JPH02214156A - 不揮発性半導体装置 - Google Patents
不揮発性半導体装置Info
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- JPH02214156A JPH02214156A JP1034369A JP3436989A JPH02214156A JP H02214156 A JPH02214156 A JP H02214156A JP 1034369 A JP1034369 A JP 1034369A JP 3436989 A JP3436989 A JP 3436989A JP H02214156 A JPH02214156 A JP H02214156A
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- Japan
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- data
- rewrite
- memory
- rewritten
- fixed
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気的に書き換え可能々不揮発性半導体を記憶
素子とした不揮発性記憶装置に関するものである。
素子とした不揮発性記憶装置に関するものである。
電気的に書き換え可能な不揮発性半導体（ｌｌａ。
ｔｒｉｏａｌｌｙ Ｉｅｒａｓａｂｌｅ ＆！１（ｌ
Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＩＪ以下ＫＩＦＲＯＭ
と呼ぶ）は、コントローラから与えられる書き込み
モード信号に従−１’Ｈ”Ｌ’に対応した情報に応じて
対応するメモリセルに例え−ｄ約ｇｏｔの高電圧が印加
されると、メモリセルのしｔＩ−値電圧が変化し、情報
が書き込まれる。そして、メモリに高電圧をかける方法
としては高電圧用の電源端子を外に設ける方法、および
ＸＯ内部に昇圧回路を設けて通常用−られる５ｖ電源か
ら昇圧させる方法とがある。
Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＩＪ以下ＫＩＦＲＯＭ
と呼ぶ）は、コントローラから与えられる書き込み
モード信号に従−１’Ｈ”Ｌ’に対応した情報に応じて
対応するメモリセルに例え−ｄ約ｇｏｔの高電圧が印加
されると、メモリセルのしｔＩ−値電圧が変化し、情報
が書き込まれる。そして、メモリに高電圧をかける方法
としては高電圧用の電源端子を外に設ける方法、および
ＸＯ内部に昇圧回路を設けて通常用−られる５ｖ電源か
ら昇圧させる方法とがある。
以上のようなＩｔ！ＩｔＰＲＯＭを記憶素子として用い
た場合、電源のオン、オフ又は印加電圧の瞬時停電の際
、ＩＩＩＩＦＲＯＭが保持して−るデータが破壊される
可能性がある。即ち、外部端子を介して電源から高電圧
を印加する場合、メモリセルへ高電圧を印加した際に、
電源のオン、オフ又は瞬停によって、コントローラから
出力される信号が不安定になると、ＩＯ側が誤って書き
込みモードになってしまう可能性があり、またｘＯ内部
に昇圧回路を設けた場合、電源のオン、オフ又は瞬停に
よって、コントローラから出力される信号が不安定にな
ると、書き込みモードを受は入れてしまう可能性がある
。
た場合、電源のオン、オフ又は印加電圧の瞬時停電の際
、ＩＩＩＩＦＲＯＭが保持して−るデータが破壊される
可能性がある。即ち、外部端子を介して電源から高電圧
を印加する場合、メモリセルへ高電圧を印加した際に、
電源のオン、オフ又は瞬停によって、コントローラから
出力される信号が不安定になると、ＩＯ側が誤って書き
込みモードになってしまう可能性があり、またｘＯ内部
に昇圧回路を設けた場合、電源のオン、オフ又は瞬停に
よって、コントローラから出力される信号が不安定にな
ると、書き込みモードを受は入れてしまう可能性がある
。
従来の１！ｔｍｐｉｏｖは電気的に書き換え可能ではあ
るが、多くの場合その一部の領域はデータを書き換える
が、他の領域は一旦書き込んだデータを書き換えること
がない読み出し専用、所ｎＲＯｉＪのような用い方をし
て−る場合がほとんどである０従って、ユーザーから見
た場合には書き込んだデータが先に述べたような原因で
乱れてしまい、そのシステムを致命的なものにしてしま
うことから守るために、さまざまな対策を施こしている
。
るが、多くの場合その一部の領域はデータを書き換える
が、他の領域は一旦書き込んだデータを書き換えること
がない読み出し専用、所ｎＲＯｉＪのような用い方をし
て−る場合がほとんどである０従って、ユーザーから見
た場合には書き込んだデータが先に述べたような原因で
乱れてしまい、そのシステムを致命的なものにしてしま
うことから守るために、さまざまな対策を施こしている
。
例えば、
（１）”入力端子にプルアップ、プルダウン抵抗をつけ
る。
る。
（２） ： ［源検出回路をＩＯ内部、又は外付けでつ
ける。
ける。
などが考えられる。しかし、これらの対策で完全に誤書
き込みからの保護を行なうには不十分であるという問題
点があった０本発明は上記従来の問題点を解消するため
になされたもので、ＩＥＦＲＯＭのメモリ領域のうち、
書き換え回数の設定された回数以上になると、データが
完全に固定される不揮発性半導体装置を得ることを目的
とする０〔課題を解決するための手段〕 本発明の不揮発性半導体装置は記憶素子の領域のうち、
書き換え回数の制限を設け、その回数を越えると、完全
にデータが固定される領域を設け−たものである。
き込みからの保護を行なうには不十分であるという問題
点があった０本発明は上記従来の問題点を解消するため
になされたもので、ＩＥＦＲＯＭのメモリ領域のうち、
書き換え回数の設定された回数以上になると、データが
完全に固定される不揮発性半導体装置を得ることを目的
とする０〔課題を解決するための手段〕 本発明の不揮発性半導体装置は記憶素子の領域のうち、
書き換え回数の制限を設け、その回数を越えると、完全
にデータが固定される領域を設け−たものである。
本発明の不揮発性半導体記憶装置は書き換え回数が設定
されると、ある特定のメモリ領域のみは書き換え回数を
越えるとデータを固定する。
されると、ある特定のメモリ領域のみは書き換え回数を
越えるとデータを固定する。
以下、本発明の一実施例を示す図に基づき詳述する。図
は本発明に係る不揮発性半導体装置の構成を示すブロッ
ク図である０図中、（１）はＥＥＰＲＯＩＪからなるメ
モリセルアレイで、このメモリセルアレイ（１）はデー
タが書き換え可能な書き換え領域ＯＢおよび書き換え回
数が制限された領域０ので構成される。この書き換え領
域α℃および（６）は互いに独立的に動作する書き込み
回路（２）又は（３）にそれぞれ接続される。
は本発明に係る不揮発性半導体装置の構成を示すブロッ
ク図である０図中、（１）はＥＥＰＲＯＩＪからなるメ
モリセルアレイで、このメモリセルアレイ（１）はデー
タが書き換え可能な書き換え領域ＯＢおよび書き換え回
数が制限された領域０ので構成される。この書き換え領
域α℃および（６）は互いに独立的に動作する書き込み
回路（２）又は（３）にそれぞれ接続される。
書き込み回路（２）及び（３）はそれぞれ昇圧回路（４
）および（５）に接続され、昇圧回路（４）及び（５）
は制御回路（６）に接続され、制御回路（６）は外部端
子（７）に接続される。また、制御回路（６）はさらに
カウンタ（９）に接続され、カウンタ（９）はデータ入
力回路（８）を介して外部端子αＧに接続される。
）および（５）に接続され、昇圧回路（４）及び（５）
は制御回路（６）に接続され、制御回路（６）は外部端
子（７）に接続される。また、制御回路（６）はさらに
カウンタ（９）に接続され、カウンタ（９）はデータ入
力回路（８）を介して外部端子αＧに接続される。
次に動作につφて説明する。
まず、メモリ制限領域υヘデータを書き込む前に、あら
かじめデータが固定されるまでのカウンタのセット値を
例えば外部端子ＱＱよりシリアルに入力させて置く。
かじめデータが固定されるまでのカウンタのセット値を
例えば外部端子ＱＱよりシリアルに入力させて置く。
次に、外部端子（７）を例えばｌＯＶ以上に設定し、他
端子より設定されたあるモードを入力したときのみ書き
込みが実施される。この書き込みは前述したセット値の
回数°のみ書き換えが可能であり、例えば、最初にセッ
トされた値が１１１であれば、１回のみ書き換えが可能
となる。このようにして、書き込みが所定回か行なわれ
た後、ユーザは完全にデータを固定させることができる
。データが固定されたあとは、外部端子（７）を例えば
Ｏｖにしておき、システムに組込んで評価することがで
きるようになる０ なお、上記実施例では書き込みに制限のあるメモリ領域
αのと通常の書き込み動作可能な領域■を分けた場合を
示したが、１つのメモリ領域の中でアドレスデコーダに
より、メモリ領域を選択する方法であってもよい０この
場合は先に説明した実施例の他にアドレスを選択する手
順が追加されることはいうまでもない。
端子より設定されたあるモードを入力したときのみ書き
込みが実施される。この書き込みは前述したセット値の
回数°のみ書き換えが可能であり、例えば、最初にセッ
トされた値が１１１であれば、１回のみ書き換えが可能
となる。このようにして、書き込みが所定回か行なわれ
た後、ユーザは完全にデータを固定させることができる
。データが固定されたあとは、外部端子（７）を例えば
Ｏｖにしておき、システムに組込んで評価することがで
きるようになる０ なお、上記実施例では書き込みに制限のあるメモリ領域
αのと通常の書き込み動作可能な領域■を分けた場合を
示したが、１つのメモリ領域の中でアドレスデコーダに
より、メモリ領域を選択する方法であってもよい０この
場合は先に説明した実施例の他にアドレスを選択する手
順が追加されることはいうまでもない。
以上のように本発明によれば電気的に書き換え可能な記
憶素子の一部に書き換え回数の制限をもたせしかも、設
定回数以後の書き換えに対しデータが完全に固定される
ようにしたので、データの確実な保護に関して優れた効
果を有する０
憶素子の一部に書き換え回数の制限をもたせしかも、設
定回数以後の書き換えに対しデータが完全に固定される
ようにしたので、データの確実な保護に関して優れた効
果を有する０
第１図は本発明の一実施例である不揮発性半導体装置の
構成を示すプＵツク図である０図ニおいて−（１）・−
メモリアレイ、（２） ？ （３）・・・書き込み回路
、（４） ＃ （５）・°・昇圧回路、（６）・・・制
御回路、（８）・・・入力データ回路、＋９）−・・カ
ウンタ、（７） ｌ （１０・・・外部端子、 ■・・・書き換え領域、 （２）・・・書き換え回数の制 第 図 限された領域である。
構成を示すプＵツク図である０図ニおいて−（１）・−
メモリアレイ、（２） ？ （３）・・・書き込み回路
、（４） ＃ （５）・°・昇圧回路、（６）・・・制
御回路、（８）・・・入力データ回路、＋９）−・・カ
ウンタ、（７） ｌ （１０・・・外部端子、 ■・・・書き換え領域、 （２）・・・書き換え回数の制 第 図 限された領域である。
Claims (1)
- 電気的に書き換え可能な不揮発性半導体を記憶素子とす
る不揮発性記憶装置において、前記記憶素子の記憶領域
の一部に書き換え後に完全に固定される回路を備えたこ
とを特徴とする不揮発性半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034369A JPH02214156A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 不揮発性半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034369A JPH02214156A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 不揮発性半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02214156A true JPH02214156A (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=12412258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034369A Pending JPH02214156A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | 不揮発性半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02214156A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0701177A1 (en) | 1994-09-02 | 1996-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner and image forming method |
| US5715501A (en) * | 1994-04-15 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method using a surface with a specified water contact angle and process cartridge using such a method |
| US5731122A (en) * | 1994-11-08 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method and image forming apparatus |
| US5858593A (en) * | 1996-07-31 | 1999-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner, apparatus unit and image forming method |
| US5972553A (en) * | 1995-10-30 | 1999-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Toner for developing electrostatic image, process-cartridge and image forming method |
| US6447969B1 (en) | 1999-06-02 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Toner and image forming method |
| US7718338B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Charge control resin, and toner |
| US8383312B2 (en) | 2005-11-11 | 2013-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Resin for toner and toner |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP1034369A patent/JPH02214156A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5715501A (en) * | 1994-04-15 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method using a surface with a specified water contact angle and process cartridge using such a method |
| EP0701177A1 (en) | 1994-09-02 | 1996-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner and image forming method |
| US5618647A (en) * | 1994-09-02 | 1997-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner and image forming method |
| US5731122A (en) * | 1994-11-08 | 1998-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming method and image forming apparatus |
| US5972553A (en) * | 1995-10-30 | 1999-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Toner for developing electrostatic image, process-cartridge and image forming method |
| US5858593A (en) * | 1996-07-31 | 1999-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic toner, apparatus unit and image forming method |
| US6447969B1 (en) | 1999-06-02 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Toner and image forming method |
| US7718338B2 (en) | 2005-03-29 | 2010-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Charge control resin, and toner |
| US8383312B2 (en) | 2005-11-11 | 2013-02-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Resin for toner and toner |
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