JPH02168238A - 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH02168238A JPH02168238A JP63325207A JP32520788A JPH02168238A JP H02168238 A JPH02168238 A JP H02168238A JP 63325207 A JP63325207 A JP 63325207A JP 32520788 A JP32520788 A JP 32520788A JP H02168238 A JPH02168238 A JP H02168238A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属−絶縁体−金属からなる薄膜二端子素子
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に関する。
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に関する。
近年ツィスティッド・ネマチック型を中心とした液晶表
示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野
で大量に用いられている。それに加え、近年、画素をマ
トリクス状に配して文字・図形等の任意の表示が可能な
マトリクス型も使われ始めている。このマトリクス型Ｌ
ＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必
要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特
性の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を
増加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増
加させると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実
効電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素
の透過率増加というクロストークが生じる。その結果、
表示コントラストが著しく低下し、ある程度満足できる
コントラストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣ
Ｄでは、走査本数は６０本ぐらいが限界である。
示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野
で大量に用いられている。それに加え、近年、画素をマ
トリクス状に配して文字・図形等の任意の表示が可能な
マトリクス型も使われ始めている。このマトリクス型Ｌ
ＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必
要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特
性の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を
増加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増
加させると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実
効電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素
の透過率増加というクロストークが生じる。その結果、
表示コントラストが著しく低下し、ある程度満足できる
コントラストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣ
Ｄでは、走査本数は６０本ぐらいが限界である。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
−これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの
試作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉや多
結晶Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（Ｔ
ＰＴ）が多く′用いられている。また一方では、製造及
び構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき
、高歩留まり、低コスト化が期待される薄膜二端子素子
（以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬ
ＣＤも注目されている。
試作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉや多
結晶Ｓｉを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（Ｔ
ＰＴ）が多く′用いられている。また一方では、製造及
び構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき
、高歩留まり、低コスト化が期待される薄膜二端子素子
（以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬ
ＣＤも注目されている。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスＬＣ
Ｄ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において−香臭用化に
近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体−
金属構造の素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと略す）
を用いたＬＣＤである。ＭＩＭのようなＴＦＤを各画素
の液晶と直列に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電
流特性の高非線形性により、ＴＦＤ−液晶素子の電圧−
透過率変化特性の立ち上がりは急峻になり、液晶表示装
置の走査本数を大幅に増やすことが可能になる。
Ｄ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において−香臭用化に
近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体−
金属構造の素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと略す）
を用いたＬＣＤである。ＭＩＭのようなＴＦＤを各画素
の液晶と直列に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電
流特性の高非線形性により、ＴＦＤ−液晶素子の電圧−
透過率変化特性の立ち上がりは急峻になり、液晶表示装
置の走査本数を大幅に増やすことが可能になる。
このようなＭＩＭをもちいたＬＣＤの従来例は論文では
デイ・アールバラフ他著（ジ・オフチマイゼイション・
オフ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア・
デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレクスド
・リキッド・クリスタル・デイスプレィズ）、アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクション・オン・エレクトロ
ン・デバイシズ、２８巻、６号１頁７３６−７３９゜１
９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、ｅｔ ａｌ
、、 ”ＴｈｅＰｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍ
ｅｔａｌ−１ｎｓｈｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ−
１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ
Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅ
Ｉｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌＥＤ−２８，
ｐＰ７３６−７３９（１９８１））に代表的に示される
。
デイ・アールバラフ他著（ジ・オフチマイゼイション・
オフ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア・
デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレクスド
・リキッド・クリスタル・デイスプレィズ）、アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクション・オン・エレクトロ
ン・デバイシズ、２８巻、６号１頁７３６−７３９゜１
９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，Ｂａｒａｆｆ、ｅｔ ａｌ
、、 ”ＴｈｅＰｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍ
ｅｔａｌ−１ｎｓｈｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ−
１ｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉｎ
Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅ
Ｉｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌＥＤ−２８，
ｐＰ７３６−７３９（１９８１））に代表的に示される
。
ＭＩＭ素子において、最も重要な材料は絶縁体層の材料
である。最も知られている絶縁体材料としては酸化タン
タルがある（例えば、両角伸冶。
である。最も知られている絶縁体材料としては酸化タン
タルがある（例えば、両角伸冶。
他、著２５０ｘ２４０画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣＤ
テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８）、ｐ３
９−４４．１９８３年１２月発行）。
テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８）、ｐ３
９−４４．１９８３年１２月発行）。
このようなＭＩＭ素子を大容量のデイスプレィに適用す
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ＝ａＶ’ と表わしたときの非線形
係数αが太きこと、電流−電圧特性が印加電圧の極性に
無関係に正負対称であること及びＭＩＭ素子の容量が小
さいことである。
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ＝ａＶ’ と表わしたときの非線形
係数αが太きこと、電流−電圧特性が印加電圧の極性に
無関係に正負対称であること及びＭＩＭ素子の容量が小
さいことである。
ところが、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子は対称性は
よいが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また
誘電率も大きいため素子容量が大きい等の欠点を有して
いる。そこで、誘電率の小さい窒化シリコンがＭ Ｉ
Ｍ素子用絶縁材料として開発されている（例えば エム
スズキ他（ア ニュー アクティブ ダイオード マ
トリクス エルシープイー ユージング オフ ストイ
キオメトリツク ５ＩＮｘ レイヤー、プロシーデイ
ンダス オフ ザ ニスアイデイ−２８巻 １０１−１
０４頁、１９８７年発行） （Ｍ、５ｕｚｕｋｉ ｅｔ
ａｌ °’ Ａ Ｎｅｗ Ａｃｔｉｖｅ Ｄ
ｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇＯ
ｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＳｉＮｘ
Ｌａｙｅｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｒ ｔｈｅ
Ｓｒ口、Ｖｏｌ、２８ ｐｌｏｌ−１０４，１９
８７）） 。
よいが非線形係数が５〜６とそれほど大きくなく、また
誘電率も大きいため素子容量が大きい等の欠点を有して
いる。そこで、誘電率の小さい窒化シリコンがＭ Ｉ
Ｍ素子用絶縁材料として開発されている（例えば エム
スズキ他（ア ニュー アクティブ ダイオード マ
トリクス エルシープイー ユージング オフ ストイ
キオメトリツク ５ＩＮｘ レイヤー、プロシーデイ
ンダス オフ ザ ニスアイデイ−２８巻 １０１−１
０４頁、１９８７年発行） （Ｍ、５ｕｚｕｋｉ ｅｔ
ａｌ °’ Ａ Ｎｅｗ Ａｃｔｉｖｅ Ｄ
ｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇＯ
ｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＳｉＮｘ
Ｌａｙｅｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｒ ｔｈｅ
Ｓｒ口、Ｖｏｌ、２８ ｐｌｏｌ−１０４，１９
８７）） 。
この窒化シリコンを用いたＭＩＭ素子は非線形係数が７
〜９と酸化タンタルに比べて大きいものの、第２図の破
線で示されるように電圧−電流特性が印加電圧の極性に
より非対称になることが多い。このためこのＭＩＭ素子
を液晶表示装置に利用した場合にはフリッカ−が生じて
しまい、画像品質の低下をもとらしていた。
〜９と酸化タンタルに比べて大きいものの、第２図の破
線で示されるように電圧−電流特性が印加電圧の極性に
より非対称になることが多い。このためこのＭＩＭ素子
を液晶表示装置に利用した場合にはフリッカ−が生じて
しまい、画像品質の低下をもとらしていた。
本発明の目的は、このような画像品質の低下をもたらす
Ｍ、ＩＭ素子特性の電圧−電流特性の非対称性を改善し
、高画質の大容量液晶表示装置を提供することにある。
Ｍ、ＩＭ素子特性の電圧−電流特性の非対称性を改善し
、高画質の大容量液晶表示装置を提供することにある。
本発明は、透明電極が形成されている基板と、窒化シリ
コン膜を絶縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を
有する薄膜二端子素子がマトリクス状に形成されている
基板との間に液晶を挟持して成る薄膜二端子素子型アク
ティブマトリクス液晶表示装置において、前記金属と絶
縁体の間にｎ型不純物とｎ型不純物をドープした窒化シ
リコン層または炭化シリコン層をはさんだことを特徴と
する薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装
置である。
コン膜を絶縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を
有する薄膜二端子素子がマトリクス状に形成されている
基板との間に液晶を挟持して成る薄膜二端子素子型アク
ティブマトリクス液晶表示装置において、前記金属と絶
縁体の間にｎ型不純物とｎ型不純物をドープした窒化シ
リコン層または炭化シリコン層をはさんだことを特徴と
する薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装
置である。
本発明においては金属電極と窒化シリコン層との間にｎ
型不純物とｎ型不純物を含んだ窒化シリコン朋または炭
化シリコン層をはさむことによりキャリアの電極からの
注入を阻害する障壁を小さくでき、正電圧および負電圧
印加時のそれぞれの電極からのキャリアの注入に対する
障壁の違いによる電流値の非対称性がなくなる。この結
果フリッカ−のない良画質の液晶表示装置が実現できる
。
型不純物とｎ型不純物を含んだ窒化シリコン朋または炭
化シリコン層をはさむことによりキャリアの電極からの
注入を阻害する障壁を小さくでき、正電圧および負電圧
印加時のそれぞれの電極からのキャリアの注入に対する
障壁の違いによる電流値の非対称性がなくなる。この結
果フリッカ−のない良画質の液晶表示装置が実現できる
。
以下に本発明の実施例を示す。
本実施例によりえられるＴＦＤ素子の代表例の断面図を
第１図に示す、まず下部ガラス基板１を５ｉ０２等のガ
ラス保護Ｎ２で被覆する。この保護層２は不可欠なもの
ではないので省略することもできる０次にこの上に金属
電極としてＣｒを１０００人形成し、フォトリングラフ
ィ法により島状にパターン化してリード電極３を形成す
る。つずいて５ｉｌ１４ガスとＮ２ガスの混合ガスにＰ
Ｈ，ガスを０，５％、 Ｂ２１１６ガスを１％混合した
ガスを用いてグロー放電分解法によりガラス基板上にｎ
型不純物（燐）とｎ型不純物（はう素）をドープした第
１の窒化シリコン層４を５００人形成したのち、ＳｉＨ
４とＮ２の混合ガスから窒化シリコン層５を１２００人
、 ５ｉ１１４とＮ２混合ガスにｐＨ，ガスを０．２％
。
第１図に示す、まず下部ガラス基板１を５ｉ０２等のガ
ラス保護Ｎ２で被覆する。この保護層２は不可欠なもの
ではないので省略することもできる０次にこの上に金属
電極としてＣｒを１０００人形成し、フォトリングラフ
ィ法により島状にパターン化してリード電極３を形成す
る。つずいて５ｉｌ１４ガスとＮ２ガスの混合ガスにＰ
Ｈ，ガスを０，５％、 Ｂ２１１６ガスを１％混合した
ガスを用いてグロー放電分解法によりガラス基板上にｎ
型不純物（燐）とｎ型不純物（はう素）をドープした第
１の窒化シリコン層４を５００人形成したのち、ＳｉＨ
４とＮ２の混合ガスから窒化シリコン層５を１２００人
、 ５ｉ１１４とＮ２混合ガスにｐＨ，ガスを０．２％
。
Ｂ２Ｈ６ガスを０．２％混合したガスを用いてｎ型不純
物とｎ型不純物をドープした第２の窒化シリコン層６を
２００人形成することにより３層構造を形成する。この
とき窒化シリコン層を形成するときのガス混合比ＳｉＨ
４／Ｎ２はＯ，Ｏａ、また燐、及びほう素をドープした
第１及び第２の窒化シリコン層を形成するときのガス混
合比ＳｉＬ／ｌ１２は０，２であつた。その後上部電極
７としてＣ「を１０００人形成しフォトリソグラフィ法
によりパターン化し、ＭＩ Ｍ素子アレイを形成する。
物とｎ型不純物をドープした第２の窒化シリコン層６を
２００人形成することにより３層構造を形成する。この
とき窒化シリコン層を形成するときのガス混合比ＳｉＨ
４／Ｎ２はＯ，Ｏａ、また燐、及びほう素をドープした
第１及び第２の窒化シリコン層を形成するときのガス混
合比ＳｉＬ／ｌ１２は０，２であつた。その後上部電極
７としてＣ「を１０００人形成しフォトリソグラフィ法
によりパターン化し、ＭＩ Ｍ素子アレイを形成する。
その後、画素電極としてＩＴＯをパターン化形成する。
上部ガラス基板上の保護層９、上部透明電極１０の膜形
成、パターン化は通常の単純マルチプレックスＬＣＤと
殆んど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板
８とは配向処理を施したのちガラスファイバ等のスペー
サを介して張り合わせ、通常のエポキシ系接着剤により
シールした。セル厚は５ミクロンとした。そのｔｋＴＮ
形液晶１１であるＺＬＩ−１５６５（メルク社製）を基
板間に注入しＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
成、パターン化は通常の単純マルチプレックスＬＣＤと
殆んど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板
８とは配向処理を施したのちガラスファイバ等のスペー
サを介して張り合わせ、通常のエポキシ系接着剤により
シールした。セル厚は５ミクロンとした。そのｔｋＴＮ
形液晶１１であるＺＬＩ−１５６５（メルク社製）を基
板間に注入しＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
本発明により形成した二端子素子の電圧−電流特性を測
定したところ第２図の実線で示されるように電圧の極性
に対して対称であり、従来の窒化シリコンの単層構造よ
り得られた二端子素子の電圧−電流特性（破線）に比べ
て対称性が改善されていることがわかった。また、非線
形係数も８と太きく１０００本以上の高走査線を有する
ＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可能なことがわかった。
定したところ第２図の実線で示されるように電圧の極性
に対して対称であり、従来の窒化シリコンの単層構造よ
り得られた二端子素子の電圧−電流特性（破線）に比べ
て対称性が改善されていることがわかった。また、非線
形係数も８と太きく１０００本以上の高走査線を有する
ＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可能なことがわかった。
この二端子素子の窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０６０２以上０．６以下が非線
形性の大きい二端子素子をつくるために必要である。ま
たほう素及び燐をドープした第１及び第２の窒化シリコ
ン層を形成するときのガス混合比５ｉｌ１４／Ｎ２は０
．０１以上であり、燐およびほう素の混合比は１０ｐｐ
ｍ以上であれば電圧−電流特性の対称性に効果があった
。又燐の代わりに砒素を用いても効果があった。本実施
例においては５ｉ）Ｉ４とＮ２の混合ガスを用いて窒化
シリコン層を成膜しているが、ＳｉＨ４とＮＨ，の混合
ガスを用いても良好なダイオード特性が得られた。
混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０６０２以上０．６以下が非線
形性の大きい二端子素子をつくるために必要である。ま
たほう素及び燐をドープした第１及び第２の窒化シリコ
ン層を形成するときのガス混合比５ｉｌ１４／Ｎ２は０
．０１以上であり、燐およびほう素の混合比は１０ｐｐ
ｍ以上であれば電圧−電流特性の対称性に効果があった
。又燐の代わりに砒素を用いても効果があった。本実施
例においては５ｉ）Ｉ４とＮ２の混合ガスを用いて窒化
シリコン層を成膜しているが、ＳｉＨ４とＮＨ，の混合
ガスを用いても良好なダイオード特性が得られた。
本実施例においてはｎ型不純物とｎ型不純物をドープし
た窒化シリコン層をもちいているが、同様な方法でｎ型
不純物とｎ型不純物をドープした炭化シリコン層を窒化
シリコンの両側にはさんだ３層構造でも対称性の良いダ
イオード特性が得られた。この時、混合比５ｔ）１４／
ＣＨ４が０．１以上のガスを用いた炭化シリコン膜を成
膜した。
た窒化シリコン層をもちいているが、同様な方法でｎ型
不純物とｎ型不純物をドープした炭化シリコン層を窒化
シリコンの両側にはさんだ３層構造でも対称性の良いダ
イオード特性が得られた。この時、混合比５ｔ）１４／
ＣＨ４が０．１以上のガスを用いた炭化シリコン膜を成
膜した。
また、本実施例においては、グロー放電分解法を用いて
３層構造を形成しているがスパッタ法。
３層構造を形成しているがスパッタ法。
ＣＶＤ法等の他の成膜方法においても本発明は有効であ
る。
る。
本実施例においては電極としてクロム電極を用いている
が、ＡＩ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等地の金属及びシリサイドを
上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。ま
た、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極を
二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有効
である。
が、ＡＩ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等地の金属及びシリサイドを
上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。ま
た、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極を
二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有効
である。
本実施例を用いて形成された６４０Ｘ４００素子のＴＦ
Ｄ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコントラスト２
０：１以上、フリッカー−３７ｄＢと従来の窒化シリコ
ンの単層構造のＴＦＤ−ＬＣＤの一２５ｄＢに比べて大
幅に改善されていることが明らかになった。
Ｄ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコントラスト２
０：１以上、フリッカー−３７ｄＢと従来の窒化シリコ
ンの単層構造のＴＦＤ−ＬＣＤの一２５ｄＢに比べて大
幅に改善されていることが明らかになった。
以上説明したように、本発明によれば対称性が良く、非
線形性の高い薄膜二端子素子特性が得られるので大容量
でフリッカ−の少ない液晶表示装置を提供することがで
きる。
線形性の高い薄膜二端子素子特性が得られるので大容量
でフリッカ−の少ない液晶表示装置を提供することがで
きる。
第１図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの１実施例の断面
図、第２図は本発明による薄膜二端子素子と従来例によ
る薄膜二端子素子の電圧−電流特性を示した図である。 １・・・下部ガラス基板、２．９・・・ガラス保護膜、
３・・・リード電極、４・・・はう素及び燐がドープさ
れた第１の窒化シリコン層、５・・・窒化シリコン層、
６・・・はう素及び燐がドープされた第２の窒化シリコ
ン層、７・・・上部電極、８・・・上部ガラス電極、１
０・・・上部透明電極、１１・・・液晶。 代理人 弁理士 内 原 音 上！因 ５と２
図、第２図は本発明による薄膜二端子素子と従来例によ
る薄膜二端子素子の電圧−電流特性を示した図である。 １・・・下部ガラス基板、２．９・・・ガラス保護膜、
３・・・リード電極、４・・・はう素及び燐がドープさ
れた第１の窒化シリコン層、５・・・窒化シリコン層、
６・・・はう素及び燐がドープされた第２の窒化シリコ
ン層、７・・・上部電極、８・・・上部ガラス電極、１
０・・・上部透明電極、１１・・・液晶。 代理人 弁理士 内 原 音 上！因 ５と２
Claims (1)
- 透明電極が形成されている基板と、窒化シリコン膜を絶
縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を有する薄膜
二端子素子がマトリクス状に形成されている基板との間
に液晶を挟持して成る薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶表示装置において、前記金属と絶縁体の間に
ｎ型不純物とｐ型不純物をドープした窒化シリコン層ま
たは炭化シリコン層をはさんだことを特徴とする薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325207A JPH02168238A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| US07/455,259 US5122889A (en) | 1988-12-22 | 1989-12-22 | Active matrix liquid crystal display using mim diodes having symmetrical voltage-current characteristics as switching elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325207A JPH02168238A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168238A true JPH02168238A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18174221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325207A Pending JPH02168238A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8295123B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Current rectifying element, memory device incorporating current rectifying element, and fabrication method thereof |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63325207A patent/JPH02168238A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8295123B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Current rectifying element, memory device incorporating current rectifying element, and fabrication method thereof |
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