JPH02170610A - Surface acoustic wave device - Google Patents
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、すだれ状電極を有する弾性表面波装置に係り
、特に、電極指の交差幅方向端部より発生する不要回折
波を抑圧し、極の周波数における減衰量(トラップ)を
改善するに好適な弾性表面波装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a surface acoustic wave device having interdigital electrodes, and in particular suppresses unnecessary diffraction waves generated from the ends of electrode fingers in the cross width direction. The present invention relates to a surface acoustic wave device suitable for improving attenuation (trap) at a pole frequency.
従来、弾性表面波の回折現象に起因する周波数特性の劣
化については、アイ・イー・イー・イートランザクショ
ン・ニス・ニー・21 (1974年) 第114頁乃
至119頁(ll1iEE 、 Trans8U−21
゜1974 、 ppH4−119)に論じられてい
るとおり、回折現象による影響をあらかじめ考慮し補正
する方法が知られている。Conventionally, regarding the deterioration of frequency characteristics caused by the diffraction phenomenon of surface acoustic waves, IE Transaction Nis. 21 (1974) pp. 114 to 119 (ll1iEE, Trans8U-21)
1974, pp. 4-119), a method is known in which the influence of diffraction phenomena is considered in advance and corrected.
また、塩用らは、電極指の交差幅方向に励娠波の周期性
を持たせる方法や、弾性表面波装置の入出力電極間の中
心間距離を制御する方法で、上記問題を解決することを
[すだれ状電極における弾性表面波の回折現象と周波数
特性](電子通信学会、超音波研究会資料、U 8−7
5−37 、1975年)と題する論文において論じて
いる。In addition, Shioyo et al. solved the above problem by creating periodicity in the excitation wave in the cross-width direction of the electrode fingers, and by controlling the center-to-center distance between the input and output electrodes of the surface acoustic wave device. [Diffraction phenomenon and frequency characteristics of surface acoustic waves in interdigital electrodes] (IEICE, Ultrasonic Research Group Materials, U 8-7
5-37, 1975).
上記従来技術は、前者の論文では設計に多大な時間を要
し、複雑な振幅特性を有するフィルタなど、比較的電極
本数が多い場合について配慮がされておらず、また、後
者の論文では、電極の構造が複雑になるか、または設計
の自由度が小さくなるという問題があった。The above conventional technology requires a lot of time to design in the former paper, and does not take into account cases where the number of electrodes is relatively large, such as filters with complex amplitude characteristics. The problem is that the structure becomes complicated or the degree of freedom in design is reduced.
本発明は、上記のような回折波を比較的簡単な設計手法
で抑圧し、十分な減衰極(トラップ)の減衰量を有する
弾性表面波装置を得ることを目的とする。An object of the present invention is to suppress the above-mentioned diffracted waves using a relatively simple design method and to obtain a surface acoustic wave device having a sufficient amount of attenuation of an attenuation pole (trap).
上記目的は、すだれ状電極の交差幅方向端部を弾性表r
fi波伝搬方向に対して同一直線上に配置せず、各電極
指端部で発生する不要回折波が、特に高周波側の極の周
波数で抑圧されるように定めることにより達成される。The above purpose is to make the ends of the transverse width direction of the interdigital electrodes elastic surface r.
This is achieved by not arranging them on the same straight line with respect to the fi-wave propagation direction, but by arranging them so that unnecessary diffracted waves generated at the ends of each electrode finger are suppressed, especially at the frequency of the pole on the high frequency side.
すだれ状電極の交差幅方向端部に浮き電極を設けること
により、不要回折波の励振源を2次元的に分布させ、不
要回折波の放射方向$よび強度を考えることができる。By providing a floating electrode at the end of the cross width direction of the interdigital electrode, the excitation source of the unwanted diffracted wave can be distributed two-dimensionally, and the radiation direction $ and intensity of the unwanted diffracted wave can be considered.
これにより、相対するすだれ状電極に回折波が影響しな
くなり、トラップ周波数での減衰量を改善することがで
きる。As a result, the diffracted waves do not affect the interdigital electrodes facing each other, and the amount of attenuation at the trap frequency can be improved.
以下、本発明の第1の実施例を第1図乃至、第5図を用
いて説明する。A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5.
第1図は本発明の第1の実施例の入力すだれ状電極の模
式的平面図である。すだれ状電極lは、次のように構成
されている。電極指の交差幅Wlは1500μmの一定
であり、共通電極3,4に接続される電極指5.6の幅
は17.2μmであり、繰り返し周期dが34.4μm
のソリッド型正規型電極である。FIG. 1 is a schematic plan view of an input interdigital electrode according to a first embodiment of the present invention. The interdigital electrode 1 is constructed as follows. The intersecting width Wl of the electrode fingers is constant at 1500 μm, the width of the electrode fingers 5.6 connected to the common electrodes 3 and 4 is 17.2 μm, and the repetition period d is 34.4 μm.
This is a solid regular type electrode.
電極指5,6はそれぞれ共通′電極3.4に接続されて
いる。また、′1極指又差幅方向端部には、長さがLd
=30μm の浮き電極7,8が配置されている。なお
、中心周波数は56.5MHz 、弾性表面波励振源
の対数は15対である。The electrode fingers 5, 6 are each connected to a common electrode 3.4. In addition, the length of the '1 pole finger or the end in the width direction is Ld.
Floating electrodes 7 and 8 with a diameter of 30 μm are arranged. The center frequency is 56.5 MHz, and the number of logarithms of the surface acoustic wave excitation source is 15.
このすだれ状電極を用いた弾性表面波装置の模式的平面
図を第4図に示す、出力すだれ状電極2は、最大交差幅
W、が1500μmであり、交差幅が変化している重み
付け電極で構成されている。これら、入力すだれ状電極
および出力すだれ状電極の中心間距離2は2600μm
とした。また、第4図に示されているように、正規型す
だれ状電極1の交差幅W1は、重み付けすだれ状電極の
最大交差1@W。FIG. 4 shows a schematic plan view of a surface acoustic wave device using this interdigital electrode. It is configured. The distance 2 between the centers of these input interdigital electrodes and output interdigital electrodes is 2600 μm.
And so. Further, as shown in FIG. 4, the intersection width W1 of the regular interdigital electrode 1 is the maximum intersection 1@W of the weighted interdigital electrode.
よりも大きく設定されている。is set larger than .
これらの電極は、128度回転Y#l切断X軸伝僧のニ
オブ酸リチウム単結晶基板上(図示せず)に、蒸着法に
より作成された膜厚6000人のアルミニウム薄膜より
なり、ホトリソグラフ技術により形成されている。These electrodes are made of aluminum thin films with a thickness of 6,000 yen produced by vapor deposition on a lithium niobate single crystal substrate (not shown) of a 128 degree rotated Y #l cut X axis transmission, and are made using photolithography technology. It is formed by
本実施例の儂幅周波数特性12を第5図に示す。FIG. 5 shows the width frequency characteristic 12 of this embodiment.
本実施例によれば、52.75MHzおよび60.25
MHzでの減衰量(ピーク比)は、それぞれ、68dB
、 63dBと良好な特性が得られた。According to this example, 52.75MHz and 60.25MHz
The attenuation amount (peak ratio) at MHz is 68 dB, respectively.
, 63dB, and good characteristics were obtained.
ここで、トラップ減衰量の改善のための浮き電極7.8
の設計柴件を求める。Here, floating electrode 7.8 for improving trap attenuation
Find the design details.
電極指端部の不要励振源を無指向性とし、電極指端の一
方は、第3図のように励振源が配置されている。なお、
各励振源の機幅は等しい。The unnecessary excitation source at the end of the electrode finger is non-directional, and the excitation source is arranged at one end of the electrode finger as shown in FIG. In addition,
The width of each excitation source is equal.
電極指端部の励振源群10 、浮き電極により生ずる新
たな励振源群11による、それぞれの合成波E1+B1
は、次式で与えられる。The respective composite waves E1+B1 are generated by the excitation source group 10 at the end of the electrode finger and the new excitation source group 11 generated by the floating electrode.
is given by the following equation.
B、=1+e’ψ1+ej2ψ烏+ 、・+ e J
(n−1)ψ倉(1)E@=ejψt B、
伐)2π
13)ψs ” 2 ” d−(2)θ
+π2π (4)ψ、
=二口・g−一〇
但し、λは特定周波数における弾性表面波の波長である
。B, =1+e'ψ1+ej2ψkara+ ,・+ e J
(n-1) ψkura (1) E@=ejψt B,
cutting) 2π
13) ψs ” 2 ” d-(2) θ
+π2π (4)ψ,
=Niku・g−10 However, λ is the wavelength of the surface acoustic wave at a specific frequency.
よって、これら励損源の合成波Eは、次式で与えられる
。Therefore, the composite wave E of these excitation sources is given by the following equation.
E=E、 + E、
(51よって、この励振源群による指向性DI(θ)
は、規格化して、次式で与えられる。E=E, +E,
(51, therefore, the directivity DI(θ) due to this excitation source group
is normalized and given by the following formula.
本実施例の高周波側のトラップ周波数(60,25M1
iz)における不要励振源の指向性9を第2図に示す、
このように、最大でも指向性り、(θ)は0.25の大
きさとなっている。これは、全ての励振源が同相で加わ
った場合に対して、1/4に抑圧されていることを示し
ている。The trap frequency on the high frequency side of this example (60, 25M1
The directivity 9 of the unnecessary excitation source at iz) is shown in Fig. 2.
In this way, the directivity is high at maximum, and (θ) is 0.25. This indicates that the excitation source is suppressed to 1/4 of the case where all excitation sources are added in the same phase.
従来の電極構成による不要励振源の影響を第6図乃至第
8図を用いて説明する。第6図は、従来の正規型電極の
模式的平面図であり、このときの不要波励損源10は1
1g8図のように配列されている。The influence of unnecessary excitation sources due to the conventional electrode configuration will be explained using FIGS. 6 to 8. FIG. 6 is a schematic plan view of a conventional regular electrode, in which the unnecessary wave excitation source 10 is 1
They are arranged as shown in Figure 1g8.
指向性DI(θ)は次式で与えられる。Directivity DI(θ) is given by the following equation.
第7図に示すとおり、0120度で、指向性9は1とな
るため全ての励振源が同相で加わり、悪影響を及ぼして
いる。As shown in FIG. 7, at 0120 degrees, the directivity 9 is 1, so all the excitation sources are added in the same phase, causing an adverse effect.
本構成ではトラップ減衰量は低周波側が66dB。In this configuration, the trap attenuation amount is 66 dB on the low frequency side.
高周波側が52dBであり、特に高周波側トラップが劣
化している。The high frequency side is 52 dB, and the high frequency side trap is particularly deteriorated.
(9)式より、DI(θ)の最大値を与えるθmの条件
は、一方、(81式は、次のように表わせる。From equation (9), the condition for θm that gives the maximum value of DI(θ) is, on the other hand, equation (81) can be expressed as follows.
Dt(θ) = am9 ・DB(θ)
(ロ)よって、Ds(θ)が最大となるθ□で、(
2)力壬零とすれば、不要励振は抑圧され、この条件は
次の式7式%
不要回折波による影響は、特に高周波側で大きく、高周
波側のトラップの周波数において%D、(θ)が零とな
るように、gを定めた0本冥施例では、gは96μmで
ある。Dt(θ) = am9 ・DB(θ)
(b) Therefore, at θ□ where Ds(θ) is maximum, (
2) If the force is zero, unnecessary excitation is suppressed, and this condition is expressed by the following formula 7.% The influence of unnecessary diffracted waves is particularly large on the high frequency side, and at the trap frequency on the high frequency side, %D, (θ) In the 0-line example in which g is determined so that the value is zero, g is 96 μm.
本発明によれば、不要回折波を抑圧することができるた
め、比較的簡単な設計手法で、十分なトラップ減衰量を
得ることができ、従来に・対し、約11dB改善するこ
とができる。According to the present invention, since unnecessary diffracted waves can be suppressed, a sufficient amount of trap attenuation can be obtained with a relatively simple design method, and an improvement of about 11 dB can be achieved compared to the conventional method.
次に本発明の第2の実施例を第9図を用いて説明する0
本実施例では、電極端部が、弾性表面波伝搬方向に対し
て、同一直線上に並ばないような構成とするものである
0弾性表面波が全ての電極で発生している領域W。41
1200μmである。第9図に示された実施例は、電極
の交差幅が順次変化する構成(疑似正規型電極)の実施
例である1本構成は、交差幅が順次変化する構成である
ため、群遅延特性は平坦となる。また、第9図の実施例
の電極を入力電極とし、第4図中の1み付け電極2を出
力電極として構成した場合は、第9図中の弾性表面波が
全ての電極で発生している領域(IIE極の最小交差幅
) W(1が、相対する重み付け電極の最大交差幅賃よ
りも大きく設定されていれば、本電極は、正規型電極と
同様に動作させることができる。Next, a second embodiment of the present invention will be explained using FIG.
In this embodiment, the electrode end portions are configured so that they are not aligned on the same straight line with respect to the surface acoustic wave propagation direction.0 Region W where surface acoustic waves are generated in all electrodes. 41
It is 1200 μm. The embodiment shown in FIG. 9 is an example of a configuration in which the crossing width of the electrodes changes sequentially (pseudo-normal electrode). Since the single electrode configuration has a configuration in which the crossing width changes sequentially, the group delay characteristic becomes flat. Furthermore, if the electrode of the embodiment shown in FIG. 9 is used as an input electrode and the first electrode 2 shown in FIG. 4 is configured as an output electrode, the surface acoustic waves shown in FIG. If the region (minimum crossing width of the IIE pole) W (1) is set larger than the maximum crossing width of the opposing weighting electrode, this electrode can be operated in the same way as a regular electrode.
本実施例でも、本発明の第1の実施例と同様の設計手法
により、電極指5a、5bの長さの差gを75μmとし
た。このとき、不要回折波の指向性D(θ)let第1
1図に示すようになり、従来の構成に対し0.2に抑圧
し、トラップ減衰量を6dB以上改善した。In this embodiment as well, the difference g between the lengths of the electrode fingers 5a and 5b was set to 75 μm using the same design method as in the first embodiment of the present invention. At this time, the directivity D(θ)let of the unnecessary diffracted wave is the first
As shown in Figure 1, the trap attenuation was suppressed to 0.2 compared to the conventional configuration, and the trap attenuation was improved by more than 6 dB.
本実施例では浮き電極を有することなく実現できるため
、ホトリソグラフ工程のばらつきに対しても、安定した
特性が得られるという特長がある。Since this embodiment can be realized without having a floating electrode, it has the advantage that stable characteristics can be obtained even with variations in the photolithography process.
次に本発明の第3の実施例を第10図を用いて説明する
0本笑施例は、本発明の第2の実施例と同様、電極端部
が1弾性表面波伝搬方向に対して同一直線上に並ばない
ようにした構成とするものである。Next, a third embodiment of the present invention will be explained with reference to FIG. The configuration is such that they are not lined up on the same straight line.
電極5a’ 、 5b’ 、 6a’ 、 6b’は電
極指幅8.6μmのスプリットコネクト型電極であり、
電極5a’と電極6b’の交差幅%は1283μmで一
定である0本構成でも、弾性表面波が、全ての電極で発
生している領域Wtは、相対する重み付け電極の最大交
差幅W鵞よりも大きく設定する必要がある。ここではW
5は1200μmとした。Electrodes 5a', 5b', 6a', and 6b' are split-connect type electrodes with an electrode finger width of 8.6 μm,
Even in the zero-wire configuration in which the crossing width % of the electrodes 5a' and 6b' is constant at 1283 μm, the area Wt where surface acoustic waves are generated in all electrodes is determined by the maximum crossing width W of the opposing weighted electrodes. also needs to be set large. Here W
5 was 1200 μm.
なお、本実施例では電極部と自由表面部が存在すること
による、幾何学的な反射波の抑圧効果が高いという特長
を有する。Note that this embodiment has a feature that the geometrically reflected wave suppression effect is high due to the presence of the electrode portion and the free surface portion.
本構成では、電極指の交差幅が一定であるため、従来の
正規型電極と同じ周波数特性を有する。In this configuration, since the intersecting width of the electrode fingers is constant, it has the same frequency characteristics as a conventional regular electrode.
ここでは、電極指5a’ 、 5b’の長さのkgを8
3μmとし、このときの不要回折波の指向性D(θ)は
、第12図に示すようになった。本実施例によれば、指
向性D(θ)は、従来の構成に対し、0.2以下に抑圧
され、トラップ減衰量は6dB以上改善された。Here, the length of the electrode fingers 5a' and 5b' is 8 kg.
3 μm, and the directivity D(θ) of the unnecessary diffracted waves at this time was as shown in FIG. According to this embodiment, the directivity D(θ) was suppressed to 0.2 or less, and the trap attenuation was improved by 6 dB or more compared to the conventional configuration.
本発明者等の実験によれば、0.1λ<g<3λ。の範
囲内で設定したとき、従来の構成に対し不要回折波の抑
圧効果がある。According to experiments by the present inventors, 0.1λ<g<3λ. When set within the range of , there is an effect of suppressing unnecessary diffracted waves compared to the conventional configuration.
次に、本発明第4の実施例を第13図に示す、また第5
の実施例を第14図に示す。Next, a fourth embodiment of the present invention is shown in FIG.
An example of this is shown in FIG.
WJ13図及び第14図に示された実施例は、それぞれ
電極指の交差幅方向端部が、−列に配置されており、各
電極指端部を結ぶ直線は弾性表面波伝搬方向に対し28
度傾けられている(θ5=28 L ) 。In the embodiments shown in Figure WJ13 and Figure 14, the ends of the electrode fingers in the cross width direction are arranged in - rows, and the straight line connecting the ends of each electrode finger is 28 mm with respect to the surface acoustic wave propagation direction.
degree (θ5=28 L).
従来の正規型電極では、顛式に示す角度tjmの方向に
向って、不要回折波が放射される。従って、電極指端部
の位置を結ぶ直線が、弾性表面波の伝搬方向に対しθs
度傾けられるように構成することにより、不要回折波
の放射される角度を変えることができる。In the conventional regular electrode, unnecessary diffracted waves are emitted in the direction of the angle tjm shown in the diagram. Therefore, the straight line connecting the positions of the electrode finger ends is θs with respect to the propagation direction of the surface acoustic wave.
By configuring it so that it can be tilted by degrees, the angle at which unnecessary diffracted waves are radiated can be changed.
不要回折波の放射される角度θ、は、弾性表面波伝搬方
向(X軸)を基準とすると次式で表わせる。The angle θ at which the unnecessary diffracted waves are radiated can be expressed by the following equation with respect to the surface acoustic wave propagation direction (X-axis).
蝙=ctj’ (ス・互1)±θs
2d ”
第13図において、入方向に重み付け電極がある場合、
電極上部で発生する回折波が重み付け電極によって受信
されないためには、次式の条件となる。Frog = ctj' (S・mutual 1) ±θs 2d ” In Fig. 13, when there is a weighting electrode in the input direction,
In order for the diffracted waves generated above the electrodes to not be received by the weighting electrodes, the following condition is met.
、=−1(2、7331185)−05< Oα◆d
一方、このときの電極下部で発生する回折波の放射され
る角度θ□は次式で表わせる。,=-1(2,7331185)-05<Oα◆d On the other hand, the angle θ□ at which the diffracted wave generated at the lower part of the electrode is radiated can be expressed by the following equation.
0−1(!−・ase5)+θsくθ□
(2)d
即ち、(2)式は、電極下部の回折波の放射角度が大き
くなることを示し、重み付け電極で受信されにくく、従
来の正規型電極よりも抑圧されることを示している。0-1(!-・ase5)+θskuθ□
(2) d In other words, equation (2) indicates that the radiation angle of the diffracted wave at the lower part of the electrode becomes larger, which means that it is less likely to be received by the weighting electrode and is suppressed more than by the conventional regular electrode.
第14図に示された実施例は、上記第13図に示された
第4の実施例と同様の考え方で構成されている。第14
図に示された実施例の特長は電極の交差幅が順次変化し
ており、周波数特性は正規型電極とは異なり、帯域外抑
圧度を改善することができることである。The embodiment shown in FIG. 14 is constructed based on the same concept as the fourth embodiment shown in FIG. 13 above. 14th
The feature of the embodiment shown in the figure is that the crossing width of the electrodes changes sequentially, the frequency characteristics are different from those of regular electrodes, and the degree of out-of-band suppression can be improved.
第13図に示された実施例及び第14図に示された実施
例でも1弾性表面波が全ての電極で発生する領域Waは
、相対する重み付け電極の最大交差幅W、よりも大きく
する。ここではW、は1200μmとした。このとき、
トラップ減衰量は5dB以上抑圧された。また、第14
図に示された本発明の第5の実施例では、帯域外抑圧度
が、従来に比べ約7dB改善された。In the embodiment shown in FIG. 13 and the embodiment shown in FIG. 14, the area Wa in which one surface acoustic wave is generated in all electrodes is made larger than the maximum crossing width W of the opposing weighting electrodes. Here, W was set to 1200 μm. At this time,
The trap attenuation was suppressed by more than 5 dB. Also, the 14th
In the fifth embodiment of the present invention shown in the figure, the degree of out-of-band suppression is improved by about 7 dB compared to the conventional one.
次に1本発明の第6の実施例を第15図に示す。Next, a sixth embodiment of the present invention is shown in FIG.
また、本発明の第7の実施例を第16図に示す。Further, a seventh embodiment of the present invention is shown in FIG.
従来の正規型電極では、不要回折波の最大となる放射角
度θ。は、α〔式で示されるとおり、弾性表面波波長λ
と電極指繰り返し周期dで定まる。With conventional regular electrodes, the radiation angle θ is the maximum of unwanted diffracted waves. is the surface acoustic wave wavelength λ
is determined by the electrode finger repetition period d.
この繰り返し周期dは、装置の中心周波数により定まる
ため、従来の正規型電極におけるθ□は一義に定まって
いた。Since this repetition period d is determined by the center frequency of the device, θ□ in a conventional regular electrode is uniquely determined.
第15図に示された本発明の第6の実施例では、必要と
する弾性表面波励損部分W0の繰り返し周期dよりも、
電極指先端部の繰り返し周期d′を大きくしている。こ
のような第15図の実施例の構成によれば、at)式よ
り、不要回折波の放射角度は従来より大きくなるため、
不要回折波が重み付け電極で受信されにくく、不要波が
抑圧される。In the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 15, the repetition period d of the surface acoustic wave excitation portion W0 is
The repetition period d' of the tip of the electrode finger is increased. According to the configuration of the embodiment shown in FIG. 15, the radiation angle of the unnecessary diffracted wave is larger than that of the conventional method, according to formula at).
Unwanted diffracted waves are less likely to be received by the weighting electrode, and unnecessary waves are suppressed.
一方、dくλ/2のときは、最も強く放射される周波数
が、高周波側のトラップ周波数よりも高くなり、トラッ
プ周波数では抑圧される。第16図の実施例は、d’=
30μmとした実施例であり1本実施例の高周波側トラ
ップ周波数での指向性の最大値は0.22となる。On the other hand, when d is λ/2, the most strongly radiated frequency is higher than the trap frequency on the high frequency side, and is suppressed at the trap frequency. In the embodiment of FIG. 16, d'=
In this embodiment, the diameter is 30 μm, and the maximum value of the directivity at the high-frequency side trap frequency of this embodiment is 0.22.
第15図に示された第6の実施例及び第16図に示され
た第7の実施例では、電極指端部の湾曲部分で発生する
弾性表面波が影響しないように、相対する重み付け電極
から見て、凸状にする必要がある。In the sixth embodiment shown in FIG. 15 and the seventh embodiment shown in FIG. It needs to be convex when viewed from above.
本実施例では、重み付け電極の最大交差幅よりも外側を
伝搬する弾性表面波は、波面がずれるため、重み付け電
極の取り出し電極部(図示せず)にも影響を与えにくい
という特長がある。This embodiment has the advantage that the surface acoustic waves propagating outside the maximum crossing width of the weighting electrodes have a shifted wavefront, so that they are less likely to affect the extraction electrode portion (not shown) of the weighting electrodes.
次に本発明の第8の実施例を第17図を用いて説明する
。第17図は電極指の先端部の形状のみを表わす図であ
る。Next, an eighth embodiment of the present invention will be described using FIG. 17. FIG. 17 is a diagram showing only the shape of the tip of the electrode finger.
先に述べた本発明の第1乃至第7の実施例では電極指1
本の端部で発生する回折波の大きさは従来と同じであり
、その合成波を抑圧するように電極指の配置等を工夫し
たものである。In the first to seventh embodiments of the present invention described above, the electrode finger 1
The size of the diffracted waves generated at the edges of the book is the same as in the conventional method, and the arrangement of the electrode fingers has been devised to suppress the combined waves.
本実施例は、それぞれの電極指1本の端部で発生する回
折波を抑圧する実施例である。即ち、電極端部で発生す
る回折波は、電極指対で励損する弾性表面波の振幅が、
電極指端部で不連続に変化していることに起因している
。そこで電極指先端部での電界の変化をゆるやかにする
ことで、上記回折波は抑圧される。This embodiment is an embodiment in which diffracted waves generated at the end of each electrode finger are suppressed. In other words, the diffraction wave generated at the electrode end has the amplitude of the surface acoustic wave excited by the electrode finger pair.
This is due to discontinuous changes at the ends of the electrode fingers. Therefore, by slowing down the change in the electric field at the tip of the electrode finger, the diffracted waves can be suppressed.
これは、例えば第17図(a)に示すとおり、電極指の
先端を細くすることにより実現できる。同様に(bl
# (clのような形状としても良い、第6図に示すよ
うな電極の先端部を、第17図(a)# (bl a
(clに示すような形状とすれば、電極肩部で発生する
不要波が減少する。This can be realized, for example, by making the tips of the electrode fingers thinner, as shown in FIG. 17(a). Similarly (bl
The tip of the electrode as shown in FIG. 6, which may have a shape like # (cl), is shown in FIG.
(If the shape is as shown in cl, unnecessary waves generated at the electrode shoulders will be reduced.
また、スプリットコネクト型の弾性表面波装置では、電
極指先端部の形状を第17図(d) 、 (a)の形状
としても良い、また、第17図に示されているような電
極指端部の形状を本発明の第1乃至第7の実施例に適用
しても良いことは言うまでもない。In addition, in a split-connect type surface acoustic wave device, the shape of the electrode finger tip may be the shape shown in FIG. 17(d) or (a), or the electrode finger tip as shown in FIG. It goes without saying that the shape of the portion may be applied to the first to seventh embodiments of the present invention.
なお、本発明の構成および考え方は、ソリッド電極、ス
プリットコネクト型電極、スプリットアイソレート電極
のいずれも用いることができる。Note that the configuration and concept of the present invention can be applied to any of a solid electrode, a split connect type electrode, and a split isolated electrode.
才た、弾性表面波装置源の繰り返し周期が一定でない位
相重み付け電極、位相の異なる信号を加え低損失化をは
かる一方向性電極でも用いられることは明らかである。It is clear that the present invention can also be used with phase weighting electrodes in which the repetition period of a surface acoustic wave device source is not constant, and with unidirectional electrodes in which signals of different phases are added to reduce loss.
また、従来、不要回折波の影響を低減するために、正規
型電極の開口長を重み付け電極の開口長よりも1,2
乃至1.5倍大きくしていた。しかし、本発明によれば
、回折波そのものが抑圧されるため、2つの電極の開口
長を等しくすることができる。この結果チップの寸法を
20乃至40優小形化することができるという効果があ
る。In addition, conventionally, in order to reduce the influence of unnecessary diffracted waves, the aperture length of the regular electrode was set 1 or 2 times longer than the aperture length of the weighted electrode.
It was made 1.5 times larger. However, according to the present invention, since the diffracted waves themselves are suppressed, the aperture lengths of the two electrodes can be made equal. As a result, the size of the chip can be reduced by 20 to 40 mm.
また、ここでは、単一の励振源を無指向性とし、弾性表
面波速度の異方性が無い場合について示したが、これら
を考慮した厳密な解析によって、本発明と同様の構成を
実現しても良いことは明らかである。In addition, although the case where the single excitation source is non-directional and there is no anisotropy in the surface acoustic wave velocity is shown here, a configuration similar to the present invention can be realized by rigorous analysis that takes these into consideration. It is clear that it is possible.
次に1本発明の実m例としての浮き電極の作成方法の他
の例を@18図を用いて説明する。Next, another example of a method for creating a floating electrode as an actual example of the present invention will be explained using Figure @18.
第18図は本発明の正規型電極作成方法を示す要部模式
的平面図である。FIG. 18 is a schematic plan view of the main part showing the method for producing a regular type electrode of the present invention.
本発明の第1の実施例では、その説明に記載されている
ように浮き1極はすだれ状電極と同時に、ホトリソグラ
フ工程によって作成する旨記載されている。第18図に
示した例は、レーザカッタにより、浮き電極を形成する
ものである。即ち、従来の構成の正規型電極lを、ホト
リソグラフ工程で作成する(第18図(a) )−この
後レーザカッタでA部を切断し、同図正規型電極1′の
浮き電極7を作成する(第18図(b))。In the first embodiment of the present invention, as described in the description, it is stated that the floating single pole is produced simultaneously with the interdigital electrode by a photolithographic process. In the example shown in FIG. 18, a floating electrode is formed using a laser cutter. That is, a regular type electrode 1 having a conventional configuration is created by a photolithographic process (FIG. 18(a)) - After that, the part A is cut with a laser cutter to form the floating electrode 7 of the regular type electrode 1' in the figure. (Fig. 18(b)).
第18図に示したような浮き電極の形成方法によれば、
既に作成した正規型電極を加工するため、調整が可能で
ある。このため、他の原因によるトラップ減衰度の劣化
(例えば、直達波、パルフ波等)に対しても、十分な特
性が得られるように調整が可能であるという利点がある
。According to the method of forming a floating electrode as shown in FIG.
Adjustments are possible because the regular electrodes that have already been created are processed. Therefore, there is an advantage that adjustment can be made so that sufficient characteristics can be obtained even when the trap attenuation degree is degraded due to other causes (for example, direct waves, pulse waves, etc.).
なお、電極の切断方法として、超音波カッタ等の他の手
段を用いても良いことは明らかである。Note that it is clear that other means such as an ultrasonic cutter may be used to cut the electrode.
次に本発明の弾性表面波装置をカラーテレビジョン受信
機の中間周波フィルタに適用した場合について説明する
。中間周波フィルタとして用いられる弾性表面波フィル
タは、本発明第1の実施例と同じである。Next, a case will be described in which the surface acoustic wave device of the present invention is applied to an intermediate frequency filter of a color television receiver. The surface acoustic wave filter used as the intermediate frequency filter is the same as in the first embodiment of the present invention.
この弾性表面波フィルタは、カラーテレビジョン受信機
の選局装置(チューナ)と、映像信号増幅段PIFアン
プとの間に縦続接続される。この弾性表面波フィルタの
機能は、チューナにより選局された、希望チャネルを含
む信号のうち、希望信号以外の信号を抑圧し、また、希
望信号の映像キャリア、f声キャリア、クロマサブキャ
リアの各信号のレベルを適正な値にするものである。特
に、隣接するチャネルの映像キャリア(上隣接映像トラ
ップ)、音声キャリア(下隣接音声トラップ)の減衰量
は、希望信号対妨害信号比(DA)に大きく影響し、十
分な性能が要求される。This surface acoustic wave filter is connected in cascade between a channel selection device (tuner) of a color television receiver and a video signal amplification stage PIF amplifier. The function of this surface acoustic wave filter is to suppress signals other than the desired signal among the signals selected by the tuner that include the desired channel, and also to suppress each of the video carrier, f-voice carrier, and chroma subcarrier of the desired signal. This is to set the signal level to an appropriate value. In particular, the amount of attenuation of the video carrier (upper adjacent video trap) and audio carrier (lower adjacent audio trap) of adjacent channels greatly affects the desired signal to interference signal ratio (DA), and sufficient performance is required.
本発明の弾性表面波フィルタを用いた場合、特に、下隣
接音声トラップが従来に比べ1ldB改善しており、隣
接チャネルの音声キャリアが11 dB改善され、良好
な画質が得られた。When the surface acoustic wave filter of the present invention was used, in particular, the lower adjacent sound trap was improved by 1 ldB compared to the conventional one, and the sound carrier of the adjacent channel was improved by 11 dB, resulting in good image quality.
本発明の減衰極を改善する手法は、カラーテレビに限ら
ず、他の通信装置でも必要となる。即ち、0ATV受信
機の中間周波フィルタ、衛星放送受信機の第1または第
2中間周波フィルタ等の、複数チャネルの信号から希望
チャネルの信号を取り出す、所謂、バンドパスフィルタ
では、妨害信号の除去が重要であり、本発明、または、
本発明を用いた弾性表面波フィルタにより、大幅な性能
の改善がはかれる。The method of improving the attenuation pole of the present invention is required not only for color televisions but also for other communication devices. In other words, so-called bandpass filters that extract the signal of a desired channel from signals of multiple channels, such as the intermediate frequency filter of an ATV receiver or the first or second intermediate frequency filter of a satellite broadcasting receiver, cannot remove interference signals. important and the invention, or
A surface acoustic wave filter using the present invention provides a significant performance improvement.
以上説明したように、本発明によれば、電極指の交差幅
方向端部より発生する不要回折波を抑圧することができ
るため、特に十分な帯域外減衰量を得ることができ、フ
ィルタの性能向上に効果がある。更に、チップの寸法を
約20乃至40 m小形化がはかれるという効果がある
。As explained above, according to the present invention, unnecessary diffracted waves generated from the ends of the electrode fingers in the cross width direction can be suppressed, so that particularly sufficient out-of-band attenuation can be obtained, and the filter performance can be improved. Effective for improvement. Furthermore, there is an effect that the size of the chip can be reduced by about 20 to 40 m.
また、本装置を通信装置に用いた場合、隣接信号の抑圧
度が改善され、希望信号対妨害信号比(ry/u )の
向上がはかれる。Furthermore, when the present device is used in a communication device, the degree of suppression of adjacent signals is improved, and the desired signal to interference signal ratio (ry/u) is improved.
第1図は本発明の第1実施例の正規型電極の模式的平面
図、第2図は第1図に示された実施例の不要回折波の指
向性を示す図、第3図は第1図に示された実施例の不要
回折波の励損源の配置図、第4図は第1図に示された実
施例の弾性表面波装置の模式的平面図、第5図は第1図
に示された実施例の娠幅周波数特性図、第6図は従来の
正規型電極を示す模式的平面図、第7図は第6図に示さ
れた従来の不要回折波の指向性を示す図、第8図は第6
図に示された従来の不要励損源の配置図、第9図は本発
明の第2冥施例の正規型電極の模式的平面図、第10図
は本発明の第3実施例の正規型電極の模式的平面図、第
11図は第9図に示された本発明の第2実施例の不要回
折波の指向性図、第12図は第10図に示された本発明
の第3実施例の不要回折波の指向性図、第13図は本発
明の第4実施例の電極の模式的平面図、g14図は本発
明の第5実施例の電極の模式的平面図、第15図は本発
明の第6実施例のすだれ状電極の模式的平面図、第16
図は本発明の第7契施例のすだれ状電極の模式的平面図
、第17図は本発明の第8実施例のすだれ状電極の先端
部を示す模式的平面図、第18図は本発明電極作成方法
の他の例を示す要部模式的平面図である。
〈符号の説明〉
l・・・入力すだれ状電極 2・・・出力すだれ状電極
3.4・・・共通電極 5,6・・・電極指7.8
・・・浮き電極 9・・・不要回折波の指向性10
、11・・・不要回折波の励損源12・・・振幅周波
数特性
代理人 弁理士 小 川 膀 男
〒5図
閑r″1図
刃
O
りO
θ(dei)
殆δ図
蘭4図
45図
用
彼I史CMHz)
第a図
粥11図
印
j0
θ(den)
閉12図
θCde仔)
閉1j図
一1′7図
(Q、)
(b)
(C)
(d)
(e)
〒16図FIG. 1 is a schematic plan view of a regular electrode according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the directivity of unnecessary diffracted waves in the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 1 is a layout diagram of an excitation source for unwanted diffracted waves in the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 4 is a schematic plan view of the surface acoustic wave device in the embodiment shown in FIG. Fig. 6 is a schematic plan view showing a conventional regular electrode, and Fig. 7 shows the directivity of the conventional unwanted diffracted wave shown in Fig. 6. The figure shown in Fig. 8 is the 6th
FIG. 9 is a schematic plan view of a regular electrode according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a schematic plan view of a regular electrode according to a third embodiment of the present invention. A schematic plan view of the mold electrode, FIG. 11 is a directivity diagram of unnecessary diffracted waves of the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9, and FIG. 12 is a schematic plan view of the second embodiment of the present invention shown in FIG. Fig. 13 is a schematic plan view of the electrode of the fourth embodiment of the present invention; Fig. g14 is a schematic plan view of the electrode of the fifth embodiment of the present invention; FIG. 15 is a schematic plan view of the interdigital electrode according to the sixth embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a schematic plan view of the interdigital electrode according to the seventh embodiment of the present invention, FIG. 17 is a schematic plan view showing the tip of the interdigital electrode according to the eighth embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 7 is a schematic plan view of main parts showing another example of the invention electrode manufacturing method. <Explanation of symbols> l... Input interdigital electrode 2... Output interdigital electrode 3.4... Common electrode 5, 6... Electrode finger 7.8
...Floating electrode 9...Directivity of unnecessary diffracted waves 10
, 11... Excitation source of unnecessary diffracted waves 12... Amplitude frequency characteristic Agent Patent attorney Ogawa Uo 〒5 Figure kan r'' 1 Figure blade O ri O θ (dei) Almost δ Figure 4 Figure 45 Figure 11 mark j0 θ (den) Closed Figure 12 θCde child) Closed 1j Figure 1 1'7 (Q, ) (b) (C) (d) (e) 〒 Figure 16
Claims (1)
れ状電極を有し、前記入力電極または出力電極の少なく
とも一つが、第1の共通電極より延びる複数の第1の電
極指で構成される第1の電極と、第2の共通電極より延
び前記第1の電極指と交差するように形成された複数の
第2の電極指とより構成される第2の電極とを有し、前
記第1の電極指と第2の電極指の交差幅が一定の正規型
電極である弾性表面波装置において、電極指の延長上で
あり、かつ電極指の先端部に他の電極と電気的に接続さ
れない浮き電極が設けられていることを特徴とする弾性
表面波装置。 2.正規型電極を構成する前記第1の電極と浮き電極の
間の中心から、前記浮き電極と第2の電極の間の中心ま
での距離gが、次式で定められていることを特徴とする
請求項1記載の弾性表面波装置。 g=λ/2・1/√{1−(λ/〔2d〕)^2}ここ
で、λ:弾性表面波の波長 d:電極指の繰り返し周期 3.圧電性基板上に形成されたすだれ状電極で構成され
た入力電極と、該入力電極と相対する位置に形成された
すだれ状電極で構成された出力電極とを有し、これらす
だれ状電極の一方はすだれ状電極を構成する電極指の交
差幅が順次変化している重み付け電極で構成され、他方
のすだれ状電極はすだれ状電極を構成する電極の最小交
差幅が、前記重み付け電極の最大交差幅よりも大きく構
成された疑似正規型電極である弾性表面波装置でありて
、前記疑似正規型電極を構成するすだれ状電極の電極指
の長さが同極性の互いに隣接する電極指で異なり、かつ
電極指の長さの差が弾性表面波波長の0.1乃至3倍で
あることを特徴とする弾性表面波装置。 4.圧電性基板上に形成されたすだれ状電極で構成され
た入力電極と、該入力電極と相対する位置に形成された
すだれ状電極で構成された出力電極とを有し、これらす
だれ状電極の一方はすだれ状電極を構成する電極指の交
差幅が順次変化している重み付け電極で構成され、他方
のすだれ状電極はすだれ状電極を構成する電極の最小交
差幅が、前記重み付け電極の最大交差幅よりも大きく構
成された疑似正規型電極である弾性表面波装置であって
、前記疑似正規型電極を構成するそれぞれの電極指の先
端が、弾性表面波の伝搬方向に対しθs(度)傾けた直
線と平行の直線上に配置され、θsが次式で定められる
ことを特徴とする弾性表面波装置。 cos^−^1(λ/2・〔cosθs〕/〔d〕−θ
s)<05.圧電性基板上に形成されたすだれ状電極で
構成された入力電極と、該入力電極と相対する位置に形
成されたすだれ状電極で構成された出力電極とを有し、
これらすだれ状電極の一方はすだれ状電極を構成する電
極指の交差幅が順次変化している重み付け電極で構成さ
れ、他方のすだれ状電極はすだれ状電極を構成する電極
の最小交差幅が、前記重み付け電極の最大交差幅よりも
大きく構成された疑似正規型電極である弾性表面波装置
であって、前記疑似正規型電極の電極指の繰り返し周期
dが、重み付け電極の最大交差幅より広い交差部分では
弾性表面波装置の中心周波数で定まる弾性表面波波長λ
_0の1/4であり、該交差部分の外側の電極指の繰り
返し周期d′は弾性表面波波長の1/4より大きく成る
ように、電極指が湾曲されて構成されていることを特徴
とする弾性表面波装置。 6.圧電性基板上に形成されたすだれ状電極で構成され
た入力電極と,該入力電極と相対する位置に形成された
すだれ状電極で構成された出力電極とを有し、これらす
だれ状電極の一方はすだれ状電極を構成する電極指の交
差幅が順次変化している重み付け電極で構成され、他方
のすだれ状電極はすだれ状電極を構成する電極の最小交
差幅が、前記重み付け電極の最大交差幅よりも大きく構
成された疑似正規型電極である弾性表面波装置でありて
、前記疑似正規型電極の電極指の繰り返し周期dが、重
み付け電極の最大交差幅より広い交差部分では、弾性表
面波装置の中心周波数での弾性表面波波長λ_0の1/
4であり、該交差部分の外側の電極指の繰り返し周期d
′は弾性表面波装置の極の周波数での弾性表面波波長λ
_0の1/4よりも小さくなるように電極指が湾曲され
て構成されていることを特徴とする弾性表面波装置。 7.前記正規型電極の電極指の先端部分は、漸次細く形
成されていることを特徴とする請求項1または請求項2
記域の弾性表面波装置。 8.前記正規型電極の電極指の交差幅が一定で、かつ繰
り返し周期が順次変化して成る位相重み付け電極である
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の弾性表
面波装置。 9.前記正規型電極は弾性表面波伝搬方向に電極中心が
特定距離を隔てて同一伝搬路上に配置され、定格周波数
帯域内の特定周波数で、上記距離に対応した特定の電気
的位相差を有する電圧が印加される送出電極と反射電極
の組より成る一方向性電極であることを特徴とする請求
項1または請求項2記載の弾性表面波装置。 10.前記疑似正規型電極の電極指の先端部分は、漸次
細く形成されていることを特徴とする請求項3乃至請求
項6のいずれかに記載の弾性表面波装置。 11.前記疑似正規型電極は電極指の交差幅が一定で、
かつ繰り返し周期が順次変化して成る位相重み付け電極
であることを特徴とする請求項3乃至請求項6のいずれ
かに記載の弾性表面波装置。 12.前記疑似正規型電極は、弾性表面波伝搬方向に電
極中心が特定距離を隔てて同一伝搬路上に配置され、定
格周波数帯域内の特定周波数で、上記距離に対応した特
定の電気的位相差を有する電圧が印加される送出電極と
反射電極の組より成る一方向性電極であることを特徴と
する請求項3乃至請求項6のいずれかに記載の弾性表面
波装置。[Claims] 1. A first electrode having interdigitated electrodes as an input electrode and an output electrode on a piezoelectric substrate, wherein at least one of the input electrode or the output electrode is composed of a plurality of first electrode fingers extending from a first common electrode. a second electrode comprising an electrode and a plurality of second electrode fingers extending from a second common electrode and extending to intersect with the first electrode fingers; In a surface acoustic wave device that is a regular electrode in which the intersection width between the finger and the second electrode finger is constant, a floating electrode that is an extension of the electrode finger and is not electrically connected to other electrodes at the tip of the electrode finger is used. A surface acoustic wave device characterized by being provided with. 2. The distance g from the center between the first electrode and the floating electrode constituting the regular electrode to the center between the floating electrode and the second electrode is defined by the following formula. The surface acoustic wave device according to claim 1. g=λ/2・1/√{1-(λ/[2d])^2}where, λ: wavelength of surface acoustic wave d: repetition period of electrode fingers3. It has an input electrode composed of an interdigital electrode formed on a piezoelectric substrate, and an output electrode composed of an interdigital electrode formed at a position facing the input electrode, and one of these interdigital electrodes. The other interdigital electrode is composed of weighted electrodes in which the intersecting width of the electrode fingers that constitute the interdigital electrode changes sequentially, and the minimum intersecting width of the electrodes constituting the interdigital electrode is equal to the maximum intersecting width of the weighted electrode. A surface acoustic wave device which is a pseudo-normal electrode configured larger than the pseudo-normal electrode, wherein the length of the electrode fingers of the interdigital interdigital electrodes constituting the pseudo-normal electrode is different between adjacent electrode fingers of the same polarity, and A surface acoustic wave device characterized in that the difference in length between electrode fingers is 0.1 to 3 times the surface acoustic wave wavelength. 4. It has an input electrode composed of an interdigital electrode formed on a piezoelectric substrate, and an output electrode composed of an interdigital electrode formed at a position facing the input electrode, and one of these interdigital electrodes. The other interdigital electrode is composed of weighted electrodes in which the intersecting width of the electrode fingers that constitute the interdigital electrode changes sequentially, and the minimum intersecting width of the electrodes constituting the interdigital electrode is equal to the maximum intersecting width of the weighted electrode. A surface acoustic wave device that is a pseudo-normal electrode configured larger than the surface acoustic wave device, wherein the tip of each electrode finger constituting the pseudo-normal electrode is tilted by θs (degrees) with respect to the propagation direction of the surface acoustic wave. A surface acoustic wave device arranged on a straight line parallel to the straight line, and characterized in that θs is determined by the following formula. cos^-^1(λ/2・[cosθs]/[d]-θ
s)<05. It has an input electrode made up of interdigitated electrodes formed on a piezoelectric substrate, and an output electrode made up of interdigitated electrodes formed at a position facing the input electrode,
One of these interdigital electrodes is constituted by a weighted electrode in which the intersecting width of the electrode fingers constituting the interdigital electrode changes sequentially, and the other interdigital electrode is constituted by a weighted electrode in which the minimum intersecting width of the electrode fingers constituting the interdigital electrode is A surface acoustic wave device that is a pseudo-normal type electrode configured to be larger than a maximum crossing width of a weighting electrode, wherein the repetition period d of the electrode fingers of the pseudo-normal electrode is wider than the maximum crossing width of the weighting electrodes. Then, the surface acoustic wave wavelength λ determined by the center frequency of the surface acoustic wave device is
The electrode fingers are curved so that the repetition period d' of the electrode fingers outside the intersection is greater than 1/4 of the surface acoustic wave wavelength. surface acoustic wave device. 6. It has an input electrode composed of an interdigital electrode formed on a piezoelectric substrate, and an output electrode composed of an interdigital electrode formed at a position facing the input electrode, and one of these interdigital electrodes. The other interdigital electrode is composed of weighted electrodes in which the intersecting width of the electrode fingers that constitute the interdigital electrode changes sequentially, and the minimum intersecting width of the electrodes constituting the interdigital electrode is equal to the maximum intersecting width of the weighted electrode. In the surface acoustic wave device, which is a pseudo-normal type electrode configured to have a larger size than the surface acoustic wave device, the surface acoustic wave device is 1/ of the surface acoustic wave wavelength λ_0 at the center frequency of
4, and the repetition period d of the electrode fingers outside the intersection is
′ is the surface acoustic wave wavelength λ at the pole frequency of the surface acoustic wave device
A surface acoustic wave device characterized in that electrode fingers are curved to be smaller than 1/4 of _0. 7. Claim 1 or Claim 2, wherein the tip portion of the electrode finger of the regular electrode is formed to become gradually thinner.
Area surface acoustic wave device. 8. 3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the regular electrode is a phase weighting electrode in which the intersecting width of the electrode fingers is constant and the repetition period changes sequentially. 9. The normal type electrodes are arranged on the same propagation path with electrode centers separated by a specific distance in the surface acoustic wave propagation direction, and a voltage having a specific electrical phase difference corresponding to the distance at a specific frequency within the rated frequency band is generated. 3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device is a unidirectional electrode consisting of a set of a sending electrode and a reflecting electrode. 10. 7. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the tip portion of the electrode finger of the pseudo-normal electrode is formed to become gradually thinner. 11. The pseudo-normal electrode has a constant intersecting width of electrode fingers,
The surface acoustic wave device according to any one of claims 3 to 6, characterized in that the surface acoustic wave device is a phase weighting electrode whose repetition period changes sequentially. 12. The pseudo-normal electrodes are arranged on the same propagation path with electrode centers separated by a specific distance in the surface acoustic wave propagation direction, and have a specific electrical phase difference corresponding to the distance at a specific frequency within the rated frequency band. 7. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the surface acoustic wave device is a unidirectional electrode consisting of a set of a sending electrode and a reflecting electrode to which a voltage is applied.
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