JPH02226954A - Photoelectric converter - Google Patents
Photoelectric converterInfo
- Publication number
- JPH02226954A JPH02226954A JP1047411A JP4741189A JPH02226954A JP H02226954 A JPH02226954 A JP H02226954A JP 1047411 A JP1047411 A JP 1047411A JP 4741189 A JP4741189 A JP 4741189A JP H02226954 A JPH02226954 A JP H02226954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- board
- transparent
- sensor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- -1 acryl Chemical group 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 24
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分舒]
本発明は、光電変換、装置に関し、特に光電変換素子(
光センサ)アレイを設けてなる光電変換装置に適用して
好適なものである。[Detailed description of the invention] [Usage in business] The present invention relates to a photoelectric conversion device, and particularly to a photoelectric conversion element (
The present invention is suitable for application to a photoelectric conversion device provided with an optical sensor array.
[従来の技術]
光電変換装置を小型化するとともに、歩留りを向上して
製造価格等の低廉化を図ったものとして、従来特開昭1
io−132452号および特開昭62−97370号
等に開示されたものがある。これらにおいては、光セン
サを設けたセンサ基板を他の工程で作成した支持体(以
下実装基板という)上に担持させる構成が開示されてい
る。[Prior art] As a method for miniaturizing photoelectric conversion devices, improving yields, and reducing manufacturing costs, etc.,
There are those disclosed in io-132452 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-97370. These disclose a configuration in which a sensor substrate provided with an optical sensor is supported on a support (hereinafter referred to as a mounting substrate) prepared in another process.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、これら従来例においては以下のような問
題点が生じていた。[Problems to be Solved by the Invention] However, these conventional examples have the following problems.
まず、特開昭60−132452号においては、実装基
板としての絶縁性セラミック基板上に駆動回路部として
の厚膜回路を形成し、かつ光センサアレイ部を実装基板
上に固定し、厚膜回路と光センサアレ1イ部とをワイヤ
ボンディング法により接続した構成が示されている。し
かしながら、この構成では、実装基板が非透光性である
ために光源の配置が制約を受け、充分な小型化を達成し
えないおそれが生じている。First, in JP-A-60-132452, a thick film circuit as a drive circuit is formed on an insulating ceramic substrate as a mounting board, an optical sensor array part is fixed on the mounting board, and the thick film circuit is A configuration is shown in which the optical sensor array 1 and the optical sensor array 1 are connected by a wire bonding method. However, in this configuration, since the mounting board is non-light-transmitting, the arrangement of the light source is restricted, and there is a possibility that sufficient miniaturization cannot be achieved.
一方、特開昭62−97370号においては、光センサ
アレイが形成されている透光性を有するセンサ基板を透
光性を有する実装基板上に固定し、光センサ上に不通光
性樹脂のモールドを施した構成が示されている。そして
、情報光を透光性実装基板および透光性センサ基板を介
して光センサ上に受容するとともに、透光性実装基板面
には不要な光線の入射を防止する遮光板が設けである。On the other hand, in JP-A No. 62-97370, a light-transmitting sensor substrate on which an optical sensor array is formed is fixed onto a light-transmitting mounting board, and a light-impermeable resin mold is placed on the optical sensor. A configuration with this is shown. Information light is received onto the optical sensor via the light-transmitting mounting board and the light-transmitting sensor board, and a light shielding plate is provided on the surface of the light-transmitting mounting board to prevent unnecessary light from entering.
しかしながら、この構成では、原稿面からの情報光が透
光性実装基板内と透光性センサ基板内とを透過して受光
素子(光センサ)へ入射するために、情報光の光センサ
までの到達経路が長くなって光量ロスが発生し易く、ま
た各層での拡散光による迷光成分が発生してしまい、S
/N比の低下やセンサ出力の低下が生じるおそれがあり
た。However, in this configuration, the information light from the document surface passes through the translucent mounting board and the translucent sensor board and enters the light receiving element (optical sensor). The arrival path becomes longer, which tends to cause loss of light quantity, and stray light components due to diffused light in each layer are generated, resulting in S
There was a risk that the /N ratio would decrease or the sensor output would decrease.
一方、特開昭62−97370号では、透光性実装基板
と透光性センサ基板との間の全面に透明接着剤を塗布す
ることが開示されているが、この接着層内に気泡が混入
する場合があり、この気泡が光量ロスおよび迷光成分の
発生の原因となることもある。On the other hand, JP-A No. 62-97370 discloses applying a transparent adhesive to the entire surface between a light-transmitting mounting board and a light-transmitting sensor board, but air bubbles may be mixed into this adhesive layer. These bubbles may cause loss of light quantity and generation of stray light components.
また、透明接着剤を選択するには光量ロスの少ない、す
なわち透過率の高い接着剤が必要となるので、接着剤の
選択の自由度が小となる。Furthermore, since selecting a transparent adhesive requires an adhesive with low light loss, that is, high transmittance, the degree of freedom in selecting the adhesive is reduced.
さらに、透光性実装基板と透光性センナ基板との間の応
力の緩和についても考慮する必要がある。Furthermore, it is necessary to consider relaxation of stress between the light-transmitting mounting board and the light-transmitting sensor board.
[課題を解決するための手段]
本発明は、これら問題点を解決することを目的とし、そ
のために画像情報の読取りに係る原稿との対向面側に光
電変換素子が設けられ、透光性を有する基板と、その基
板を支持し、透光性を有する支持体と、支持体の基板に
対する支持面とは反対の面側に設けられた光源と、支持
体と基板との間”に配置され、光源から出射した光の光
路部分に設けられた空隙部とを具え、光源から出射した
光が支持体、空隙部および基板を透過して原稿に照射さ
れ、当該反射光が光電変換素子に受容されるようにした
ことを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The present invention aims to solve these problems, and for this purpose, a photoelectric conversion element is provided on the side facing the original for reading image information, and a light-transmitting element is provided. a light source disposed between the support body and the substrate; and a cavity provided in the optical path of the light emitted from the light source, the light emitted from the light source passes through the support, the cavity, and the substrate and is irradiated onto the original, and the reflected light is received by the photoelectric conversion element. It is characterized in that it is made to be
[作 用]
本発明によれば、透光性実装基板(支持体)内を照明光
が透過するために光源の配置の自由度が向上して小型化
が可能となり2また情報光(原稿面からの反射光)が透
光性実装基板内および基板(透光性センサ基板)内を透
過しない構成であるので、情報光の光量ロスおよび拡散
がなく、S/N比が向上し、センサ出力も向上する。本
発明では、基板および実装基板を照明光が透過する構成
であるので、照明光が透過する際の適度な光量ロスおよ
び拡散によって照明光が各センサに悪影響を及ぼすこと
がなく、原稿に対して均一な照明を行うことができる。[Function] According to the present invention, since the illumination light is transmitted through the transparent mounting board (support body), the degree of freedom in arranging the light source is improved and miniaturization is possible. Since the structure is such that the reflected light (reflected light from It also improves. In the present invention, since the illumination light is configured to pass through the board and the mounting board, the illumination light does not have an adverse effect on each sensor due to moderate light loss and diffusion when the illumination light passes through, and the illumination light does not affect the document. Uniform illumination can be achieved.
さらに、透光性実装基板とセンサ基板との間の光路部分
は空隙部(空気層)としたことにより、両基板接着時の
接着剤の気泡排除の工程が不要となる。また、接着剤の
選択の幅が拡大される。Furthermore, by forming a gap (air layer) in the optical path between the translucent mounting board and the sensor board, the step of removing air bubbles from the adhesive when bonding the two boards together becomes unnecessary. Moreover, the range of adhesive selection is expanded.
[実施例コ 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。[Example code] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図(八)および(1’りは、それぞれ本発明の一実
施例に係る光電変換装置の側面図および斜視図である。FIGS. 1(8) and 1(1') are a side view and a perspective view, respectively, of a photoelectric conversion device according to an embodiment of the present invention.
ここで、透光性センサ基板1は石英ガラスや硼珪酸ガラ
ス等の透光性および絶縁性を有する基体上に半導体プロ
セス等により形成された光センサアレイを有する。透光
性実装基板2は、石英ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダガ
ラス、あるいはアクリル(アルカリ元素の溶出や拡散を
防ぐ5i02等の保護膜が設けられたものであってもよ
い)等の透光性および絶縁性を有する基体上に、厚膜印
刷法により形成されたへg、へg−Pd、 Ag−PL
。Here, the light-transmitting sensor substrate 1 has an optical sensor array formed by a semiconductor process or the like on a light-transmitting and insulating substrate such as quartz glass or borosilicate glass. The translucent mounting board 2 is made of translucent material such as quartz glass, borosilicate glass, soda glass, or acrylic (it may be provided with a protective film such as 5i02 to prevent elution and diffusion of alkali elements). and Heg, Heg-Pd, and Ag-PL formed by thick film printing on a substrate with insulating properties.
.
^U等、またはフォトリソグラフィにより形成されt’
、 An 、Cu、Mo、ITO等の配線部4を有して
いる。これ゛ら基板の基体には、熱膨張係数が近似した
ものを用いる。^U etc. or formed by photolithography t'
, An, Cu, Mo, ITO, or the like. For the base of these substrates, materials with similar thermal expansion coefficients are used.
配線IK54はセンサ部と不図示の駆動回路部とを接続
する。そして、透光性実装基板2上に透光性センサ基板
1を接着層5により接着する。The wiring IK54 connects the sensor section and a drive circuit section (not shown). Then, the light-transmitting sensor substrate 1 is bonded onto the light-transmitting mounting board 2 using the adhesive layer 5.
透光性センサ基板1と透光性実装基板2とを固着する接
着剤5はスクリーン印刷法やデイスペンサによるライン
塗布等により形成できる。そしてその接着剤としては、
例えばシリコン・ゴム系の室温硬化型接着剤、光硬化型
アクリル系接着剤等があげられる。透光性センサ基板1
および透光性実装基板2の各基体と熱膨張率が近似した
材質のものが用いられ、センサ基板1の周縁部に対応し
た部位、例えば光電変換装置の長手方向の両側部(さら
には両端部)に配置されて基板1.2の接着を行う。こ
れにより、光源3からの照明光の光路部には空It!
(空気層)5^が形成される。The adhesive 5 for fixing the translucent sensor substrate 1 and the translucent mounting substrate 2 can be formed by screen printing, line coating using a dispenser, or the like. And as the adhesive,
Examples include silicone/rubber-based room temperature curing adhesives, photo-curing acrylic adhesives, and the like. Translucent sensor board 1
A material having a coefficient of thermal expansion similar to that of each base of the translucent mounting board 2 is used. ) to bond the substrate 1.2. As a result, the optical path of the illumination light from the light source 3 is empty!
(Air layer) 5^ is formed.
また、透光性センサ基板1と透光性実装基板2の配線部
4とは、ワイヤボンディング、半田付等で電気的に接続
されている。Further, the light-transmitting sensor substrate 1 and the wiring portion 4 of the light-transmitting mounting board 2 are electrically connected by wire bonding, soldering, or the like.
而して、光源3からの照明光りは透光性実装基板2.空
気層5八および透光性センサ基板l内を透過して原稿6
に照射され、原稿6から反射した情報光が透光性センサ
基板1上の受光素子に入射して受光素子より画像信号と
して出力される。Thus, the illumination light from the light source 3 is transmitted to the transparent mounting board 2. The original 6 passes through the air layer 58 and the translucent sensor substrate l.
The information light reflected from the document 6 enters the light receiving element on the translucent sensor substrate 1 and is outputted from the light receiving element as an image signal.
本例によれば、情報光は実装基板2およびセンサ基板1
を介することなく光センサに受容されるので、光量ロス
や迷光成分によるS/N比の低下も生じない。また、本
例によれば透光性センサ基板1と透光性実装基板2とは
各々独立した部品として取り扱うことができ、すなわち
各別の工程で製作することが可能となり、従って製造工
程を統一化する必要がなくなるとともに各別の検査工程
で良品のみを使用するようにすることが可能となり、総
合的な歩留りが向上する。また、光センナ部のみを基板
1の基体上に配置することから、ある広がりを有する基
体素材について多数個の基板1を一括製造することもで
き、コストダウンが可能となる。さらに、透光性実装基
板2上には配線部4の他に駆動用ICチップや出力増幅
用icチップ等を搭載することも可能であり、その場合
にはさらなるコストダウンが可能となる。さらに、光源
3を透光性実装基板2の裏面側に配置することにより、
ユニット外形寸法がさらに小型化する。According to this example, the information light is transmitted to the mounting board 2 and the sensor board 1.
Since the light is received by the optical sensor without passing through the light, there is no reduction in the S/N ratio due to light loss or stray light components. Furthermore, according to this example, the translucent sensor board 1 and the translucent mounting board 2 can be handled as independent components, that is, they can be manufactured in separate processes, thus unifying the manufacturing process. It becomes possible to use only non-defective products in each separate inspection process, and the overall yield improves. Furthermore, since only the optical sensor section is disposed on the base of the substrate 1, it is possible to manufacture a large number of substrates 1 at once using a base material having a certain extent, and it is possible to reduce costs. Furthermore, it is also possible to mount a driving IC chip, an output amplification IC chip, etc. in addition to the wiring section 4 on the transparent mounting board 2, and in that case, further cost reduction becomes possible. Furthermore, by arranging the light source 3 on the back side of the translucent mounting board 2,
The external dimensions of the unit are further reduced.
すなわち、本実施例によると、透光性を有する実装基板
内を照明光が透過する構成としたので、光源の配置の自
由度が向上し、すなわち光源を透光性実装基板の裏面側
に配置可能となり、光電変換装置を適用する装置の更な
る小型化が達成できる。In other words, according to this embodiment, since the illumination light is transmitted through the light-transmitting mounting board, the degree of freedom in arranging the light source is improved, that is, the light source is placed on the back side of the light-transmitting mounting board. This makes it possible to achieve further miniaturization of devices to which the photoelectric conversion device is applied.
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンナ出力も良好
なものとなる。In addition, since the information light does not pass through the light-transmitting mounting board or the light-transmitting sensor board, there is no light loss or diffusion of the information light, and the S/N ratio is improved and the sensor output is also good. becomes.
さらに、透光性実装基板と透光性センサ基板とに熱膨張
係数が近似した材料の基体を用いることにより、両者の
接合により生じる応力の緩和が可能となり、基板の反り
や割れが発生しにくい。Furthermore, by using a substrate made of a material with a thermal expansion coefficient similar to that of the translucent mounting board and the translucent sensor board, it is possible to alleviate the stress caused by bonding the two, making it difficult for the board to warp or crack. .
加えて、透光性実装基板上に配線部を設けたことにより
、装置としての小型化が達成され、透光性実装基板と透
光性センサ基板の間に配線部を設ければ、更なる小型化
も可能となる。In addition, by providing the wiring section on the translucent mounting board, miniaturization of the device is achieved, and by providing the wiring section between the translucent mounting board and the translucent sensor board, further Downsizing is also possible.
また、透光性実装基板2と透光性センサ基板1との間の
照明光の光路部に空気層5Aを設けであるので、接着N
5の気泡ぬきの工程が不要となフて工程が簡略化でき、
コストダウンが達成できる。In addition, since the air layer 5A is provided in the optical path of the illumination light between the translucent mounting board 2 and the translucent sensor substrate 1, the adhesive N
The process of removing air bubbles in step 5 is not necessary, which simplifies the process.
Cost reduction can be achieved.
さらに、接着剤の透過率に関わりなく、例えば着色接着
剤も使用できるようになり、接着剤の選択の自由度が向
上する。Furthermore, regardless of the transmittance of the adhesive, for example, a colored adhesive can be used, increasing the degree of freedom in selecting the adhesive.
加えて、接着剤が部分的に塗布されて硬化した状態であ
るので、透光性実装基板2と透光性センサ基板lとの熱
膨張率に差があっても接着剤の弾力性により応力を緩和
することができる。In addition, since the adhesive is partially applied and cured, even if there is a difference in the coefficient of thermal expansion between the translucent mounting board 2 and the translucent sensor board l, stress will be reduced due to the elasticity of the adhesive. can be alleviated.
第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明を通用
可能な光電変換装置の他の実施例を示す分解斜視図およ
びその主要部分の断面図である。なお、第2図(八)に
おいては例えば両側付近に設けられる接着剤5を図示し
ていない。FIGS. 2A and 2B are an exploded perspective view and a cross-sectional view of the main parts of another embodiment of a photoelectric conversion device to which the present invention can be applied, respectively. In addition, in FIG. 2 (8), for example, the adhesive 5 provided near both sides is not shown.
本例では、透光性実装基板・2と透光性センサ基板1と
の間に遮光層7が設けである。遮光N7は光路りに応じ
て適切に定めたスリット状窓部7^の周囲に配置される
もので、配線部4と同一プロセスかつ同一金属材料を用
いて形成することも可能であるし、スクリーン印刷法や
ディスペンス法等による非透光性樹脂によりて形成して
もよい。In this example, a light shielding layer 7 is provided between the light-transmitting mounting board 2 and the light-transmitting sensor board 1. The light shielding N7 is arranged around the slit-shaped window part 7^ that is appropriately determined according to the optical path, and can be formed using the same process and the same metal material as the wiring part 4, or the screen It may also be formed using a non-transparent resin by a printing method, a dispensing method, or the like.
いずれにしても、第2図のような構成によねば、第1図
について述べた基本的な効果に加え、遮光層7により光
源からの照明光の内、信号出力の雑音となるような迷光
、例えば透光性実装基板2での乱反射成分を遮断するこ
とにより、出力信号の解像度を向上することができる。In any case, according to the configuration shown in FIG. 2, in addition to the basic effect described in FIG. For example, by blocking the diffused reflection component on the transparent mounting board 2, the resolution of the output signal can be improved.
なお、上記した第1図の構成において、接着剤5を不透
光性のものとすることにより遮光層として機能させても
よく、この場合には別途遮光層7を設ける工程が不要と
なる。換言すれば、第1図において接着剤5は不透光性
のものも選択でき、その意味で接着剤としての材料選択
の幅が拡大されるものであるが、その場合には接着剤S
自体を遮光層として機能させることもできるようになる
わけである。In the configuration shown in FIG. 1 described above, the adhesive 5 may be made non-transparent to function as a light-shielding layer, and in this case, the step of separately providing the light-shielding layer 7 is not necessary. In other words, the adhesive 5 shown in FIG.
This makes it possible for the material itself to function as a light-shielding layer.
第3図は第1図または第2図の実施例に係る光電変換装
置のより詳細な断面構造を示す。FIG. 3 shows a more detailed cross-sectional structure of the photoelectric conversion device according to the embodiment shown in FIG. 1 or 2. FIG.
ここで、透光性を有するガラス等で形成した基体1′上
には、マトリクス配線部9、照明窓10、受光素子11
、電荷蓄積部(コンデンサ部)12、および蓄積された
電荷を適宜のタイミングで転送するためのスイッチング
用の薄1摸トランジスタ(TPT)13を含む光センサ
が一体形成されている。Here, a matrix wiring section 9, an illumination window 10, a light receiving element 11
, a charge storage section (capacitor section) 12, and a light sensor including a switching thin transistor (TPT) 13 for transferring the accumulated charge at an appropriate timing.
そして、このように構成された透光性センサ基板lが接
着層5(光路部は空気層5A)を介して透光性実装基板
2上に支持されている。これら各部は、すべて同一の製
造プロセスで形成することが可能である。そして各部の
層構成は、例えばC「で基体上に形成され、センサ部の
遮光層下電極15、その上部に配置された水素化窒化シ
リコン(SiNx:If)の絶縁層、その上部の水素化
アモルファスシリコン(a−5i+ll)の半導体層、
その上部のn’a−5i+Hのオーミック層、さらにそ
の上部に配置したへ1等の上電極から成るものである。The light-transmitting sensor board 1 configured in this manner is supported on the light-transmitting mounting board 2 via the adhesive layer 5 (the optical path portion is an air layer 5A). All of these parts can be formed using the same manufacturing process. The layer structure of each part is, for example, C' formed on the substrate, a light-shielding layer lower electrode 15 of the sensor section, an insulating layer of silicon hydrogenated nitride (SiNx: If) placed above it, and a hydrogenated silicon layer above it. Semiconductor layer of amorphous silicon (a-5i+ll),
It consists of an n'a-5i+H ohmic layer on top of the ohmic layer, and an upper electrode of the first order placed above the ohmic layer.
このような構成の光センサ部は、パシベーション層19
によって覆われ、さらにこのパシベーション層19上に
接着層20を介して例えば50μm厚の薄板ガラス14
が設けられる。そしてこの薄板ガラス14上を原稿が摺
動するものであり、薄板ガラス14は受光素子11と原
稿6とのVf!離を一定に保つスペーサ層として機能す
るとともに、耐摩耗層としても機能する。The optical sensor section having such a configuration has a passivation layer 19.
Further, on this passivation layer 19, a thin plate glass 14 having a thickness of, for example, 50 μm is placed via an adhesive layer 20.
will be provided. The original slides on this thin glass 14, and the thin glass 14 allows the Vf between the light receiving element 11 and the original 6 to be lowered. It functions as a spacer layer that keeps the distance constant, and also functions as a wear-resistant layer.
かかる構成において、透光性実装基板2の裏側から照射
された照明光しは、透光性実装基板2と透光性センサ基
板1とを透過し、照明窓10を通って薄板ガラス14上
の原稿6を照明する。そして、原稿6で反射された情報
光L′は受光素子11に入射する。In this configuration, the illumination light emitted from the back side of the translucent mounting board 2 passes through the translucent mounting board 2 and the translucent sensor board 1, passes through the illumination window 10, and reaches the surface of the thin glass 14. The original 6 is illuminated. Then, the information light L' reflected by the original 6 enters the light receiving element 11.
第4図は以上のような基本的構成を有する光電変換装置
をユニット化した構成の一例を示す分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view showing an example of a unitized configuration of a photoelectric conversion device having the above basic configuration.
また、第5図(A)はそのセンサユニットの平面図、同
図(B)は同じくその側面図、同図(C)は同じくその
裏面図、同図(D)は同じくそのD−D’線断面図、同
図(E)は同じくそのE−E’線断面図である。図示の
例では、透光性センサ基板1を透光性実装基板2上へ接
着固定し、この透光性実装基板2をベースプレート22
へ固定し、さらにICカバー23で押える。つぎにベー
スプレート22の下面に光fA3を固定する。そして、
ユニットからはフレキシブル配線24およびコネクタ2
5を経由して画像信号を出力することができる。5(A) is a plan view of the sensor unit, FIG. 5(B) is a side view thereof, FIG. 5(C) is a rear view thereof, and FIG. 5(D) is a DD' A cross-sectional view taken along the line E-E' is also shown in FIG. In the illustrated example, a translucent sensor board 1 is adhesively fixed onto a translucent mounting board 2, and this translucent mounting board 2 is attached to a base plate 22.
and further press down with the IC cover 23. Next, the light fA3 is fixed to the lower surface of the base plate 22. and,
From the unit, flexible wiring 24 and connector 2
An image signal can be output via 5.
さらに、このようにして構成されたセンサユニット10
0を用いて、ファクシミリ装置、イメージリーダその他
の種々の装置を構成することができる。Furthermore, the sensor unit 10 configured in this way
0 can be used to configure facsimile machines, image readers, and various other devices.
第6図は本例に係るセンサユニット100を用いて構成
した画像処理装置(例えばファクシミリ)の−例を示す
。FIG. 6 shows an example of an image processing apparatus (for example, a facsimile) configured using the sensor unit 100 according to this example.
ここで、102は原稿6を読取り位置に向けて給送する
ための給送ローラ、104は原稿6を一枚ずつ確実に分
離給送するための分離片である。108は゛センサユニ
ッl−100に対向して読取り位置に設けられて原稿6
の被読取り面を規制するとともに原稿6を搬送するプラ
テンローラである。Here, 102 is a feeding roller for feeding the original 6 toward the reading position, and 104 is a separation piece for reliably separating and feeding the original 6 one by one. 108 is provided at a reading position facing the sensor unit l-100 and reads the original 6.
This is a platen roller that regulates the surface to be read and conveys the document 6.
Pは図示の例ではロール紙形態とした記録媒体であり、
センサユニット100により読取られた画像情報、ある
いはファクシミリ装置等の場合には外部から送信された
画像情報が形成される。110は当該画像形成を行うた
めの記録ヘッドであり、サーマルヘッド、インクジェッ
ト記録ヘッド等種々のものを用いることができる。また
、この記録ヘッドは、シリアルタイプのものでも、ライ
ンタイプのものでもよい。112は記録ヘッド110に
よる記録位置に対して記録媒体Pを搬送するとともにそ
の被記録面を規制するプラテンローラである。P is a recording medium in the form of roll paper in the illustrated example,
Image information read by the sensor unit 100 or, in the case of a facsimile machine, image information transmitted from the outside is formed. Reference numeral 110 is a recording head for forming the image, and various types such as a thermal head and an inkjet recording head can be used. Further, this recording head may be of a serial type or a line type. A platen roller 112 transports the recording medium P to a recording position by the recording head 110 and regulates the recording surface thereof.
120は操作入力を受容するスイッチや、メツセージそ
の他装置の状態を報知するための表示部等を配したオペ
レーションパネルである。130はシステムコントロー
ル基板であり、各部の制御を行う制御部や、光センサの
駆IJ回路部9画像情報の処理部、送受信部等が設けら
れる。140は装置の電源である。Reference numeral 120 denotes an operation panel equipped with switches for receiving operation inputs, a display section for notifying messages and other device statuses, and the like. Reference numeral 130 denotes a system control board, which is provided with a control section for controlling each section, a processing section for image information of the optical sensor drive IJ circuit section 9, a transmitting/receiving section, and the like. 140 is a power source for the device.
以上の実施例においては、光電変換装置と原稿6との間
に光学系を介在させずに、原稿が密着または近接して読
取りが行われる構成について述べたが、情報光(原稿面
からの反射光)を光学系を介して受光素子上に結像させ
る構成に対しても本発明は有効に適用できる。In the embodiments described above, a configuration was described in which the document is read in close contact with or in close proximity to the photoelectric conversion device and the document 6 without interposing an optical system between the photoelectric conversion device and the document 6. The present invention can also be effectively applied to a configuration in which an image of light (light) is formed on a light receiving element via an optical system.
すなわち、第7図に示すように、透光性センサ基板1と
原稿6との間に集束性光伝送体アレイまたはファイバプ
レートのような光学系部材8を用いた構成であっても、
本発明を容易に通用可能である。That is, as shown in FIG. 7, even if the configuration uses an optical system member 8 such as a convergent light transmitter array or a fiber plate between the translucent sensor substrate 1 and the original 6,
The present invention can be easily applied.
また、上側では透光性実装基板上に配線部を形成したが
、他の部材に設けられていてもよい。この場合、例えば
透光性センサ基板からフレキシブル配線等により直接配
線を引出してもよい。Moreover, although the wiring portion is formed on the transparent mounting board in the upper side, it may be provided on another member. In this case, for example, the wiring may be directly drawn out from the light-transmitting sensor substrate using flexible wiring or the like.
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、本実施例゛によ
ると、透光性を有する実装基板内を照明光が透過する構
成としたので、光源の配置の自由度が向上し、すなわち
光源を透光性実装基板の裏面側に配置可能となり、光電
変換装蓋を適用する装置の更なる小型化が達成できる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, according to the present embodiment, since the illumination light is transmitted through the mounting board having translucency, the degree of freedom in arranging the light source is increased. In other words, it becomes possible to arrange the light source on the back side of the light-transmitting mounting board, and further miniaturization of the device to which the photoelectric conversion device is applied can be achieved.
また、情報光は透光性実装基板内および透光性センサ基
板内を透過しない構成であるので、情報光の光量ロスお
よび拡散がなく、S/N比が向上してセンサ出力も良好
なものとなる。In addition, since the information light does not pass through the light-transmitting mounting board or the light-transmitting sensor board, there is no light loss or diffusion of the information light, and the S/N ratio is improved and the sensor output is also good. becomes.
さらに、透光性実装基板と透光性センサ基板との間の照
明光の光路部に空気層を設けであるので、接看層の気泡
ぬきの工程が不要となって工程が簡略化でき、コストダ
ウンが達成できる。Furthermore, since an air layer is provided in the optical path of the illumination light between the light-transmitting mounting board and the light-transmitting sensor board, the process can be simplified by eliminating the need for removing air bubbles from the viewing layer. Cost reduction can be achieved.
さらに、接着剤の透過率に関わりなく、例えば着色接着
剤も使用できるようになり、接着剤の選択の自由度が向
上する。Furthermore, regardless of the transmittance of the adhesive, for example, a colored adhesive can be used, increasing the degree of freedom in selecting the adhesive.
加えて、接着剤が部分的に塗布されて硬化した状態であ
るので、透光性実装基板と透光性センナ幕板との熱膨張
率に差があっても接着剤の弾力性により応力を緩和する
ことができる。In addition, since the adhesive is partially applied and cured, even if there is a difference in thermal expansion coefficient between the translucent mounting board and the translucent sensor curtain plate, the elasticity of the adhesive will reduce stress. It can be relaxed.
第1図(^)および(B)は、それぞれ本発明の一実施
例に係る光電変換装置の側面図および斜視図、
第2図(A)および(B)は、それぞれ、本発明の他の
実施例に係る光電変換装置の分解斜視図および模式的断
面図、
第3図は第1図(A) 、 (l])または第2図(A
) 、 (B)の実施例に係る光電変換装置のより詳細
な断面図、
第4図は光電変換装置を用いて構成したセンサユニット
の一例を示す分解斜視図、
第5図(^) 、 (B) 、 (C) 、 (D)お
よび(E)は、それぞれ、そのセンサユニットの平面図
、側面図、裏面図、 D−D線断面図およびE−E’線
断面図、第6図は本発明を適用可能な画像処理装置の一
例を示す断面図、
第7図は本発明のさらに他の実施例を示す模式的断面図
である。
1・・・透光性センサ基板、
2・・・透光性実装基板(支持体)、
3・・・光源、
4・・・配線部、
5・・・接着層、
5^・・・空気層、
6・・・原稿、
7・・・遮光層、
8・・・光学系部材。
第2図CB)
第5図(E)1(^) and (B) are respectively a side view and a perspective view of a photoelectric conversion device according to one embodiment of the present invention, and FIGS. 2(A) and (B) are respectively a side view and a perspective view of a photoelectric conversion device according to another embodiment of the present invention. An exploded perspective view and a schematic cross-sectional view of the photoelectric conversion device according to the example, FIG. 3 is similar to FIG.
), (B) A more detailed cross-sectional view of the photoelectric conversion device according to the embodiment, FIG. 4 is an exploded perspective view showing an example of a sensor unit configured using the photoelectric conversion device, and FIG. 5 (^), ( B), (C), (D) and (E) are respectively a plan view, a side view, a back view, a sectional view taken along the line DD and a sectional view taken along the line EE', and FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of an image processing apparatus to which the present invention can be applied. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing still another embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Translucent sensor board, 2... Transparent mounting board (support body), 3... Light source, 4... Wiring part, 5... Adhesive layer, 5^... Air layer, 6... original, 7... light shielding layer, 8... optical system member. Figure 2 CB) Figure 5 (E)
Claims (1)
換素子が設けられ、透光性を有する基板と、該基板を支
持し、透光性を有する支持体と、該支持体の前記基板の
支持面とは反対の面側に設けられた光源と、前記支持体
と前記基板との間に配置され、前記光源から出射した光
の光路部分に設けられた空隙部とを具え、前記光源から
出射した光が前記支持体、前記空隙部および前記基板を
透過して前記原稿に照射され、当該反射光が前記光電変
換素子に受容されるようにしたことを特徴とする光電変
換装置。 2)前記空隙部は、前記支持体と前記基板との間に前記
光路部分を除いて接着層を配置することにより形成され
ることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。[Scope of Claims] 1) A substrate having a light-transmitting property and having a photoelectric conversion element provided on the side facing the original for reading image information; a support supporting the substrate and having a light-transmitting property; , a light source provided on the side of the support opposite to the support surface of the substrate, and a gap disposed between the support and the substrate and provided in an optical path portion of the light emitted from the light source. The light emitted from the light source is transmitted through the support, the gap, and the substrate, and is irradiated onto the document, and the reflected light is received by the photoelectric conversion element. Photoelectric conversion device. 2) The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the void portion is formed by disposing an adhesive layer between the support body and the substrate except for the optical path portion.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1047411A JPH02226954A (en) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | Photoelectric converter |
GB9003730A GB2228366B (en) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
GB9301830A GB2262658B (en) | 1989-02-21 | 1990-02-19 | Photoelectric converter |
DE4005324A DE4005324C2 (en) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Photoelectric converter |
FR9002041A FR2643747B1 (en) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | PHOTOELECTRIC CONVERTER AND IMAGE READING APPARATUS ON WHICH IT IS MOUNTED |
US07/481,227 US5121225A (en) | 1989-02-21 | 1990-02-20 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
NL9000418A NL194486C (en) | 1989-02-21 | 1990-02-21 | Photoelectric converter and image reading device provided with such a converter. |
US07/845,052 US5261013A (en) | 1989-02-21 | 1992-03-03 | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1047411A JPH02226954A (en) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | Photoelectric converter |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07008293A Division JP3120948B2 (en) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | Mounting board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02226954A true JPH02226954A (en) | 1990-09-10 |
Family
ID=12774390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1047411A Pending JPH02226954A (en) | 1989-02-21 | 1989-02-28 | Photoelectric converter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02226954A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007300141A (en) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Image sensor |
WO2009107209A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 株式会社渕上ミクロ | Heater device, measuring device, and method of estimating heat conductivity |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63102361A (en) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Seiko Epson Corp | Contact type solid-state image pickup device |
JPH02185064A (en) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Ricoh Co Ltd | Complete contact type actual size sensor |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1047411A patent/JPH02226954A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63102361A (en) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Seiko Epson Corp | Contact type solid-state image pickup device |
JPH02185064A (en) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Ricoh Co Ltd | Complete contact type actual size sensor |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007300141A (en) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Image sensor |
WO2009107209A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | 株式会社渕上ミクロ | Heater device, measuring device, and method of estimating heat conductivity |
CN102217414A (en) * | 2008-02-27 | 2011-10-12 | 莫列斯日本有限公司 | Heater device, measuring device, and thermal conductivity estimating method |
JP5509443B2 (en) * | 2008-02-27 | 2014-06-04 | 日本モレックス株式会社 | Measuring apparatus and thermal conductivity estimation method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5065006A (en) | Image sensors with simplified chip mounting | |
US5121225A (en) | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same | |
US5261013A (en) | Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same | |
JPH03161968A (en) | Photoelectric transducer | |
JPH02226954A (en) | Photoelectric converter | |
JPH02219358A (en) | Photoelectric converter | |
JP3120948B2 (en) | Mounting board | |
JP2854593B2 (en) | Photoelectric conversion device and image processing device | |
JPH0250566A (en) | N-magnified optical sensor | |
JPH02226768A (en) | Photoelectric conversion device | |
JP3255762B2 (en) | Complete contact image sensor unit | |
JPH02226953A (en) | Photoelectric converter | |
JPS61188964A (en) | Contact type image sensor | |
JP2573432Y2 (en) | Image sensor | |
JP3109679B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JPH0222872A (en) | Optical sensor device | |
JPH05303058A (en) | Optical fiber array substrate and complete-contact type image sensor using optical fiber array substrate | |
JP3116734B2 (en) | Complete contact image sensor unit | |
JP3551173B2 (en) | Image sensor unit | |
JP2998468B2 (en) | Complete contact image sensor unit and manufacturing method | |
JPH06350800A (en) | Method for recognizing plate having optical fiber array and semiconductor device using the plate | |
JP2548680Y2 (en) | Image sensor | |
JPH06350799A (en) | Closely contact type image sensor unit | |
JPH05335534A (en) | Optical semiconductor device | |
JPH05183680A (en) | Close contact type image sensor unit |