JPH02157101A - 水素ガス又はヘリウムガスの精製方法 - Google Patents
水素ガス又はヘリウムガスの精製方法Info
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- JPH02157101A JPH02157101A JP63309789A JP30978988A JPH02157101A JP H02157101 A JPH02157101 A JP H02157101A JP 63309789 A JP63309789 A JP 63309789A JP 30978988 A JP30978988 A JP 30978988A JP H02157101 A JPH02157101 A JP H02157101A
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Landscapes
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、種々の水素ガス製造プロセス、または天然
ガスなどの精製工程から得られた「水素ガス又はヘリウ
ムガスを主として含有する原料ガス」を、r選択透過性
の高分子分離膜を内蔵する分離膜モジュールJと、「デ
オキソ反応装置Jと、r吸着装置Aとを組み合わせて使
用して、高分子量の化合物と共に、少なくとも酸素ガス
および水分が実質的に除去された「高純度の水素ガス又
はヘリウムガスjを得ることができる前記原料ガスの精
製方法に係わるものである。
ガスなどの精製工程から得られた「水素ガス又はヘリウ
ムガスを主として含有する原料ガス」を、r選択透過性
の高分子分離膜を内蔵する分離膜モジュールJと、「デ
オキソ反応装置Jと、r吸着装置Aとを組み合わせて使
用して、高分子量の化合物と共に、少なくとも酸素ガス
および水分が実質的に除去された「高純度の水素ガス又
はヘリウムガスjを得ることができる前記原料ガスの精
製方法に係わるものである。
[従来技術の説明〕
最近、水素ガス又はヘリウムガスを主として含有する原
料ガスを、選択透過性を有する高分子分離膜で、精製し
て、高純度の水素またはヘリウムガスを得る方法が、特
公昭44−5526号公報、特開昭54−72778号
公報などにおいて、提案されている。
料ガスを、選択透過性を有する高分子分離膜で、精製し
て、高純度の水素またはヘリウムガスを得る方法が、特
公昭44−5526号公報、特開昭54−72778号
公報などにおいて、提案されている。
しかし、前記高分子分離膜による精製法では、原料ガス
中に少量含有されている水蒸気、酸素ガスなどの一部が
、水素ガスまたはヘリウムガスと共に、前記高分子分離
膜を透過してしまうので、前記高分子分離膜を透過した
高濃度の水素ガスまたはヘリウムガス中には、かなりの
量の酸素ガス、水蒸気などが含有されていて、高い純度
の水素またはヘリウムガスを得ることができないと言う
問題点があった。
中に少量含有されている水蒸気、酸素ガスなどの一部が
、水素ガスまたはヘリウムガスと共に、前記高分子分離
膜を透過してしまうので、前記高分子分離膜を透過した
高濃度の水素ガスまたはヘリウムガス中には、かなりの
量の酸素ガス、水蒸気などが含有されていて、高い純度
の水素またはヘリウムガスを得ることができないと言う
問題点があった。
この発明の目的は、水素ガス又はヘリウムガスを主とし
て含有する原料ガスを、選択透過性を有する高分子分離
膜で、精製して、高純度の水素またはヘリウムガスを得
る方法において、前述の問題点を解消することができ、
原料ガス中に少量含有されている少なくとも酸素ガスま
たは水蒸気が実質的に除去された、高純度の水素ガスま
たはヘリウムガスを容易に得る方法を提供することをで
ある。
て含有する原料ガスを、選択透過性を有する高分子分離
膜で、精製して、高純度の水素またはヘリウムガスを得
る方法において、前述の問題点を解消することができ、
原料ガス中に少量含有されている少なくとも酸素ガスま
たは水蒸気が実質的に除去された、高純度の水素ガスま
たはヘリウムガスを容易に得る方法を提供することをで
ある。
この発明は、水素ガス又はヘリウムガスを90容量%以
−ヒ含有しており、しかも、酸素ガスを少量含有する原
料ガスを、選択透過性を有する高分子分離膜を内蔵する
分離膜モジュールの少なくとも1個へ供給して、前記分
離膜モジュール内の高分子分離膜のガス透過側から水素
又はヘリウム濃度の向上した透過ガスを回収して、その
透過ガス中に含有している酸素ガスをデオキソ反応装置
へ供給して水蒸気となし、前記透過ガス中の水分を吸着
装置によって除去して高純度の水素又はヘリウムガスを
得ることを特徴とする水素ガス又はヘリウムガスの精製
方法、並びに、 前記原料ガスを、デオキソ反応装置へ供給して、前記酸
素ガスを水蒸気となし、その水蒸気を含有する原料ガス
を吸着装置に供給して水分を除去し、そして、少なくと
も酸素ガスおよび水分が実質的に除去された原料ガスを
、選択透過性を有する高分子分離膜を内蔵する分離膜モ
ジュールの少なくとも1個へ供給して、前記分離膜モジ
ュール内の高分子分離膜のガス透過側から高純度の水素
又はヘリウムガスを得ることを特徴とする水素ガス又は
ヘリウムガスの精製方法に関する。
−ヒ含有しており、しかも、酸素ガスを少量含有する原
料ガスを、選択透過性を有する高分子分離膜を内蔵する
分離膜モジュールの少なくとも1個へ供給して、前記分
離膜モジュール内の高分子分離膜のガス透過側から水素
又はヘリウム濃度の向上した透過ガスを回収して、その
透過ガス中に含有している酸素ガスをデオキソ反応装置
へ供給して水蒸気となし、前記透過ガス中の水分を吸着
装置によって除去して高純度の水素又はヘリウムガスを
得ることを特徴とする水素ガス又はヘリウムガスの精製
方法、並びに、 前記原料ガスを、デオキソ反応装置へ供給して、前記酸
素ガスを水蒸気となし、その水蒸気を含有する原料ガス
を吸着装置に供給して水分を除去し、そして、少なくと
も酸素ガスおよび水分が実質的に除去された原料ガスを
、選択透過性を有する高分子分離膜を内蔵する分離膜モ
ジュールの少なくとも1個へ供給して、前記分離膜モジ
ュール内の高分子分離膜のガス透過側から高純度の水素
又はヘリウムガスを得ることを特徴とする水素ガス又は
ヘリウムガスの精製方法に関する。
以下、この発明の精製方法を、V面も参考にして詳しく
説明する。
説明する。
この発明において使用する原料ガスは、水素ガス又はヘ
リウムガスを90容量%以上、好ましくは95容量%以
上、特に好ましくは97容量%以上含有しており、しか
も、酸素ガスを少量(好ましくは0.00005〜5容
量%程度、特に好ましくはO,OO01〜3容量%程度
)含有する原料ガスである。
リウムガスを90容量%以上、好ましくは95容量%以
上、特に好ましくは97容量%以上含有しており、しか
も、酸素ガスを少量(好ましくは0.00005〜5容
量%程度、特に好ましくはO,OO01〜3容量%程度
)含有する原料ガスである。
前記の原料ガスとしては、種々の水素ガス製造プロセス
、または天然ガスなどの精製工程から得られた水素ガス
又はヘリウムガスを主として含有する原料ガスを挙げる
ことができ、水素ガスまたはヘリウムガス、および、酸
素ガス、水蒸気などのガスの他に、分子量の大きなメタ
ンガスなどの炭化水素化合物の気体状ガスを含有してい
てもよい。
、または天然ガスなどの精製工程から得られた水素ガス
又はヘリウムガスを主として含有する原料ガスを挙げる
ことができ、水素ガスまたはヘリウムガス、および、酸
素ガス、水蒸気などのガスの他に、分子量の大きなメタ
ンガスなどの炭化水素化合物の気体状ガスを含有してい
てもよい。
この発明において使用する分離膜モジュールは、水素ガ
スまたはヘリウムガスを選択的に透過させることができ
る高分子ポリマー製のガス分離膜(例えば、平膜状、ス
パイラル状、中空系状などの高分子分離膜)が、内蔵さ
れているガス分離モジュールであれば、その形式、サイ
ズなどが特に限定されるものではない。
スまたはヘリウムガスを選択的に透過させることができ
る高分子ポリマー製のガス分離膜(例えば、平膜状、ス
パイラル状、中空系状などの高分子分離膜)が、内蔵さ
れているガス分離モジュールであれば、その形式、サイ
ズなどが特に限定されるものではない。
また、この発明においては、前記分離膜モジュールは、
少なくとも1個(1段)使用されればよいが、好ましく
は1〜10個、特に好ましくは1〜6個程度であればよ
く、また、複数の分離膜モジュールを使用する場合には
、直列、並列のいずれで使用してもよいが、特に、高純
度の水素ガス又はヘリウムガスを得るためには、2〜6
個の複数の分離膜モジュールを直列で連結して使用し、
それぞれの分離膜モジュールの高分子分離膜の透過側か
ら得られた透過ガスを、次の分離膜モジュールの高分子
分離膜の供給側(非透過側)へ順次供給することが好適
である。
少なくとも1個(1段)使用されればよいが、好ましく
は1〜10個、特に好ましくは1〜6個程度であればよ
く、また、複数の分離膜モジュールを使用する場合には
、直列、並列のいずれで使用してもよいが、特に、高純
度の水素ガス又はヘリウムガスを得るためには、2〜6
個の複数の分離膜モジュールを直列で連結して使用し、
それぞれの分離膜モジュールの高分子分離膜の透過側か
ら得られた透過ガスを、次の分離膜モジュールの高分子
分離膜の供給側(非透過側)へ順次供給することが好適
である。
前記の高分子分離膜は、水素ガスと窒素ガスとの透過速
度の比(pH2/ PN2) 、あるいは、ヘリウムガ
スと窒素ガスとの透過速度の比(1)lIQ/PN2)
が、30以上、特に60以上、さらに好ましくは100
以上の性能を有する高分子分離膜であることが好ましい
。
度の比(pH2/ PN2) 、あるいは、ヘリウムガ
スと窒素ガスとの透過速度の比(1)lIQ/PN2)
が、30以上、特に60以上、さらに好ましくは100
以上の性能を有する高分子分離膜であることが好ましい
。
前記の高分子分離膜を形成している高分子ポリマーとし
ては、芳香族ポリイミド、ポリアミド、ポリエステルな
どを挙げることができる。
ては、芳香族ポリイミド、ポリアミド、ポリエステルな
どを挙げることができる。
この発明では、前記高分子分離膜としては、水素とメタ
ンとのガス透過速度の比(PH11/PCI+4)また
はヘリウムとメタンとのガス透過速度の比(PH11/
PCI+4)で示される分離性能が100以上、特に1
50以上、さらに好ましくは200以上であるものであ
って、特開昭61−19813号公報、特開昭62−4
2723号公報などに記載されたガス分離膜モジュール
に使用された芳香族ポリイミド製のガス分離膜(中空糸
膜)が好適である。
ンとのガス透過速度の比(PH11/PCI+4)また
はヘリウムとメタンとのガス透過速度の比(PH11/
PCI+4)で示される分離性能が100以上、特に1
50以上、さらに好ましくは200以上であるものであ
って、特開昭61−19813号公報、特開昭62−4
2723号公報などに記載されたガス分離膜モジュール
に使用された芳香族ポリイミド製のガス分離膜(中空糸
膜)が好適である。
また、この発明では、前記芳香族ポリイミド製のガス分
離膜などの高分子分離膜は、水素ガス透過速度(P11
2)が、約1×10 ll−lXl0−3cポ/ cM
・sec ・cmllg、特に好ましくは約lXl
0−7〜5 X 10−’cm/cffl −sec
−cml1g程度であることが好ましい。
離膜などの高分子分離膜は、水素ガス透過速度(P11
2)が、約1×10 ll−lXl0−3cポ/ cM
・sec ・cmllg、特に好ましくは約lXl
0−7〜5 X 10−’cm/cffl −sec
−cml1g程度であることが好ましい。
前記中空糸膜は、その外径が50〜2000μm、特に
100〜] 000 /7m、さらに好ましくは150
〜600 // m程度であることが好ましく、さらに
、前記中空糸膜の(厚の/外径)が0.1〜03程度で
あることが好ましい。前記の中空糸膜の外径が小さくな
り過ぎると、中空糸膜内部を流れるガスの圧力損失が大
きくなり好ましくなく、また、前記中空糸膜の外径が大
きくなり過ぎると、分離膜モジュールの単位容積力たり
の有効面積が減少するので好ましくない。さらに、中空
糸膜の厚ミ〔(中空糸膜の外径−中空糸膜の内径)/2
〕は、小さくなり過ぎると耐圧性が低下するので好まし
くなく、また、中空系膜の厚みが大きくなり過ぎるとそ
れぞれのガス透過速度が低下するので好ましくない。
100〜] 000 /7m、さらに好ましくは150
〜600 // m程度であることが好ましく、さらに
、前記中空糸膜の(厚の/外径)が0.1〜03程度で
あることが好ましい。前記の中空糸膜の外径が小さくな
り過ぎると、中空糸膜内部を流れるガスの圧力損失が大
きくなり好ましくなく、また、前記中空糸膜の外径が大
きくなり過ぎると、分離膜モジュールの単位容積力たり
の有効面積が減少するので好ましくない。さらに、中空
糸膜の厚ミ〔(中空糸膜の外径−中空糸膜の内径)/2
〕は、小さくなり過ぎると耐圧性が低下するので好まし
くなく、また、中空系膜の厚みが大きくなり過ぎるとそ
れぞれのガス透過速度が低下するので好ましくない。
この発明で使用する吸着装置は、少なくとも水蒸気(水
分)を吸着することができる吸着剤を内蔵するものであ
ればどのようなものであってもよく、その水蒸気の吸着
剤としては、例えば、モレキュラーシーブ、シリカゲル
、塩化カルシウム、活性炭などを挙げることができる。
分)を吸着することができる吸着剤を内蔵するものであ
ればどのようなものであってもよく、その水蒸気の吸着
剤としては、例えば、モレキュラーシーブ、シリカゲル
、塩化カルシウム、活性炭などを挙げることができる。
水分の吸着剤としては、特に、モレキュラーシーブが好
適である。
適である。
なお、前記の吸着剤としては、必要であれば、炭酸ガス
などに好適な吸着剤を、水分用の吸着剤と併用すること
が好ましく、特に炭酸ガスの吸着剤としては、活性炭を
挙げることができるので、前記吸着剤としては、モレキ
ュラ−ブおよび活性炭を併用することが好適である。
などに好適な吸着剤を、水分用の吸着剤と併用すること
が好ましく、特に炭酸ガスの吸着剤としては、活性炭を
挙げることができるので、前記吸着剤としては、モレキ
ュラ−ブおよび活性炭を併用することが好適である。
この発明において使用するデオキソ反応装置は、パラジ
ウム系触媒などの還元反応用触媒の存在下、酸素ガスと
水素ガスをを還元反応させて、両ガスから水を生成させ
ることができる金属製容器からなる脱酸素装置である。
ウム系触媒などの還元反応用触媒の存在下、酸素ガスと
水素ガスをを還元反応させて、両ガスから水を生成させ
ることができる金属製容器からなる脱酸素装置である。
次いで、この発明の好ましい実施態様(プロセス)の例
を、図面に示すフローシーl−に沿って説明する。
を、図面に示すフローシーl−に沿って説明する。
第1図はおよび第2図は、水素ガス又はヘリウムガスを
主として含有する原料ガスを分離膜モジュール(第1図
;1個、第2図:2個直列)へ供給して得られた透過ガ
スを、デオキソ反応装置へ供給して、酸素ガスを還元し
て水となし、その水分を吸着装置で除去することによっ
て、高純度の水素ガス又はヘリウムガスを得るというこ
の発明の精製方法に係わるプロセスを概略示すフロー図
であり、そして、第3図は、前記原料ガスをデオキソ反
応装置へ供給して、酸素ガスを還元して水となし、その
水分を吸着装置で除去し、得られた原料ガスを分離膜モ
ジュール(3個直列)へ供給して、高純度の水素ガス又
はヘリウムガスからなる透過ガスを得るというこの発明
の精製方法に係わるプロセスを概略示すフロー図である
。
主として含有する原料ガスを分離膜モジュール(第1図
;1個、第2図:2個直列)へ供給して得られた透過ガ
スを、デオキソ反応装置へ供給して、酸素ガスを還元し
て水となし、その水分を吸着装置で除去することによっ
て、高純度の水素ガス又はヘリウムガスを得るというこ
の発明の精製方法に係わるプロセスを概略示すフロー図
であり、そして、第3図は、前記原料ガスをデオキソ反
応装置へ供給して、酸素ガスを還元して水となし、その
水分を吸着装置で除去し、得られた原料ガスを分離膜モ
ジュール(3個直列)へ供給して、高純度の水素ガス又
はヘリウムガスからなる透過ガスを得るというこの発明
の精製方法に係わるプロセスを概略示すフロー図である
。
この発明では、例えば、第1図に示すように、(a)
水素ガス又はヘリウムガスを主として含有する原料ガ
スを、原料ガスボンへ1及び2なとから、レザーバー3
を経由して圧縮機4へ供給し、その圧縮機4によって加
圧し、 Fb) その加圧された原料ガスを、クーラー5、水
分量調整器6、フィルター7、及び電熱ヒーター9を経
て、高分子分離膜を内蔵する分離膜モジュール10へ供
給して、水素又はヘリウJ・の膜分離を行い、前記高分
子分離膜の透過側から、水素ガス又はヘリウムガス濃度
の向−1ニした透過ガスを得て、 (C) その透過ガスをデオキソ反応装置11へ供給
して、透過ガス中の少量の酸素ガスを還元して水となし
、 (d) その透過ガス中の水分などを吸着装置12で
除去して精製し、 (e) 得られた精製ガスを貯蔵槽(図面には丞して
いない)へ回収することによって、 高純度の水素ガス又はヘリウムガスを製造するのである
。
水素ガス又はヘリウムガスを主として含有する原料ガ
スを、原料ガスボンへ1及び2なとから、レザーバー3
を経由して圧縮機4へ供給し、その圧縮機4によって加
圧し、 Fb) その加圧された原料ガスを、クーラー5、水
分量調整器6、フィルター7、及び電熱ヒーター9を経
て、高分子分離膜を内蔵する分離膜モジュール10へ供
給して、水素又はヘリウJ・の膜分離を行い、前記高分
子分離膜の透過側から、水素ガス又はヘリウムガス濃度
の向−1ニした透過ガスを得て、 (C) その透過ガスをデオキソ反応装置11へ供給
して、透過ガス中の少量の酸素ガスを還元して水となし
、 (d) その透過ガス中の水分などを吸着装置12で
除去して精製し、 (e) 得られた精製ガスを貯蔵槽(図面には丞して
いない)へ回収することによって、 高純度の水素ガス又はヘリウムガスを製造するのである
。
なお、第1図におけるプロセスにおいて、分離膜モジュ
ールの高分子分離膜の非透過(!1.11から回収され
る未透過ガスは、水素又はヘリウムガス濃度が低下して
おり、この未透過ガスを、フィルタ14を経てレザーパ
ー3へ返して、原料ガスと混合して、再度、前記分離膜
モジュール]0へ供給することが好ましい。
ールの高分子分離膜の非透過(!1.11から回収され
る未透過ガスは、水素又はヘリウムガス濃度が低下して
おり、この未透過ガスを、フィルタ14を経てレザーパ
ー3へ返して、原料ガスと混合して、再度、前記分離膜
モジュール]0へ供給することが好ましい。
なお、第1図において、■1は圧縮機4の吐出圧力調節
弁、■2は分離膜モジュール10の非透過ガスの圧力調
節弁、■3は分離膜モジュール10から得られる透過ガ
スの圧力調節弁であり、PIは圧力計、TIは温度計、
Eは電気ヒータFは流量計、およびCWは冷水である。
弁、■2は分離膜モジュール10の非透過ガスの圧力調
節弁、■3は分離膜モジュール10から得られる透過ガ
スの圧力調節弁であり、PIは圧力計、TIは温度計、
Eは電気ヒータFは流量計、およびCWは冷水である。
前記の第1図におけるプロセスにおいて、分離膜モジュ
ール10へ供給される原料ガスは、その圧力が0.1〜
150kg/c消G、特に5〜100kg/ cry
G程度であって、その温度が一100〜200゛C1特
に−70〜150°C程度、さらに好ましくは0〜10
0°Cであることが好ましく、透過ガスの圧力が約30
mmHg Abs以上、特に760mmHgAbs〜
10kg/cIIIC程度であることが好ましい。
ール10へ供給される原料ガスは、その圧力が0.1〜
150kg/c消G、特に5〜100kg/ cry
G程度であって、その温度が一100〜200゛C1特
に−70〜150°C程度、さらに好ましくは0〜10
0°Cであることが好ましく、透過ガスの圧力が約30
mmHg Abs以上、特に760mmHgAbs〜
10kg/cIIIC程度であることが好ましい。
また、この発明の精製方法では、例えば、第2図に示す
ように、 (a) 水素ガス又はヘリウムガスを主として含有す
る原料ガスを、原料ガスボンへ1及び2などから、レザ
ーパー3を経由して圧縮機4へ供給し、その圧縮機4に
よって加圧し、 (b) −(1) その加圧された原料ガスを、クー
ラー5、水分量調整器6、フィルター7、及び電熱ヒー
ター9を経て、高分子分離膜を内蔵する第1の分離膜モ
ジュール10aへ供給して、水素又はヘリウムの膜分離
を行い、前記第1の分離膜モジュール10aの高分子分
離膜の透過側から、水素ガス又はヘリウムガス濃度の向
上した透過ガスを得て、 (ト)) −(2) その透過ガスを第2の分離膜モ
ジュール10b(第1の分離膜モジュールと同様のモジ
ュール)へ供給して、水素又はヘリウムの膜分離を行い
、前記第2の分離膜モジュール10bの高分子分離膜の
透過側から、水素ガス又はヘリウムガス濃度の向」ニし
た透過ガスを得て、(C) その透過ガスをデオキシ
反応装置】1へ供給して、透過ガス中の少量の酸素ガス
を還元して水となし、 (d) その透過ガス中の水分などを吸着装置12で
除去して精製し、 (e) 得られた精製ガスを貯蔵槽(図面には示して
いない)へ回収することによって、 高純度の水素ガス又はヘリウムガスを製造するのである
。
ように、 (a) 水素ガス又はヘリウムガスを主として含有す
る原料ガスを、原料ガスボンへ1及び2などから、レザ
ーパー3を経由して圧縮機4へ供給し、その圧縮機4に
よって加圧し、 (b) −(1) その加圧された原料ガスを、クー
ラー5、水分量調整器6、フィルター7、及び電熱ヒー
ター9を経て、高分子分離膜を内蔵する第1の分離膜モ
ジュール10aへ供給して、水素又はヘリウムの膜分離
を行い、前記第1の分離膜モジュール10aの高分子分
離膜の透過側から、水素ガス又はヘリウムガス濃度の向
上した透過ガスを得て、 (ト)) −(2) その透過ガスを第2の分離膜モ
ジュール10b(第1の分離膜モジュールと同様のモジ
ュール)へ供給して、水素又はヘリウムの膜分離を行い
、前記第2の分離膜モジュール10bの高分子分離膜の
透過側から、水素ガス又はヘリウムガス濃度の向」ニし
た透過ガスを得て、(C) その透過ガスをデオキシ
反応装置】1へ供給して、透過ガス中の少量の酸素ガス
を還元して水となし、 (d) その透過ガス中の水分などを吸着装置12で
除去して精製し、 (e) 得られた精製ガスを貯蔵槽(図面には示して
いない)へ回収することによって、 高純度の水素ガス又はヘリウムガスを製造するのである
。
なお、第2図におけるプロセスにおいて、第1および第
2の分離膜モジュールの各高分子分離膜の非透過側から
回収される未透過ガスは、水素又はヘリウムガス濃度が
低下しており、特に、第2の分離膜モジュール10bか
らの未透過ガスは、流量計14aおよび14bを経てレ
ザーバー3へそれぞれ返して、原料ガスと混合して、再
度、前記分離膜モジュール10へ供給することもできる
。
2の分離膜モジュールの各高分子分離膜の非透過側から
回収される未透過ガスは、水素又はヘリウムガス濃度が
低下しており、特に、第2の分離膜モジュール10bか
らの未透過ガスは、流量計14aおよび14bを経てレ
ザーバー3へそれぞれ返して、原料ガスと混合して、再
度、前記分離膜モジュール10へ供給することもできる
。
前記の第2図におけるプロセスにおいて、第】(7)
分離膜モジュール]Oaへ供給される原料ガスは、その
圧力が0.1〜150 kg/c[G、特に10〜10
0 kg/c+fl(1;程度であって、その温度が、
100〜200’C1特に−70〜150’C程度、さ
らに好ましくは0〜100 ’Cであることが好ましく
、第2の分離膜モジュール10bの透過ガスの圧力が約
30 mm11g Abs以−に、特に760 mml
1mm1l〜]Okg/cJc程度であることが好まし
い。
分離膜モジュール]Oaへ供給される原料ガスは、その
圧力が0.1〜150 kg/c[G、特に10〜10
0 kg/c+fl(1;程度であって、その温度が、
100〜200’C1特に−70〜150’C程度、さ
らに好ましくは0〜100 ’Cであることが好ましく
、第2の分離膜モジュール10bの透過ガスの圧力が約
30 mm11g Abs以−に、特に760 mml
1mm1l〜]Okg/cJc程度であることが好まし
い。
なお、第2図において、V2aは分離膜モジュル10a
の非透過ガスの圧力調節弁、V2bは分離膜モジュール
10bの非透過ガスの圧力調節弁であり、その他の記号
は、第1図の記号と同様である。
の非透過ガスの圧力調節弁、V2bは分離膜モジュール
10bの非透過ガスの圧力調節弁であり、その他の記号
は、第1図の記号と同様である。
さらに、この発明の精製方法では、例えば、第3図に示
すように、 (a) 水素ガス又はヘリウムガスを主として含有す
る原料ガスを、原料ガスボンへ1及び2などがら、レザ
ーバー3を経由して圧縮機4へ供給し、その圧縮機4に
よって加圧し、 (b) その加圧された原料ガスを、クーラー5、水
分量調整器6、及びフィルター7を経て、デオキソ反応
装置11へ供給して、原料ガス中の少量の酸素ガスを還
元して水となし、 (C) その原料ガス中の水分などを吸着装置12で
除去して、 (d) −(1) 前記の酸素ガス、水分の除去され
た原料ガスを、電熱ヒーター9を経て、高分子分離膜を
内蔵する第1の分離膜モジュール10aへ供給して、水
素又はヘリウムの膜分離を行い、前記第1の分離膜モジ
ュール10aの高分子分離膜の透過側から、水素ガス又
はヘリウムガス濃度の向上した透過ガスを得て、 (d)−(2) その透過ガスを第2の分離膜モジュ
ール10b(第1の分離膜モジ1.−ルと同様のモジュ
ール)へ供給して、水素又はヘリウJ、の膜分離を行い
、前記第2の分離膜モジュール10bの高分子分離膜の
透過側から、水素ガス又はヘリウム] 6 ガス濃度の向上した透過ガスを得゛ζ、(d)−(3)
その透過ガスを第3の分離膜モジュル10c(第1
の分離膜モジュールと同様のモジュール)へ供給して、
水素又はヘリウ1、の膜分離を行い、前記第3の分離膜
モジ1−ルIOcの高分子分離膜の透過側から、水素ガ
ス又はヘリウノ・ガス濃度の向上した透過ガスを得て、
最後に、(e) 得られた精製ガスを貯蔵槽(図面に
は示していない)へ回収することによって、 高純度の水素ガス又はヘリウムガスを製造するのである
。
すように、 (a) 水素ガス又はヘリウムガスを主として含有す
る原料ガスを、原料ガスボンへ1及び2などがら、レザ
ーバー3を経由して圧縮機4へ供給し、その圧縮機4に
よって加圧し、 (b) その加圧された原料ガスを、クーラー5、水
分量調整器6、及びフィルター7を経て、デオキソ反応
装置11へ供給して、原料ガス中の少量の酸素ガスを還
元して水となし、 (C) その原料ガス中の水分などを吸着装置12で
除去して、 (d) −(1) 前記の酸素ガス、水分の除去され
た原料ガスを、電熱ヒーター9を経て、高分子分離膜を
内蔵する第1の分離膜モジュール10aへ供給して、水
素又はヘリウムの膜分離を行い、前記第1の分離膜モジ
ュール10aの高分子分離膜の透過側から、水素ガス又
はヘリウムガス濃度の向上した透過ガスを得て、 (d)−(2) その透過ガスを第2の分離膜モジュ
ール10b(第1の分離膜モジ1.−ルと同様のモジュ
ール)へ供給して、水素又はヘリウJ、の膜分離を行い
、前記第2の分離膜モジュール10bの高分子分離膜の
透過側から、水素ガス又はヘリウム] 6 ガス濃度の向上した透過ガスを得゛ζ、(d)−(3)
その透過ガスを第3の分離膜モジュル10c(第1
の分離膜モジュールと同様のモジュール)へ供給して、
水素又はヘリウ1、の膜分離を行い、前記第3の分離膜
モジ1−ルIOcの高分子分離膜の透過側から、水素ガ
ス又はヘリウノ・ガス濃度の向上した透過ガスを得て、
最後に、(e) 得られた精製ガスを貯蔵槽(図面に
は示していない)へ回収することによって、 高純度の水素ガス又はヘリウムガスを製造するのである
。
なお、第3図におけるプロセスにおいて、第1、第2お
よび第3の分離膜モジュールの各高分子分離膜の非透過
側から回収される未透過ガスは、水素又はヘリウムガス
濃度が低下しているか、第2及び第3の分離膜モジュー
ルからの非透過ガスは水素又はヘリウムガスの濃度が比
較的高いので、これらの未透過ガスを、流量計14b及
び14cを経てレザーパー3へそれぞれ返して、原料ガ
スと混合して、再度、前記分離膜モジュール10へ供給
するごとができる。
よび第3の分離膜モジュールの各高分子分離膜の非透過
側から回収される未透過ガスは、水素又はヘリウムガス
濃度が低下しているか、第2及び第3の分離膜モジュー
ルからの非透過ガスは水素又はヘリウムガスの濃度が比
較的高いので、これらの未透過ガスを、流量計14b及
び14cを経てレザーパー3へそれぞれ返して、原料ガ
スと混合して、再度、前記分離膜モジュール10へ供給
するごとができる。
前記の第3図におけるプロセスにおいて、第1の分離膜
モジュール10aへ供給される原料ガスは、その圧力が
0.1〜150kg/cイG、特に10〜100 kg
/c111G程度であって、その温度が−100〜20
0 ’C1特に−70〜150°C程度、さらに好まし
くは0〜100°Cであることが好ましく、第3の分離
膜モジュール10cの透過ガスの圧力が約30 mm1
1g Abs以上、特に760 mm11g Abs〜
10kg/cffl程度であることが好ましい。
モジュール10aへ供給される原料ガスは、その圧力が
0.1〜150kg/cイG、特に10〜100 kg
/c111G程度であって、その温度が−100〜20
0 ’C1特に−70〜150°C程度、さらに好まし
くは0〜100°Cであることが好ましく、第3の分離
膜モジュール10cの透過ガスの圧力が約30 mm1
1g Abs以上、特に760 mm11g Abs〜
10kg/cffl程度であることが好ましい。
なお、第3図において、V2aは分離膜モジ、。
−ル10aの非透過ガスの圧力調節弁、V2bは分離膜
モジュール10bの非透過ガスの圧力調節弁、およびV
2cば第3の分離膜モジュール10Cの非透過ガスの圧
力調節弁であり、その他の記号は、第1図の記号と同様
である。
モジュール10bの非透過ガスの圧力調節弁、およびV
2cば第3の分離膜モジュール10Cの非透過ガスの圧
力調節弁であり、その他の記号は、第1図の記号と同様
である。
なお、第1図、第2図および第3図における各プロセス
において、デオキソ反応装置における反応温度は約0〜
100°C程度であり、反応圧は約0〜150 kg/
c+flc;程度であることが好ましく、また、吸着装
置の吸着温度は約O〜50°C程度であり、吸着圧は0
.1〜150 kg/cJG程度であることが好ましい
。
において、デオキソ反応装置における反応温度は約0〜
100°C程度であり、反応圧は約0〜150 kg/
c+flc;程度であることが好ましく、また、吸着装
置の吸着温度は約O〜50°C程度であり、吸着圧は0
.1〜150 kg/cJG程度であることが好ましい
。
〔実施例]
以下、実施例によって、この発明の精製方法をさらに詳
しく説明する。
しく説明する。
各実施例において使用した高分子分離膜のガス透過速度
は、ステンレス製セルに高分子分離膜を設置し、ガスを
2 kg / afl Gの圧力および45°Cの温度
で高分子分離膜に供給し、高分子分離膜を透過してくる
ガス量を流量計で測定し、各ガスの透過速度(Cイ/
cf・se(−cmllg)を、次の式により算出した
。
は、ステンレス製セルに高分子分離膜を設置し、ガスを
2 kg / afl Gの圧力および45°Cの温度
で高分子分離膜に供給し、高分子分離膜を透過してくる
ガス量を流量計で測定し、各ガスの透過速度(Cイ/
cf・se(−cmllg)を、次の式により算出した
。
各実施例において、水分の含有状態は、露点側で示し、
炭酸ガス、酸素ガス、アルゴンガス、窒素ガス、メタン
ガスの含有割合は、ガスクロマトグラフィー分析によっ
て算出し、さらに、水素ガスまたはヘリウムガスについ
ては、全体のガス組成から算出した。
炭酸ガス、酸素ガス、アルゴンガス、窒素ガス、メタン
ガスの含有割合は、ガスクロマトグラフィー分析によっ
て算出し、さらに、水素ガスまたはヘリウムガスについ
ては、全体のガス組成から算出した。
製造例1〜3
3.3’、4.4’−ビフェニルテトカラボン酸二無水
物10モルと、4,4°−ジアミノジフェニルエーテル
8モルと、2,6−ジアミツビリジン2モルとを有機極
性溶媒中で重合して得られた芳香族ポリイミド溶液から
、湿式製膜法によって形成された、外径が380μmで
あり、内径が210μmである芳香族ポリイミド製中空
糸膜を準備した。
物10モルと、4,4°−ジアミノジフェニルエーテル
8モルと、2,6−ジアミツビリジン2モルとを有機極
性溶媒中で重合して得られた芳香族ポリイミド溶液から
、湿式製膜法によって形成された、外径が380μmで
あり、内径が210μmである芳香族ポリイミド製中空
糸膜を準備した。
前記の芳香族ポリイミド製中空糸膜約840本を使用し
、特開昭61−19813号公報に記載された方法によ
り、有効糸長さ200mmを有する高分子分離膜が内蔵
されている分離膜モジュールA、BおよびCをそれぞれ
製作した。これらの膜分離モジュールA、BおよびCの
有効膜面積は、それぞれ、外径基準で凡そ0.20 r
dであった。
、特開昭61−19813号公報に記載された方法によ
り、有効糸長さ200mmを有する高分子分離膜が内蔵
されている分離膜モジュールA、BおよびCをそれぞれ
製作した。これらの膜分離モジュールA、BおよびCの
有効膜面積は、それぞれ、外径基準で凡そ0.20 r
dであった。
前記の製造例1〜3で得られた分離膜モジュールA〜C
について、温度45°C1圧力2 kg / cry
Gの条件で、ヘリウム、水素、炭酸ガス、酸素、アルゴ
ン、窒素、およびメタンの各純ガスを用いて、各ガスの
透過速度をそれぞれ測定した。その結果1つ を第1表に示す。なお、各透過速度は、0°C11気圧
の標準状態に換算したガス透過量を基準として算出した
値である。
について、温度45°C1圧力2 kg / cry
Gの条件で、ヘリウム、水素、炭酸ガス、酸素、アルゴ
ン、窒素、およびメタンの各純ガスを用いて、各ガスの
透過速度をそれぞれ測定した。その結果1つ を第1表に示す。なお、各透過速度は、0°C11気圧
の標準状態に換算したガス透過量を基準として算出した
値である。
分離膜モ
ジュール
の種類
第 1 表
ガス透過速度(c+fl/cJ ・sec −cml
lg)He 82 CO20□ A
r N2 CI+4して、高純度の水
素ガスを製造した。
lg)He 82 CO20□ A
r N2 CI+4して、高純度の水
素ガスを製造した。
その精製の際に、「分離膜モジ1−ルjは、前述の分離
膜モジュールAを使用し、rデオキソ反応装置」は、パ
ラジウム金属担持触媒を充填した装置を使用し、さらに
、「吸着装置1ば、モレキュラーシーブと活性炭とが充
填されたものを使用した。
膜モジュールAを使用し、rデオキソ反応装置」は、パ
ラジウム金属担持触媒を充填した装置を使用し、さらに
、「吸着装置1ば、モレキュラーシーブと活性炭とが充
填されたものを使用した。
前述の精製による結果を、第2表に示す。
第2表
実施例1
電気分解プロセスから発生した水素を高割合で含有する
第1表に示す組成の原料ガスを、第1図に示すフローの
レザーバーへ供給し、第1図のフローに従って、ガス分
離工程のガス温度を40°Cとし、また、デオキソ反応
装置および吸着装置を常温(25°C)で操作して、前
記原料ガスを精製ガス温度;°C 圧力;kg/cボG 流量、Nff7分 3.33 9.5 3.04 16.9 0.29 実施例2 第1番目の分離膜モジュールとして分1liIl膜モソ
フ一ルAを使用し、そして、第2番目の分離膜モジ1ル
として分離膜モジュールBを使用し7、第2図に示すフ
ローに従って、原料ガスの精製を行ったほかは、実施例
1と同様にして、第3表に示す組成のI′JIJ純度の
水素ガスを製造した。その結果を第3表に示す。
第1表に示す組成の原料ガスを、第1図に示すフローの
レザーバーへ供給し、第1図のフローに従って、ガス分
離工程のガス温度を40°Cとし、また、デオキソ反応
装置および吸着装置を常温(25°C)で操作して、前
記原料ガスを精製ガス温度;°C 圧力;kg/cボG 流量、Nff7分 3.33 9.5 3.04 16.9 0.29 実施例2 第1番目の分離膜モジュールとして分1liIl膜モソ
フ一ルAを使用し、そして、第2番目の分離膜モジ1ル
として分離膜モジュールBを使用し7、第2図に示すフ
ローに従って、原料ガスの精製を行ったほかは、実施例
1と同様にして、第3表に示す組成のI′JIJ純度の
水素ガスを製造した。その結果を第3表に示す。
第3表
ガス温度;”C40
圧力;kg/cボG 17
流量、Nff7分 3.33
4.0
2.77
10.5 10.4
0.29 0.27
実施例3
(1)第3図に示すフローにおいて、第1番目の分離膜
モジュールとして分離膜モジュールAを使用し、第2番
目の分離膜モジュールとして分離膜モジュールBを使用
し、そして、第3番目の分離膜モジュールとして分離膜
モジュールCを使用して、 (2)第3図に示すフローに従って、しかも、ガス分離
工程のガス温度を40°Cとし、また、デオキソ反応装
置および吸着装置を常温(25°C)で操作して、 (3)酸素ガスを含有するヘリウJ、を主成分とする第
4表に示す組成の原料ガスの精製を行って、(4)第4
表に示す組成の高純度のヘリウムガスを製造した。その
結果を第4表に示す。
モジュールとして分離膜モジュールAを使用し、第2番
目の分離膜モジュールとして分離膜モジュールBを使用
し、そして、第3番目の分離膜モジュールとして分離膜
モジュールCを使用して、 (2)第3図に示すフローに従って、しかも、ガス分離
工程のガス温度を40°Cとし、また、デオキソ反応装
置および吸着装置を常温(25°C)で操作して、 (3)酸素ガスを含有するヘリウJ、を主成分とする第
4表に示す組成の原料ガスの精製を行って、(4)第4
表に示す組成の高純度のヘリウムガスを製造した。その
結果を第4表に示す。
その精製の際に、rデオキソ反応装置」は、パラジウム
金属担持触媒を充填した装置を使用し、さらに、「吸着
装置jは、モレキュラーシーブと活性炭とが充填された
ものを使用した。
金属担持触媒を充填した装置を使用し、さらに、「吸着
装置jは、モレキュラーシーブと活性炭とが充填された
ものを使用した。
[本発明の作用効果]
この発明の精製方法によれば、水素ガスまたはヘリウム
ガスを主成分とし、しかも、少量の酸素ガスなどを含有
する原料ガスから、高分子分離膜を内蔵する分離膜モジ
ュールなどを使用して、効率的に、酸素ガス、水分を実
質的に含まない高純度の水素ガスまたはヘリウムガスを
製造することができる。
ガスを主成分とし、しかも、少量の酸素ガスなどを含有
する原料ガスから、高分子分離膜を内蔵する分離膜モジ
ュールなどを使用して、効率的に、酸素ガス、水分を実
質的に含まない高純度の水素ガスまたはヘリウムガスを
製造することができる。
第1図はおよび第2図は、水素ガス又はヘリウムガスを
主として含有する原料ガスを、分離膜モジュールへ供給
して得られた透過ガスについて、デオキシ反応装置で酸
素ガスの還元を行い、生成した水分を吸着装置で除去す
ることによって、高純度の水素ガス又はヘリウムガスを
得るという本発明に係わるプロセスを概略示すフロー図
であり、そして、第3図は、前記原料ガスをデオキシ反
応装置で酸素ガスの還元を行い、生成した水分を吸着装
置で除去し、得られた原料ガスを分離膜モジュールヘ供
給して、高純度の水素ガス又はヘリウムガスからなる透
過ガスを得るという本発明に係わるプロセスを概略示す
フロー図である。 1.2;原料ガスボンベ、3;レザーバー、4;圧縮機
、5;クーラー、6;水分量調整器、7;フィルター、
9;電熱ヒーター、10;分離膜モジュール、11;デ
オキソ反応装置、12;吸21i装置。 特許出願人 宇部興産株式会社
主として含有する原料ガスを、分離膜モジュールへ供給
して得られた透過ガスについて、デオキシ反応装置で酸
素ガスの還元を行い、生成した水分を吸着装置で除去す
ることによって、高純度の水素ガス又はヘリウムガスを
得るという本発明に係わるプロセスを概略示すフロー図
であり、そして、第3図は、前記原料ガスをデオキシ反
応装置で酸素ガスの還元を行い、生成した水分を吸着装
置で除去し、得られた原料ガスを分離膜モジュールヘ供
給して、高純度の水素ガス又はヘリウムガスからなる透
過ガスを得るという本発明に係わるプロセスを概略示す
フロー図である。 1.2;原料ガスボンベ、3;レザーバー、4;圧縮機
、5;クーラー、6;水分量調整器、7;フィルター、
9;電熱ヒーター、10;分離膜モジュール、11;デ
オキソ反応装置、12;吸21i装置。 特許出願人 宇部興産株式会社
Claims (2)
- (1)水素ガス又はヘリウムガスを90容量%以上含有
しており、しかも、酸素ガスを少量含有する原料ガスを
、選択透過性を有する高分子分離膜を内蔵する分離膜モ
ジュールの少なくとも1個へ供給して、前記分離膜モジ
ュール内の高分子分離膜のガス透過側から水素又はヘリ
ウム濃度の向上した透過ガスを回収して、その透過ガス
中に含有している酸素ガスをデオキソ反応装置へ供給し
て水蒸気となし、前記透過ガス中の水分を吸着装置によ
って除去して高純度の水素又はヘリウムガスを得ること
を特徴とする水素ガス又はヘリウムガスの精製方法。 - (2)水素ガス又はヘリウムガスを90容量%以上含有
しており、しかも酸素ガスを少量含有する原料ガスを、
デオキソ反応装置へ供給して、前記酸素ガスを水蒸気と
なし、その水蒸気を含有する原料ガスを吸着装置に供給
して水分を除去し、そして、少なくとも酸素ガスおよび
水分が実質的に除去された原料ガスを、選択透過性を有
する高分子分離膜を内蔵する分離膜モジュールの少なく
とも1個へ供給して、前記分離膜モジュール内の高分子
分離膜のガス透過側から高純度の水素ガス又はヘリウム
ガスを得ることを特徴とする水素ガス又はヘリウムガス
の精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63309789A JPH02157101A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 水素ガス又はヘリウムガスの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP63309789A JPH02157101A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 水素ガス又はヘリウムガスの精製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02157101A true JPH02157101A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=17997261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63309789A Pending JPH02157101A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 水素ガス又はヘリウムガスの精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02157101A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002308605A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Japan Pionics Co Ltd | 水素ガスの精製方法 |
JP2004526052A (ja) * | 2000-12-04 | 2004-08-26 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | ガス回収システム及び方法 |
CN106931722A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-07-07 | 浙江大学 | 一种合成气组分分离与回收装置及方法 |
Citations (3)
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-
1988
- 1988-12-09 JP JP63309789A patent/JPH02157101A/ja active Pending
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