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JPH0229811A - Voltage source circuit - Google Patents

Voltage source circuit

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Publication number
JPH0229811A
JPH0229811A JP18222988A JP18222988A JPH0229811A JP H0229811 A JPH0229811 A JP H0229811A JP 18222988 A JP18222988 A JP 18222988A JP 18222988 A JP18222988 A JP 18222988A JP H0229811 A JPH0229811 A JP H0229811A
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JP
Japan
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current
transistor
resistor
temperature
output
Prior art date
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Application number
JP18222988A
Other languages
Japanese (ja)
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JP2748414B2 (en
Inventor
Masahiro Hirasawa
平澤 正啓
Ryoichi Yokoyama
良一 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To optionally set up the temperature characteristics of a 2nd output voltage by impressing a difference current between the output current of a band gap regulator setting up the temperature characteristic of its output voltage to zero and a DC constant current to a resistor and setting up its voltage drop as the 2nd output voltage. CONSTITUTION:A DC constant current source I02 is connected to the collector of a transistor(TR) Q4 to allow current I2 to flow. A resistor R4 is connected to the collector of the TR Q4 and the other end of the resistor R4 of earthed. When the current I2 flowing from the current source I02 is set up to I2>I3, a difference current I4 between the I2 and the I3 (the output current of the band gap regulator) flows into the resistor R4 and the 2nd reference output voltage VREF2 appearing on an output terminal N2 goes VREF2=R4XI4= R4X(I2-I3). When the temperature characteristics of the I2 and the R4 are set up to zero, the temperature characteristics of the VREF2 can be set up by that of the I3.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧源回路に関し、特にバンドギャップレギュ
レータを備えた直流電圧源回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a voltage source circuit, and more particularly to a DC voltage source circuit equipped with a bandgap regulator.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、集積回路上で使用する基準電圧発生回路としては
温度変化があっても出力電圧を一定にすることができる
バンドギャップレギュレータが一般的に広く使用されて
いる。
BACKGROUND ART Conventionally, as a reference voltage generating circuit used on an integrated circuit, a bandgap regulator, which can maintain a constant output voltage even when there is a temperature change, has generally been widely used.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

、ところが集積回路においては、トランジスタのV□(
ベース・エミッタ間電圧)は約−2mV/℃の温度特性
を持ち、また差動増幅器においてはそのgm(相互コン
ダクタンス)は1/T (Tは絶対温度)の項を含むた
め温度が25℃から125℃に100℃上昇した場合、
gmの値は0.81倍に低下してしまうなど、温度変化
に対して補正しなければならない項目が多数ある。さら
に集積回路のスペック上温度変化に対して特性を変化さ
せる場合もある。このような場合、必要な温度特性に応
じて基準電圧発生回路を用意してやれば良いが、回路上
冗長になったり、コスト(主にペレ。
, However, in integrated circuits, the transistor's V□(
The base-emitter voltage (voltage between base and emitter) has a temperature characteristic of approximately -2 mV/°C, and in a differential amplifier, its gm (mutual conductance) includes the term 1/T (T is absolute temperature), so the temperature varies from 25°C to If the temperature rises by 100℃ to 125℃,
There are many items that must be corrected for temperature changes, such as the gm value decreasing by a factor of 0.81. Furthermore, due to the specifications of the integrated circuit, the characteristics may change in response to temperature changes. In such cases, it would be a good idea to prepare a reference voltage generation circuit according to the required temperature characteristics, but this would result in redundancy in the circuit and cost (mainly Pele).

トサイズ)とのかねあいで、特性的に妥協しているのが
現状である。
The current situation is that the characteristics are compromised due to the conflict with the size (size).

本発明の目的は、温度係数が実質零の電圧と共に所望の
温度係数を有する電圧を簡略化された構成で発生するこ
とができる電源庄原回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a power supply Shobara circuit that can generate a voltage with a substantially zero temperature coefficient and a voltage with a desired temperature coefficient with a simplified configuration.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明による電圧源回路は、コレクタ抵抗およびエミッ
タ抵抗を有し第1のエミッタ電流密度で動作する第1の
トランジスタと、コレクタ抵抗を有し第2のエミッタ電
流密度で動作する第2のトランジスタと、前記第1のト
ランジスタのコレクタにベースが接続された第3のトラ
ンジスタと、前記第1および第2のトランジスタに動作
電流を与える第4のトランジスタと、出力端子と、この
出力端子に接続された抵抗と、電流源と、この電流源の
電流と前記第4のトランジスタに流れる電流との差電流
を前記抵抗に供給する手段とを備えることを特徴とする
A voltage source circuit according to the present invention includes a first transistor having a collector resistance and an emitter resistance and operating at a first emitter current density, and a second transistor having a collector resistance and operating at a second emitter current density. , a third transistor whose base is connected to the collector of the first transistor, a fourth transistor that provides an operating current to the first and second transistors, an output terminal, and a fourth transistor connected to the output terminal. The fourth transistor is characterized by comprising a resistor, a current source, and means for supplying a difference current between the current of the current source and the current flowing through the fourth transistor to the resistor.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の回路図である。第1図にお
いて、第1の直流定電流源工。l、NPNトランジスタ
Q 1. Q 2 、Q s 、Q s及び抵抗RHe
 R! Jの出力は第1の端子N、から取り出される。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a first DC constant current source is shown. l, NPN transistor Q 1. Q 2 , Q s , Q s and resistance RHe
R! The output of J is taken from the first terminal N.

端子N1における第1の基準出力電圧v*xy+は、ト
ランジスタQ1のVBiとトランジスタQ、のV□の差
電圧、すなわち抵抗R+の電圧降下をΔ■□とし、トラ
ンジスタQ、のV□をΔV Bl (Q3)とし、トラ
ンジスタQ2のコレクタ電流を工。2.トランジスタQ
、のベース電流をl1ls、電子の電荷量なq、ポルツ
マン定数をに、絶対温度をTとすれば、以下のようにな
る。
The first reference output voltage v*xy+ at the terminal N1 is defined as the difference voltage between VBi of transistor Q1 and V□ of transistor Q, that is, the voltage drop across resistor R+, and V□ of transistor Q as ΔV Bl. (Q3) and calculate the collector current of transistor Q2. 2. transistor Q
, the base current is l1ls, the charge amount of the electron is q, the Portzmann constant is T, and the absolute temperature is as follows.

VRIFl=V!1m(Q3)+ (Icz+Igz)
  ・Rt=V111! <os)+   (ΔVn+
t) 十I ns ・R2工1は十分少さいものとすれ
ば となる。Vゆ、1の温度特性は となり、R2/ RlとR2/ Rsの値を適当に設定
することによって、出力端子N1に温度特性のない出力
電圧を得ることができる。トランジスタQ4のエミッタ
に流れる電流すなわちバンドギヤ、プレギュレータの出
力電流工、は、 となる。
VRIFl=V! 1m (Q3) + (Icz+Igz)
・Rt=V111! <os)+ (ΔVn+
t) 10I ns ・If R2 engineering 1 is sufficiently small, it will be. The temperature characteristic of VY,1 is as follows, and by appropriately setting the values of R2/Rl and R2/Rs, an output voltage without temperature characteristics can be obtained at the output terminal N1. The current flowing to the emitter of transistor Q4, ie, the output current of the band gear and preregulator, is as follows.

さて集積回路において使用する抵抗の温度特性はその集
積回路を構成するプロセスによって異なり、またその抵
抗形成方法によって異なる。例えばベース抵抗とグラフ
トベース抵抗とポリシリコン抵抗ではそれぞれ温度特性
が異なり、また拡散させる不純物の種類、濃度によって
も大きく異なる。上述のような温度特性を持つ抵抗を使
用することによってバンドギャップレギュレータの出力
電流I、の温度特性が異なることが知られている。
Now, the temperature characteristics of a resistor used in an integrated circuit vary depending on the process of configuring the integrated circuit, and also vary depending on the method of forming the resistor. For example, a base resistor, a graft base resistor, and a polysilicon resistor each have different temperature characteristics, and also vary greatly depending on the type and concentration of impurities to be diffused. It is known that the temperature characteristics of the output current I of a bandgap regulator vary by using a resistor having the temperature characteristics as described above.

第1図においてトランジスタQ4のコレクタには本発明
に従って直流定電流源工。2が接続されていてI2なる
電流を流している。さらにトランジスタQ4のコレクタ
には抵抗R4が接続されており、抵抗R4の他端は接地
されている。この第1図の回路上において直流定電流源
工。2の流す電流工2を 工2〉■。
In FIG. 1, the collector of transistor Q4 is equipped with a DC constant current source according to the present invention. 2 is connected and a current I2 is flowing. Further, a resistor R4 is connected to the collector of the transistor Q4, and the other end of the resistor R4 is grounded. Install a DC constant current source on the circuit shown in Figure 1. Electrical work 2 to flow 2〉■.

と設定することにより抵抗R4にはI2と工、の差電流
工、が流入し、出力端子N2にあられれる第2の基準出
力電圧VBiア2は VB11F!=R4XI4=R4X (I2  Iり 
 ・・・・・(5)なる値で得られる。(5)式におい
て工2の温度特性と′R4の温度特性を零に設定すれば
工、の温度特性によってVオア2の温度特性を設定する
ことができる。vex□の温度に対する変化幅を小さく
設定する場合は温度特性を持たない工2の値を工、に対
して十分大きくして、差電流工、を大きくして抵抗R4
の値を小さくしてやればよい。またVRKF2の温度に
対する変化幅を大きく設定する場合は工2の値を工、の
値に近く設定し、差電流工、を小さくして、かつ抵抗R
4の値を大きくしてやればよい。
By setting , the difference current between I2 and I flows into the resistor R4, and the second reference output voltage VBiA2 appearing at the output terminal N2 becomes VB11F! =R4XI4=R4X (I2 Iri
...(5) is obtained as the value. In equation (5), if the temperature characteristics of 2 and 'R4 are set to zero, the temperature characteristics of V OR 2 can be set according to the temperature characteristics of . When setting the range of change of vex□ with respect to temperature to be small, set the value of resistor R4, which does not have temperature characteristics, to a sufficiently large value with respect to
You can reduce the value of . Also, if you want to set a large variation width of VRKF2 with respect to temperature, set the value of 2 close to the value of 2, make the difference current 2 small, and set the resistance R
You can increase the value of 4.

よっである温度における第2の出力電圧VREア、は同
じでも工、の値とR4の値を適当に選ぶことによって温
度特性を任意に設定することができる。
Therefore, even if the second output voltages VRE and VRE at a certain temperature are the same, the temperature characteristics can be set arbitrarily by appropriately selecting the values of VRE and R4.

次に第1図の回路において実際の動作について説明する
。第3図は第1図の回路における工、と工、の温度特性
について示したもので、第4図は第3図のI3.I4の
電流値において、出力端N2での出力電圧Vオ、2の温
度特性について示したものである。今、第3図に示すよ
うにバンドギャップレギュレータの出力電流工、が基準
温度において500μAで、基準温度から+50℃の変
化で600μAになり、−50℃の変化で400μAに
なる温度特性を持っている場合、定電流源工。2の出力
電流値I zn+を温度変化にかかわらず一定の700
μAに設定した場合の工、の値を工、ωとし、■。2の
出力電流値工2■を1500μAにした場合の工、の値
を工、■として第3図に示している。第3図よりわかる
ように工2の値を変えることによって、■、の傾きを変
化させずに基準電流値を任意に変えることができる。次
に第4図では第3図で示したI 4urとI4iカの電
流値で基準温度の時に■。P2に5.Ovが得られるよ
うにした場合の温度特性を示している。第3図のように
基準温度でI 4+11=200μAならR4を25に
Ωに設定し、I 4(1゜が1000μAならR4を5
にΩに設定したV RRF□がそれぞれv1ア2.1.
とV□ア、■に対応している。VゆP 2111では基
準温度からの差が−50〜−50℃の変化で5vの変化
なのに対してVヤ、氾では同様の温度変化で1vの変化
になっている。
Next, the actual operation of the circuit shown in FIG. 1 will be explained. FIG. 3 shows the temperature characteristics of I3 and I3 of FIG. 3 in the circuit of FIG. 1, and FIG. The temperature characteristics of the output voltage Vo,2 at the output terminal N2 at the current value of I4 are shown. Now, as shown in Figure 3, the output current of the bandgap regulator is 500 μA at the reference temperature, increases to 600 μA with a +50°C change from the reference temperature, and 400 μA with a -50°C change. If so, install a constant current source. 2 output current value I zn+ is constant 700 regardless of temperature change.
The value of ω when set to μA is ω, and ■. When the output current value (2) is set to 1500 μA, the value of (2) is shown in FIG. 3 as (2). As can be seen from FIG. 3, by changing the value of 2, the reference current value can be arbitrarily changed without changing the slope of . Next, in Fig. 4, when the current values of I4ur and I4i shown in Fig. 3 are at the reference temperature, ■. 5 for P2. It shows the temperature characteristics when Ov is obtained. As shown in Figure 3, if I4+11=200μA at the reference temperature, set R4 to 25Ω, and if I4(1° is 1000μA, set R4 to 5Ω).
V RRF□ set to Ω in v1A2.1.
It corresponds to V□A, ■. In VYP 2111, the difference from the reference temperature is -50 to -50°C, which is a 5V change, whereas in VYP 2111, a similar temperature change is a 1V change.

以上のように工2とR2を適当に選択することによって
、Vil!F2は基準温度での出力電圧を変化させるこ
となく、大幅にその温度特性を変化させることができる
By appropriately selecting Work2 and R2 as described above, Vil! F2 can significantly change its temperature characteristics without changing the output voltage at the reference temperature.

第2図は本発明の具体的な他の実施例である。FIG. 2 shows another specific embodiment of the present invention.

第1図の同じ機能については第1図と同じ符号を打っで
ある。すなわちトランジスタQ1〜Q4と抵抗R1〜R
3によって出力端子をN1とするバンドギャップレギュ
レータを構成する。またトランジスタQ、と抵抗R6に
よって定電流源を構成し、トランジスタQ s 、 Q
 rのカレントミラーによって第1図における直流定電
流源工。1と同じ働きをする。バンドギャップレギュレ
ータの出力電流はトランジスタQ * 、 Q sのカ
レントミラーによってトランジスタQ、のコレクタ電流
工、となる。またトランジスタQ1゜と抵抗R6により
直流定電流源を構成し、トランジスタQ1゜のコレクタ
には工2なる定電流が流れることになる。
The same functions as in FIG. 1 are given the same reference numerals as in FIG. That is, transistors Q1 to Q4 and resistors R1 to R
3 constitutes a bandgap regulator whose output terminal is N1. In addition, a constant current source is configured by the transistor Q and the resistor R6, and the transistors Q s and Q
The DC constant current source in Figure 1 is constructed using a current mirror of r. It works the same as 1. The output current of the bandgap regulator becomes the collector current of transistor Q by the current mirror of transistors Q* and Qs. Further, the transistor Q1° and the resistor R6 constitute a direct current constant current source, and a constant current 2 flows through the collector of the transistor Q1°.

この第2図の回路において、 I s > I 2 と設定し、その差電流l4(=I3  Iりを抵抗R4
に印加して出力端子N2に第2の出力電圧V、mxyz
粉得る。vexア、は Vigyz=R4XL=R4X (Is  I2)  
 ・・”(6)となる。すなわち第1図の抵抗R1〜R
1と同じ抵抗を第2図において使用すれば第2図でのV
REF2は第1図でのvytxp□とは正負逆の温度特
性となる。すなわち第4図における傾きが正負逆になる
In the circuit shown in Fig. 2, I s > I 2 is set, and the difference current l4 (=I3
A second output voltage V, mxyz is applied to the output terminal N2.
Get the powder. vexa, Vigyz=R4XL=R4X (Is I2)
..."(6). That is, the resistances R1 to R in FIG.
If the same resistance as 1 is used in Figure 2, V in Figure 2 will be
REF2 has a temperature characteristic that is opposite in polarity to vytxp□ in FIG. That is, the slope in FIG. 4 is reversed in positive and negative directions.

さらに第2図の回路ではトランジスタQll〜Q14と
抵抗R7、出力端N、からなる電流出力回路を備えてい
る。第2図のトランジスタのコレクタ電流I3’とトラ
ンジスタQ1□と抵抗R7からなる定電流源を構成し、
I2’なる定電流を流すことになる。今1.1と工、′
の関係をI2’>I!’に設定し、その差電流I4’ 
(=I!’  I3’)をトランジスタQ13#Q14
からなるカレントミラー回路によって出力端子N、に出
力する。この場合I4’の温度特性は工、とは逆になる
。また、I 、 lはカレントミラーな構成するトラン
ジスタQ13とQ14の面積比を変えることによって出
力電流の温度特性の変化幅を再設定することができると
ともに、電流出力にしたことで差動アンプの定電流とし
て使用する場合有効である。
Furthermore, the circuit shown in FIG. 2 includes a current output circuit consisting of transistors Qll to Q14, a resistor R7, and an output terminal N. A constant current source is constituted by the collector current I3' of the transistor shown in FIG. 2, the transistor Q1□, and the resistor R7,
A constant current I2' is caused to flow. Now 1.1 and engineering,'
The relationship I2'>I! ', and the difference current I4'
(=I!'I3') to transistor Q13#Q14
A current mirror circuit consisting of a current mirror circuit outputs the signal to an output terminal N. In this case, the temperature characteristic of I4' is opposite to that of . In addition, by changing the area ratio of transistors Q13 and Q14 that constitute the current mirror, I and l can reset the range of change in the temperature characteristics of the output current, and by changing them to current output, the differential amplifier can be regulated. Effective when used as a current.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は出力電圧の温度特性を零に
したバンドギャップレギュレータの出力電流と、直流定
電流との差電流を抵抗に印加し、その電圧降下分を第2
の出力電圧とすることにより第2の出力電圧の温度特性
を任意に設定できることができる。このことは温度特性
を持たない基準電圧源に簡単に温度特性を持たせた別の
基準電な 庄原な付加することができるため、素子の穴幅線増加を
伴なうことなく、回路上の温度特性の補正、または任意
の設定ができることになり、特に集積回路上において有
効な手段であるといえる。
As explained above, the present invention applies the difference current between the output current of a bandgap regulator with zero temperature characteristics of the output voltage and a constant DC current to a resistor, and converts the voltage drop into a second
By setting the output voltage to , the temperature characteristics of the second output voltage can be arbitrarily set. This means that a reference voltage source with temperature characteristics can be easily added to a reference voltage source that does not have temperature characteristics, so it can be easily added to the circuit without increasing the hole width of the element. This means that the temperature characteristics can be corrected or set as desired, and can be said to be an effective means especially on integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は他の
実施例を示す回路図、第3図は第1図で示した回路の基
準電圧の温度特性を示すグラフ、第4図は第2図で示し
た回路の基準電圧の温度特性を示すグラフである。 代理人 弁理士  内 原   音
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment, FIG. 3 is a graph showing the temperature characteristics of the reference voltage of the circuit shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a graph showing the temperature characteristics of the reference voltage of the circuit shown in FIG. Agent Patent Attorney Oto Uchihara

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] コレクタ抵抗およびエミッタ抵抗を有し第1の電流密度
で動作する第1のトランジスタとコレクタ抵抗を有し第
2の電流密度で動作する第2のトランジスタであって前
記第1のトランジスタにベースバイアスを与える第2の
トランジスタと、前記第1のトランジスタのコレクタに
ベースが接続された第3のトランジスタと、前記第1お
よび第2のトランジスタに動作電流を与える第4のトラ
ンジスタと、出力端子と、この端子に接続された抵抗と
、電流源と、この電流源の電流と前記第4のトランジス
タに流れる電流との導電流を前記抵抗に与える手段とを
備えることを特徴とする電圧源回路。
a first transistor having a collector resistance and an emitter resistance and operating at a first current density; and a second transistor having a collector resistance and operating at a second current density, the first transistor having a base bias. a third transistor whose base is connected to the collector of the first transistor; a fourth transistor which supplies an operating current to the first and second transistors; an output terminal; A voltage source circuit comprising: a resistor connected to a terminal; a current source; and means for applying a conduction current between the current of the current source and the current flowing to the fourth transistor to the resistor.
JP18222988A 1988-07-20 1988-07-20 Voltage source circuit Expired - Lifetime JP2748414B2 (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02178716A (en) * 1988-12-28 1990-07-11 Toshiba Corp Voltage generation circuit
EP0457348A2 (en) * 1990-05-17 1991-11-21 Nec Corporation Oscillation circuit
EP0458332A2 (en) * 1990-05-24 1991-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit
JPH07104874A (en) * 1993-09-30 1995-04-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02178716A (en) * 1988-12-28 1990-07-11 Toshiba Corp Voltage generation circuit
EP0457348A2 (en) * 1990-05-17 1991-11-21 Nec Corporation Oscillation circuit
EP0458332A2 (en) * 1990-05-24 1991-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Temperature detection circuit used in thermal shielding circuit
JPH07104874A (en) * 1993-09-30 1995-04-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit

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