JPH02184513A - ジシランおよびトリシランの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、ジシランおよびトリシランの製造方法に関し
、さらに詳しくは、モノシランを触媒の存在下に脱水素
縮合して、ジシランおよびトリシランを製造する方法に
関する。

発明の技術的背景 ジシランおよび／またはトリシランは、太陽電池、電子
写真用感光ドラムなどに用いられるアモルファスシリコ
ン製造用原料ガスおよび半導体製造用エピタキシャルガ
スなどとして用いられる有用な化合物である。従って、
ジシランお、よび／またはトリシランの安価でかつ効率
のよい製造方法の開発が強く望まれている。

ところで従来、ジシランおよび／またはトリシランなど
の高次シランを製造する方法としては、以下のようなも
のが開示されている。

（イ）ヘキサクロルジシランなどのジシラン誘導体を、
リチウムアルミニウムハイドライドなどの金属水素化物
にて還元してジシランを生成させた後、加温した反応液
に不活性ガスを吹込むことにより、ジシランを溶媒から
分離してジシランを製造する方法（特開昭５８−１５６
５２２号公報）。

（ロ）ケイ化マグネシウムなどの合金と酸の水溶液とを
一９０″〜０℃の低温下に反応させることにより、ジシ
ランおよびトリシランなどを製造する方法（特開昭６０
−１４６１３号公報）。

（ハ）モノシランガスを無声放電管に循環させることに
よりジシランを製造する方法（特開昭６０−１２７２１
４号公報）。

しかしながら、上記に開示された製造方法では、以下よ
うな問題点があった。すなわち、ヘキサクロルジシラン
などのジシラン誘導体をリチウムアルミニウムハイドラ
イドなどの金属水素化物で還元してジシランを製造する
方法では、原料および還元剤として、ヘキサクロルジシ
ランおよびリチウムアルミニウムハイドライドなどの高
価な化合物を必要とするうえに、生成物であるジシラン
中に原料に基因するクロル化合物が混入し、高純度のジ
シランを得ることが困難であるという問題点があった。

また、ケイ化マグネシウムなどの合金と酸の水溶液とを
低温下にて接触させてケイ化マグネシウムなどの合金を
加水分解してジシランおよびトリシランを製造する方法
では、原料および／または中間体であるＳＩＨ，、ラジ
カルの加水分解生成物に基因する不純物が生成物中に混
入し、高純度のジシランまたはトリシランを得ることが
困難であるとともに、低温下で反応を行なうために高エ
ネルギーを要するという問題点があった。

また、シランガスを無声放電管に循環させることにより
ジシランを製造する方法では、無声放電に高エネルギー
を必要とするという問題点があった。

さらに、モノシランからジシランおよびトリシランを製
造する方法は、上記のモノシランを無声放電管に循環す
る方法に限られ、このことは、従来、モノシランからジ
シランおよびトリシランを製造するうえで、工業的に有
効な触媒が未だ、見出されていないことを意味している
。

発明の目的 本発明は、ジシランおよびトリシランを製造するに際し
、高純度のジシランおよびトリシランが得られない、高
価な原料および還元剤を必要とする、さらに高エネルギ
ーを必要とするといった工業的に実施するうえにおいて
の従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであり
、高純度のジシランおよびトリシランを安価でかつ効率
よく製造することができるようなジシランおよびトリシ
ランの製造方法を提供することを目的としている。

発明の概要 本発明に係るジシランおよびトリシランの製造方法を種
々検討する中で、モノシランを、（ｉ）白金、ロジウム
、ルテニウムから選ばれる少なくとも１種の金属または
化合物に（ｉ）有機リン化合物、有機砒素化合物、有機
アンチモン化合物から選ばれる少なくとも１種の配位子
が配位してなる錯体触媒の存在下に脱水素縮合反応させ
ると、ジシランおよびトリシランを高純度でかつ効率的
に製造しうろことを見出し、本発明を完成するに至った
。

すなわち、本発明に係るジシランおよびトリシランの製
造方法は、モノシランを脱水素縮合して、ジシランおよ
びトリシランを製造するに際して、（ｉ）白金、ロジウ
ム、ルテニウムから選ばれる少なくとも１種の金属また
は化合物に（ｉ）有機リン化合物、有機砒素化合物、有
機アンチモン化合物から選ばれる少なくとも１種の配位
子が配位してなる８１１体触媒の存在下に、モノシラン
の脱水素縮合反応を行なうことを特徴としている。

発明の詳細な説明 以下、本発明に係るジシランおよびトリシランの製造方
法について具体的に説明する。

錯体触媒 本発明では、モノシランを脱水素縮合する際に、（ｉ）
白金、ロジウム、ルテニウムから選ばれる少なくとも１
種の金属または化合物に（ｉ）有機リン化合物、有機砒
素化合物、有機アンチモン化合物から選ばれる少なくと
も１種の配位子が配位してなる錯体触媒が用いられる。

白金金属または白金化合物 本発明で用いられる白金金属または白金化合物としては
、活性炭、シリカなどに担持された白金金属、白金ブラ
ック、白金のＯ価錯体、白金の２価、４価の化合物また
は錯体などが挙げられる。

このような白金の化合物または錯体としては、具体的に
は、Ｐｔ（ＩＩ　　ＮＣ１１２ＣＩｌ□Ｎ１１２）２、
ＰＬ（Ｎｌｌ）　　　ＣＯ、ｐｔ　（ＣＩ１３ＣＮ）　
２　　ＣＪＩ’　６．Ｋ　　ＰｔＣ，９５Ｐｔ（ＩＩ□
　ＮＣ１１２Ｃ１１２Ｎｉ１２）Ｒ２、ＩＩ　　ＰｔＣ
ｊＪ　　、　　ＰｔＣΩ２（１，５−シクロオクタジエ
ン）、ＰＬ（アセチルアセトナート＞　　、Ｐｉ（Ｊ１
２、ＰｔＣ１４などが挙げられる。

ロジウム金属またはロジウム化合物 本発明で用いられるロジウム金属またはロジウム化合物
としては、活性炭、シリカなどに担持されたロジウム金
属、ロジウムブラック、ロジウムのＯ価錯体、ロジウム
の１価、２価、３価、５価の化合物または錯体などが挙
げられる。

このようなロジウムの化合物または錯体としては、具体
的には、Ｒｈ　　（Ｃｏ）　　、Ｒｈ４（Ｃｏ）１□、
Ｒｈ　　（ＣＯ）　　、Ｒｈ　　（ＣＯ）１４（ノルボ
ルナジェン）、［Ｒ１＋（μｍＯＭｃ）　（１、５−シ
クロオクタジエン）］２、［Ｒｈ　（μｍＣＯ）（１，
５−シクロオクタジエン）］２、［Ｒｈ　（μ　−（４
＞（Ｃ０２−ＣＩｌ　□　）　２　コ　２　、［Ｒｈ　
（μｍＣｇ）（ＣＯ）２］２、［Ｒｈ　（、ｃｚ　−０
Ａｃ）　（１、５−シクロオクタジエン）］２、［Ｒｂ
（μｍ０Ｐｈ）（１，５−シクロオクタジエン）］２、
Ｒｈ　　（１，５−シクロオクタジエン）（Ｃ０３）３
．［Ｒｈ（ＯＡｃ）　　］　　　、［ＲｈＣｆｌ　ｅ　
］［１？ｈ　（μｍｃｎ＞＜π−アリル）　　］　　、
ＲｈＣＲ３、Ｒ　ｈ　１３　ｒ　　、Ｒ　ｈ　Ｉ　ａな
どが挙げられる。

ルテニウム金属またはルテニウム化合物本発明で用いら
れるルテニウム金属またはルテニウム化合物としては、
活性炭、シリカなどに担持されたルテニウム金属、ルテ
ニウムブラック、ルテニウムの０価錯体、ルテニウムの
１価〜８価の化合物または錯体などが挙げられる。

このようなルテニウムの化合物または錯体としては、具
体的に、ＲｕＯ　　、ＲｕＯ　　、　　ｌ？ｕｃｇ２、
ＲｕＣｐ　　　、　　ＲｕＣ，Ｑ　　　、　　ＲｕＰ　
　、　　ＲｕＦ４、［ＲｕＦ　　］　　　、ＲｕＦ　　
、　　ＲｕＦ　　、　　Ｋ２ＲｕＣｌ　６、Ｒｕ（ＧＯ
＞　　、Ｒｕ（０１１）（Ｊ！　　ＳＲｕ（ＯＣＯＣＩ
Ｉ３）　３、Ｒｕ（ＯＣＯＣＰａ　）　ａなどが挙げら
れる。

配位子 本発明て用いられる配位子は、下記式［ＩＩまたは［Ｉ
Ｉ］で示される化合物などである。

ＥＲ’　３　　　　　　　　・・・［１１Ｒ’　　Ｅ−
ＣＨＲ　　−ＣＨＲ２−ＥＲ’　２・・・［１１１［式
中、Ｅはリン、砒素またはアンチモンであり、Ｒ　はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、アルキル基、アリ
ール基、シクロアルキル基またはアルアルキル基であり
、Ｒ２は水素、アルキル基、アリール基、シクロアルキ
ル基またはアルアルキル基である。］ 上記式［１］または［ｎ］で示される配位子としては、
具体的には、ＰＭｅ　　ＳＰＩシＬ　　、ＰＩ）Ｒ３、
ＰＰｈ　　ＳＰ（Ｃｌｌ　　Ｐｈ）　　、ＰＰｈ２Ｍｅ
，　Ａｓｉａ３、ＡｓｌＥＬ３、Ａｓ１３ｕ３、ＡｓＰ
ｈ３、Ａｓ　（Ｃｌ１２Ｐｈ）　３、ＡｓＰｈ　　Ｍｅ
ｌＳｂＭｅ　　ＳＳｂｌＥｔｓ　、ＳｂＩ３ｕｓ　、Ｓ
ｂＰｔ＋ｓ、Ｓｂ　（Ｃｌｌ　　Ｐｈ）　　、ｓｂｐｈ
２Ｍｅ。

Ｐｈ　　Ｐ−ＣＩｌ　　−　Ｃｌｌ　　−Ｐｒ’ｈ２、
Ｐｈ２Ａｓ−　Ｃｌ１２−　Ｃｌ１２−　ＡｓＰｈ２、
Ｐｈ　　Ｓｂ−　ＣＩｌ　　−　ＣＩｌ　　−　ＳｂＰ
ｈ２などが挙げられる。

本発明で用いられる錯体触媒としては、予め、上記の白
金、ロジウムまたはルテニウム金属あるいはその化合物
に、」二足の配位子が配位した錯体触媒を使用してもよ
いし、上記の白金、ロジウムまたはルテニウム金属ある
いはその化合物と上記の配位子とを反応系にて混合し、
反応系にて錯体触媒を生成させながら使用してもよい。

反応系で錯体触媒を生成させる場合には、配位子と、白
金、ロジウムまたはルテニウム金属るあるいはその化合
物とを、１〜２０のモル比の範囲で混合することが好ま
しい。

本発明で用いられる上記のような錯体触媒としでは、具
体的には、ＰｔＣｌ２　　　（Ｃｏ）ＰＰｂ３、１）Ｌ
（ＰＩ：Ｌ　　）　　　Ｒ　ＩＩ、　ＰｔＣＮ　２（Ｐ
Ｐｌ＋３）　２、１’ｔＲ　　　（ＡｓＰｈ　　）　　
、ＰＬＣＮ　　　（ＳｂＰｈａ　）　２、＋）ｔｎｒ　
　（ＰＥＬ　　）　　　、［Ｐｔ（ｒ’ｎＵ　　）Ｒ２
］２、ＰＬＯ　　（Ｐｒ’ｈ　　）　　　、Ｉ’ｔ（Ｐ
Ｐｂ３）　４、ＰＬ　（　Ｐｈ　　ＰＣＩＩ　　Ｃｌｌ
　　ＰＰｂ　　）ＣΩ２、１１Ｒｈ（ＣＯ）（ＰＩ”ｈ
　　）　　　、ｌＩＲｈ（ＣＯ）（＾ｓＰｈｓ　）　３
、１１Ｒｈ（ＣＯ）（Ｓｂｒ’ｈ　　）　　　、ＲｈＣ
Ｕ　（ＰＰｂ３）　３、ＲｈＯｆｆ　　（ＡｓＰｈ　　
）　　　、ＲｈＣｊ）　　（ＳｂＰｈａ　）　３、１１
Ｒｈ（ＰＰｈ　　）　　　、［ＰＰｂ　　Ｒｈ（ＯＡｃ
）　２］　２．ＲｈＣＩ（ＰＥｔ　　）　　　、Ｒｔ＋
（ＰＰｂ　　）　　　ＣＲ２，Ｒｕ（ＣＯ）　　　（Ｐ
Ｐｈｓ　）　２、Ｒｕ（Ｐｈ　　ＰＣＩＩ　　Ｃ１ｌ　
　ＰＰｂ２）　２ＣＤ　２．ＲｕＣＩＩ（ＣＯ）　　（
ＰＰｈａ　）　２、Ｒｕ（ＣＯ）（ＰＰｈ　　）　　　
Ｃｌ；ｌ　　１ＲｕＣＪｌ’　　　（ＰＰｂａ　）　３
．ＲｕｌｌＣｊ？　（ＣＯ）（ＰＰｂ３）　３、Ｒｕ（
ＰＰｈ　　）　　　（ＯＣＯＣＩｌａ　）　２、Ｒｕ（
＾ｓＰｈ　　）　　　Ｃ１ｌ　　、Ｒｕ（ＳｂＰｈ　　
）　　　Ｒ，、，Ｒｕ　（ｒ’ｈ　　ＡｓＣＩＩ　　Ｃ
１ｌ　　＾５Ｐｈ）　　　Ｒ２，Ｒｕ　（Ｐｈ　　５ｂ
ＣＩＩ　　Ｃｌｌ　　５ｂＰｈ２）　２Ｃ１１２などが
挙げられる。

本発明の錯体触媒は、そのままで脱水素縮合反応に供し
てもよいし、錯体触媒を活性炭、シリカゲル、シリカア
ルミナ、シリコンカーバイド、アルミナ、けいそう土、
イオン交換樹脂などの多孔性固体に、担持もしくは固体
化した触媒として脱水素縮合反応に供してもよい。

本発明で用いられる錯体触媒において、白金、ロジウム
またはルテニウム金属は、下式に示すようにモノシラン
の什素−水素結合を酸化的に付加させて、金属から脱離
する時に硅素−硅素結合を生成させ、また配位子は白金
、ロジウムまたはルテニウム錯体の安定化に寄与して、
脱水素縮合反応を持続させる役割を果すものと推定され
る。

２８１＋１４　＋ＭｅＬａｌ−＋　　ｌｌ３ｓｔ　　Ｍ
ｅｔａｌ　　　５ｉｌ１３→ＩＩ　　ＳＩ　　　５ｉｌ
ｌｓ　＋Ｉ１２＋ＭｅＬａ１脱水素縮合条件 本発明におけるモノシランの脱水素綜合反応は、溶媒に
上記のような錯体触媒を溶解させた溶液中または溶媒に
上記のような錯体触媒を担持した担持触媒などを分散さ
せた溶液中に、モノシランガスを吹きこんで気液反応と
して行なってもよいし、錯体触媒を多孔性固体に担持も
しくは固体化した触媒を用いて、モノシランガスを流通
して気相反応として行なってもよい。その際、原料であ
るモノシランガスを連続的あるいは断続的に反応器へ供
給し、脱水素縮合生成物である、ジシランおよびトリシ
ランを連続的あるいは断続的に反応器から取り出すこと
が望ましい。また上記の気液反応を行なう場合には、溶
媒中に溶解しているジシランおよび／またはトリシラン
を回収するために、モノシランガスを窒素ガスなどの不
活性ガスで希釈して用いることが好ましい。また溶媒と
しては、トルエン、キシレン、ヘプタン、ドデカン、ト
リルブタン、キュメン、ドデシルベンゼン、ジフェニル
ブタンなどの炭化水素溶媒が好ましく用いられる。

また、本発明におけるモノシランの脱水素縮合反応は、
窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で
行なうか、反応生成物である水素ガス雰囲気中で行ない
、反応系に酸素あるいは水が存在しない状態で行なうこ
とが好ましい。反応系に酸素あるいは水が存在すると、
硅素−水素結合が酸化され、シラノール基やシロキサン
結合を生成し易くなる。

上記のような脱水素縮合反応は、常圧下で行なってもよ
く、また加圧下で行なってもよい。また反応温度は、０
〜２００℃好ましくは１５〜１５０℃であることが望ま
しい。

またモノシランガスと錯体触媒との接触時間は、常温・
常圧換算でのガス空間速度にて１〜２０〇時間　、好ま
しくは２〜１５０時間−１程度である。

本発明によれば、通常ジシランとトリシランとが同時に
生成し、ジシランとトリシランの生成比は、縮合条件に
より異なるが、−船釣には、モル比で３０＝１〜３：１
の範囲である。

また上記のようにしてモノシランを脱水素縮合反応させ
て得られるジシランおよびトリシランは、公知の方法た
とえば蒸留などにより容易に分離することができる。

本発明によれば、場合によっては、ジシランとトリシラ
ンとを両者とも得ることは必ずしも必要ではなく、ジシ
ランのみを得てもよく、またトリシランのみを得てもよ
い。

発明の効果 本発明に係るジシランおよびトリシランの製造方法によ
れば、従来、高エネルギー放電下においてしか進行しな
かった、モノシランの脱水素縮合反応を、温和な反応条
件下にてかつ効率的に進行させることができる。また本
発明に係るジシランおよびトリシランの製造方法では、
原料としてモノシランを使用しているので、得られるジ
シランおよびトリシラン中に原料に基因する不純物が含
まれず、従って高純度のジシランおよびトリシランを製
造することが可能である。さらに、本発明に係るジシラ
ンおよびトリシランの製造方法では、モノシランを触媒
の存在下に脱水素縮合させることによってジシランおよ
びトリシランが１１ｔられるため、高エネルギーが必要
なく操作が容易であり、大量生産に適している。１ 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

実施例１ 還流冷却器、撹拌機および温度計を備えた容量１００　
ｍｌのガラス製反応器の内部を窒素ガスにて置換した後
、溶媒としてドデシルベンゼン５０ｍ１および錯体触媒
としてヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフ
ィン）ロジウム（ｌｌＲｈ　（Ｃｏ）（ｒ’Ｐｈ５）　
３）０．２ミリモルを導入し、油浴にて撹拌下、１１０
℃に加熱した。

反応器の内部温度を１１０℃に保ったまま、反応器の底
部から、窒素ガスとモノシランガス（Ｓｌ１４）　１　
：　１の混合気体を常温・常圧にて８　ｍ１７分の供給
速度にて、激しい撹拌下に、吹きこんだ。反応ガスは、
還流冷却器を通して連続的に反応系外に取り出した。混
合気体の吹きこみ１５ＦＪ始から４時間経過後の反応ガ
スを、ガスクロマトグラフィーにより分析した。その結
果、モノシランの転化率が１５モル％であり、ジシラン
およびトリシランの選択率が９５モル％であり、ジシラ
ンとトリシランの生成比（モル比）が６；１であること
が判明した。

実施例２〜３ 錯体触媒の種類を、表１に示すように代えた以外は、実
施例１と同様にしてモノシランの脱水素縮合反応を行な
った。混合気体の吹きこみ開始から４時間経過後の、反
応ガスのがスクロマトグラフ分析結果を表１に示す。

表１ 比較例１ 触媒として、ジーμｍクロロテトラ力ルポニルジロジウ
ム（［Ｒｈ　（μｍ０４７　）（ＧＯ）　２　］　２　
）　０．　１　ミリモルを用いた以外は、実施例１と同
様に１２で脱水素縮合反応を行なったが、ジシランおよ
び／またはトリシランは生成しなかった。

比較例２ 触媒として、塩化白金酸（ＩＩ　　ＰｔＣＩＪ　　−８
１１□０）０．２ミリモルを用いた以外は、実施例１と
同様にして脱水素縮合反応を行なったが、ジシランおよ
び／またはトリシランは生成しながった。

比較例３ 触媒として、三塩化ルテニウム（ＲｕＣＮ　３　）０．
２ミリモルを用いた以外は、実施例１と同様にして脱水
素縮合反応を行なったが、ジシランおよび／またはトリ
シランは生成しながった。

実施例４〜１０ 溶媒として、１．１−ジフェニルブタン５０ｍ１を用い
、そして触媒として、白金化合物、ロジウム化合物また
はルテニウム化合物と配位子とを表２に示す割合で混合
したものを用いた以外は、実施例１と同様にしてモノシ
ランの脱水素縮合反応を行なった。混合気体の吹きこみ
開始がら４時間経過後の、反応ガスのガスクロマトグラ
フ分析結果を表２に示す。

実施例１１ 錯体触媒として、ヒドリドカルボニルトリス（トリフェ
ニルアンチモン）ロジウム（１１旧＋（ＣＯ）（ＳｂＰ
ｂｓ　）　３　）　０．　２ミリモルをトルエン５０ｍ
１に溶解し、得られた溶液にヤシガラ活性炭１．０　ｍ
ｌを入れ、−晩装置した後、エバポレーターにてトルエ
ンを除去することにより、活性炭に錯体触媒を担持した
。得られた担持触媒全量を内径１印のパイレックス製反
応管に充填し、反応温度を１３０℃に保ちながら、反応
管上部より窒素１０％含有モノシランガスを常温・常圧
にて４ｍｌ／分の１ｊ−給速度にて導入した。反応器下
部より、冷却器を通して反応ガスを連続的に反応系外に
取り出した。

混合気体の導入開始から４時間経過後の反応ガスを、ガ
スクロマトグラフィーにより分析した。

その結果、モノシランの転化率が２０モル％であり、ジ
シランおよびトリシランの選択率が９６モル％であり、
ジシランとトリシランの生成比（モル比）が８：１であ
ることが判明した。

実施例１２ 錯体触媒としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）
白金（ＰＬ（ＰＰ１１３）　４）　０．　２ミリモルを
用いて実施例１１と同様にして活性炭担持触媒を調製し
た。得られた担持、触媒全量を用いて、反応温度を１１
０’Ｃとした以外は、実施例１１と同様にｌ−で脱水素
縮合反応を行なった。

混合ガス導入開始から４時間経過後の反応ガスを、ガス
クロマトグラフ分析した結果、モノシランの転化率は１
８モル％であり、ジシランおよびトリシランの選択率は
９４モル％であり、ジシランとトリシランの生成比（モ
ル比）は６：１であった。

実施例１３ 錯体触媒としてトリス（トリフェニルホスフィン）ジク
ｏｏルテニウム（ＲｕＣＮ　２（ＰＰｈ３）　３　）０
．２ミリモルを用い、そして反応温度を１５０℃とした
以外は、実施例１１と同様にして担持触媒の調製および
モノシランの脱水素縮合反応を行なった。

混合ガス導入開始から４時間紅過後の反応ガスを、ガス
クロマトグラフ分析した結果、モノシランの転化率は１
７モル％であり、ジシランおよびトリシランの選択率は
９２モル％であり、ジシランとトリシランの生成比（モ
ル比）は７：１であった。

実施例１４ スチレン−ジビニルベンゼン共重合体からなる多孔性ビ
ーズを臭素化した後、ＬＩＰＰｂ。を用いて多孔性ビー
ズに有機リンを導入した担体１０ｍ１に、三塩化ロジウ
ム（ＲｈＣｉ）　３）　０．　２　ミリモルをトルエン
５０ｍ１中に溶解させた溶液を吸着担持させて、触媒を
調製した。上記のようにして調製した触媒を用いた以外
は、実施例１と同様にして脱水素縮合反応を行なった。

混合気体の吹きこみ開始から４時ＩＨＪ紅過後の反応ガ
スをガスクロマトグラフ分析した結果、モノシランの転
化率は１８モル％であり、ジシランおよびトリシランの
選択率は９４モル％であり、ジシランとトリシランの生
成比（モル比）は６：１であった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）モノシランを脱水素縮合して、ジシランおよびト
   リシランを製造するに際して、（ｉ）白金、ロジウム、
   ルテニウムから選ばれる少なくとも１種の金属または化
   合物に（ｉｉ）有機リン化合物、有機砒素化合物、有機
   アンチモン化合物から選ばれる少なくとも１種の配位子
   が配位してなる錯体触媒の存在下に、モノシランの脱水
   素縮合反応を行なうことを特徴とするジシランおよびト
   リシランの製造方法。