atoms (OCN)
As mentioned above, there are atoms (OCN) toward the support side.
It is preferable to provide a localized region (B) containing a relatively high concentration of I can do it. If the localized region (B) is explained using the symbols shown in FIGS. 16 to 24, it is desirable that the localized region (B) be provided within 5 μm from the interface position t B. In the present invention, the localized region (B) may be the entire region (L T ) up to 5μ thick from the interface position t B , or it may be a part of the layer region (L T ). In some cases. Whether the localized region (B) is a part or all of the layer region (L T ) is appropriately determined according to the characteristics required of the photoreceptive layer to be formed. The localized region (B) is the atom (OCN) contained therein.
The maximum value Cmax of the atomic (OCN) distribution concentration C in the layer thickness direction is preferably 500 atomic
ppm or more, more preferably 800 atomic ppm or more,
Optimally, it is desirable to form a layer so that a distribution state of 1000 atomic ppm or more can be obtained. That is, in the present invention, the layer region (OCN) containing atoms (OCN) has a distribution concentration C within 5 μm in layer thickness from the support side (layer region 5 μ thick from t B ).
It is desirable that the maximum value Cmax exists. In the present invention, when the layer region (OCN) is provided so as to occupy a part of the layer region of the photoreceptive layer, at the interface between the layer region (OCN) and other layer regions,
Atomic (OCN) so that the refractive index changes gradually
It is desirable to form a distribution state in the layer thickness direction. By doing so, it is possible to prevent the light incident on the photoreceptive layer from being reflected at the layer contact interface, and to more effectively prevent the appearance of interference fringes. Further, it is preferable that the change line of the distribution concentration C of the atoms (OCN) in the layer region (OCN) continuously and gently change in order to provide a smooth change in the refractive index. From this point, for example, FIGS. 16 to 19,
It is desirable that the atoms (OCN) be contained in the layer region (OCN) so as to have the distribution states shown in FIGS. 22 and 24. In the present invention, the photosensitive layer composed of A-Si containing hydrogen atoms and/or halogen atoms (referred to as "A-Si(H,X)") can be formed by, for example, a glow discharge method, a sputtering method, Alternatively, it may be accomplished by a vacuum deposition method that utilizes a discharge phenomenon such as an ion plating method. For example, in order to form a photosensitive layer composed of a-Si (H, , If necessary, a raw material gas for introducing hydrogen atoms (H) and/or a raw material gas for introducing halogen atoms (X) is introduced at a desired gas pressure into a deposition chamber whose interior can be reduced in pressure, and the deposition is performed. A glow discharge is generated in the room, and a-Si (H,
What is necessary is to form a layer consisting of X). In addition, when forming by sputtering method, for example, Ar, He
Hydrogen atoms (H ) or/and a gas for introducing halogen atoms (X) into a deposition chamber for sputtering to form a plasma atmosphere of a desired gas and sputter the target. In the case of the ion plating method, for example, polycrystalline silicon or single crystal silicon is housed in a deposition boat as an evaporation source, and this evaporation source is heated using a resistance heating method or an electron beam method (EB method).
This can be carried out in the same manner as in the sputtering method, except that the evaporated material is heated and evaporated by a method such as the above method, and the flying evaporated material is passed through a desired gas plasma atmosphere. Substances that can be used as raw material gas for supplying Si used in the present invention include SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 ,
Gaseous or gasifiable silicon hydride (silanes) such as Si 4 H 10 can be effectively used, especially because of its ease of handling during layer creation work and good Si supply efficiency. In this respect, SiH 4 and Si 2 H 6 are preferred. Many halides are effective as the raw material gas for introducing halogen atoms used in the present invention, such as halogen gas, halogen compounds, interhalogen compounds, halogen-substituted silane derivatives, etc. Preferred examples include halogen compounds that can be converted into Further, a silicon hydride compound containing a halogen atom, which is in a gaseous state or can be gasified and whose constituent elements are a silicon atom and a halogen atom, can also be mentioned as an effective compound in the present invention. Specifically, halogen compounds that can be suitably used in the present invention include fluorine, chlorine, bromine,
Iodine halogen gas, BrF, ClF, ClF 3 ,
Examples include interhalogen compounds such as BrF 5 , BrF 3 , IF 3 , IF 7 , ICl, and IBr. Preferred examples of silicon compounds containing halogen atoms, so-called halogen atom-substituted silane derivatives include silicon halides such as SiF 4 , SiF 6 , SiCl 4 and SiBr 4 . When forming the characteristic light-receiving member of the present invention by a glow discharge method using such a silicon compound containing a halogen atom, hydrogen-silicon gas is used as a raw material gas capable of supplying Si. At least, a photosensitive layer made of a-Si containing halogen atoms can be formed on a desired support. When creating a photosensitive layer containing halogen atoms according to the glow discharge method, basically silicon halide, which serves as a raw material gas for supplying Si, and Ar, H 2 ,
By introducing a gas such as He into a deposition chamber where a photosensitive layer is formed at a predetermined mixing ratio and gas flow rate, and generating a glow discharge to form a plasma atmosphere of these gases, Although a photosensitive layer can be formed on a desired support, hydrogen gas or a silicon compound containing hydrogen atoms may be added to these gases in order to more easily control the ratio of hydrogen atoms introduced. A desired amount of gas may also be mixed to form a layer. Moreover, each gas may be used not only as a single species but also as a mixture of multiple species at a predetermined mixing ratio. In order to introduce halogen atoms into the layer formed by either the sputtering method or the ion plating method, a gas of the above-mentioned halogen compound or a silicon compound containing the above-mentioned halogen atoms is introduced into the deposition chamber. It is sufficient to form a plasma atmosphere of the gas. In addition, when introducing hydrogen atoms, a raw material gas for introducing hydrogen atoms, such as H 2 or the above-mentioned silane gases, is introduced into the deposition chamber for sputtering, and a plasma atmosphere of the gas is created. All you have to do is form it. In the present invention, the above-mentioned halogen compounds or halogen-containing silicon compounds are effectively used as raw material gases for introducing halogen atoms, but in addition, HF, HCl,
Hydrogen halides such as HBr, HI, SiH 2 F 2 ,
SiH 2 I 2 , SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 , SiH 2 Br 2 , SiHBr 2 ,
Gaseous or gasifiable substances such as halogen-substituted silicon hydrides such as SiHBr 3 can also be cited as effective starting materials for forming the photosensitive layer. Among these substances, halogen compounds containing hydrogen atoms introduce hydrogen atoms, which are extremely effective in controlling electrical or photoelectric properties, at the same time as halogen atoms are introduced into the layer during the formation of the photosensitive layer. In the present invention, it is used as a suitable raw material for introducing halogen. In order to structurally introduce a substance (C) that controls conduction properties, such as a group group atom or a group atom, into the charge injection prevention layer or photosensitive layer constituting the photoreceptive layer, it is necessary to The starting material for introducing the group atom or the starting material for introducing the group atom may be introduced in a gaseous state into the deposition chamber together with other starting materials for forming the photoreceptive layer. Possible starting materials for introducing such group atoms are:
It is desirable to use a material that is gaseous at room temperature and pressure, or that can be easily gasified at least under layer-forming conditions. Specifically, starting materials for introducing such group group atoms include B 2 H 6 , B 2 H 6 ,
B 4 H 10 , B 5 H 9 , B 5 H 11 , B 6 H 10 , B 6 H 12 , B 6 H 14
and boron halides such as BF 3 , BCl 3 , BBr 3 and the like. In addition, AlCl 3 ,
GaCl 3 , Ga(CH 3 ) 3 , InCl 3 , TlCl 3 and the like may also be mentioned. In the present invention, effective starting materials for introducing group atoms include hydrogenated phosphorus such as PH 3 , S 2 H 4 , PH 4 I, PF 3 ,
Examples include phosphorus halides such as PF5 , PCl3 , PCl5 , PBr3 , PBr5 , PI3 . In addition, AsH 3 , AsF 3 ,
AsCCl 3 , AsBr 3 , AsF 5 , SbH 3 , SbF 3 , SbF 5 ,
SbCl 3 , SbCl 5 , BiH 3 , BiCl 3 , BiBr 3 and the like can also be mentioned as effective starting materials for introducing group atoms. In the present invention, in order to provide a layer region (OCN) containing atoms (OCN) in the photoreceptive layer, a starting material for introducing atoms (OCN) is added to the above-mentioned photoreceptor when forming the photoreceptor layer. It may be used together with a starting material for layer formation, and contained in the formed layer while controlling its amount. When a glow discharge method is used to form the layer region (OCN), a starting material for introducing atoms (OCN) is added to a material selected as desired from among the starting materials for forming the photoreceptive layer described above. is added. As a starting material for introducing such atoms (OCN),
Most gaseous substances whose constituent atoms are at least atoms (OCN) or gasified substances that can be gasified are used. Specifically, for example, oxygen (O 2 ), ozone (O 3 ),
Nitric oxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), nitrogen monooxide (N 2 O), nitrogen sesquioxide (N 2 O 3 ), nitrogen tetraoxide (N 2 O 4 ), nitrogen pentoxide (N 2 O 5 ), nitrogen tritetroxide (NO 3 ), whose constituent atoms are silicon atoms (Si), oxygen atoms (O), and hydrogen atoms (H), for example,
Lower siloxanes such as disiloxane (H 3 SiOSiH 3 ) and trisiloxane (H 3 SiOSiH 2 OSiH 3 ), methane (CH 4 ), ethane (C 2 H 6 ), propane (C 3 H 8 ),
Saturated hydrocarbons having 1 to 5 carbon atoms such as n-butane (n-C 4 H 10 ), pentane (C 5 H 12 ), ethylene (C 2 H 4 ), propylene (C 3 H 6 ), butene-1
(C 4 H 8 ), butene-2 (C 4 H 8 ), isobutylene (C 4 H 8 ), bentene (C 5 H 10 ), etc. with 2 to 5 carbon atoms
Ethylene hydrocarbons, acetylene hydrocarbons with 2 to 4 carbon atoms such as acetylene (C 2 H 2 ), methylacetylene (C 3 H 4 ), butyne (C 4 H 6 ), nitrogen (N 2 ), ammonia (NH 3 ), hydrazine (H 2 NNH 2 ), hydrogen azide (HN 3 N 3 ), ammonium azide (HH 4 N 3 ), nitrogen trifluoride (F 3 N), nitrogen tetrafluoride (F 4 N) and so on. In the case of sputtering method, atomic (OCN)
As starting materials for introduction, in addition to the above-mentioned gasifiable starting materials listed for the glow discharge method, examples of solidified starting materials include SiO 2 , Si 3 N 4 , carbon black, etc. . These are used as targets for sputtering together with targets such as Si. In the present invention, when a layer region (OCN) containing atoms (OCN) is provided when forming a photoreceptive layer, the distribution concentration C of atoms (OCN) contained in the layer region (OCN) is In order to form a layer region (OCN) having a desired distribution state (depth profile) in the layer thickness direction by changing the distribution concentration C in the layer thickness direction, in the case of a glow discharge, the distribution concentration C of atoms (OCN ) is accomplished by introducing a starting material gas into the deposition chamber while appropriately varying the gas flow rate according to the desired rate of change curve. For example, the opening of a predetermined needle valve provided in the middle of the gas flow system may be temporarily changed by any commonly used method such as manually or by using an externally driven motor. At this time, the rate of change in the flow rate does not need to be linear; for example, a microcomputer or the like may be used to control the flow rate according to a rate of change curve designed in advance to obtain a desired content rate curve. When forming a layer region (OCN) by a sputtering method, the distribution concentration C of atoms (OCN) in the layer thickness direction is changed in the layer thickness direction.
Desired distribution state in the layer thickness direction (depth profile)
As in the case of the glow discharge method, firstly, the starting material for introducing atoms is used in a gaseous state, and the gas flow rate when introducing the gas into the deposited material is adjusted as desired. This is achieved by changing the parameters as appropriate. Second, if a target for sputtering is used, for example a mixed target of Si and SiO 2 , the mixing ratio of Si and SiO 2 should be varied in advance in the direction of the layer thickness of the target. This is accomplished by placing Examples of the present invention will be described below. Example 1 In this example, a semiconductor laser (wavelength: 780 nm) with a spot diameter of 80 μm was used. Therefore A-
Cylindrical Al support (length (L)) on which Si:H is deposited
357 mm, diameter (r) 800 mm), a groove was made using a lathe. The shape of the groove at this time is shown in FIG. 11B. A charge injection prevention layer and a photosensitive layer were deposited on this Al support using the apparatus shown in FIG. 12 in the following manner. First, the configuration of the device will be explained. 1201 is a high frequency power supply, 1202 is a matching box, 1203
120 is a diffusion pump and a mechanical booster pump, 1204 is a motor for rotating the Al support, 120
5 is an Al support, 1206 is a heater for heating the Al support, 1207 is a gas introduction tube, 1208 is a cathode electrode for high frequency introduction, 1209 is a shield plate, 12
10 is a power supply for the heater, 1221 to 1226, 12
41 to 246 are valves, 1231 to 1236 are mass flow controllers, 1251 to 1256 are regulators, 1261 is a hydrogen (H 2 ) cylinder,
1262 is a silane (SiH 4 ) cylinder, 1263 is a diborane (B 2 H 6 ) cylinder, 1264 is a nitrogen oxide (NO) cylinder, 1265 is a methane (CH 4 ) cylinder, and 1266 is an ammonia (NH 3 ) cylinder. Next, the manufacturing procedure will be explained. Cylinder 1261-1
After closing all the main valves 266, open all mass flow controllers 1231 to 1236 and valves 1221 to 1226, 1241 to 1246, and use the diffusion pump 1203 to pump the inside of the deposition apparatus.
The pressure was reduced to 10 -7 Torr. At the same time, heater 1
206, the Al support 1205 was heated to 250°C and kept constant at 250°C. After the temperature of the Al support 1205 becomes constant at 250°C, the valve 1221
~1226,1241~1246,1251~1
Close each of cylinders 1261 to 1266.
The main valve was opened and the diffusion pump 1203 was replaced with a mechanical booster pump. The secondary pressure of valves 1251 to 1256 with regulators is 1.5Kg/cm 2
It was set to mass flow controller 1231
Set to 300SCCM, valve 1241 and valve 1
221 was opened in sequence and H 2 gas was introduced into the deposition apparatus. Next, the SiH 4 gas in the cylinder 1261 is set to 150 SCCM on the mass flow controller 1232, and the SiH 4 gas is introduced into the deposition apparatus in the same manner as the introduction of H 2 gas, and the B 2 H 6 gas in the cylinder 1263 is introduced. The mass flow controller 1233 was set so that the flow rate was 1600 Vol ppm relative to the SiH 4 gas flow rate, and B 2 H 6 gas was introduced into the deposition apparatus in the same manner as the introduction of H 2 gas. Next, the mass flow controller 1234 is set so that the initial value of the NO gas flow rate of the cylinder 1264 is 3.4 Vol% with respect to the SiH 4 gas flow rate, and the H 2
NO gas was introduced into the deposition apparatus in the same manner as the gas introduction. When the internal pressure inside the deposition apparatus stabilizes at 0.2 Torr, turn on the high frequency power supply 1201, adjust the matching box 1202, and align the Al support 1.
A glow discharge is generated between the cathode electrode 1205 and the cathode electrode 1208, the high frequency power is 160W, and the A-
Si:H:B:O layer (P-type A-Si containing B and O:
(to become the H layer) was deposited (charge injection prevention layer). At this time, the NO gas flow rate was changed with respect to the SiH 4 gas flow rate as shown in Figure 22, and when the layer formation was completed,
The NO gas flow rate was adjusted to the atmosphere. After depositing a 5 μm thick A-Si:H:B:O (P type) layer in this manner, the valves 1223 and 1224 were closed without turning off the discharge to stop the inflow of B 2 H 6 and NO. And 20μm thick A-Si:H with high frequency power of 160W.
A layer (non-doped) was deposited (photosensitive layer). Thereafter, the high frequency power supply and gas valves were all closed, the deposition apparatus was evacuated, the temperature of the Al support was lowered to room temperature, and the support on which the photoreceptive layer was formed was taken out. In this case, the surface of the photosensitive layer and the surface of the support were non-parallel as shown in FIGS. 11B and 11C. in this case
The difference in average layer thickness between the center and both ends of the Al support was 2 μm. The light-receiving member in this case was subjected to image exposure using a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm with a spot diameter of 80 μm using the apparatus shown in FIG. 14, and was developed and transferred to obtain an image. In this case, no interference fringe pattern was observed, and a product showing electrophotographic characteristics sufficient for practical use was obtained. Example 2 An electrophotographic light-receiving member was formed on a cylindrical Al support having the surface properties shown in FIGS. 13 and 14 under the conditions shown in Table 1. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and were developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. This image forming process was repeated 100,000 times. In this case, no interference fringes were observed in any of the images obtained, and the characteristics were sufficient for practical use. or,
There was no difference between the initial image and the 100,000th image, and the images were of high quality. Example 3 An electrophotographic light-receiving member was formed on a cylindrical Al support having the surface properties shown in FIGS. 13 and 14 under the conditions shown in Table 2. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and were developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. No interference fringes were observed in the image obtained in this case, and the characteristics were sufficient for practical use. Example 4 An electrophotographic light-receiving member was formed on a cylindrical Al support having the surface properties shown in FIGS. 13 and 14 under the conditions shown in Table 3. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and then developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. Example 5 An electrophotographic light-receiving member was formed on a cylindrical Al support having the surface properties shown in FIGS. 13 and 14 under the conditions shown in Table 4. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and were developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. Example 6 On the cylindrical Al support with the surface properties shown in Figs. 13 and 14, the conditions shown in Table 5 and the rate of change curve of the gas flow rate ratio of NO and SiH 4 shown in Fig. 25 were applied. A light-receiving member for electrophotography was thus formed. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and then developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. Example 7 On the surface cylindrical Al support shown in FIGS. 13 and 14, according to the conditions shown in Table 6 and the change curve of the gas flow rate of NO and SiH 4 gas shown in FIG. 26, A light-receiving member for electrophotography was formed. Otherwise, the same procedure as in Example 1 was followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and then developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. Example 8 On the cylindrical Al support with the surface properties shown in Figs. 13 and 14, the conditions shown in Table 7 and the change curve of the gas flow rate ratio of NO and SiH 4 gas shown in Fig. 27 were applied. , a light-receiving member for electrophotography was formed. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and were developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. Example 9 Electrons were deposited on the cylindrical Al support with the surface properties shown in Figs. 13 and 14 according to the conditions shown in Table 8 and the change curve of the flow rate ratio of NO and SiH 4 gas shown in Fig. 28. A photographic light-receiving member was formed. Others are
Similar conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and were developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. Example 10 On the cylindrical Al support with the surface properties shown in FIGS. 13 and 14, the conditions shown in Table 9 and the change curve of the gas flow rate ratio of NO and SiH 4 gas shown in FIG. 28 were applied. A light-receiving member for electrophotography was formed. Otherwise, the same conditions and procedures as in Example 1 were followed. These electrophotographic light-receiving members were subjected to image exposure using the same image exposure apparatus as in Example 1, and were developed, transferred, and fixed to obtain a visible image on plain paper. In this case, no interference fringes were observed in the obtained image, which had sufficient characteristics for practical use. [Effects of the Invention] As described above in detail, according to the present invention,
It is suitable for image formation using coherent monochromatic light, easy to manufacture, and can simultaneously and completely eliminate the interference fringe pattern that appears during image formation and the appearance of spots during reversal development. has high photosensitivity, high signal-to-noise ratio characteristics, and good electrical contact with the support, and can provide a light-receiving member suitable for digital image recording.

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】 【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、干渉縞の一般的な説明図である。第
2図は、多層構成の光受容部材の場合の干渉縞の
発現を説明する為の説明図である。第3図は散乱
光による干渉縞発現を説明する為の説明図であ
る。第4図は、多層構成の光受容部材の場合の散
乱光による干渉縞発現を説明する為の説明図であ
る。第5図は、光受容部材の各層の界面が平行な
場合の干渉縞発現を説明する為の説明図である。
第6図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合
に干渉縞が現われないことの原理を説明する為の
設明図である。第7図は、光受容部材の各層の界
面が平行である場合と非平行である場合の反射光
強度の比較を示す為の説明図である。第8図は、
各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現われ
ないことを2層の場合まで展開して説明する為の
説明図である。第9図A,Bはそれぞれ代表的な
支持体の表面状態の説明図である。第10図は、
光受容部材の説明図である。第11図は、実施例
1で用いたAl支持体の表面状態の説明図である。
第12図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置
の説明図である。第13図、第14図は夫々、実
施例で作製した光受容部材用の支持体の表面状態
を示す模式的説明図である。第15図は、実施例
で使用した画像露光装置を説明する為の模式的説
明図である。第16図乃至第24図は夫々層領域
(OCN)中の原子(OCN)の分布状態を説明す
る為の説明図、第25図乃至第28図は夫々本発
明の実施例に於けるガス流量比の変化率曲線を示
す説明図である。第29図は、支持体の加工を説
明するための説明図である。 1000……光受容層、1001,1301,
1401……Al支持体、1002,1302,
1402……電荷注入防止層、1003,130
3,1403……感光層、1005……光受容部
材、1501……電子写真用光受容部材、150
2……半導体レーザー、1503……fθレンズ、
1504……ポリゴンミラー、1505……露光
装置の平面図、1506……露光装置の側面図。
FIG. 1 is a general explanatory diagram of interference fringes. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the appearance of interference fringes in the case of a light-receiving member having a multilayer structure. FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the appearance of interference fringes due to scattered light. FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the appearance of interference fringes due to scattered light in the case of a multilayered light-receiving member. FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the appearance of interference fringes when the interfaces of each layer of the light-receiving member are parallel.
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the principle that interference fringes do not appear when the interfaces of each layer of the light receiving member are non-parallel. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a comparison of reflected light intensity when the interfaces of each layer of the light-receiving member are parallel and non-parallel. Figure 8 shows
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining the fact that interference fringes do not appear when the interfaces of each layer are non-parallel, extending to the case of two layers. FIGS. 9A and 9B are explanatory diagrams of the surface conditions of typical supports, respectively. Figure 10 shows
It is an explanatory view of a light receiving member. FIG. 11 is an explanatory diagram of the surface state of the Al support used in Example 1.
FIG. 12 is an explanatory diagram of a photoreceptive layer deposition apparatus used in Examples. FIG. 13 and FIG. 14 are schematic explanatory diagrams showing the surface state of the support for a light-receiving member produced in Examples, respectively. FIG. 15 is a schematic explanatory diagram for explaining the image exposure apparatus used in the example. FIGS. 16 to 24 are explanatory diagrams for explaining the distribution state of atoms (OCN) in the layer region (OCN), respectively, and FIGS. 25 to 28 are respectively gas flow rates in the embodiment of the present invention. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a ratio change rate curve. FIG. 29 is an explanatory diagram for explaining the processing of the support. 1000...photoreceptive layer, 1001, 1301,
1401...Al support, 1002, 1302,
1402...Charge injection prevention layer, 1003, 130
3,1403... Photosensitive layer, 1005... Light receiving member, 1501... Light receiving member for electrophotography, 150
2... Semiconductor laser, 1503... fθ lens,
1504... Polygon mirror, 1505... Plan view of exposure device, 1506... Side view of exposure device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 所定の切断位置での断面形状が0.3μm〜500μ
mピツチで、0.1μm〜5μmの最大深さの主ピーク
に副ピークが重畳された凸状形状である凸部が多
数表面に形成されている支持体と、 シリコン原子と水素原子及び/又はハロゲン原
子を含有する非晶質材料で構成された単一層構成
の自由表面を有する光受容層とからなり、 前記光受容層は、酸素原子、炭素原子、及び窒
素原子の中から選択される少なくとも一種を層厚
方向に不均一に含有し、かつ、 該光受容層はシヨートレンジ内に少なくとも1
対以上の非平行な界面を有することを特徴とする
電子写真用光受容部材。 2 前記凸部が規則的に配列されている特許請求
の範囲第1項に記載の電子写真用光受容部材。 3 前記凸部が周期的に配列されている特許請求
の範囲第1項に記載の電子写真用光受容部材。 4 前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を
有する特許請求の範囲第1項に記載の電子写真用
光受容部材。 5 前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求
の範囲第1項に記載の電子写真用光受容部材。 6 前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして対称形状である特許請求の範囲第1項に記
載の電子写真用光受容部材。 7 前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心
にして非対称形状である特許請求の範囲第1項に
記載の電子写真用光受容部材。 8 前記凸部は、機械的加工によつて形成された
特許請求の範囲第1項に記載の電子写真用光受容
部材。
[Claims] 1. The cross-sectional shape at a predetermined cutting position is 0.3 μm to 500 μm.
m pitch, a support having a large number of convex portions formed on its surface, each having a convex shape in which sub peaks are superimposed on a main peak at a maximum depth of 0.1 μm to 5 μm, and silicon atoms, hydrogen atoms, and/or halogen atoms. a photoreceptive layer having a free surface of a single layer structure made of an amorphous material containing atoms, the photoreceptive layer having at least one type selected from oxygen atoms, carbon atoms, and nitrogen atoms. non-uniformly in the layer thickness direction, and the photoreceptive layer contains at least one layer within the short range.
A light-receiving member for electrophotography, characterized by having at least a pair of non-parallel interfaces. 2. The light-receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein the convex portions are regularly arranged. 3. The light-receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein the convex portions are arranged periodically. 4. The light-receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein each of the convex portions has the same shape in a linear approximation. 5. The light-receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein the convex portion has a plurality of sub-peaks. 6. The electrophotographic light-receiving member according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the convex portion is symmetrical about the main peak. 7. The electrophotographic light-receiving member according to claim 1, wherein the cross-sectional shape of the convex portion is asymmetrical with respect to the main peak. 8. The electrophotographic light-receiving member according to claim 1, wherein the convex portion is formed by mechanical processing.
JP59084703A 1984-04-24 1984-04-26 Light receiving member Granted JPS60227263A (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59084703A JPS60227263A (en) 1984-04-26 1984-04-26 Light receiving member
AU41465/85A AU585855C (en) 1984-04-24 1985-04-22 Substrate for light-receiving member and light-receiving member having the same.
US06/725,751 US4705733A (en) 1984-04-24 1985-04-22 Member having light receiving layer and substrate with overlapping subprojections
CA000479951A CA1254435A (en) 1984-04-24 1985-04-24 Substrate for light-receiving member and light- receiving member having the same
DE8585302872T DE3581112D1 (en) 1984-04-24 1985-04-24 SUBSTRATE FOR A PHOTO RECEPTOR ELEMENT AND THIS PHOTO RECEPTOR ELEMENT.
EP85302872A EP0163415B1 (en) 1984-04-24 1985-04-24 Substrate for light-receiving member and light-receiving member having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59084703A JPS60227263A (en) 1984-04-26 1984-04-26 Light receiving member

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60227263A JPS60227263A (en) 1985-11-12
JPH0234022B2 true JPH0234022B2 (en) 1990-08-01

Family

ID=13838020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59084703A Granted JPS60227263A (en) 1984-04-24 1984-04-26 Light receiving member

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60227263A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60227263A (en) 1985-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0155758B1 (en) Light receiving member
US4705731A (en) Member having substrate with protruding surface light receiving layer of amorphous silicon and surface reflective layer
US4701392A (en) Member having light receiving layer with nonparallel interfaces and antireflection layer
JPS60185956A (en) Photoreceptor member
JPH0234022B2 (en)
JPH0234021B2 (en)
JPH0234025B2 (en)
JP2564114B2 (en) Light receiving member
JPH0234030B2 (en)
JPH0234029B2 (en)
JPH0235300B2 (en)
JPH0234028B2 (en)
JPS60260057A (en) Photoreceiving member
JPH0234385B2 (en)
JPH0235302B2 (en)
JPS61113066A (en) Photoreceptive member
JPH0234383B2 (en)
JPS6120957A (en) Photoreceptive member
JPS61110151A (en) Light receiving member for electrophotography
JPH0234024B2 (en)
JPH0235299B2 (en)
JPH0234026B2 (en)
JPS6127557A (en) Photoreceptive member
JPS6120956A (en) Photoreceptive member
JPH0235298B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term