JPH02251992A - Liquid crystal display panel and its manufacture - Google Patents
Liquid crystal display panel and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置に用い
る液晶表示パネルおよびその製造方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel used in an active matrix liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.
従来の技術
近年、液晶表示装置の絵素数増大に伴って、走査線数が
増え、従来から用いられている単純マトリックス型液晶
表示装置では表示コントラストや応答速度が低下するた
め、各絵素にスイッチング素子を配置したアクティブマ
トリックス型液晶表示装置が利用されつつある。しかし
ながら前記液晶表示装置に用いるアクティブマトリック
スアレイには数万個以上の薄膜トランジスタ(以後TP
Tと呼ぶ)を形成する必要がある。したがってすべての
アクティブマトリックスアレイを無欠陥で作製すること
は困難であり、現在の技術ではアクティブマトリックス
アレイ上に形成されたTPTを検査し、良否を判別する
必要がある。そこで容易にアクティブマトリックスアレ
イ上のTPTを検査することのできる液晶表示パネルお
よびその製造方法が待ち望まれていた。Conventional technology In recent years, as the number of picture elements in liquid crystal display devices has increased, the number of scanning lines has increased, and the display contrast and response speed of the conventionally used simple matrix type liquid crystal display devices have decreased. Active matrix type liquid crystal display devices in which elements are arranged are being used. However, the active matrix array used in the liquid crystal display device has tens of thousands or more thin film transistors (hereinafter referred to as TP).
(referred to as T). Therefore, it is difficult to fabricate all active matrix arrays without defects, and with the current technology, it is necessary to inspect TPTs formed on active matrix arrays to determine whether they are good or bad. Therefore, there has been a need for a liquid crystal display panel that can easily inspect TPT on an active matrix array and a method for manufacturing the same.
以下、従来の液晶表示パネルについて図面を参照しなが
ら説明する。第9図(a)は従来の液晶表示パネルの平
面図である。また第9図(b)は第9図(a)のEE’
線での断面図である。なお、説明に不要な箇所は省略し
ており、説明を容易にするため拡大あるいは誇張して描
いている部分が存在する。Hereinafter, a conventional liquid crystal display panel will be explained with reference to the drawings. FIG. 9(a) is a plan view of a conventional liquid crystal display panel. Also, FIG. 9(b) shows the EE′ of FIG. 9(a).
FIG. Note that parts unnecessary for the explanation have been omitted, and some parts have been enlarged or exaggerated to make the explanation easier.
また、液晶表示パネルの信号線数・IC数などは作図を
容易にするために非常に少なく描いている。Furthermore, the number of signal lines and the number of ICs of the liquid crystal display panel are drawn very small to facilitate drawing.
以上のことは以下の図面に対しても同様である。The above also applies to the following drawings.
第9図(a)(b)において、90は液晶、91はソー
ダガラスからなる基板、92は対向電極が形成された基
板(以下、対向基板と呼ぶ)、93はゲート信号線、9
4はソース信号線、95はフレキシブル基板96と接続
のために基板91上に形成された接続電極形成部、96
はゲートまたはソース信号線とICを積載した基板97
上の引き出し線101とを接続するためのフレキシブル
基板、97は走査IC98またはソースIC99を積載
するためのプリント基板(以後、IC基板と呼ぶ)、9
8は液晶表示パネルのゲート信号線93に信号を印加す
るためのIC(以後、走査ICと呼ぶ)、99は液晶表
示パネルのソース信号線94に信号を印加するためのI
C(以後、ソースICと呼ぶ)、100は基板91と対
向基板92間に液晶90を封止するための樹脂(以後、
封止樹脂と呼ぶ)である。以後、同一番号あるいは同一
記号を付したものは同一構成あるいは同一内容のもので
ある。また、第I0図は委は91上かつ液晶に面した部
分に形成されたTFT群の一部等価回路図である。第1
0図においてTl1%T44はTFT、St〜S4はソ
ース信号線、G l” G aはゲート信号線、pH〜
P 44は絵素電極である。また第11図は接続電極形
成部95の一部拡大平面図である。第11図において1
10は接続用電極である。In FIGS. 9(a) and 9(b), 90 is a liquid crystal, 91 is a substrate made of soda glass, 92 is a substrate on which a counter electrode is formed (hereinafter referred to as a counter substrate), 93 is a gate signal line, 9
Reference numeral 4 indicates a source signal line; 95 indicates a connection electrode forming portion formed on the substrate 91 for connection with the flexible substrate 96; and 96
is a substrate 97 on which a gate or source signal line and an IC are mounted.
97 is a printed circuit board (hereinafter referred to as an IC board) on which a scanning IC 98 or a source IC 99 is mounted;
8 is an IC (hereinafter referred to as a scanning IC) for applying a signal to the gate signal line 93 of the liquid crystal display panel, and 99 is an IC for applying a signal to the source signal line 94 of the liquid crystal display panel.
C (hereinafter referred to as source IC), 100 is a resin for sealing the liquid crystal 90 between the substrate 91 and the counter substrate 92 (hereinafter referred to as
(called sealing resin). Hereinafter, items with the same number or symbol have the same configuration or content. FIG. 10 is a partial equivalent circuit diagram of a TFT group formed on the panel 91 and facing the liquid crystal. 1st
In Figure 0, Tl1%T44 is a TFT, St~S4 is a source signal line, Gl''Ga is a gate signal line, and pH~
P44 is a picture element electrode. Further, FIG. 11 is a partially enlarged plan view of the connection electrode forming portion 95. In Figure 11, 1
10 is a connection electrode.
第9図〜第11図で明らかなように従来の液晶パネルは
ガラス基板91上にTFT群および接続用電極が形成さ
れ、また対向基板を取り付けられてパネル化されている
。前記パネルに信号を印加するICはIC基板97上に
ハンダ付けにより積載され、前記基板とパネルとをフレ
キシブル基板96を用いて接続されている。フレキシブ
ル基板96の接続には異方向性導電膜が用いられ、熱圧
着により、フレキシブル基板96と接続用電極およびフ
レキシブル基板96と引き出し線101と接続される。As is clear from FIGS. 9 to 11, a conventional liquid crystal panel has a TFT group and connection electrodes formed on a glass substrate 91, and a counter substrate is attached to form a panel. An IC for applying a signal to the panel is mounted on an IC board 97 by soldering, and the board and the panel are connected using a flexible board 96. An anisotropic conductive film is used to connect the flexible substrate 96, and the flexible substrate 96 and the connection electrode and the flexible substrate 96 and the lead wire 101 are connected by thermocompression bonding.
以下、従来の液晶表示パネルの製造方法について説明す
る。第12図(a)はアレイ形成工程後の基板の平面図
を示している。また、第12図ら)は第12図(a)の
FF’線での断面図である。第12図(a)(b)にお
いて120は第10図に示すTFT群形成部(以後、表
示領域と呼ぶ)である。まず、アレイ形成工程ではソー
ダガラス上に金属薄膜およびアモルファスシリコン薄膜
などを層上に重ね、表示領域120、信号線93・94
および接続用電極110を形成する。A conventional method for manufacturing a liquid crystal display panel will be described below. FIG. 12(a) shows a plan view of the substrate after the array formation process. 12(a) is a sectional view taken along the line FF' of FIG. 12(a). In FIGS. 12(a) and 12(b), 120 is a TFT group forming section (hereinafter referred to as a display area) shown in FIG. First, in the array forming process, a metal thin film, an amorphous silicon thin film, etc. are layered on soda glass, and the display area 120 and signal lines 93 and 94 are formed.
and a connection electrode 110 is formed.
第13図(a)はパネル化工程後の基板の平面図を示し
ている。また、第13う)は第13図(a)のCG’線
での断面図である。アレイ形成工程後、基板はパネル化
工程へ送られる。この工程では表示領域上に対向基板9
2が取り付けられ、周辺部を封止樹脂で封止、液晶90
が注入される。工程終了後、良品は次の検査工程へ送ら
れる。第14図は検査工程の説明図である。第14図に
おいて、140はゲート信号線G、とソース信号線S3
の交点部に発生したショート(以後、クロスショートと
呼ぶ)、141は抵抗値測定手段、PS、〜PS、及び
PC,−PC4はプローブなどの接続手段(以後プロー
ブと呼ぶ)、SS、〜S S aおよびSG+−3G4
はリレーまたはアナログスイッチなどからなる選択手段
(以後、スイッチと呼ぶ)である。検査工程では主とし
て重大な表示欠陥になるクロスショートを検出すること
を目的とする。そこでこの工程ではプローブPG+〜P
G4を液晶表示パネルのゲート信号線G I” G 4
に、プローブPS+〜PS、をソース信号線に圧接する
。通常、液晶表示パネルの信号線は200本以上形成さ
れるため、−度にすべての信号線にプローブを圧接する
ことが困難である。そこでプローブをXYステージなど
に取り付は移動させていくことにより順次圧接していき
検査をおこなう。ブーロブ圧接後、スイッチSSIのみ
を閉じ、スイッチSG1から順次SG、、まで閉じてい
き、各状態での抵抗値を抵抗値測定手段141で測定す
る。以上の動作をすべてのゲート信号線に対して行える
ようにプローブPG、〜PG。FIG. 13(a) shows a plan view of the substrate after the panel forming process. 13(c) is a sectional view taken along the line CG' in FIG. 13(a). After the array forming process, the substrate is sent to a panel forming process. In this step, the counter substrate 9 is placed on the display area.
2 is attached, the peripheral part is sealed with sealing resin, and the liquid crystal 90
is injected. After the process is completed, non-defective products are sent to the next inspection process. FIG. 14 is an explanatory diagram of the inspection process. In FIG. 14, 140 is a gate signal line G and a source signal line S3.
141 is a resistance value measuring means, PS, ~PS, and PC, -PC4 is a connecting means such as a probe (hereinafter referred to as a probe), SS, ~S S a and SG+-3G4
is a selection means (hereinafter referred to as a switch) consisting of a relay or an analog switch. The main purpose of the inspection process is to detect cross-shorts, which can be serious display defects. Therefore, in this process, the probe PG+~P
G4 is the gate signal line of the liquid crystal display panel.
Then, the probes PS+ to PS are pressed against the source signal line. Usually, a liquid crystal display panel has 200 or more signal lines, so it is difficult to press a probe to all the signal lines at once. Therefore, the probes are attached to an XY stage and moved, and the probes are sequentially pressed against each other to perform the inspection. After the Bolob pressure contact, only the switch SSI is closed, and the switches SG1 to SG are closed in sequence, and the resistance value in each state is measured by the resistance value measuring means 141. Probes PG, ~PG are used to perform the above operations on all gate signal lines.
を順次移動させておこなう。次にスイッチSS2のみを
閉じ、同様にスイッチsc、−sc、を閉じていき、ま
たプローブPC,〜PG4を移動させておこなう。以上
の動作をスイッチSS、〜SS4を順次閉じ、また移動
させることにより、すべてのゲート信号線とソース信号
線間の抵抗値を測定する。測定される抵抗値はゲート信
号線とソース信号線の交点が正常であれば高抵抗が、短
絡していれば低抵抗が測定される。第14図ではクロス
ショート140が発生しているため、スイッチSG、及
びS S 3を閉じたとき、低抵抗値になる。Do this by moving sequentially. Next, only the switch SS2 is closed, the switches sc and -sc are closed in the same manner, and the probes PC, to PG4 are moved. The resistance values between all gate signal lines and source signal lines are measured by sequentially closing and moving the switches SS to SS4 through the above operations. The measured resistance value is high if the intersection of the gate signal line and the source signal line is normal, and low resistance if there is a short circuit. In FIG. 14, since a cross short 140 has occurred, the resistance value becomes low when the switches SG and S S 3 are closed.
クロスショートが発生したものは不良として廃棄される
。次に接続工程について説明する。接続工程では、IC
基板97上にまず、走査IC98またはソースIC:9
9などが積載される。次にフレキシブル基板96上に異
方向性導電膜が形成される。次にフレキシブル基板96
はIC基板97の引き出し線101および接続電極形成
部95に位置決めされたのち、熱圧着され接続される。Items with cross shorts are discarded as defective. Next, the connection process will be explained. In the connection process, the IC
First, scan IC 98 or source IC 9 is placed on substrate 97.
9 etc. will be loaded. Next, an anisotropic conductive film is formed on the flexible substrate 96. Next, the flexible board 96
are positioned on the lead wire 101 of the IC board 97 and the connection electrode forming portion 95, and then thermocompression bonded and connected.
以上の工程を経て液晶表示パネルは完成する。The liquid crystal display panel is completed through the above steps.
発明が解決しようとする課題
近年、液晶表示パネルの信号線の間隔は200μ−以下
と微細化の傾向にある。また信号線の本数は数百本以上
と増加の傾向にある。したがって、従来の液晶表示パネ
ルとその製造方法では、検査工程において下記の重大な
課題が発生する。液晶表示パネルは検査工程で重大な表
示欠陥となるクロスショートを検出し、液晶表示パネル
の良否を選別する必要がある。また、黒点状表示欠陥と
なるTPTのソース・ドレイン間断線(以後、S−Dオ
ーブンと呼ぶ)、ゲート・ドレイン間ショート(以後、
G−Dシq −トと呼ぶ)および白点状表示欠陥となる
TPTのソース・ドレインショート(以後、S−Dショ
ートと呼ぶ)をも検出することが好ましい。前述の検査
を行うためにはプローブを液晶表示パネルのソース信号
線およびゲート信号線の引き出し電極に圧接し、電気的
接続を取る必要がある。しかし、信号線の引き出し電極
も微細化の傾向があり、プローブを正確に位置決めする
ことが困難になりつつある。また、微細化になるほど位
置決め時間も長時間を要する。液晶表示パネルの信号線
本数も増大化の傾向にあり、プローブを一度に圧接でき
る本数にも限度があるため、プローブの移動回数が増大
し、°検査時間に長時間を要する。たとえば、信号線数
が200X 400本のものでも、プローブを25 X
25本を一度に圧接し、25 X 25のプローブを
10秒で検査をおこなっても約20分の検査時間を要す
る。またS−Dショート・G−Dショート・S−Dオー
ブン欠陥などの点欠陥は従来の検査工程ではほとんど検
出することができず、通常おこなわれていない。前記点
欠陥は完全に液晶表示パネルが完成してから表示による
検査がおこなわれ、良否の選別がおこなわれる。しかし
、完成してから不良品となると、製造コストにはねかえ
る割合が大きく、重大な課題であった。Problems to be Solved by the Invention In recent years, there has been a trend toward miniaturization of the signal line spacing of liquid crystal display panels to 200 μm or less. Furthermore, the number of signal lines is increasing to several hundred or more. Therefore, in the conventional liquid crystal display panel and its manufacturing method, the following serious problem occurs in the inspection process. During the inspection process of liquid crystal display panels, it is necessary to detect cross shorts, which can be a serious display defect, and to determine whether the liquid crystal display panel is good or bad. In addition, disconnections between the source and drain of TPT (hereinafter referred to as S-D oven) and short-circuits between the gate and drain (hereinafter referred to as S-D oven), which result in black dot-like display defects.
It is preferable to also detect TPT source-drain shorts (hereinafter referred to as S-D shorts) that result in white spot display defects (referred to as G-D sheets) and white dot-like display defects. In order to perform the above-mentioned inspection, it is necessary to press the probe to the extraction electrodes of the source signal line and gate signal line of the liquid crystal display panel to establish an electrical connection. However, there is a trend toward miniaturization of the lead-out electrodes of signal lines, and it is becoming difficult to accurately position the probe. Further, as the size becomes smaller, the positioning time also becomes longer. The number of signal lines on liquid crystal display panels is also increasing, and there is a limit to the number of probes that can be pressed at once, which increases the number of times the probe must be moved and requires longer inspection times. For example, even if the number of signal lines is 200X 400, the number of signal lines is 25X
Even if 25 probes are pressed at once and a 25 x 25 probe is inspected in 10 seconds, the inspection time will be about 20 minutes. In addition, point defects such as SD short, GD short, and SD oven defects can hardly be detected by conventional inspection processes, and are not normally performed. The above-mentioned point defects are inspected by display after the liquid crystal display panel is completely completed to determine whether the panel is good or bad. However, if a product turns out to be defective after it has been completed, the manufacturing cost will be significantly increased, which is a serious issue.
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示パネルは、
ポリシリコン基板に絵素を駆動するスイッチング素子と
、前記スイッチング素子が接続されたゲート信号線に信
号を印加する走査回路が形成され、前記スイッチング素
子が接続されたソース信号線に、突起電極が形成された
駆動用ICが導電性接合層を介して接続されたものであ
る。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the liquid crystal display panel of the present invention includes:
A switching element for driving a picture element and a scanning circuit for applying a signal to a gate signal line connected to the switching element are formed on a polysilicon substrate, and a protruding electrode is formed on a source signal line connected to the switching element. The driving ICs are connected via a conductive bonding layer.
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、ポリシリ
コン基板に絵素を駆動するスイッチング素子と走査回路
を形成し、前記基板上に対向電極が形成された基板を取
り付け、前記基板間に液晶を注入してパネル化し、また
、走査回路を動作させ、かつ検査用パッドを用いて、前
記液晶パネルの検査工程をおこない、次にソース信号線
に突起電極が形成された駆動用ICを導電性接合層を介
して接続するものである。Further, in the method for manufacturing a liquid crystal display panel of the present invention, a switching element for driving picture elements and a scanning circuit are formed on a polysilicon substrate, a substrate on which a counter electrode is formed is mounted on the polysilicon substrate, and a liquid crystal display panel is provided between the substrates. In addition, the scanning circuit is operated and the inspection pad is used to perform the inspection process of the liquid crystal panel, and then the driving IC with protruding electrodes formed on the source signal line is conductive. The connection is made via a bonding layer.
作用
本発明の液晶表示パネルは絵素駆動用のTPTおよび走
査回路をポリシリコン基板に形成している。走査回路を
動作させることにより、任意のゲート信号線にTPTを
動作させる電圧(以後、オン電圧と呼ぶ)またはTPT
を動作させない電圧(以後、オフ電圧と呼ぶ)を印加す
ることができる。したがって、全ゲート信号線に一度に
プローブを圧接し、信号印加したのと同様の効果が得ら
れる。また、本発明の液晶表示パネルの製造方法は、液
晶表示パネルの検査をおこなったのち、ソースICを積
載するものであるから、検査時ソースICの入力インピ
ーダンスを考慮する必要がない。したがって確実・安定
な検査をおこなえる。Function: The liquid crystal display panel of the present invention has a TPT for driving picture elements and a scanning circuit formed on a polysilicon substrate. By operating the scanning circuit, a voltage that operates TPT (hereinafter referred to as on-voltage) or TPT is applied to any gate signal line.
It is possible to apply a voltage that does not cause the device to operate (hereinafter referred to as an off voltage). Therefore, the same effect as applying a signal by pressing the probe to all the gate signal lines at once can be obtained. Further, in the method for manufacturing a liquid crystal display panel of the present invention, the source IC is loaded after the liquid crystal display panel is inspected, so there is no need to consider the input impedance of the source IC during inspection. Therefore, reliable and stable inspection can be performed.
実施例
以下、本発明の液晶表示パネルの一実施例について図面
を参照しながら説明する。第1図(a)は本発明の液晶
表示パネルの平面図である。また第1図(b)は第1図
(a)のAA’線での断面図、第1図(C)は第1図(
a)のBB’線での断面図である。第1図(a)(b)
(C)において、10は液晶、11はポリシリコンなど
からなる半導体基板、12は対向基板、13は液晶表示
パネルの検査をおこなうための電極が形成された部分(
以後、検査電極形成部と呼ぶ)、14はチップ状のソー
スIC115はゲート信号線、16はソース信号線、1
7・18は引き出し線、19はゲート信号線にオン電圧
またはオフ電圧を印加し走査するための走査回路の形成
部、20は封止樹脂である。EXAMPLE Hereinafter, an example of the liquid crystal display panel of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1(a) is a plan view of the liquid crystal display panel of the present invention. In addition, Fig. 1(b) is a cross-sectional view taken along line AA' in Fig. 1(a), and Fig. 1(C) is a cross-sectional view taken along line AA' in Fig. 1(a).
It is a sectional view taken along the BB' line of a). Figure 1 (a) (b)
In (C), 10 is a liquid crystal, 11 is a semiconductor substrate made of polysilicon, etc., 12 is a counter substrate, and 13 is a portion where electrodes for testing the liquid crystal display panel are formed (
14 is a chip-shaped source IC 115 as a gate signal line; 16 is a source signal line;
7 and 18 are lead lines, 19 is a forming part of a scanning circuit for applying an on voltage or an off voltage to the gate signal line for scanning, and 20 is a sealing resin.
第1図(a) (b) (C)で明らかなように本発明
の液晶表示パネルはポリシリコン基板にTPTおよび走
査回路が形成される。また、表示領域の周辺には各信号
線に対応した検査用電極が形成されており、ソース信号
線にはガラスオンチップ技術(以後、COG技術と呼ぶ
)でソースIC14チツプが接続されている。さらに本
発明の液晶表示パネルを第2図〜第4図を用いて説明す
る。まず、第2図はTPTが形成された表示領域部の一
部等価回路図である。第2図において、TM11−TM
34およびTSII〜TS、、はTFTである。第2図
で明らかなように、本発明の液晶表示パネルは1つの絵
素電極に2つのTPTが形成され、前記2つのTPTは
それぞれ異ったゲート信号線およびソース信号線に接続
されている。第3図(a)はソースIC14および引き
出しvA18部の一部拡大平面図である。第3図(a)
において30はソースIC14チツプの端子と接続する
ために基板11上に形成された電極(以後、IC接続電
極と呼ぶ)、31に示す点線はソースIC14チツプの
積載位置を示している。As is clear from FIGS. 1(a), 1(b), and 1(c), the liquid crystal display panel of the present invention has a TPT and a scanning circuit formed on a polysilicon substrate. Further, test electrodes corresponding to each signal line are formed around the display area, and a source IC 14 chip is connected to the source signal line by glass-on-chip technology (hereinafter referred to as COG technology). Furthermore, the liquid crystal display panel of the present invention will be explained using FIGS. 2 to 4. First, FIG. 2 is a partial equivalent circuit diagram of a display area portion in which a TPT is formed. In Figure 2, TM11-TM
34 and TSII to TS, , are TFTs. As is clear from FIG. 2, in the liquid crystal display panel of the present invention, two TPTs are formed in one picture element electrode, and the two TPTs are connected to different gate signal lines and source signal lines, respectively. . FIG. 3(a) is a partially enlarged plan view of the source IC 14 and the drawer vA 18 section. Figure 3(a)
Reference numeral 30 indicates an electrode (hereinafter referred to as an IC connection electrode) formed on the substrate 11 for connection to the terminal of the source IC 14 chip, and a dotted line 31 indicates the loading position of the source IC 14 chip.
以上のように本発明の液晶表示パネルのソース信号線に
はソースIC14チツプがIC接続電極30を介して接
続されている。第3図(b)は走査回路形成部19の走
査回路のブロック図図である。第3図(b)において、
32はシフトレジスタ回路、33はシフトレジスタ回路
32の論理出力をラッチし保持するためのラッチ回路、
34はラッチ回路33の論理出力により、オン電圧また
はオフ電圧を出力するドライブ回路、35は出力端子X
、〜Xfiに入出力する電流を規定値以下に制限できる
機能をもつ出力電流制限回路である。なお、出力電流制
限回路35はCL端子の論理入力により、入出力電流の
制限機能を解除または動作させることができる。通常、
検査工程時には動作させ、表示状態では解除される。シ
フトレジスタ回路32はクロックφをおよびSP’また
はSPZに入力されたデータにより、HまたはLレベル
の論理出力を出力する。前記論理出力はラッチ回路33
を通過またはラッチ回路33に保持され、ドライブ回路
からオン電圧またはオフ電圧が出力される。第4図は、
検査電極形成部13の一部拡大平面図である。第4図に
おいて41は検査用電極である。第4図で明らかなよう
に検査電極41まではすべてのソース信号線またはゲー
ト信号線は引き出されてきている。検査用電極41から
は1本ごとに引き出され、走査回路形成部19またはI
C接続用電極30まで導びかれる。前記検査用電極41
は少なくともソース信号線には形成される。As described above, the source IC 14 chip is connected to the source signal line of the liquid crystal display panel of the present invention via the IC connection electrode 30. FIG. 3(b) is a block diagram of the scanning circuit of the scanning circuit forming section 19. In FIG. 3(b),
32 is a shift register circuit; 33 is a latch circuit for latching and holding the logic output of the shift register circuit 32;
34 is a drive circuit that outputs an on voltage or an off voltage according to the logic output of the latch circuit 33, and 35 is an output terminal X.
. Note that the output current limiting circuit 35 can cancel or operate the input/output current limiting function by a logic input to the CL terminal. usually,
It is activated during the inspection process and deactivated during the display state. The shift register circuit 32 outputs an H or L level logical output depending on the clock φ and the data input to SP' or SPZ. The logic output is a latch circuit 33
is passed through or held in the latch circuit 33, and an on voltage or an off voltage is output from the drive circuit. Figure 4 shows
FIG. 3 is a partially enlarged plan view of the test electrode forming section 13. FIG. In FIG. 4, 41 is an inspection electrode. As is clear from FIG. 4, all source signal lines or gate signal lines have been led out up to the inspection electrode 41. The test electrodes 41 are pulled out one by one and connected to the scanning circuit forming section 19 or I
It is led to the C connection electrode 30. The inspection electrode 41
is formed at least on the source signal line.
以下、本発明の液晶表示パネルの製造方法について説明
する。第5図(a)はアレイ形成工程後の基板11の平
面図を示している。また、第5図さ)は第5図(a)の
CC′線での断面図である。まず、アレイ形成工程では
ポリシリコン基板に半導体技術を用いて、TPTおよび
走査回路などが形成される。Hereinafter, a method for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention will be explained. FIG. 5(a) shows a plan view of the substrate 11 after the array formation process. Further, FIG. 5) is a sectional view taken along line CC' in FIG. 5(a). First, in the array forming step, TPTs, scanning circuits, etc. are formed on a polysilicon substrate using semiconductor technology.
また、IC接続電極30なども形成される。アレイ形成
工程後火のパネル化工程へと進む。第6図(a)はパネ
ル化工程後の基板の平面図を示している。Further, IC connection electrodes 30 and the like are also formed. After the array formation process, proceed to the panel formation process. FIG. 6(a) shows a plan view of the substrate after the panel forming process.
また、第6図[有])は第6図(a)のDD’線での断
面図である。この工程ではTPTなどが形成された表示
領域上に対向基板12が取り付けられ、周辺部を封止樹
脂で封止したのち、前記基板間を真空にして、液晶10
が注入される。前、記工程終了後、良品は次の検査工程
へ進む。第7図は検査工程での液晶表示パネルの説明図
である。第7図において説明を容易にするために走査化
19は図面の左側にしか描いていない。第7図において
、70はS−Dショート、71はG−Dショート、74
はクロスショート、72は直流電圧を印加できる信号印
加手段、73は電流などの信号を検出するための信号検
出手段、QS、 ・QS、はプローブ、US、・ U
S、はスイッチである。まず、クロスショート74の検
出方法について説明する。プローブPS、〜PS、はソ
ース信号線端に形成された検査用電極41に圧接される
。次に走査回路19を動作させ、すべてのゲート信号線
にオフ電圧を印加する。なお、ここでは、オフ電圧を一
電圧、オン電圧を十電圧として取り扱う。次にスイッチ
SS、からSS、まで順次1ずつ閉じていき、各状態で
出力電圧または電流がないかを信号検出手段73で測定
する。今、クロスショート74が発生しているため、ス
イッチS33を閉じた時、オフ電圧が手段検出手段73
に検出される。したがって、ソース信号線S、とゲート
信号線が短絡していることがわかる。次にスイッチSS
3を閉じたまま、ゲート信号線G1にオン電圧を印加し
、順次最後のゲート信号線までシフトさせていく。前記
各状態でオフ電圧に変化がないかを信号検出手段73で
監視する。今、ゲート信号線G3にオン電圧を印加した
時、信号検出手段73が検出している信号がオフ電圧か
らオン電圧に変化する。したがって、ゲート信号線G3
とソース信号S3にクロスショートが発生していること
を検出できる。また走査回路19に出力電流制限回路3
5を形成しているため、クロスショートが発生していて
も、またゲート信号線の隣接ショートが発生していても
過電流が流れることがなく、安定にパネルおよび走査回
路などを破壊することなく検査がおこなえる。Moreover, FIG. 6 [present] is a sectional view taken along the line DD' of FIG. 6(a). In this step, the counter substrate 12 is attached on the display area in which TPT etc. are formed, and after the peripheral part is sealed with sealing resin, a vacuum is created between the substrates, and the liquid crystal 10
is injected. After the above steps are completed, non-defective products proceed to the next inspection step. FIG. 7 is an explanatory diagram of the liquid crystal display panel in the inspection process. In FIG. 7, the scanning 19 is only drawn on the left side of the drawing for ease of explanation. In Fig. 7, 70 is S-D short, 71 is G-D short, 74
is a cross short, 72 is a signal applying means capable of applying a DC voltage, 73 is a signal detecting means for detecting signals such as current, QS, ・QS is a probe, US, ・U
S is a switch. First, a method for detecting cross short 74 will be explained. The probes PS, ~PS, are pressed against a test electrode 41 formed at the end of the source signal line. Next, the scanning circuit 19 is operated and an off voltage is applied to all gate signal lines. Note that here, the off-voltage is treated as one voltage, and the on-voltage is treated as ten voltages. Next, the switches SS and SS are closed one by one, and the signal detection means 73 measures whether there is an output voltage or current in each state. Now, since the cross short circuit 74 has occurred, when the switch S33 is closed, the off voltage is detected by the means detection means 73.
detected. Therefore, it can be seen that the source signal line S and the gate signal line are short-circuited. Next switch SS
3 remains closed, an on-voltage is applied to the gate signal line G1, and the gate signal line G1 is sequentially shifted to the last gate signal line. The signal detection means 73 monitors whether there is any change in the off-voltage in each of the above states. Now, when an on voltage is applied to the gate signal line G3, the signal detected by the signal detection means 73 changes from an off voltage to an on voltage. Therefore, gate signal line G3
It is possible to detect that a cross short has occurred in the source signal S3. In addition, the output current limiting circuit 3 is connected to the scanning circuit 19.
5, even if a cross short occurs or a short occurs between adjacent gate signal lines, no overcurrent will flow, and the panel and scanning circuit can be stably operated without damaging the panel or scanning circuit. Tests can be performed.
以上の動作をプローブPS、〜PSsを移動させ、他の
ソース信号線にもおこなっていくことにより、検査をお
こなうことができる。Inspection can be performed by moving the probes PS, -PSs and performing the above operations on other source signal lines as well.
次に、G−Dショート71の検出方法について説明する
。まず、プローブPS、−PS、をソース信号線端に形
成された検査用電極41に圧接する。Next, a method for detecting the GD short 71 will be explained. First, the probes PS and -PS are pressed against the test electrode 41 formed at the end of the source signal line.
次に走査回路19を動作させ、ゲート信号線Glのよに
オン電圧を印加し、他のゲート信号線にはオフ電圧を印
加する。その時、順次選択手段SS1からSS5まで選
択的に閉じていき各ソース信号線に出力電流がないか信
号検出手段73で測定する。Next, the scanning circuit 19 is operated, and an on voltage is applied to the gate signal line Gl, and an off voltage is applied to the other gate signal lines. At that time, the selection means SS1 to SS5 are sequentially selectively closed, and the signal detection means 73 measures whether there is an output current in each source signal line.
以上の動作をクロスショートの説明と同様にすべてのゲ
ート信号線に対しておこなう。今、ゲート信号線G4に
オン電圧を印加し、選択手段S S 3を閉じたときT
FTのT M ’s zにG−Dショート71が発生か
つTFTのTM、、が動作状態であるため、ゲート信号
線G4→G−Dショート71→T M 3’sドレイン
→TM、、ソース→ソース(を分線sz→PS、→SS
3→信号検出手段73なる電流経路が生じるため、TP
TのTMI、に欠陥が発生していることを検出できる。The above operation is performed for all gate signal lines in the same way as in the explanation of cross short. Now, when an ON voltage is applied to the gate signal line G4 and the selection means S S3 is closed, T
Since the G-D short 71 occurs in the FT's TM's z and the TFT's TM, is in the operating state, the gate signal line G4→G-D short 71→TM3's drain→TM,, source → source (separate line sz → PS, → SS
3→signal detection means 73 is generated, so that TP
It is possible to detect that a defect has occurred in the TMI of T.
以上の動作をプローブを移動させ、すべてのソース信号
線に対しておこなう。Move the probe and perform the above operations for all source signal lines.
最後に、S−Dショートの検出方法について説明する。Finally, a method for detecting an SD short will be explained.
まず、プローブPS、〜PSsおよびQS、 ・QS
、を検査用電極41に圧接する。次に走査回路19を動
作させ、ゲート信号線G、のみにオン電圧を印加し、他
のゲート信号線にはオフ電圧を印加する。次に選択手段
U S tおよびU S aを閉じ、ソース信号線St
およびS4に信号印加手段72からの電圧を印加する0
次に選択手段SS、。First, probes PS, ~PSs and QS, ・QS
, are pressed against the test electrode 41. Next, the scanning circuit 19 is operated, and an on voltage is applied only to the gate signal line G, and an off voltage is applied to the other gate signal lines. Next, the selection means U S t and U S a are closed, and the source signal line St
and S4 to which the voltage from the signal applying means 72 is applied.
Next, selection means SS.
SSz、SSsを順次選択的に閉じていき、各ソース信
号線S、、S3.S、に出力電圧がないか信号検出手段
73で測定する。次にゲート信号線G。SSz, SSs are sequentially and selectively closed, and each source signal line S, , S3 . The signal detection means 73 measures whether there is an output voltage at S. Next is the gate signal line G.
のみにオン電圧を印加し、前述の動作を行う。以上の動
作をすべてのゲート信号線に対して行う。The above operation is performed by applying an on-voltage to only the terminal. The above operation is performed for all gate signal lines.
今TFTのTM2□にS−Dショート70が発生してい
るため、ゲート信号線Gtにオン電圧を印加し、TFT
のTS、□を動作状態にし、かつ選択手段5S33を閉
じたとき、信号印加手段72→U S t→Q S t
→ソース信号線S2→S−Dショート70→P2□→T
FTのT S t□→ソース信号線S、→PS。Since an S-D short 70 has now occurred in TM2□ of the TFT, an on-voltage is applied to the gate signal line Gt, and the TFT
When TS, □ is activated and the selection means 5S33 is closed, the signal applying means 72→U S t→Q S t
→Source signal line S2→S-D short 70→P2□→T
FT T S t□→source signal line S,→PS.
→SS3→信号検出手段73なる電流経路が生じるため
、TFTのT M z tにS−Dショート70が発生
していることを検出できる。以上の動作をプローブを移
動させ、すべてのソース信号線に対しておこなう。Since a current path of →SS3→signal detection means 73 is generated, it is possible to detect that the SD short 70 has occurred at T M z t of the TFT. Move the probe and perform the above operations for all source signal lines.
検査工程終了後、良品にはソースIC接続工程がおこな
われる。第8図はtC接続電極30にソースIC14を
接着したところの断面図である。第8図において80は
突起電極、81は導電性接合層である。前記突起電極は
Anから構成され、ボールボンディングまたはネイルヘ
ッドボンディング技術を用いてソースIC14の端子上
に2段突起状に形成される。また前記突起電極上に数十
μmの導電性接合層を形成されている。前記導電性接合
層は、接着剤としてエポキシ系、フィノール系等を主剤
として、A、 ・A、−Ni −C−3,IO□な
どのフレークを混ぜたものであり、転写等の技術で形成
される。ソースIC14はIC接続電極41と前記突起
電極および導電性接合層を介して電極的に接続される。After the inspection process is completed, a source IC connection process is performed on non-defective products. FIG. 8 is a cross-sectional view of the source IC 14 bonded to the tC connection electrode 30. In FIG. 8, 80 is a protruding electrode, and 81 is a conductive bonding layer. The protrusion electrode is made of An and is formed in a two-step protrusion shape on the terminal of the source IC 14 using ball bonding or nail head bonding technology. Further, a conductive bonding layer of several tens of micrometers is formed on the protruding electrode. The conductive bonding layer is made of a mixture of flakes such as A, ・A, -Ni-C-3, IO□, etc. with an epoxy-based or finol-based adhesive as the main adhesive, and is formed by a technique such as transfer. be done. The source IC 14 is electrically connected to the IC connection electrode 41 via the protruding electrode and the conductive bonding layer.
次に電気オーブン・ヒートコラムなどの方法を用い、導
電性接合層を本硬化させ液晶表示パネルは完成する。Next, the conductive bonding layer is fully cured using a method such as an electric oven or a heat column to complete the liquid crystal display panel.
なお、本発明の液晶表示パネルの製造方法の説明で、パ
ネル化工程後検査工程をおこなうとしたが、検査工程後
、パネル化工程をおこなっても同様の効果が得られるこ
とは明らかである。したがって検査工程後、パネル化工
程をおこなってもよい。In the description of the method for manufacturing a liquid crystal display panel of the present invention, an inspection process is performed after the panel forming process, but it is clear that the same effect can be obtained even if the panel forming process is performed after the inspection process. Therefore, after the inspection process, a panel forming process may be performed.
また本発明の液晶表示パネルは1つの絵素電極に2つの
TPTを形成するとしたがこれに限定するものではない
。Further, although the liquid crystal display panel of the present invention has two TPTs formed on one picture element electrode, the present invention is not limited to this.
発明の効果
本発明の液晶表示パネルは、絵素駆動用のTPTおよび
走査回路を半導体基板に形成し、ソースICはCOG技
術で積載している。走査回路は比較的回路規模が小さく
容易に形成できるため、欠陥および不良の発生率が低い
。ソースICの機能を半導体基板に作りこもうとすると
、前記機能を実現するための回路は大きく、欠陥・不良
が発生しやすい。したがって、本発明の液晶表示パネル
の製造歩留まりは半導体基板にソースICの機能を作り
こんだものと比べると格段に高い。また、従来のフレキ
シブル基板を用いて、走査用ICと接続する液晶表示パ
ネルでは100μm以下のファインパターンの信号線ピ
ッチのものには対応することができないが、本発明の液
晶表示パネルでは十分対応が可能である。Effects of the Invention In the liquid crystal display panel of the present invention, a TPT for driving picture elements and a scanning circuit are formed on a semiconductor substrate, and a source IC is mounted using COG technology. Since the scanning circuit has a relatively small circuit scale and can be easily formed, the incidence of defects and failures is low. When attempting to incorporate the function of a source IC into a semiconductor substrate, the circuit for realizing the function is large and is prone to defects and failures. Therefore, the manufacturing yield of the liquid crystal display panel of the present invention is much higher than that of a panel in which the function of a source IC is built into a semiconductor substrate. In addition, conventional liquid crystal display panels that use flexible substrates and are connected to scanning ICs cannot handle fine pattern signal line pitches of 100 μm or less, but the liquid crystal display panel of the present invention can sufficiently handle the problem. It is possible.
また、本発明の液晶表示パネルの製造方法では、ソース
ICを接続する前に検査工程をおこなう。Furthermore, in the method for manufacturing a liquid crystal display panel of the present invention, an inspection step is performed before connecting the source IC.
検査工程ではS−Dショート時に発生する電流は通常1
μA以下と非常に微小である。したがって、ソースIC
が検査工程時に接続あるいは形成されていると、前記I
Cの入力インピーダンスの影響がでる。ゆえに微小な電
流を検出することは困難であり、欠陥を検出することが
できない。また、走査回路を動作させるだけで、すべて
のゲート信号線にオン電圧またはオフ電圧を一度に印加
することができる。したがって、全ゲート信号線にプロ
ーブを圧接したのと同様の効果が得られ、検査時間がリ
ド常に短縮される。またプローブの圧接はソース信号線
側だけでよく、プローブの作製コストの低減にもつなが
る。また、本発明の液晶表示パネルは1つの絵素電極に
2つのTPTを形成し、走査回路により一度にすべての
ゲート信号線に電圧を印加できるため、従来の液晶表示
パネルでは検出することのできなかったS−Dオープン
、S−Dショートをも検出することができる。以上のこ
とより、走査回路形成後、液晶表示パネルの良否を高速
にかつ容易に判定することができ、その効果は大である
。In the inspection process, the current generated during S-D short is usually 1
It is extremely small, less than μA. Therefore, the source IC
is connected or formed during the inspection process, the I
This is affected by the input impedance of C. Therefore, it is difficult to detect minute currents, and defects cannot be detected. Further, by simply operating the scanning circuit, on-voltage or off-voltage can be applied to all gate signal lines at once. Therefore, the same effect as when probes are pressed into contact with all the gate signal lines can be obtained, and the test time can be constantly shortened. Further, the probe only needs to be pressure-connected on the source signal line side, which leads to a reduction in the manufacturing cost of the probe. Furthermore, in the liquid crystal display panel of the present invention, two TPTs are formed on one picture element electrode, and voltage can be applied to all gate signal lines at once by the scanning circuit, which cannot be detected with conventional liquid crystal display panels. It is also possible to detect S-D open and S-D short that were not present. From the above, after the scanning circuit is formed, the quality of the liquid crystal display panel can be determined quickly and easily, which is highly effective.
第1図(a)〜(C)は本発明の液晶表示パネルの平面
図および断面図、第2図は本発明の液晶表示パネルの表
示領域の一部等価回路図、第3図(a)はソースIC接
続部の一部拡大平面図、第3図(b)は走査回路の機能
ブロック図、第4図は本発明の液晶表示パネルの検査用
電極形成部の一部拡大平面図、第5図(a)[有])〜
第8図は本発明の液晶表示パネルの製造方法の説明図、
第9図(a)(b)は従来の液晶表示パネルの平面図お
よび断面図、第10図は従来の液晶表示パネルの表示領
域の一部等価回路図、第11図はフレキシブル基板を接
続するための接続用電極形成部の一部拡大平面図、第1
2図(a)(b)〜第14図は従来の液晶表示パネルの
製造方法の説明図である。
10・90・・・・・・液晶、11・91・・・・・・
基板、12・92・・・・・・対向電極、13・・・・
・・検査用電極形成部、14・・・・・・ソースIC,
15・93・Gl〜G4・・・・・・ゲート信号線、1
6・94・S、−S、・・・・・・ソース信号線、17
・18・・・・・・引き出し線、19・・・・・・走査
回路形成部、20・ 100・・・・・・封止樹脂、P
、〜P44・・・・・・絵素電極、Tll〜T44・T
M、、〜TM3.・T S 、、−’r s 44・・
・・・・TFT、30・・・・・・IC接続電極、31
・・・・・・IC積載位置、32・・・・・・シフトレ
ジスタ回路、33・・・・・・ラッチ回路、34・・・
・・・ドライブ回路、35・・・・・・出力電流制限回
路、41・・・・・・検査用電極、70・・・・・・S
−Dショート、71・・・・・・G−Dショート、72
・・・・・・信号印加手段、73・・・・・・信号検出
手段、74・ 140・・・・・・クロスショート、P
S、〜PS、 ・PC,〜PG、 ・QS、 ・
Q S 4・・・・・・接続手段、SS、〜SS4
・sc、−sc。
・US2 ・US、・・・・・・選択手段、80・・・
・・・突起電極、81・・・・・・導電性接合層、95
・・・・・・接続電極形成部、96・・・・・・フレキ
シブル基板、97・・・・・・IC基板、98・・・・
・・走査IC199・・・・・・ソースIC1101・
・・・・・引き出し線、110・・・・・・接続用電極
、141・・・・・・抵抗値測定手段。
代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名1M 2
図
!J+4Ss −ソースIK % IIGl−G4−−
−ケートf!!号纜
F%r−Pu −−−1! 東 電 愉7F’fu−
1万l+−万一−・−TPT!1 銀
傘・!1=
区
32− シフトしジス9回路
33− フ1ソチロ路
34−−− ド ラ イ ブ 回 路ぴ−フ
リチ利mti子
EN −イネ−うルjw13゜
CL −一 彎11副FIll#IHグmm子41、−
−一楕l用電極
τ−
π−−−
β−−−
ソース・ドレイン矩&3τ陥
ケート・トレイ′/短に%τ陥
fl!!En1xJ季投
信号検出手段
%−クロスジコート
QSz、QSa−−−f* l!+役
USt、US濾−1訳手段
第10図
/10−m−
接績用電1
112FJ!A
+2f) −−−
浸
示 Ill 域
F。
蓚13図
8′
+40−・−クロスシュート
141−・−巻抗am定手段1(a) to (C) are a plan view and a sectional view of the liquid crystal display panel of the present invention, FIG. 2 is a partial equivalent circuit diagram of the display area of the liquid crystal display panel of the present invention, and FIG. 3(a) 3(b) is a functional block diagram of the scanning circuit; FIG. 4 is a partially enlarged plan view of the test electrode forming portion of the liquid crystal display panel of the present invention; FIG. Figure 5 (a) [Yes]) ~
FIG. 8 is an explanatory diagram of the method for manufacturing a liquid crystal display panel of the present invention,
9(a) and 9(b) are a plan view and a sectional view of a conventional liquid crystal display panel, FIG. 10 is a partial equivalent circuit diagram of a display area of a conventional liquid crystal display panel, and FIG. 11 is a connection of a flexible substrate. Partially enlarged plan view of the connection electrode forming part for
2(a) to 14 are explanatory diagrams of a conventional method of manufacturing a liquid crystal display panel. 10.90...LCD, 11.91...
Substrate, 12・92...Counter electrode, 13...
...Inspection electrode formation section, 14...Source IC,
15・93・Gl~G4・・・Gate signal line, 1
6.94.S, -S,... Source signal line, 17
・18...Leader line, 19...Scanning circuit forming part, 20・100...Sealing resin, P
, ~P44...Picture element electrode, Tll~T44・T
M,,~TM3.・TS,,-'rs 44...
...TFT, 30...IC connection electrode, 31
...IC loading position, 32...Shift register circuit, 33...Latch circuit, 34...
...Drive circuit, 35...Output current limiting circuit, 41...Testing electrode, 70...S
-D short, 71...G-D short, 72
... Signal application means, 73 ... Signal detection means, 74, 140 ... Cross short, P
S, ~PS, ・PC, ~PG, ・QS, ・
Q S 4... Connection means, SS, ~SS4
・sc, -sc.・US2 ・US,... Selection means, 80...
... Projection electrode, 81 ... Conductive bonding layer, 95
......Connection electrode forming part, 96...Flexible substrate, 97...IC board, 98...
...Scan IC199...Source IC1101...
... Lead wire, 110 ... Connection electrode, 141 ... Resistance value measuring means. Name of agent: Patent attorney Shigetaka Awano Haka 1 person 1M 2
figure! J+4Ss - Source IK % IIGl-G4--
-Kate f! ! No. F%r-Pu ---1! TEPCO Yu 7F'fu-
10,000l+-In case--TPT! 1 Gin Umbrella! 1= Ward 32- Shift Jis9 circuit 33-F1 Sochiro path 34--Drive circuit P-F-F-R-C-R-MTI-EN-I-N-W13゜CL-I-K11 SubFIll#IH group mm child 41, -
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Claims (7)
、前記スイッチング素子が接続されたゲート信号線に信
号を印加する走査回路が形成され、前記スイッチング素
子が接続されたソース信号線に、駆動用ICが導電性接
合層を介して接続されていることを特徴とする液晶表示
パネル。(1) A switching element that drives a picture element and a scanning circuit that applies a signal to a gate signal line connected to the switching element are formed on a semiconductor substrate, and a driving signal line is connected to a source signal line connected to the switching element. A liquid crystal display panel characterized in that ICs are connected via a conductive bonding layer.
ていることを特徴とする請求項(1)記載の液晶表示パ
ネル。(2) The liquid crystal display panel according to claim (1), wherein an output current control circuit is formed in the output section of the scanning circuit.
ることを特徴とする請求項(1)記載の液晶表示パネル
。(3) The liquid crystal display panel according to claim (1), wherein a plurality of switching elements are formed in one picture element.
形成された表示領域間に検査用電極が形成されているこ
とを特徴とする請求項(1)記載の液晶表示パネル。(4) The liquid crystal display panel according to claim (1), wherein an inspection electrode is formed between the electrode connecting the driving IC and the display area in which the switching element is formed.
り、通常出力電流状態と出力電流制限状態を切り換えら
れることを特徴とする請求項(2)記載の液晶表示パネ
ル。(5) The liquid crystal display panel according to claim (2), wherein the output current control circuit can be switched between a normal output current state and an output current limiting state by an applied external input signal.
グ素子と走査回路を形成し、前記基板上に対向電極が形
成された基板を取りつけ、前記基板間に液晶を注入して
パネル化し、走査回路を動作させ、かつ検査用パットを
用いて前記液晶パネルの検査工程をおこない、次にソー
ス信号線に突起電極が形成された駆動用ICを導電性接
合層を介して接続することを特徴とする液晶表示パネル
の製造方法。(6) A switching element for driving picture elements and a scanning circuit are formed on a polysilicon substrate, a substrate on which a counter electrode is formed is mounted on the substrate, liquid crystal is injected between the substrates to form a panel, and the scanning circuit is formed. The liquid crystal panel is operated and an inspection pad is used to perform an inspection process on the liquid crystal panel, and then a driving IC having a protruding electrode formed on a source signal line is connected via a conductive bonding layer. A method for manufacturing a liquid crystal display panel.
とにより行なうことを特徴とする請求項(6)記載の液
晶表示パネルの製造方法。(7) The method for manufacturing a liquid crystal display panel according to claim (6), wherein the inspection step is performed by detecting a current flowing through a source signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7536089A JPH02251992A (en) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Liquid crystal display panel and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7536089A JPH02251992A (en) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Liquid crystal display panel and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02251992A true JPH02251992A (en) | 1990-10-09 |
Family
ID=13573979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7536089A Pending JPH02251992A (en) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | Liquid crystal display panel and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02251992A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5701167A (en) * | 1990-12-25 | 1997-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | LCD having a peripheral circuit with TFTs having the same structure as TFTs in the display region |
US5859445A (en) * | 1990-11-20 | 1999-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device including thin film transistors having spoiling impurities added thereto |
US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7536089A patent/JPH02251992A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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