JPH02149917A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体に関する。

従来の技術 記録再生機器の小型化、高性能化の為に記録密度向上の
努力は継続的に行われており、最近では強磁性金属薄膜
を磁気記録層として実用化することが待望されるに至っ
ている〔アイイーイーイートランザクションズ　オンマ
グネティクス（Ｉ　ＩＣＥＫＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮ８
　ＯＮ　ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）マＯＩＭＡＧ−２１、Ｎ
ｏ　−３、ｐ、ｐ、１２１７〜１２２０　（１９８５）
）。

強磁性金属薄膜は材料としての組合わせは多数考えられ
るが、現実的な可能性が示されているものは少く、Ｃｏ
−Ｏｒ等の垂直磁化膜〔特公昭６８−９１号公報、特開
昭６１−１２０３３１号公報〕やＣｏ　−Ｎｉ　、　Ｃ
ｏ　−Ｎｉ−０等の斜め蒸着膜や湿式めっき膜〔特公昭
４１−１９３８９号公報、特開昭５３−４２０１０号公
報〕等で、実用化の目的で最近ではもっばら、保護潤滑
層の開発が検討の中心となっている。現状ではポリエチ
レンテレフタレートフィルム等の高分子フィルム上に直
接あるいは微粒子などの下塗りを行った後、電子ビーム
蒸着法やスパッタリング法で強磁性金属薄膜を配し、そ
の面に直接溶剤に脂肪酸やパーフルオロポリエーテル等
の潤滑剤を溶かした溶液を塗布乾燥する法〔特開昭５７
−１７９９４８号公報、特開昭８１−１７８７１８号公
報〕や、酸化膜を介して潤滑剤を配する〔特開昭６１−
１５１８３０号公報〕ことや、炭素膜とフロロカーボン
系の組み合わせ〔特開昭６１−１４２６２５号公報〕等
が提案され、磁気ディスクではまだ炭素膜が厚いとはい
りものの一部実用化され、炭素質についイー゛も検討が
１＠み硬度を高めることの有用性〔米国特ｐ！ｆ第４７
１７６２２号明細書〕も知られるに至−、ｆいる。

発明、が解決１−７ようとする課題 しかｌ−ながら上記Ｌ＊構成のうち耐久性の改善に最も
効果的な微粒子塗布層−１−に強磁性金属薄説を配した
ものは短波長Ｃ／ドが所望の特性にならないといった課
題かぁ−・た。本発明は上記１，２／ζ事情に鑑みなさ
れたもので、短波長Ｃ／Ｎと而・１久性共に満足できる
磁気記録媒体を提供するものである。

課題を解決する／こめの手段 上記し、だ課題を解決するため本発明の磁気記録媒体は
、高分子フィル１・上に塗布１〜′ｌｒ樹脂層が４・地
層形成により熱変形し７構成された凹凸の一■二にＣＯ
系合金垂直磁化膜を配したものである。

作用 本発明の磁気記録媒体は上記し、だ構成により、下地層
４１料が位ｉ脂層材材と一部相互拡散し７、＋１着強度
が著１−り強くなると共に、凹凸形成にＪ−リ、ＣＯ系
合金垂直磁化膜に類似の凹凸が形成され接触面積の低下
により耐久性が向上する一方、下地層により凹凸による
ノイズの増加分を、結晶配向改善で出力が増加すること
が十分吸収１．Ｃ／Ｎ低干をき／ｒ−さず耐久性が改善
さねた媒体となる。

実施例 以下、図面を参照し７ながら本発明の実施例について説
明すＺ〕。図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図である。図で１はポリエチ１／ンテ１ノフタ１７−
ト、ボリエグルンノ゛フタＬｚ＝−）、ポリフェニレン
ザルファイド、ポリエーテルケトン。

ホリエ・−テルザルフオン、ボリエ・−テルエ・デルク
′トン、ボリアεド、ポリイミド等の高分子−ンーイル
ノ、で、平均粗さ１０人−３６人、最大粗さ１００八以
丁の平滑なフィルムが好咬しい１，２はポリエステル類
、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂
、ポリカーボネート、アクリル等の樹脂層で、この樹脂
層は、下地１否３の形成時に熱収縮などの変形を受け、
最大粗さ７０パ・・１５０人の凹凸を構成１−２だもの
である２、用いられる下地層はＳｉ　、　Ｃｏ　、　Ｔ
ｉ　、　Ｃｒ等が好ましく、電子ビーム蒸ｉ法、イオン
ブレーティング法、スパッタリング法等で、膜厚ばＢｏ
ｏ〜１０００人が好捷［７い。凹凸の形成にｊ［、張力
、フィルム温度、膜形成速度、下地材料の情熱等で、樹
脂の物性と組み合わせ最適化−するものとする１、４は
Ｃｏ　　Ｏｒ。

Ｃｏ　−Ｔｉ　、　Ｃｏ−Ｔａ　、　Ｃｏ−Ｒｕ　、　
Ｃｏ−Ｖ　、　Ｃｏ−Ｗ　。

Ｃ０−Ｍ０８ＣＯ−Ｃｒ−Ｎｂ等のＣＯ系合金垂直磁化
）摸で、電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法。

スパッタリング法等により形成されるもので、必要なら
Ｎｊ、−恥、　Ｎｊ−Ｆｏ−Ｍｏ秀の軟磁性層を介し７
て形成り、−Ｃもよい。６は保護潤滑、層で、プラズマ
重合膜、カーボン膜、酸化膜、脂肪酸。脂肪酸エステル
、脂肪酸アはド、変性シリコ・−ンオイル。

パーフルオロポリエーブル、パーフルオｏフルギ／ｌ／
　カルボン酸等より適宜選択し、スバーンング損失を勘
案ｌ−で、最適の厚みとすればよい。本発明テープ状、
ディスク状の形態に応じて他の要素を付加してもよいの
は勿論である。

以下、更に具体的に本発明の実施例について比較例との
対比で説明する。

〔実施例−１〕 厚み１０μｍのポリエチＬ／ンテ１ノフタ１ノ・−トフ
フイルム（ｊ（’均粗さ２５人、最大粗さ６０人）−Ｌ
にポリメチルメタアクリレート樹脂を０２μｍ塗布乾燥
Ｉ乾燥上の」−にＩＭ径５０ｃｍの円筒キーヤン（キャ
ン温度アＯ”Ｃ）に沿わせてＴコ９を入射角１６度以内
で１６ｏｏ（入／ｓ　ｅ　ｃ　）で市５チビーム蒸着１
〜．６００人のＴ】、膜を形成［７，／こ。この際、ポ
リメチルメタアクリレ−１・は収縮応力を受は凹凸が形
成され、高さは平均１２０人、最大高さ１４０人であっ
た。これにつづいて直径５Ｑｃｍの円筒キャン（キャン
温度３０℃）に沿わぜて、Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｏ　’。

ａ　ｏ　ｗｔ　％　）をターゲットにしてＡｒ　：　ｏ
、ｏ　ａ　（ＴＯＩＴ　）１　３（５６（ＭＨ２）、１
　２　　（ＫＷ）で、　１２Ｑ（入／５ａｃ）で、１ａ
ＯＯ入ノｃＯ−Ｃｙ′垂直磁化膜ヲＴｆｅ　成１，７’
ｔ。

子の上にダイアモンド状硬質炭素膜７０八をグラファイ
トを夕・−ゲットにして高周波スパッタリング法で形成
し、更に真空蒸着法で、バーフルメロアラキン酸を０．
４　（（ｒｌ　７漏”　）配し、８ｉり幅の磁気テープ
とした。

〔実施例−２〕 厚み９μｍのポリイミドフィルム（平均粗さ３０人、最
大粗さ７ｏ入）上に０．１５μｍのセルロースデイアセ
テートｍ脂を塗布し、その上直径５０ｃｍの円筒キャン
（キャン温度２４０℃）に沿わせて、入射角１６度以内
で、Ｓｉを８　Ｘ　１０　　（Ｔｏｒｒ）。

１３００（人／５ｅａ）で７００人電子ビーム蒸着し、
平均粗さ１１０人、最大粗さ１４０人の凹凸を形成し、
引き続きＣｏ−Ｏｒ　（Ｃｏ　：　８０　ｗｔ　％　）
を直径６ｏｃｍのキャン（キャン温度２１０’Ｃ）に沿
わせて、入射角６度以内で垂直蒸着を電子ビーム蒸着法
で行い１８００人のＣｏ−０ｒ膜を形成し保護膜潤滑剤
は実施例−１と同じとした８ばリテープを得た。

〔比較例−１〕 実施例−１と同じ厚み１０１ＩＴｎのポリエチレンテレ
フタレートフィルム上に直径１５０人の５ｉ０２微粒子
をｏ、４ｍｆ／ｒｎ’のポリエステル樹脂で固定し、平
均１６ケ／（μｍ）　の微粒子塗布層を配し、直径５０
Ｃｍの円筒キャン（キャン温度ｏ℃）に沿わせて入射角
１４度以内、８Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）でＴｉを１５０
０（人／５ｅａ）で電子ビーム蒸着し、６００人のＴｉ
層を配し、その他は実施例−１と同じ構成で８はリテー
プを得た。

〔比較例−２〕 実施例−２と同じポリイミドフィルム上に、直径１５０
人のｃｒ２ｏ、微粒子を２０　）ｙ／Ｃｔｔｍ　）２ポ
リアミド樹脂（ｏ　３ｍｇ／ｒｍ　）で固定し、高周波
スパッタリング法でＳｉを５５０人形成しくキャン温度
ｅｏ’ｃ）、その上にキャン温度２１０℃、真空度７Ｘ
１０　　（Ｔｏｒｒ）、蒸着速度２０００　（ＶＳｅｃ
　）。

入射角４度以内で、Ｃｏ−０ｒ　（Ｃｏ　：　８０　ｗ
ｔ％）垂直磁化膜を１９００人電子ビーム蒸着法で形成
し他は実施例−２と同じに８ミリテープとした。

上記した８ミリテープを、改造した８ミリビデオにより
比較した。ギャップ長０２６μｍのセンダストスパッタ
膜を利用したメタルインギャップ型のリングヘッドによ
り、８ミリハイバンド仕様のＰＡＬモードのＬＰ仕様で
Ｃ／Ｎとスチル特性を比較した。スチル特性は再生出力
が初期に対して３（ｄＢ）低下するまでの時間で比較し
た。その結果を下表に示す。

！− ４°− ！１　ｋ子ブイλレム ｍ　　謄屑 下と１ Ｃｏ　糸イン金垂、１Ｌ追イ乙Ｍ（ 発明の効果 以上のように本発明によれば、耐久性とＣ／Ｍの共に改
善された垂直磁気記録用の磁気記録媒体かえられるとい
ったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図である
。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・樹脂層
、３・・・・・・下地層、４・・・・・・Ｃｏ系合金垂
直磁化膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高分子フィルム上に塗布した樹脂層が下地層形成により
   熱変形し構成された凹凸の上にＣｏ系合金垂直磁化膜を
   配したことを特徴とする磁気記録媒体。