JPH0160893B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は陰極線管のけい光面上に電子ビームス
ポツトを形成するための電子銃に関するものであ
る。

第１図は従来の電子銃の電極配列の一例を示す
もので、本件出願人により既に出願された構造で
ある。図の左端にはヒータ１とカソード２がカソ
ードサポート３を介して絶縁性のビードガラス４
の内側に固定されている。カソード２の右方には
相互間に小さな間隙を設けて順次、第１グリツド
電極１０、第２グリツド電極２０、第３グリツド
電極３０、第４電極グリツド電極４０、第５グリ
ツド電極５０が設けられている。第１グリツド電
極１０と第２グリツド電極２０とは薄板の中央に
小孔１１，２１を設けたものをビードガラスの内
面に固定して形成されている。第３グリツド３０
は第３グリツドボトム電極３１、第３グリツドカ
ツプ電極３２およびその中間に設けられた第３グ
リツドインナ電極３３とからなり、また第４グリ
ツド電極４０は第４グリツドカツプ電極４１，４
２とその中間に挿入された第４グリツドインナ電
極４３，４４とからなり、更に第５グリツド電極
５０は第５グリツドカツプ電極５１と第５グリツ
ドインナ電極５２をシールドカツプ５３に固定し
て形成されており、これら３組の電極３０，４
０，５０はその内側に円筒部３２ａ，３３ａ，４
１ａ〜４４ａ，５１ａ，５２ａが形成されてお
り、これら円筒部３２ａ〜５２ａは同一内径Ｄを
有し、電子光学上ほぼ完全な円筒、すなわち各電
極３０，４０，５０の円筒部の長さが1.0D以上
となるような寸法を有し、ビームスポツト形状を
ほぼ真円に保つている。第３グリツド電極３０と
第５グリツド電極５０とは同電位に保たれてい
る。

ところで、このような構成の従来の電子銃は第
３〜第５グリツド電極３０，４０，５０の円筒部
の長さをほぼ完全な円筒とする必要があり、その
ためには第４グリツドインナ電極４３，４４およ
び第５グリツドインナ電極５２が不可欠であり、
電極構成上部品点数が多く、コスト高になる欠点
を有していた。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
であり、中間のグリツド電極およびけい光面側の
グリツド電極のいずれも円筒部を電子光学上ほぼ
完全な円筒とみなされる円筒の長さよりも小さく
形成することにより、ビームスポツト形状の真円
度をほとんど損う事なく第４および第５グリツド
電極の構造を簡素化し、コスト低減を実現できる
電子銃を得ることを目的とする。

以下図面に基づき本発明の実施例を説明する。
第２図は本発明の基礎データを得るための装置で
あり、ヒータ１、カソード２、カソードサポート
３、ビードガラス４および第１、第２グリツド電
極１０，２０ならびに第３グリツド電極３０のボ
トム電極３１とカツプ電極３２、第４グリツド電
極４０のカツプ電極４１，４２、第５グリツド電
極５０のカツプ電極５１およびシールドカツプ５
３は第１図と同様に形成されている。第３グリツ
ド電極３０のインナ電極３４、第４グリツド電極
４０のインナ電極４５，４６および第５グリツド
電極５０のインナ電極５４はそれぞれ段部３５，
４７，４８，５５を有し、第３グリツド電極３０
の円筒部３２ａ、３４ａの長さh₃と、第４グリツ
ド電極４０の第３グリツド電極３０側の円筒部４
１ａ，４５ａの長さh₄₁と、第５グリツド電極５
０側の円筒部４２ａ，４６ａの長さh₄₂および第
５グリツド電極５０の円筒部５１ａ，５４ａの長
さh₅を自由にかえられるようにそれぞれ特殊な電
極に形成されている。円筒部３２ａ，３４ａ，４
１ａ〜５４ａはほぼ同軸上にあり、同一の内径Ｄ
を有する。

第３図は第２図における第３グリツド電極３０
の円筒部３２ａ，３４ａの長さh₃、第４グリツド
電極４０の第３グリツド電極側の円筒部４１ａ，
４５ａの長さh₄₁、第５グリツド電極５０側の円
筒部４２ａ，４６ａの長さh₄₂および第５グリツ
ド電極５０の円筒部５１ａ，５４ａの長さh₅と、
ビームスポツトの縦横比との関係を実験的に求
め、図示したものである。第３図によれば、h₅の
みを小さくしていけばビームスポツトは縦長にな
り、またh₄₁およびh₄₂の少くとも一方を小さくす
ればビームスポツトは横長になる事がわかる。

第４グリツド電極４０の陰極性の円筒部４１
ａ，４５ａの長さをh₄₁とした時のビーム縦横比
をK₄₁、第４グリツド電極４０のけい光面側の円
筒部４２ａ，４６ａの長さをh₄₂とした時のビー
ム縦横比をK₄₂、第５グリツドカツプ電極５０の
円筒部５１ａ，５４ａの長さをh₅とした時のビー
ム縦横比をK₅とした場合、ビームスポツト形状
の縦横比を1.1〜0.9の真円に保つためには上記縦
横比の積K₄₁×K₄₂×K₅の値が1.1〜0.9になつてい
ればよく、このときビームスポツト形状は最終的
にほぼ真円となつてけい光面上に現われる。

従つて、第３図に示すグラフをもとに円筒部４
１ａ〜５４ａの長さh₄₁，h₄₂，h₅を適切に組合せ
れば真円度の良いビームスポツト形状が得られ
る。たとえば、h₅＝0.23D、h₄₁＝0.5D、h₄₂＝
0.64Dとすれば、K₅＝1.52、K₄₁＝0.8、K₄₂＝0.82
となり、けい光面上に現われるビームスポツト形
状の縦横比は1.0となるので良好なビームスポツ
ト形状が得られる。また第４グリツド電極４０の
陰極側の円筒部４１ａ，４５ａをほぼ完全な円筒
とした場合、すなわちh₄₁＝1.0Dの場合、K₄₁＝
1.0となるので、他の円筒の長さをh₄₂＝0.37D、
h₅＝0.23Dとすれば、K₄₂＝0.66、K₅＝1.52とな
り、積K₄₁×K₄₂×K₅が１となるので、やはり良
好なビームスポツト形状が得られる。更にまた第
４グリツド電極４０のけい光面側の円筒部４２
ａ，４６ａをほぼ完全な円筒、すなわちh₄₂＝
1.0Dとすれば、K₄₂＝1.0となり、他の円筒４１
ａ，４５ａ，５１ａ，５４ａの長さをh₄₁＝
0.37D、h₅＝0.23DとすることによりK₄₁＝0.66、
K₅＝1.52となり、ビームスポツト形状を真円とす
ることができる。

一般に第２図に示されるカツプ電極３２，４
１，４２，５１の円筒部３２ａ，４１ａ，４２
ａ，５１ａの寸法l₃，l₄₁，l₄₂，l₅は加工技術およ
び量産性の点であまり大きな値にすることができ
ないので、従来は第１図のようなインナ電極３
３，４３，４４，５２の円筒部３３ａ，４３ａ，
４４ａ，５２ａの高さを大きくすることにより、
必要な円筒長さを得ていた。しかし、前記第３図
の結果を利用することにより、第４グリツド電極
４０および第５グリツド電極５０の円筒部４１ａ
〜５４ａの長さh₄₁，h₄₂，h₅としてあまり大きな
値が必要でなく、カツプ電極４１，４２，５１の
内側円筒寸法l₄₁，l₄₂，l₅だけで必要な大きさを確
保することが可能となり、インナ電極を省略する
ことができる。

第４図に示す発明の実施例はこのような技術思
想に基づくもので、第１図における第４グリツド
電極４０の２つのインナ電極４３，４４および第
５グリツド電極５０のインナ電極５２を省略した
電子銃の構造を示している。

以上の説明から明らかなように、本発明の電子
銃は中間グリツド電極およびけい光面側グリツド
電極のいずれも円筒部長さを完全な円筒の長さよ
り、すなわち円筒部内径より小さく形成すること
により、ビームスポツトの真円度をほとんど損う
事なく、第１図における第４グリツドインナ電極
４３，４４および第５グリツドインナ電極を不要
とし、部品点数の減少によるコストダウンを実現
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子銃の概要を示す断面説明
図、第２図は本発明の基礎データを得るための装
置の断面説明図、第３図は第２図の装置における
第３グリツド電極、第４グリツド電極、第５グリ
ツド電極の円筒部の長さとビームスポツト縦横比
との関係を示す特性図、第４図は本発明の実施例
の概要を示す断面説明図である。 ３２…第３グリツドカツプ電極、３４…第３グ
リツドインナ電極、４１，４２…第４グリツドカ
ツプ電極、４５，４６…第４グリツドインナ電
極、５１…第５グリツドカツプ電極、５４…第５
グリツドインナ電極、３２ａ，３４ａ，４１ａ，
４２ａ，４５ａ，４６ａ，５１ａ，５４ａ…円筒
部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 同一内径の円筒部を有する３組のグリツド電
   極を相互間に間隙を設けて同一軸上に配設し、こ
   の３組の電極のうち両サイド電極を同電位に保持
   した電子銃において、中間電極およびけい光面側
   電極のいずれもカツプ電極のみで構成され、かつ
   前記カツプ電極はその円筒部の高さが円筒部内径
   寸法以下に形成され、しかも前記中間電極の陰極
   側の円筒部の長さをl₄₁とした時のビーム縦横比
   K₄₁、前記中間電極のけい光面側の円筒部の長さ
   をl₄₂とした時のビーム縦横比K₄₂、および前記け
   い光面側電極の円筒部の長さをl₅とした時のビー
   ム縦横比K₅の積K₄₁×K₄₂×K₅の値が0.9〜1.1に
   なるようにしていることを特徴とする電子銃。