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JPH0196656A - Charged beam exposure system - Google Patents

Charged beam exposure system

Info

Publication number
JPH0196656A
JPH0196656A JP62253595A JP25359587A JPH0196656A JP H0196656 A JPH0196656 A JP H0196656A JP 62253595 A JP62253595 A JP 62253595A JP 25359587 A JP25359587 A JP 25359587A JP H0196656 A JPH0196656 A JP H0196656A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
charged beam
rotary
sample
rotary stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62253595A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuto Nakamura
和人 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP62253595A priority Critical patent/JPH0196656A/en
Publication of JPH0196656A publication Critical patent/JPH0196656A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To draw a large concentric circular shape while fixing a beam and to prevent drawing accuracy from deteriorating owing to beam deflection by providing a rotary stage which is driven to rotate on a linear positioning stage which is put in linear motion and projecting a converged charged beam on one point on the rotary stage vertically. CONSTITUTION:This device is equipped with the rotary driven stage 10 where a sample 1 is mounted, a charged beam convergence system which projects the generated charged beam on the surface of the rotary stage vertically and also converges it on the specific position, and the linear positioning stage 4 which moves the rotary stage 10 linearly at least in one direction in a plane crossing the projection direction of the charged beam at right angles. The irradiation position of the charged beam is fixed, the rotary stage 10 where the sample is mounted is moved by the linear positioning stage 4 to the specific position, and while the rotary stage 10 is rotated, a circular pattern is exposed. Consequently, the large circular pattern is exposed (including drawing) smoothly in a relatively short time.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 直進運動する直進位置決めステージ上に回転駆動される
回転ステージを設け、集束された荷電ビームを回転ステ
ージ上の一点に垂直に照射する。これにより、ビーム固
定による大型の同心円形状(または同心楕円形状)の描
画が可能となるとともに、ビーム偏向による描画精度劣
化を防止でき、さらに描画時間を比較的短くすることが
できる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Summary of the Invention A rotary stage that is rotationally driven is provided on a linear positioning stage that moves in a straight line, and a focused charged beam is irradiated perpendicularly to a point on the rotary stage. This makes it possible to draw a large concentric circular shape (or concentric elliptical shape) by fixing the beam, prevent deterioration in drawing accuracy due to beam deflection, and furthermore make drawing time relatively short.

発明の背景 技術分野 この発明は、主として円形状パターンを露光するのに適
した荷電ビーム露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged beam exposure apparatus suitable for exposing mainly circular patterns.

従来技術とその問題点 荷電ビーム露光装置の代表的な一例に電子ビーム描画装
置がある。電子ビーム描画装置は、もともと超LSIパ
ターンの作製用に開発されたものであり、直線、長方形
などのXY座標系に平行な直線パターンの描画には好適
であるが1曲線パターン、とくに円形パターンの描画に
は適していない。
Prior Art and Its Problems A typical example of a charged beam exposure apparatus is an electron beam lithography apparatus. Electron beam lithography equipment was originally developed for the production of VLSI patterns, and is suitable for drawing linear patterns parallel to the XY coordinate system, such as straight lines and rectangles, but it is not suitable for drawing single-curve patterns, especially circular patterns. Not suitable for drawing.

近年、電子ビーム描画装置をLSIのパターニング以外
の分野に応用する動きがある。たとえば、フレネル・ゾ
ーン、レンズ・パターン(フレネル・レンズ・パターン
等)などの作製である。
In recent years, there has been a movement to apply electron beam lithography systems to fields other than LSI patterning. For example, the production of Fresnel zones, lens patterns (Fresnel lens patterns, etc.).

このようなパターンは同心円状であるために、従来の電
子ビーム描画装置を用いてこの円形パターンを描くとす
ると、描画データ(位置データ、射出量データ)が膨大
となる。描画時間が長くかかる。滑らかな描画パターン
が得られない、描画パターンの精度が悪いなどの問題が
ある。
Since such a pattern is concentric, if this circular pattern were to be drawn using a conventional electron beam lithography system, the amount of lithography data (position data, ejection amount data) would be enormous. It takes a long time to draw. There are problems such as not being able to obtain a smooth drawing pattern and poor accuracy of the drawing pattern.

これらの問題点を以下に図面を用いて説明する。These problems will be explained below using the drawings.

第3図(A)は従来の電子ビーム描画装置を用いた描画
の様子を示すものであり、第3図(B)は描゛画されて
いる試料を示している。従来の電子ビーム描画装置にお
いては、これらの図から分るよう・に、電子ビームを集
束したのち(集束コイルについては図示路)偏向コイル
21によって電子ビームBを前後左右に振らせ、試料1
上の描画したいドツトに照射してゆくことにより所望の
パターンを描く。したがって2曲率を持つパターンにつ
いては、ドツトの量子化誤差によって滑らかなパターン
が得にくいという問題がある。
FIG. 3(A) shows the state of drawing using a conventional electron beam drawing apparatus, and FIG. 3(B) shows the sample being drawn. In the conventional electron beam lithography apparatus, as can be seen from these figures, after the electron beam is focused (the focusing coil is shown in the figure), the electron beam B is swung back and forth and left and right by the deflection coil 21, and the sample 1 is
Draw the desired pattern by irradiating the dots above that you want to draw. Therefore, for a pattern with two curvatures, there is a problem that it is difficult to obtain a smooth pattern due to the quantization error of the dots.

このような電子ビーム描画装置を用いて円形パターンを
描画する場合には、各描画点のX、Y座標(位置データ
)と照射量データとが描画範囲内のすべての点について
必要となり、描画データが膨大となり、必然的に描画時
間も長くならざるを得ない。
When drawing a circular pattern using such an electron beam drawing device, the X and Y coordinates (position data) of each drawing point and dose data are required for all points within the drawing range, and the drawing data becomes enormous, and the drawing time inevitably becomes longer.

さらに、従来の電子ビーム描画装置では電子ビームの偏
向角を大きくしていくと電子ビーム・スポット形状が変
形するという問題がある。
Furthermore, the conventional electron beam lithography apparatus has a problem in that as the deflection angle of the electron beam is increased, the shape of the electron beam spot is deformed.

電子ビームの偏向によるスポット形状の変化が第4図に
模式的に表わされている。偏向されていない電子ビーム
B1のスポットPlは円に近いが。
FIG. 4 schematically shows changes in the spot shape due to deflection of the electron beam. The spot Pl of the undeflected electron beam B1 is close to a circle.

偏向角が大きくなると(電子ビームB2)そのスポット
P2は楕円ないしは卵形に変形していく。
As the deflection angle increases (electron beam B2), the spot P2 deforms into an ellipse or an egg shape.

スポットの変形がパターンの描画に影響を与えない範囲
が最大描画範囲となる。この最大描画範囲はたとえば一
辺(または半径)が500μm程度の正方形(円形)と
非常に狭い範囲に限られ、描画できるパターンの大きさ
に限度があるという欠点がある。
The maximum drawing range is the range in which the deformation of the spot does not affect pattern drawing. This maximum drawing range is limited to a very narrow range, such as a square (circle) with a side (or radius) of about 500 μm, and there is a drawback that there is a limit to the size of the pattern that can be drawn.

この問題を解決するため試料ステージの移動により大面
積パターンを描画する試みもなされている。その様子が
第5図に示されている。この図に示されているように大
型の円形パターンを描(場合には9円形パターンを上記
の最大描画範囲Rで分割し、XY位置決めステージ上に
試料を載置し、ステージを動かしながらこの範囲Rごと
に円の一部ずつ描画し、描画パターンを繋いでいくもの
である。
In order to solve this problem, attempts have been made to draw large area patterns by moving the sample stage. The situation is shown in FIG. Draw a large circular pattern as shown in this figure (in case, divide 9 circular patterns by the maximum drawing range R mentioned above, place the sample on the XY positioning stage, and move the stage to A part of the circle is drawn for each R, and the drawing patterns are connected.

このやり方によると、ドツト描画であるために露光時間
が艮い、滑らかなパターンとならないという上記の問題
点に加えて、繋ぎ誤差を生じるという問題がある。
According to this method, in addition to the above-mentioned problem that the exposure time is long due to the dot drawing and the pattern is not smooth, there is also the problem that connection errors occur.

発明の概要 この・発明は、大きな円形パターンを滑らかにかつ比較
的短時間で露光(描画を含む)することのできる装置を
提供することを目的とする。
Summary of the Invention An object of the present invention is to provide an apparatus that can expose (including drawing) a large circular pattern smoothly and in a relatively short time.

この発明による荷電ビーム露光装置は、試料を載置する
回転駆動される回転ステージ、発生した荷電ビームを回
転ステージの面に対して垂直に照射するとともに所定位
置に集束させる荷電ビーム集束系、および回転ステージ
を荷電ビームの照射方向に直交する面内において少なく
とも一方向に直線移動させる直進位置決めステージを備
えていることを特徴とする。
The charged beam exposure apparatus according to the present invention includes a rotationally driven rotating stage on which a sample is placed, a charged beam focusing system that irradiates a generated charged beam perpendicularly to the surface of the rotating stage and focuses it on a predetermined position, and a rotating The present invention is characterized in that it includes a linear positioning stage that linearly moves the stage in at least one direction within a plane orthogonal to the irradiation direction of the charged beam.

この発明では荷電ビームを偏向させずに単に集束させ、
試料に対して垂直に照射している。したがって荷電ビー
ムの偏向によるスポット形状の変形の問題は発生せず、
上述した意味での露光範囲の限界はない。この発明では
荷電ビームの照射位置を固定しておき、試料を載置した
回転ステージを直進位置決めステージによつて所定位置
に移動させかつ回転ステージを回転させながら円形パタ
ーンの露光を行なっているので、連続的かつ滑らかなパ
ターンが作成できるとともに露光作業時間も短縮できる
。さらに円形パターンの半径は回転ステージの回転中心
と荷電ビームの照射位置との間の距離に等しいから露光
可能範囲は回転ステージの径または直進位置決めステー
ジの移動範囲によって定まり、きわめて大型のパターン
の作成が可能となる。もちろん任意の半径の円形パター
ンを描くことができる。露光のためのデータとしては円
形パターンの半径データと露光量を表わすデータですみ
、データ量が少なくなるのでその計算時間やメモリから
の読出し等に要する時間も短くなる。
In this invention, the charged beam is simply focused without being deflected,
The sample is irradiated perpendicularly. Therefore, the problem of spot shape deformation due to deflection of the charged beam does not occur.
There is no limit to the exposure range in the sense mentioned above. In this invention, the irradiation position of the charged beam is fixed, the rotary stage on which the sample is placed is moved to a predetermined position by the linear positioning stage, and the circular pattern is exposed while rotating the rotary stage. Continuous and smooth patterns can be created and exposure work time can be shortened. Furthermore, since the radius of the circular pattern is equal to the distance between the rotation center of the rotation stage and the irradiation position of the charged beam, the exposure range is determined by the diameter of the rotation stage or the movement range of the linear positioning stage, making it possible to create extremely large patterns. It becomes possible. Of course, circular patterns of any radius can be drawn. As data for exposure, only the radius data of the circular pattern and the data representing the exposure amount are required, and since the amount of data is reduced, the time required for calculation and reading from the memory is also shortened.

回転ステージの回転と直進位置決めステージによる直線
運動とを同期させることにより、この発明によると円形
パターンのみならず楕円等を含む各種の円錐切断曲線パ
ターン等の露光も可能である。
By synchronizing the rotation of the rotary stage and the linear motion of the linear positioning stage, according to the present invention, it is possible to expose not only circular patterns but also various conical cutting curve patterns including ellipses and the like.

実施例の説明 この発明を電子ビーム描画装置に適用した実施例につい
て詳述する。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an electron beam lithography apparatus will be described in detail.

第1図は電子ビーム描画装置の構成の概要を示している
。真空チャンバ(描画室、露光室)6があり、このチャ
ンバ6の上部に電子(荷電)ビーム鏡筒5が連通状態に
設けられている。チャンバ6および鏡筒5の内部は真空
ポンプにより高真空状態に保たれる。
FIG. 1 shows an outline of the configuration of an electron beam lithography apparatus. There is a vacuum chamber (writing chamber, exposure chamber) 6, and an electron (charged) beam column 5 is provided in communication with the upper part of the chamber 6. The interior of the chamber 6 and the lens barrel 5 is maintained in a high vacuum state by a vacuum pump.

真空チャンバ6内にはXY位置決めステージ(直進位置
決めステージ)4がX方向(第1図で上下方向を2方向
とし、これに垂直な平面における互いに直交する2方向
がX、Y方向である)に、たとえばボール13.ガイド
(図示路)等により、移動自在に配置されている。この
XYステージ4は駆動用ピエゾ索子12に電圧を加える
ことによってX方向に移送される。ピエゾ素子12の一
端はステージ4の一側に、他端はチャンバ6の底板に立
設された基準固定部材12aにそれぞれ固定されている
。同じように図示しないピエゾ素子等を含む公知の機構
によりステージ4はY方向に移動自在に支持されかつ移
送される。XYステージ4の移動量は描画される円形パ
ターンの半径を決定するが、そのためにはステージ4は
X方向にのみ移送されれば充分であるが、Y方向におけ
る位置ずれを修正するためにY方向にも移動可能となり
ている。ピエゾ素子を用いるときわめて微小な移送の制
御が可能(たとえば0.05−程度の移送制御は充分に
可能)であるとともに、その移送範囲もかなり長くとれ
る。
Inside the vacuum chamber 6, an XY positioning stage (linear positioning stage) 4 is mounted in the X direction (in FIG. 1, the up and down direction is the two directions, and the two mutually orthogonal directions in the plane perpendicular to this are the X and Y directions). , for example ball 13. It is movably arranged by a guide (illustrated path) or the like. This XY stage 4 is moved in the X direction by applying a voltage to the piezo actuator 12 for driving. One end of the piezo element 12 is fixed to one side of the stage 4, and the other end is fixed to a reference fixing member 12a erected on the bottom plate of the chamber 6. Similarly, the stage 4 is supported and transported so as to be movable in the Y direction by a known mechanism including a piezo element (not shown). The amount of movement of the XY stage 4 determines the radius of the circular pattern to be drawn. For this purpose, it is sufficient to move the stage 4 only in the X direction, but in order to correct positional deviation in the Y direction, it is sufficient to move the stage 4 in the Y direction. It is also movable. By using a piezo element, extremely fine transfer control is possible (for example, transfer control of about 0.05 is fully possible), and the transfer range can be quite long.

このようなXY位置決めステージ4上に回転ステージ筺
体10が固定されている。必要ならばXYステージ4上
にさらに第2のXY位置決めステージをX、Y方向に移
動自在かつ移送制御可能に設け、第2のXYステージ上
に筺体lOを固定する。
A rotary stage housing 10 is fixed on such an XY positioning stage 4. If necessary, a second XY positioning stage is further provided on the XY stage 4 so as to be movable in the X and Y directions and transfer controllable, and the housing 10 is fixed on the second XY stage.

この場合にはXYステージ4によって概略的な位置決め
を行ない、第2のXYステージによって微小な位置決め
を行なう。
In this case, the XY stage 4 performs rough positioning, and the second XY stage performs minute positioning.

回転ステージ筐体IOの内部には静圧空気浮上スピンド
ル本体7が設けられ、筐体lOとスピンドル本体7との
間にわずかのエア・ギャップ8が形成され、このエア・
ギャップ8に矢印aで示すようにチャンバ6外の圧縮ポ
ンプ等により空気が供給される巳とによりスピンドル本
体7は回転自在に浮上支持されている。これは静圧空気
軸受といわれるもので、現在最も高い回転精度(たとえ
ば±0.05−の軸振れ精度)が得られる軸受であると
いわれている。
A hydrostatic air floating spindle body 7 is provided inside the rotary stage housing IO, and a slight air gap 8 is formed between the housing IO and the spindle body 7.
Air is supplied to the gap 8 by a compression pump or the like outside the chamber 6 as shown by arrow a, and the spindle body 7 is supported in a floating manner so as to be freely rotatable. This is called a static pressure air bearing, and is said to be the bearing that currently provides the highest rotational accuracy (for example, shaft runout accuracy of ±0.05-).

エア・ギャップ8に導入された空気がチャンバ6内に漏
れないように1回転ステージ筐体lOとスピンドル本体
7の上部には真空シール9が設けられ、真空チャンバ6
内の真空度を所定の値に保っている。この真空シール9
の詳しい図示は省略されているが、その原理はこの部分
の空気を矢印すで示すようにチャンバ6の外部に吸引す
るものである。
To prevent the air introduced into the air gap 8 from leaking into the chamber 6, a vacuum seal 9 is provided at the top of the one-rotation stage housing lO and the spindle body 7, and the vacuum seal 9 is
The degree of vacuum inside is maintained at a predetermined value. This vacuum seal 9
Although a detailed illustration of this is omitted, the principle is to suck the air in this part to the outside of the chamber 6 as indicated by the arrow.

回転ステージ筺体lOとスピンドル本体7の下部にはス
ピンドル本体7を回転させるための駆動モータが設けら
れている。この駆動モータは、スピンドル本体7に設け
られた永久磁石14と筐体10に設けられたコイル11
とから構成され9回転精度を劣化させないためにブラシ
等の接続子を持たない構造となっている。
A drive motor for rotating the spindle body 7 is provided at the lower part of the rotation stage housing lO and the spindle body 7. This drive motor consists of a permanent magnet 14 provided on the spindle body 7 and a coil 11 provided on the housing 10.
It has a structure that does not have connectors such as brushes in order to prevent deterioration of rotation accuracy.

回転スピンドル本体7の上面には試料1を固定するため
の機構(図示路)が設けられている。
A mechanism (path shown) for fixing the sample 1 is provided on the upper surface of the rotating spindle body 7.

上記のスピンドル本体7.筺体10.真空シール9、静
圧空気軸受、駆動モータ等によって、真空シールが施こ
された静圧空気浮上回転ステージが構成されている。
Above spindle body 7. Housing 10. The vacuum seal 9, a static air bearing, a drive motor, and the like constitute a vacuum-sealed static air floating rotation stage.

鏡筒5内には電子(荷電)ビームBの発生装置(図示路
)と1発生した電子ビームBを集束し回転ステージ上の
試料1にスポット照射するための集束コイル2とが設け
られている。電子ビームBはz軸方向に照射され、偏向
する必要が無いために偏向コイル等は設けられていない
Inside the lens barrel 5, there are provided an electron (charged) beam B generator (path shown) and a focusing coil 2 for focusing the generated electron beam B and irradiating a spot onto the sample 1 on the rotating stage. . Since the electron beam B is irradiated in the z-axis direction and does not need to be deflected, no deflection coil or the like is provided.

第2図は上記の描画装置を用いて試料1上に描画された
パターンの例を示している。電子ビームBの照射位置0
は上述のように固定されている。
FIG. 2 shows an example of a pattern drawn on the sample 1 using the above-mentioned drawing apparatus. Irradiation position 0 of electron beam B
is fixed as described above.

XYステージ4の移送によって回転ステージが適当な位
置に位置決めされる。回転ステージの回転中心Pと電子
ビームBの照射位置0との間の距離rが描画すべき円パ
ターンの半径となる。
By moving the XY stage 4, the rotation stage is positioned at an appropriate position. The distance r between the rotation center P of the rotation stage and the irradiation position 0 of the electron beam B becomes the radius of the circular pattern to be drawn.

回転ステージの回転によって試料1を回転させながら一
定点0に電子ビームBを照射することによって半径「の
円パターンが描画される。電子ビームの露光量は電子ビ
ームの強度と描画時間によって決定される。
A circular pattern with a radius of `` is drawn by irradiating a fixed point 0 with an electron beam B while rotating the sample 1 by rotating the rotation stage.The exposure amount of the electron beam is determined by the intensity of the electron beam and the drawing time. .

回転ステージの回転に同期してXYステージを動かしそ
の回転中心Pを周期的に移動させれば楕円等のパターン
の描画も可能となる。
By moving the XY stage in synchronization with the rotation of the rotary stage and periodically moving its rotation center P, it is also possible to draw patterns such as ellipses.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の実施例を示し、1!子ビ一ム描画装
置の構成を示す断面図である。第2図はこの電子ビーム
描画装置によって円パターンが描画される様子を示すも
のである。 第3図は従来の電子ビーム偏向によるドツト描画の様子
を示すもので、(A)は装置の一部を側面からみたもの
、(B)は試料を平面からみた図である。第4図は電子
ビームの偏向によってビーム會スポットが変形される様
子を説明する図、第5図は試料ステージの移動による大
面積パターンの描画の様子を示す図である。 1・・・試料。 2・・・集束コイル。 4・・・XY位置決めステージ 5・・・電子(荷電)ビーム鏡筒。 6・・・真空チャンバ(描画室、露光室)。 7・・・静圧空気浮上スピンドル本体。 8・・・エア・ギャップ。 9・・・真空シール。 lO・・・回転ステージ筐体。 11・・・駆動用モータのコイル。 12・・・XYステージ駆動ピエゾ素子。 13・・・ボール。 14・・・駆動用モータの永久磁石。 B・・・電子(荷電)ビーム。 以  上 特許出願人  立石電機株式会社 代 理 人   弁理士 牛 久 健 司(外1名) 第3図 (A) 第4図 第5m11
FIG. 1 shows an embodiment of the invention, 1! FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of a child beam drawing device. FIG. 2 shows how a circular pattern is drawn by this electron beam drawing device. FIG. 3 shows how dots are drawn by conventional electron beam deflection, in which (A) is a side view of a part of the apparatus, and (B) is a plan view of a sample. FIG. 4 is a diagram illustrating how the beam spot is deformed by deflection of the electron beam, and FIG. 5 is a diagram illustrating how a large area pattern is drawn by moving the sample stage. 1... Sample. 2... Focusing coil. 4...XY positioning stage 5...Electron (charged) beam column. 6...Vacuum chamber (drawing chamber, exposure chamber). 7...Static air floating spindle body. 8...Air gap. 9...Vacuum seal. lO...Rotating stage housing. 11... Drive motor coil. 12...XY stage drive piezo element. 13...Ball. 14... Permanent magnet of drive motor. B...Electron (charged) beam. Patent applicant Tateishi Electric Co., Ltd. Agent Patent attorney Kenji Ushiku (1 other person) Figure 3 (A) Figure 4 Figure 5m11

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)試料を載置する回転駆動される回転ステージ、 発生した荷電ビームを回転ステージの面に対して垂直に
照射するとともに所定位置に集束させる荷電ビーム集束
系、および 回転ステージを荷電ビームの照射方向に直交する面内に
おいて少なくとも一方向に直線移動させる直進位置決め
ステージ。 を備えた荷電ビーム露光装置。
(1) A rotating stage that is rotationally driven to place the sample, a charged beam focusing system that irradiates the generated charged beam perpendicularly to the surface of the rotating stage and focuses it on a predetermined position, and irradiates the rotating stage with the charged beam. A linear positioning stage that moves linearly in at least one direction in a plane perpendicular to the direction. Charged beam exposure equipment equipped with
(2)上記荷電ビーム集束系、回転ステージおよび直進
位置決めステージが真空室内に配置されている、特許請
求の範囲第(1)項に記載の荷電ビーム露光装置。
(2) A charged beam exposure apparatus according to claim (1), wherein the charged beam focusing system, the rotation stage, and the linear positioning stage are arranged in a vacuum chamber.
JP62253595A 1987-10-09 1987-10-09 Charged beam exposure system Pending JPH0196656A (en)

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JP62253595A JPH0196656A (en) 1987-10-09 1987-10-09 Charged beam exposure system

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JP (1) JPH0196656A (en)

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