JPH02301135A - ウェハ面取り部の研磨方法 - Google Patents
ウェハ面取り部の研磨方法Info
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- JPH02301135A JPH02301135A JP12026689A JP12026689A JPH02301135A JP H02301135 A JPH02301135 A JP H02301135A JP 12026689 A JP12026689 A JP 12026689A JP 12026689 A JP12026689 A JP 12026689A JP H02301135 A JPH02301135 A JP H02301135A
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- Japan
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- wafer
- rotating body
- polishing
- chamfer
- chamfered portion
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- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 55
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ウェハ面取り部の研磨方法の改良に関する。
［従来の技術と課題］
周知の如く、半導体装置の基材となるチップを作るため
のウェハとして、直径の大きなものが用いられているが
、かかるウェハを輸送する際その面取り部（周縁部）で
チップや割れの発生の原因となる。このため、ウェハの
周縁部には、ベベリング（面取り）を施し、更に所望に
より鏡面研磨加工することが行われている。
のウェハとして、直径の大きなものが用いられているが
、かかるウェハを輸送する際その面取り部（周縁部）で
チップや割れの発生の原因となる。このため、ウェハの
周縁部には、ベベリング（面取り）を施し、更に所望に
より鏡面研磨加工することが行われている。
このウェハの面取り部の鏡面研磨方法としては、円筒状
にした研磨布に面取りの角度でウェハを押し当てる方法
、あるいはウェハの全面に回転するブラシを押し当て、
このときの面取り部での接触摩擦抵抗がウェハ主面より
大きくなることを利用した方法などがある。
にした研磨布に面取りの角度でウェハを押し当てる方法
、あるいはウェハの全面に回転するブラシを押し当て、
このときの面取り部での接触摩擦抵抗がウェハ主面より
大きくなることを利用した方法などがある。
しかしながら、これらの技術によれば、■加工時間が長
い、■研磨布の耐久性が悪い、■素子を形成すべきウェ
ハ主面を傷付ける恐れがある等の様々な問題点があった
。
い、■研磨布の耐久性が悪い、■素子を形成すべきウェ
ハ主面を傷付ける恐れがある等の様々な問題点があった
。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、研磨材をウ
ェハの面取り部の面取り面に対して平行に当接させて研
磨することにより、ウェハ主面を損傷させることがない
とともに、研磨材の寿命を長くしかつ加工時間を短縮可
能なウェハ周縁部の研磨方法を提供することを目的とす
る。
ェハの面取り部の面取り面に対して平行に当接させて研
磨することにより、ウェハ主面を損傷させることがない
とともに、研磨材の寿命を長くしかつ加工時間を短縮可
能なウェハ周縁部の研磨方法を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段Ｊ
本発明は、主面に研磨材を取付けた平面状回転体を用い
てウェハの面取り部を研磨する方法において、前記回転
体の研磨材を前記ウェハの面取り部に波面取り部の傾斜
面の傾斜角度あるいはそれに近似した角度で接触させな
がら、前記ウェハを回転するかあるいは前記回転体をウ
ェハに対して公転させるかの少なくともいずれか一方を
行なってウェハの面取り部を研磨することを要旨とする
。
てウェハの面取り部を研磨する方法において、前記回転
体の研磨材を前記ウェハの面取り部に波面取り部の傾斜
面の傾斜角度あるいはそれに近似した角度で接触させな
がら、前記ウェハを回転するかあるいは前記回転体をウ
ェハに対して公転させるかの少なくともいずれか一方を
行なってウェハの面取り部を研磨することを要旨とする
。
本発明において、平面状回転体に取付ける研石材の材料
としては、ウェハのポリシングに使用される研磨布を使
用することができる。
としては、ウェハのポリシングに使用される研磨布を使
用することができる。
また、本発明において、ウェハの面取り部の研磨を行う
際は、平面状回転体をウェハの面取り部に当接させなか
ら■ウェハのみを回転する、あるいは■平面状回転体を
ウェハに対して公転させる、あるいは■ウェハを回転さ
せながら平面状回転体もウェハに対して公転させながら
研磨を行う。なお、研磨の際、前記回転体を公転させる
とともに自転させると、研磨布全体が研磨に寄与される
ことになり好ましい。
際は、平面状回転体をウェハの面取り部に当接させなか
ら■ウェハのみを回転する、あるいは■平面状回転体を
ウェハに対して公転させる、あるいは■ウェハを回転さ
せながら平面状回転体もウェハに対して公転させながら
研磨を行う。なお、研磨の際、前記回転体を公転させる
とともに自転させると、研磨布全体が研磨に寄与される
ことになり好ましい。
［作用］
本発明によれば、研磨材をウェハの面取り部の面取り皿
に対して平行に当接させて研磨することにより、ウェハ
主面を損傷させることないとともに、研磨材の寿命を長
くし、かつウェハを高速度で回転できるため加工時間を
従来よりも短縮できる。
に対して平行に当接させて研磨することにより、ウェハ
主面を損傷させることないとともに、研磨材の寿命を長
くし、かつウェハを高速度で回転できるため加工時間を
従来よりも短縮できる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について第１図及び第２図を参
照して説明する。ここで、第１図は本発明に係るウェハ
面取り部の（１磨方法の説明図、第２図は第１図の要部
を部分的に拡大して示す説明図である。
照して説明する。ここで、第１図は本発明に係るウェハ
面取り部の（１磨方法の説明図、第２図は第１図の要部
を部分的に拡大して示す説明図である。
図中の１は、ウェハチャック２に支持されたウェハであ
る。このウェハ１の面取り部１ａの研磨に際しては、図
示しない駆動源に連結された回転軸３と、この回転軸３
の先端部に固定された平面状回転体４と、この回転体４
の主面に接着剤等により取付けられた研磨布５からなる
研石機６を用いる。
る。このウェハ１の面取り部１ａの研磨に際しては、図
示しない駆動源に連結された回転軸３と、この回転軸３
の先端部に固定された平面状回転体４と、この回転体４
の主面に接着剤等により取付けられた研磨布５からなる
研石機６を用いる。
即ち、本実施例では、まず、前記ウニノー１の面取り部
１ａに対して研磨機６の研磨布５を前記面取り部１ａの
面取り面の傾斜角度（θ）と同じ角度で当接させた状態
で、ウニノ１１を矢印Ａ方向（反対時計回り）に回転す
るとともに、回転体４を矢印Ｂ方向（時計回り）に回転
し、かつ前記回転体５をウエバ１に対して矢印Ｃ方向（
反時計回り）に公転させることにより、ウェハ１の面取
り部１ａの研磨を行う。次に、ウニ／＼を裏返しにして
ウェハチャック２に固定し、一方の面取り部１ａの場合
と同様にしてウニノ１１の別な面取り部１ｂの研石を行
う。
１ａに対して研磨機６の研磨布５を前記面取り部１ａの
面取り面の傾斜角度（θ）と同じ角度で当接させた状態
で、ウニノ１１を矢印Ａ方向（反対時計回り）に回転す
るとともに、回転体４を矢印Ｂ方向（時計回り）に回転
し、かつ前記回転体５をウエバ１に対して矢印Ｃ方向（
反時計回り）に公転させることにより、ウェハ１の面取
り部１ａの研磨を行う。次に、ウニ／＼を裏返しにして
ウェハチャック２に固定し、一方の面取り部１ａの場合
と同様にしてウニノ１１の別な面取り部１ｂの研石を行
う。
このように、本発明によれば、前記ウニ／Ｘ１の面取り
部１ａ（又はｌｂ）に対して研磨機６の研磨布５を前記
面取り部１ａ（又はｌｂ）の面取り面の傾斜角度（θ）
と同じ角度で当接させた状態で研磨加工を行うため、ウ
ェハ主面を損傷させることなくウェハ１の面取り部１ａ
、ｌｂの研磨を行なえるとともに、研磨布５の寿命を長
くできる。
部１ａ（又はｌｂ）に対して研磨機６の研磨布５を前記
面取り部１ａ（又はｌｂ）の面取り面の傾斜角度（θ）
と同じ角度で当接させた状態で研磨加工を行うため、ウ
ェハ主面を損傷させることなくウェハ１の面取り部１ａ
、ｌｂの研磨を行なえるとともに、研磨布５の寿命を長
くできる。
また、ウェハ主面を１ｍ （Ｍする恐れがないため、ウ
ェハ１を高速度で回転でき、もって加工時間を従来より
も短縮できる。
ェハ１を高速度で回転でき、もって加工時間を従来より
も短縮できる。
事実、本発明方法による場合（前者）と固定砥粒ホイー
ルを用いた場合（後者）を比較したところ、後者の場合
＃ ８００ 、 ＃ ２０００の砥粒からなる固定砥
粒ホイールを用いたときは夫々最大面粗さ約２μｍ （
平均面↑■さ約１．４ μｍ） 、 ０．７ μｍ （
平均面粗さは約０．２μｍ）であるのに対し、後者の場
合平均面粗さは０，０１μｍであることが確認できた。
ルを用いた場合（後者）を比較したところ、後者の場合
＃ ８００ 、 ＃ ２０００の砥粒からなる固定砥
粒ホイールを用いたときは夫々最大面粗さ約２μｍ （
平均面↑■さ約１．４ μｍ） 、 ０．７ μｍ （
平均面粗さは約０．２μｍ）であるのに対し、後者の場
合平均面粗さは０，０１μｍであることが確認できた。
これより、本発明は従来と比べて研磨加工精度の点で優
れていることが明らかである。
れていることが明らかである。
なお、上記実施例では、ウェハ及び回転体の回転ならび
に回転体のウェハに対する公転を行ないながらウェハの
面取り部の研磨加工を行う場合について述べたが、これ
に限らない。例えば、ウェハ又は回転体のいずれか一方
のみを回転する場合、回転体とウェハの両方を回転させ
る場合専任々の手段か考えられる。
に回転体のウェハに対する公転を行ないながらウェハの
面取り部の研磨加工を行う場合について述べたが、これ
に限らない。例えば、ウェハ又は回転体のいずれか一方
のみを回転する場合、回転体とウェハの両方を回転させ
る場合専任々の手段か考えられる。
また、上記実施例では、研磨布をウェハの面取り部の面
取り面の傾斜角度（θ）と同じにした場合について述べ
たが、これに限らず、研磨布を前記傾斜角度と略同じ程
度に傾斜させた場合でも上記実施例と同様な効果を期待
できる。
取り面の傾斜角度（θ）と同じにした場合について述べ
たが、これに限らず、研磨布を前記傾斜角度と略同じ程
度に傾斜させた場合でも上記実施例と同様な効果を期待
できる。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、研磨材をウェハの面
取り部の面取り面に対して平行に当接させて研磨するこ
とにより、ウェハ主面を損傷させることないとともに、
研磨材の寿命を長くし、かつウェハを高速度で回転でき
るため加工時間を従来よりも短縮し得るウェハ面取り部
の研磨方法を提供できる。
取り部の面取り面に対して平行に当接させて研磨するこ
とにより、ウェハ主面を損傷させることないとともに、
研磨材の寿命を長くし、かつウェハを高速度で回転でき
るため加工時間を従来よりも短縮し得るウェハ面取り部
の研磨方法を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るウェハ面取り部の研磨
方法の説明図、第２図は第１図の要部を部分的に拡大し
て示す説明図である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハチャック、４・・・平
板状回転体、５・・・研磨布（研磨材）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図
方法の説明図、第２図は第１図の要部を部分的に拡大し
て示す説明図である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハチャック、４・・・平
板状回転体、５・・・研磨布（研磨材）。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図
Claims (1)
- 主面に研磨材を取付けた平面状回転体を用いてウェハの
面取り部を研磨する方法において、前記回転体の研磨材
を前記ウェハの面取り部に該面取り部の傾斜面の傾斜角
度あるいはそれに近似した角度で接触させながら、前記
ウェハを回転するかあるいは前記回転体をウェハに対し
て公転させるかの少なくともいずれか一方を行なってウ
ェハの面取り部を研磨することを特徴とするウェハ面取
り部の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12026689A JPH02301135A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ウェハ面取り部の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12026689A JPH02301135A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ウェハ面取り部の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301135A true JPH02301135A (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14781963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12026689A Pending JPH02301135A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | ウェハ面取り部の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02301135A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6478660B2 (en) | 2000-11-07 | 2002-11-12 | Speedfam Co., Ltd. | Apparatus of and method for polishing the outer circumferential portions of a circular plate-shaped work |
| US6638147B2 (en) | 2001-06-05 | 2003-10-28 | Speedfam Co., Ltd. | Polishing method for removing corner material from a semi-conductor wafer |
| JP2006156560A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウェーハ |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| WO2020054811A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP12026689A patent/JPH02301135A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6478660B2 (en) | 2000-11-07 | 2002-11-12 | Speedfam Co., Ltd. | Apparatus of and method for polishing the outer circumferential portions of a circular plate-shaped work |
| DE10153813B4 (de) * | 2000-11-07 | 2005-08-04 | Speedfam Co., Ltd., Ayase | Poliervorrichtung zum Polieren von äußeren Umfangsabschnitten eines plattenförmigen Werkstücks |
| US6638147B2 (en) | 2001-06-05 | 2003-10-28 | Speedfam Co., Ltd. | Polishing method for removing corner material from a semi-conductor wafer |
| JP2006156560A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウェーハ |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| WO2020054811A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
| JPWO2020054811A1 (ja) * | 2018-09-14 | 2021-02-18 | 株式会社Sumco | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ |
| US10971351B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-04-06 | Sumco Corporation | Wafer surface beveling method, method of manufacturing wafer, and wafer |
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