JPH01313969A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01313969A JPH01313969A JP63145203A JP14520388A JPH01313969A JP H01313969 A JPH01313969 A JP H01313969A JP 63145203 A JP63145203 A JP 63145203A JP 14520388 A JP14520388 A JP 14520388A JP H01313969 A JPH01313969 A JP H01313969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead pin
- wiring board
- insulating substrate
- printed wiring
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
- H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0308—Shape memory alloy [SMA]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
- H05K2201/10318—Surface mounted metallic pins
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10681—Tape Carrier Package [TCP]; Flexible sheet connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10704—Pin grid array [PGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/10886—Other details
- H05K2201/10909—Materials of terminal, e.g. of leads or electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2081—Compound repelling a metal, e.g. solder
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のパッケージ技術に関し、特に、
ピン・グリッドアレイ・パッケージの多ビン化に適用し
て有効な技術に関するものである。
ピン・グリッドアレイ・パッケージの多ビン化に適用し
て有効な技術に関するものである。
コンビエータの大容量化、高速化に伴い、論理LSIや
画像処理LSIなどを実装するパッケージの多ビン化が
急速に進行している。
画像処理LSIなどを実装するパッケージの多ビン化が
急速に進行している。
多ピン化に適したパッケージとしては、ビン挿入タイプ
では、ピン・グリッド・アレイ (以下、PGAという
)が、また、表面実装タイプでは、P L CC(pl
astic Ieaded chip carrier
)が知られており、それらの動向については、例えば、
株式会社工業調査会、昭和62年9月1 ’B発行、「
電子材料」P40〜P46に記載がある。
では、ピン・グリッド・アレイ (以下、PGAという
)が、また、表面実装タイプでは、P L CC(pl
astic Ieaded chip carrier
)が知られており、それらの動向については、例えば、
株式会社工業調査会、昭和62年9月1 ’B発行、「
電子材料」P40〜P46に記載がある。
とりわけ、PGA方式は、パッケージの裏面全体をリー
ドピンの取り出しに利用できることがら、300〜50
0ピンなどのような超多ピンを必要とするLSIに最適
なパッケージ構造とされ、近年、特に注目されている。
ドピンの取り出しに利用できることがら、300〜50
0ピンなどのような超多ピンを必要とするLSIに最適
なパッケージ構造とされ、近年、特に注目されている。
本発明者は、上記PGAの多ビン化を促進するにあたっ
ての問題点について検討した。その概要は、下記の通り
である。
ての問題点について検討した。その概要は、下記の通り
である。
すなわち、PGAを印刷配線板に実装するには、従来、
約0,46韻径のリードピンを0.7〜0.8舗径のス
ルーホールに挿入する必要があった。
約0,46韻径のリードピンを0.7〜0.8舗径のス
ルーホールに挿入する必要があった。
その際、各スルーホールの周囲にランドが形成されるた
め、実効的なスルーホール径は、約0.85〜1.0
mとなり、スルーホールを標準的な2.54 m+g
(100m1l)ピッチで格子状に配列した場合、隣接
するランドのピッチは、約1.5 m■となる。
め、実効的なスルーホール径は、約0.85〜1.0
mとなり、スルーホールを標準的な2.54 m+g
(100m1l)ピッチで格子状に配列した場合、隣接
するランドのピッチは、約1.5 m■となる。
この場合、印刷配線板の表面に例えば、0.18閣ピツ
チで配線を引き回すと、各ランド間を7本の配線が通過
できるが、300〜500ピンを有するPGAでは、設
計上、10〜15本の配線を通過させる必要があるため
、もはや単層の印刷配線板では配線設計が不可能となる
。
チで配線を引き回すと、各ランド間を7本の配線が通過
できるが、300〜500ピンを有するPGAでは、設
計上、10〜15本の配線を通過させる必要があるため
、もはや単層の印刷配線板では配線設計が不可能となる
。
ところが、300〜500のリードピンを2.54市ピ
ツチで挿入できる多層印刷配線板を設計すると、今度は
、PGAパッケージの内部配線長および印刷配線板の内
部配線長が長くなり、伝送特性が低下してしまう。
ツチで挿入できる多層印刷配線板を設計すると、今度は
、PGAパッケージの内部配線長および印刷配線板の内
部配線長が長くなり、伝送特性が低下してしまう。
そこで、この伝送特性を考慮してスルーホールピッチを
最適化すると、1.781111 (70m1l)ピッ
チ、または1.27aua(50m目)ピッチにする必
要があるため、配線ピッチが0.78ffIIgまたは
0.27腸となってしまい、結局、多層印刷配線板を用
いた場合でも、配線設計の限界を超えてしまうことにな
る。
最適化すると、1.781111 (70m1l)ピッ
チ、または1.27aua(50m目)ピッチにする必
要があるため、配線ピッチが0.78ffIIgまたは
0.27腸となってしまい、結局、多層印刷配線板を用
いた場合でも、配線設計の限界を超えてしまうことにな
る。
このように、PGAの多ビン化を促進するためには、ピ
ン挿入方式では、もはや限界があるため、ピン挿入方式
に代わる表面実装方式の採用が不可欠となる。
ン挿入方式では、もはや限界があるため、ピン挿入方式
に代わる表面実装方式の採用が不可欠となる。
すなわち、PGAのリードピン先端を印刷配線板の表面
電極に半田付け、またはろう付けする表面実装方式によ
れば、印刷配線板には、ピン挿入用のスルーホールが不
要となり、配線の引き回し上、ピアホールの必要な箇所
にのみ、リードピンの径と同じか、またはそれよりも僅
かに大径の表面電極を配列するだけでよい。この場合、
表面電極の径は、0.46〜0.6 msでよいため、
標準的な2、54 mピッチで格子状に配列した場合の
配線ピッチは、約211I11となり、300〜500
ピン程度の超多ピンPGAでも充分な配線スペースが得
られる。また、リードピンが挿入タイプでないため、そ
の径を0.1〜0.3鵬と細くすることができ、表面電
極を1.27 mピッチで配列した場合でも、約1.O
Bの配線スペースが得られる。
電極に半田付け、またはろう付けする表面実装方式によ
れば、印刷配線板には、ピン挿入用のスルーホールが不
要となり、配線の引き回し上、ピアホールの必要な箇所
にのみ、リードピンの径と同じか、またはそれよりも僅
かに大径の表面電極を配列するだけでよい。この場合、
表面電極の径は、0.46〜0.6 msでよいため、
標準的な2、54 mピッチで格子状に配列した場合の
配線ピッチは、約211I11となり、300〜500
ピン程度の超多ピンPGAでも充分な配線スペースが得
られる。また、リードピンが挿入タイプでないため、そ
の径を0.1〜0.3鵬と細くすることができ、表面電
極を1.27 mピッチで配列した場合でも、約1.O
Bの配線スペースが得られる。
さらに、パッケージの小形化も可能となるため、PGA
パッケージの内部配線長および印刷配線板の内部配S長
が短くなり、伝送特性が改善されるという効果もある。
パッケージの内部配線長および印刷配線板の内部配S長
が短くなり、伝送特性が改善されるという効果もある。
ところが、半田、またはろう材を用いてPGAを印刷配
線板に表面実装する方式では、半導体チップの発熱によ
って、PGAパッケージと印刷配線板との間に熱的不整
合が生じた際、熱的および機械的応力がリードピンの半
田付け(または、ろう付け)箇所に集中して接合破壊を
引き起こすという問題がある。この破壊ポテンシャルは
、集積回路の高集積化に比例して増大し、PGAの多ピ
ン化を妨げる深刻な要因となる。
線板に表面実装する方式では、半導体チップの発熱によ
って、PGAパッケージと印刷配線板との間に熱的不整
合が生じた際、熱的および機械的応力がリードピンの半
田付け(または、ろう付け)箇所に集中して接合破壊を
引き起こすという問題がある。この破壊ポテンシャルは
、集積回路の高集積化に比例して増大し、PGAの多ピ
ン化を妨げる深刻な要因となる。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、
その目的は、PGAを印刷配線板に表面実装する際の接
続信頼性を向上させ、以て、PGへの多ピン化を促進す
ることのできる技術を提供することにある。
その目的は、PGAを印刷配線板に表面実装する際の接
続信頼性を向上させ、以て、PGへの多ピン化を促進す
ることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、マイクロチップキャリヤの絶縁基板の裏面に
所定の間隔を置いて配設された電極にリードピンの一端
をろう付けするとともに、リードピンの他端を印刷配線
板の主面の電極に半田付け、または、ろう付けし、かつ
、上記リードピンの変形強度をその両端の接合強度より
も弱くした半導体装置構造とするものである。
所定の間隔を置いて配設された電極にリードピンの一端
をろう付けするとともに、リードピンの他端を印刷配線
板の主面の電極に半田付け、または、ろう付けし、かつ
、上記リードピンの変形強度をその両端の接合強度より
も弱くした半導体装置構造とするものである。
上記した手段によれば、マイクロチップキャリヤの絶縁
基板と印刷配線板との間の熱的不整合に起因する熱的機
械的応力をリードピンの変形によって緩和することがで
きるため、リードピン端部の接合破壊がを効に防止され
る。
基板と印刷配線板との間の熱的不整合に起因する熱的機
械的応力をリードピンの変形によって緩和することがで
きるため、リードピン端部の接合破壊がを効に防止され
る。
〔実施例1〕
第1図は、本発明の一実施例である半導体装置を示す要
部断面図である。
部断面図である。
本実施例1は、印刷配線板1の上面にマイクロチップキ
ャリヤ2を実装したモジニール構造の半導体装置である
。
ャリヤ2を実装したモジニール構造の半導体装置である
。
印刷配線板1は、ガラス繊維含浸エポキシ樹脂、または
ポリイミド樹脂からなり、その表面には、内部の銅(C
u)多層配線(図示せず)に接続された電極3が所定の
間隔を置いて多数配列されている。
ポリイミド樹脂からなり、その表面には、内部の銅(C
u)多層配線(図示せず)に接続された電極3が所定の
間隔を置いて多数配列されている。
マイクロチップキャリヤ2は、絶縁基板4とキャップ5
とからなるパッケージ構造を有し、その内部には、所定
の集積回路を形成した半導体チップ6が気密封止されて
いる。
とからなるパッケージ構造を有し、その内部には、所定
の集積回路を形成した半導体チップ6が気密封止されて
いる。
半導体チップ6は、その集積回路形成面に接合された半
田バンブ7を介して絶縁基板4の上面の電極8にフェイ
スダウンボンディングされている。
田バンブ7を介して絶縁基板4の上面の電極8にフェイ
スダウンボンディングされている。
また、半導体チップ6の裏面は、半田などの接合材9を
介してキャ77′5の内側に接合され、動作時に半導体
チップ6から発生する熱がキャップ5を経て外部に放散
される構造となっている。
介してキャ77′5の内側に接合され、動作時に半導体
チップ6から発生する熱がキャップ5を経て外部に放散
される構造となっている。
マイクロチップキャリヤ2の絶縁基板4は、ムライトな
どのセラミック材からなり、キャップ5は、窒化アルミ
ニウム(AIN)などのセラミック材からなる。この絶
縁基板4とキャップ5とは、絶縁基板4の周縁部に被着
した半田などの接合材9を介して互いに接合され、マイ
クロチップキャリヤ2の内部の気密が維持される構造と
なっている。
どのセラミック材からなり、キャップ5は、窒化アルミ
ニウム(AIN)などのセラミック材からなる。この絶
縁基板4とキャップ5とは、絶縁基板4の周縁部に被着
した半田などの接合材9を介して互いに接合され、マイ
クロチップキャリヤ2の内部の気密が維持される構造と
なっている。
絶縁基板4の表面には、薄膜からなる配線(図示せず)
が形成され、その所定箇所には、必要に応じて、チップ
コンデンサ10などの受動素子が半田付けされる。
が形成され、その所定箇所には、必要に応じて、チップ
コンデンサ10などの受動素子が半田付けされる。
絶縁基板4の下面全体には、所定の間隔を置いて多数の
電極8が格子状に配設されており、これらの電極8は、
絶縁基板4の内部を通るタングステン(W)配線(図示
せず)を介して上面の電極8に接続されている。
電極8が格子状に配設されており、これらの電極8は、
絶縁基板4の内部を通るタングステン(W)配線(図示
せず)を介して上面の電極8に接続されている。
絶縁基板4の下面の電極8には、リードピン11の上端
が銀(Ag)/銅(Cu)合金などのろう材12を介し
て接合され、各リードピン11の下端は、半田13を介
して印刷配線板1の電極3に接合されている。
が銀(Ag)/銅(Cu)合金などのろう材12を介し
て接合され、各リードピン11の下端は、半田13を介
して印刷配線板1の電極3に接合されている。
絶縁基板4と印刷配線板1とを接続する上記リードピン
11は、その軸方向から圧縮荷重を受けた際の曲げ強度
(座屈強度)が、ろう材12の接合強度および半田13
の接合強度のいずれよりも小さい値となるように設計さ
れている。
11は、その軸方向から圧縮荷重を受けた際の曲げ強度
(座屈強度)が、ろう材12の接合強度および半田13
の接合強度のいずれよりも小さい値となるように設計さ
れている。
すなわち、リードピン11は、座屈荷重をPlまた、ろ
う材12、半田13の接合強度をそれぞれS、 、
S2 とした場合、p<s、 、 S2 を満足する
ような座屈強度を有している。
う材12、半田13の接合強度をそれぞれS、 、
S2 とした場合、p<s、 、 S2 を満足する
ような座屈強度を有している。
ここで、座屈荷重(P)は、下8己のオイラー式%式%
(E=リードピンのヤング率、■=リードピンの断面二
次モーメント、1=リードピンの長さ)から導出される
値である(昭和54年、海文堂発行、「材料力学・上巻
JP201〜P2O2)。
次モーメント、1=リードピンの長さ)から導出される
値である(昭和54年、海文堂発行、「材料力学・上巻
JP201〜P2O2)。
上記のような条件を満足するリードピン11の材質とし
ては、例えば、タングステン、モリブデン、カーボン、
アモルファス金属、ばね性の強い細線などを例示するこ
とができる。また、上記細線を銅(Cu)などの軟金属
を結合材として束ねた複合線材でもよい。
ては、例えば、タングステン、モリブデン、カーボン、
アモルファス金属、ばね性の強い細線などを例示するこ
とができる。また、上記細線を銅(Cu)などの軟金属
を結合材として束ねた複合線材でもよい。
これらの材料からなるリードピン11の表面には、通常
金(Au)メツキあるいは金(Au)/ニッケル(Ni
)メツキなどが施されるが、メツキの膜厚は極めて薄い
ため、座屈強度に及ぼす影響は、無視してよい。
金(Au)メツキあるいは金(Au)/ニッケル(Ni
)メツキなどが施されるが、メツキの膜厚は極めて薄い
ため、座屈強度に及ぼす影響は、無視してよい。
以上のように、絶縁基板4と印刷配線板1とを接続する
リードピン11の座屈強度を、ろう材12および半田1
3の接合強度のいずれ゛よりも小さくした本実施例1に
よれば、半導体チップ60発熱によって、絶縁基板4と
印刷配線板1との間に熱的不整合が生じた場合でも、こ
の熱的不整合に起因する熱的機械的応力をリードピン1
1の変形によって緩和することができるため、リードピ
ン11の端部の接合破壊が有効に防止される。
リードピン11の座屈強度を、ろう材12および半田1
3の接合強度のいずれ゛よりも小さくした本実施例1に
よれば、半導体チップ60発熱によって、絶縁基板4と
印刷配線板1との間に熱的不整合が生じた場合でも、こ
の熱的不整合に起因する熱的機械的応力をリードピン1
1の変形によって緩和することができるため、リードピ
ン11の端部の接合破壊が有効に防止される。
これにより、リードピン11を備えたマイクロチップキ
ャリヤ2を印刷配線板1に表面実装する際の接続信頼性
が確保され、その多ピン化を促進することができるため
、超多ビンPGAを実現することが可能となる。
ャリヤ2を印刷配線板1に表面実装する際の接続信頼性
が確保され、その多ピン化を促進することができるため
、超多ビンPGAを実現することが可能となる。
〔実施例2〕
第2図は、本発明の他の実施例である半導体装置を示す
要部断面図、第3図は、この半導体装置のリードピンを
示す正面図である。
要部断面図、第3図は、この半導体装置のリードピンを
示す正面図である。
本実施例2の半導体装置もまた、絶縁基板4と印刷配線
板1との間に設けたリードピン11を介してマイクロチ
ップキャリヤ2を印刷配線板1に表面実装したものであ
り、前記実施例1との相違点は、リードピン11の形状
および材質である。
板1との間に設けたリードピン11を介してマイクロチ
ップキャリヤ2を印刷配線板1に表面実装したものであ
り、前記実施例1との相違点は、リードピン11の形状
および材質である。
すなわち、本実施例2のリードピン11は、熱的機械的
応力が加わった際、変形し易い形状となっている。すな
わち、このリードピン11は、そのヤング率が15×1
010Pa以下の材質からなり、第3図に示すように、
軸方向からの変位(Δχ)が径(d)の2以上となるよ
う、あらかじめその中央部を弓状に湾曲させである。
応力が加わった際、変形し易い形状となっている。すな
わち、このリードピン11は、そのヤング率が15×1
010Pa以下の材質からなり、第3図に示すように、
軸方向からの変位(Δχ)が径(d)の2以上となるよ
う、あらかじめその中央部を弓状に湾曲させである。
15X1010Pa以下のヤング率を有するり−ドピン
材料としては、例えば、高純度銅(Cu)、高純度鉄(
Fe)、高純度ニッケル(Ni)、銅(Cu)合金、ば
ね性の強い細線を銅(Cu)などの軟金属を結合材とし
て束ねた複合線材などの導電材料を例示することができ
る。
材料としては、例えば、高純度銅(Cu)、高純度鉄(
Fe)、高純度ニッケル(Ni)、銅(Cu)合金、ば
ね性の強い細線を銅(Cu)などの軟金属を結合材とし
て束ねた複合線材などの導電材料を例示することができ
る。
リードピン11を上記のような形状、材質で構成するこ
とにより、その変形強度(降伏強度)がろう材12およ
び半田13の接合強度のいずれよりも小さくなり、熱的
機械的応力が加わった際、湾曲部に塑性変形が生じて応
力を緩和することができるため、前記実施例1の場合と
同様、リードピン端部の接合破壊を有効に防止すること
ができる。
とにより、その変形強度(降伏強度)がろう材12およ
び半田13の接合強度のいずれよりも小さくなり、熱的
機械的応力が加わった際、湾曲部に塑性変形が生じて応
力を緩和することができるため、前記実施例1の場合と
同様、リードピン端部の接合破壊を有効に防止すること
ができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例1.2に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例1.2に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
例えば、前記各実施例では、リードピンの下端と印刷配
線板の電極とを半田で接合したが、ろう材で接合しても
よい。この場合には、リードピンの変形強度をろう材の
接合強度よりも弱くすることによって、本発明の目的を
達成することができる。
線板の電極とを半田で接合したが、ろう材で接合しても
よい。この場合には、リードピンの変形強度をろう材の
接合強度よりも弱くすることによって、本発明の目的を
達成することができる。
また、前記各実施例では、半田バンプを介して半導体チ
ップを絶縁基板に実装したが、TAB (テープキャリ
ヤ)方式によって絶縁基板にフェイスダウンポンディン
グしてもよい。
ップを絶縁基板に実装したが、TAB (テープキャリ
ヤ)方式によって絶縁基板にフェイスダウンポンディン
グしてもよい。
その他、キャップの上面に放熱用の冷却フィンを設けた
り、絶縁基板や印刷配線板の材質を変更したすすること
も任意である。
り、絶縁基板や印刷配線板の材質を変更したすすること
も任意である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
すなわち、マイクロチップキャリヤの絶縁基板の裏面に
所定の間隔を置いて配設された電極にリードピンの一端
をろう付けするとともに、リードピンの他端を印刷配線
板の主面の電極に半田付け、または、ろう付けし、かつ
、上記リードピンの変形強度をその両端の接合強度より
も弱くした半導体装置構造とすることにより、マイクロ
チップキャリヤの絶縁基板と印刷配線板との間の熱的不
整合に起因する熱的機械的応力をリードピンの変形によ
って緩和することができるため、リードピン端部の接合
破壊が有効に防止され、これにより、PGAの超多ピン
化が達成される。
所定の間隔を置いて配設された電極にリードピンの一端
をろう付けするとともに、リードピンの他端を印刷配線
板の主面の電極に半田付け、または、ろう付けし、かつ
、上記リードピンの変形強度をその両端の接合強度より
も弱くした半導体装置構造とすることにより、マイクロ
チップキャリヤの絶縁基板と印刷配線板との間の熱的不
整合に起因する熱的機械的応力をリードピンの変形によ
って緩和することができるため、リードピン端部の接合
破壊が有効に防止され、これにより、PGAの超多ピン
化が達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す要部
断面図、 第2図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す要
部断面図、 第3図はこの半導体装置のリードピンを示す正面図であ
る。 1・・・印刷配線板、2・・・マイクロチップキャリヤ
、3.8日・電極、4・・・絶縁基板、5・・・キャッ
プ、6・・・半導体チップ、7・・・半田バンプ、9・
・・接合材、1o・・・チップコンデンサ、11・・・
リートピン、12・・・ろう材、13・・・半田。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第2vA 第3図
断面図、 第2図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す要
部断面図、 第3図はこの半導体装置のリードピンを示す正面図であ
る。 1・・・印刷配線板、2・・・マイクロチップキャリヤ
、3.8日・電極、4・・・絶縁基板、5・・・キャッ
プ、6・・・半導体チップ、7・・・半田バンプ、9・
・・接合材、1o・・・チップコンデンサ、11・・・
リートピン、12・・・ろう材、13・・・半田。 代理人 弁理士 筒 井 大 和 第2vA 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定の集積回路を形成した半導体チップを絶縁基板
の主面の電極にフェイスダウン接続するとともに、前記
半導体チップをキャップで気密封止したマイクロチップ
キャリヤ構造を備え、かつ、前記絶縁基板の裏面に所定
の間隔を置いて配設した電極にリードピンの一端をろう
付けするとともに、前記リードピンの他端を印刷配線板
の主面の電極に半田付け、または、ろう付けしてなる半
導体装置であって、前記リードピンの変形強度をその両
端の接合強度よりも弱くしたことを特徴とする半導体装
置。 2、リードピンの座屈強度をその両端の接合強度よりも
弱くしたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 3、ヤング率が15×10^1^0Pa以下の材質から
なるリードピンをその軸方向からの変位が径のに以上と
なるように湾曲させたことを特徴とする請求項1記載の
半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63145203A JPH01313969A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置 |
US07/645,357 US5067007A (en) | 1988-06-13 | 1991-01-24 | Semiconductor device having leads for mounting to a surface of a printed circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63145203A JPH01313969A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01313969A true JPH01313969A (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=15379791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63145203A Pending JPH01313969A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5067007A (ja) |
JP (1) | JPH01313969A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6137185A (en) * | 1996-01-16 | 2000-10-24 | Hitachi, Ltd. | Electrode structure of a wiring substrate of semiconductor device having expanded pitch |
US7082682B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-08-01 | Formfactor, Inc. | Contact structures and methods for making same |
US7084656B1 (en) | 1993-11-16 | 2006-08-01 | Formfactor, Inc. | Probe for semiconductor devices |
US7200930B2 (en) | 1994-11-15 | 2007-04-10 | Formfactor, Inc. | Probe for semiconductor devices |
JP2008003132A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 仮想現実感生成装置及び仮想現実感生成装置の設計方法 |
US7347702B2 (en) | 1993-11-16 | 2008-03-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
Families Citing this family (157)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5917707A (en) * | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
US6330164B1 (en) * | 1985-10-18 | 2001-12-11 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods including ancillary electronic component connected in immediate proximity of semiconductor device |
JPH03248568A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
US5337219A (en) * | 1991-06-24 | 1994-08-09 | International Business Machines Corporation | Electronic package |
JPH0754868B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1995-06-07 | 松下電器産業株式会社 | 高周波モジュール基板 |
US5371654A (en) * | 1992-10-19 | 1994-12-06 | International Business Machines Corporation | Three dimensional high performance interconnection package |
US20050062492A1 (en) * | 2001-08-03 | 2005-03-24 | Beaman Brian Samuel | High density integrated circuit apparatus, test probe and methods of use thereof |
US5389739A (en) * | 1992-12-15 | 1995-02-14 | Hewlett-Packard Company | Electronic device packaging assembly |
JPH06268020A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
US5383787A (en) * | 1993-04-27 | 1995-01-24 | Aptix Corporation | Integrated circuit package with direct access to internal signals |
US5413489A (en) * | 1993-04-27 | 1995-05-09 | Aptix Corporation | Integrated socket and IC package assembly |
US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US6727580B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
US5772451A (en) | 1993-11-16 | 1998-06-30 | Form Factor, Inc. | Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components |
US7579269B2 (en) * | 1993-11-16 | 2009-08-25 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact elements |
US7073254B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
US6624648B2 (en) | 1993-11-16 | 2003-09-23 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly |
US20070228110A1 (en) * | 1993-11-16 | 2007-10-04 | Formfactor, Inc. | Method Of Wirebonding That Utilizes A Gas Flow Within A Capillary From Which A Wire Is Played Out |
US6835898B2 (en) * | 1993-11-16 | 2004-12-28 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
US6023103A (en) * | 1994-11-15 | 2000-02-08 | Formfactor, Inc. | Chip-scale carrier for semiconductor devices including mounted spring contacts |
US5820014A (en) | 1993-11-16 | 1998-10-13 | Form Factor, Inc. | Solder preforms |
US5455390A (en) * | 1994-02-01 | 1995-10-03 | Tessera, Inc. | Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding |
US5468995A (en) * | 1994-07-05 | 1995-11-21 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having compliant columnar electrical connections |
US6177636B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-01-23 | Tessera, Inc. | Connection components with posts |
US5989936A (en) | 1994-07-07 | 1999-11-23 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly fabrication with terminal formation from a conductive layer |
US5830782A (en) * | 1994-07-07 | 1998-11-03 | Tessera, Inc. | Microelectronic element bonding with deformation of leads in rows |
US6429112B1 (en) * | 1994-07-07 | 2002-08-06 | Tessera, Inc. | Multi-layer substrates and fabrication processes |
US6848173B2 (en) | 1994-07-07 | 2005-02-01 | Tessera, Inc. | Microelectric packages having deformed bonded leads and methods therefor |
US5798286A (en) * | 1995-09-22 | 1998-08-25 | Tessera, Inc. | Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation |
US5688716A (en) * | 1994-07-07 | 1997-11-18 | Tessera, Inc. | Fan-out semiconductor chip assembly |
US5518964A (en) * | 1994-07-07 | 1996-05-21 | Tessera, Inc. | Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding |
US6361959B1 (en) | 1994-07-07 | 2002-03-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic unit forming methods and materials |
US6117694A (en) * | 1994-07-07 | 2000-09-12 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
US6828668B2 (en) * | 1994-07-07 | 2004-12-07 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
KR100248035B1 (ko) * | 1994-09-29 | 2000-03-15 | 니시무로 타이죠 | 반도체 패키지 |
US5495667A (en) * | 1994-11-07 | 1996-03-05 | Micron Technology, Inc. | Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects |
JP3114999B2 (ja) * | 1994-11-15 | 2000-12-04 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 柔軟性ワイヤからの電気的接触構造 |
US6727579B1 (en) | 1994-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
US6826827B1 (en) * | 1994-12-29 | 2004-12-07 | Tessera, Inc. | Forming conductive posts by selective removal of conductive material |
US5491612A (en) * | 1995-02-21 | 1996-02-13 | Fairchild Space And Defense Corporation | Three-dimensional modular assembly of integrated circuits |
US20100065963A1 (en) | 1995-05-26 | 2010-03-18 | Formfactor, Inc. | Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out |
US6033935A (en) * | 1997-06-30 | 2000-03-07 | Formfactor, Inc. | Sockets for "springed" semiconductor devices |
FR2736569B1 (fr) * | 1995-07-13 | 1997-08-08 | Thomson Csf | Dispositif de connexion et procede de connexion |
US5810609A (en) | 1995-08-28 | 1998-09-22 | Tessera, Inc. | Socket for engaging bump leads on a microelectronic device and methods therefor |
US6483328B1 (en) * | 1995-11-09 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
US8033838B2 (en) | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
US5994152A (en) | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
US6880245B2 (en) * | 1996-03-12 | 2005-04-19 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a structure for making contact with an IC device |
US6307161B1 (en) * | 1996-09-10 | 2001-10-23 | Formfactor, Inc. | Partially-overcoated elongate contact structures |
TW571373B (en) * | 1996-12-04 | 2004-01-11 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device, circuit substrate, and electronic machine |
US6133072A (en) * | 1996-12-13 | 2000-10-17 | Tessera, Inc. | Microelectronic connector with planar elastomer sockets |
US7063541B2 (en) * | 1997-03-17 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Composite microelectronic spring structure and method for making same |
JP3834426B2 (ja) * | 1997-09-02 | 2006-10-18 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US6724203B1 (en) | 1997-10-30 | 2004-04-20 | International Business Machines Corporation | Full wafer test configuration using memory metals |
US6002168A (en) * | 1997-11-25 | 1999-12-14 | Tessera, Inc. | Microelectronic component with rigid interposer |
US6573609B2 (en) | 1997-11-25 | 2003-06-03 | Tessera, Inc. | Microelectronic component with rigid interposer |
JP3129275B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2001-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US6433579B1 (en) | 1998-07-02 | 2002-08-13 | Altera Corporation | Programmable logic integrated circuit devices with differential signaling capabilities |
US6236231B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-05-22 | Altera Corporation | Programmable logic integrated circuit devices with low voltage differential signaling capabilities |
US7196556B1 (en) | 1998-07-02 | 2007-03-27 | Altera Corporation | Programmable logic integrated circuit devices with low voltage differential signaling capabilities |
US6664628B2 (en) | 1998-07-13 | 2003-12-16 | Formfactor, Inc. | Electronic component overlapping dice of unsingulated semiconductor wafer |
US6705876B2 (en) * | 1998-07-13 | 2004-03-16 | Formfactor, Inc. | Electrical interconnect assemblies and methods |
US6535393B2 (en) * | 1998-12-04 | 2003-03-18 | Micron Technology, Inc. | Electrical device allowing for increased device densities |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
US6380555B1 (en) * | 1999-12-24 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Bumped semiconductor component having test pads, and method and system for testing bumped semiconductor components |
US6377466B1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-04-23 | Lucent Technologies Inc. | Header, a method of manufacture thereof and an electronic device employing the same |
JP3895522B2 (ja) | 2000-06-27 | 2007-03-22 | 古河電気工業株式会社 | 光素子・電子素子混載モジュール |
US6492715B1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Integrated semiconductor package |
JP4744689B2 (ja) * | 2000-12-11 | 2011-08-10 | パナソニック株式会社 | 粘性流体転写装置及び電子部品実装装置 |
US6750396B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-06-15 | Di/Dt, Inc. | I-channel surface-mount connector |
TW575949B (en) * | 2001-02-06 | 2004-02-11 | Hitachi Ltd | Mixed integrated circuit device, its manufacturing method and electronic apparatus |
US7396236B2 (en) * | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
US20030070836A1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-17 | Quint David W. | PGA chip package and process for same |
US20040000428A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-01 | Mirng-Ji Lii | Socketless package to circuit board assemblies and methods of using same |
US20040041254A1 (en) * | 2002-09-04 | 2004-03-04 | Lewis Long | Packaged microchip |
US6940302B1 (en) | 2003-01-07 | 2005-09-06 | Altera Corporation | Integrated circuit output driver circuitry with programmable preemphasis |
US7307446B1 (en) | 2003-01-07 | 2007-12-11 | Altera Corporation | Integrated circuit output driver circuitry with programmable preemphasis |
US6831480B1 (en) | 2003-01-07 | 2004-12-14 | Altera Corporation | Programmable logic device multispeed I/O circuitry |
US7094068B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-08-22 | Silicon Integrated Systems Corp. | Load board |
DE10351934B4 (de) * | 2003-11-07 | 2017-07-13 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | Leuchtdioden-Anordnung mit wärmeabführender Platine |
US7068039B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-06-27 | Agilent Technologies, Inc. | Test structure embedded in a shipping and handling cover for integrated circuit sockets and method for testing integrated circuit sockets and circuit assemblies utilizing same |
US7659739B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-02-09 | Micro Porbe, Inc. | Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion |
US7759949B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-07-20 | Microprobe, Inc. | Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
USRE43503E1 (en) | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
US7453157B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-11-18 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
DE102004043020B3 (de) * | 2004-09-06 | 2006-04-27 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Bonddraht und Bondverbindung |
US7598779B1 (en) | 2004-10-08 | 2009-10-06 | Altera Corporation | Dual-mode LVDS/CML transmitter methods and apparatus |
WO2006052616A1 (en) | 2004-11-03 | 2006-05-18 | Tessera, Inc. | Stacked packaging improvements |
US7365570B2 (en) * | 2005-05-25 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Pseudo-differential output driver with high immunity to noise and jitter |
US7265587B1 (en) | 2005-07-26 | 2007-09-04 | Altera Corporation | LVDS output buffer pre-emphasis methods and apparatus |
US7649367B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-01-19 | Microprobe, Inc. | Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance |
US8058101B2 (en) | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
US7312617B2 (en) | 2006-03-20 | 2007-12-25 | Microprobe, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
DE102006023167B3 (de) * | 2006-05-17 | 2007-12-13 | Infineon Technologies Ag | Bonddraht, Herstellungsverfahren für einen Bonddraht und Wedge-Wedge-Drahtbondverfahren |
WO2008003051A2 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Analog Devices, Inc. | Stress mitigation in packaged microchips |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
US7953162B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-05-31 | Intersil Americas Inc. | Use of differential pair as single-ended data paths to transport low speed data |
US20080150101A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages having improved input/output connections and methods therefor |
US7514948B2 (en) | 2007-04-10 | 2009-04-07 | Microprobe, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
US7694610B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-04-13 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Photo-multiplier tube removal tool |
US8723546B2 (en) | 2007-10-19 | 2014-05-13 | Microprobe, Inc. | Vertical guided layered probe |
JP2009117767A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及びそれにより製造した半導体装置 |
JP4993754B2 (ja) * | 2008-02-22 | 2012-08-08 | 新光電気工業株式会社 | Pga型配線基板及びその製造方法 |
US7733118B2 (en) * | 2008-03-06 | 2010-06-08 | Micron Technology, Inc. | Devices and methods for driving a signal off an integrated circuit |
US8230593B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-07-31 | Microprobe, Inc. | Probe bonding method having improved control of bonding material |
US20100288525A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Alcatel-Lucent Usa, Incorporated | Electronic package and method of manufacture |
CN102143654A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 旭硝子株式会社 | 元件搭载用基板及其制造方法 |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
US9137903B2 (en) | 2010-12-21 | 2015-09-15 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assembly and method for making same |
CN102340982A (zh) * | 2011-01-12 | 2012-02-01 | 张朝林 | 防错料检测装置和方法 |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
US9117811B2 (en) | 2011-06-13 | 2015-08-25 | Tessera, Inc. | Flip chip assembly and process with sintering material on metal bumps |
US9105483B2 (en) | 2011-10-17 | 2015-08-11 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
US8649820B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-02-11 | Blackberry Limited | Universal integrated circuit card apparatus and related methods |
US8946757B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-02-03 | Invensas Corporation | Heat spreading substrate with embedded interconnects |
US8372741B1 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-12 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US8936199B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-01-20 | Blackberry Limited | UICC apparatus and related methods |
USD703208S1 (en) | 2012-04-13 | 2014-04-22 | Blackberry Limited | UICC apparatus |
USD701864S1 (en) * | 2012-04-23 | 2014-04-01 | Blackberry Limited | UICC apparatus |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
US9391008B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
US8878353B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface |
US9136254B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-09-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer |
US9676614B2 (en) | 2013-02-01 | 2017-06-13 | Analog Devices, Inc. | MEMS device with stress relief structures |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US9685365B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-20 | Invensas Corporation | Method of forming a wire bond having a free end |
US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
US9263394B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9379074B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
JP2015173150A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ |
US9437577B2 (en) * | 2014-05-09 | 2016-09-06 | Mediatek Inc. | Package on package structure with pillar bump pins and related method thereof |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
US10167189B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-01-01 | Analog Devices, Inc. | Stress isolation platform for MEMS devices |
US9735084B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-08-15 | Invensas Corporation | Bond via array for thermal conductivity |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
US9761554B2 (en) | 2015-05-07 | 2017-09-12 | Invensas Corporation | Ball bonding metal wire bond wires to metal pads |
US10131538B2 (en) | 2015-09-14 | 2018-11-20 | Analog Devices, Inc. | Mechanically isolated MEMS device |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
US10043779B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-08-07 | Invensas Corporation | Packaged microelectronic device for a package-on-package device |
US9659848B1 (en) | 2015-11-18 | 2017-05-23 | Invensas Corporation | Stiffened wires for offset BVA |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
FR3103582B1 (fr) * | 2019-11-21 | 2022-12-16 | Safran Electronics & Defense | Calculateur embarqué avec entreproseur sur la puce microprocesseur |
US11417611B2 (en) | 2020-02-25 | 2022-08-16 | Analog Devices International Unlimited Company | Devices and methods for reducing stress on circuit components |
US11981560B2 (en) | 2020-06-09 | 2024-05-14 | Analog Devices, Inc. | Stress-isolated MEMS device comprising substrate having cavity and method of manufacture |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57141934A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS57145335A (en) * | 1981-03-04 | 1982-09-08 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS60183746A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS60187046A (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS6016447A (ja) * | 1984-06-25 | 1985-01-28 | Hitachi Ltd | 小型電子部品の実装構造 |
JPS6132490A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | 富士通株式会社 | フラツトリ−ドパツケ−ジ型電子部品の取付け構造 |
JPS6151838A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS6184043A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Nec Corp | プラグインパツケ−ジ |
JPH0789574B2 (ja) * | 1985-01-18 | 1995-09-27 | 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社 | ペレット取付基板の製造方法 |
JPS61168926A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-30 | Hitachi Ltd | 樹脂基板 |
JPH071790B2 (ja) * | 1985-11-12 | 1995-01-11 | 京セラ株式会社 | プラグイン型半導体パツケ−ジの製造方法 |
JPS62214648A (ja) * | 1986-03-15 | 1987-09-21 | Ngk Insulators Ltd | 半導体素子用パツケ−ジの製造方法 |
US4811082A (en) * | 1986-11-12 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | High performance integrated circuit packaging structure |
EP0268181B1 (en) * | 1986-11-15 | 1992-07-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plastic molded pin grid chip carrier package |
JPH0760870B2 (ja) * | 1986-11-17 | 1995-06-28 | 株式会社日立製作所 | チツプキヤリア、このチツプキヤリアを使用したチツプ搭載部品および半導体チツプ実装構造 |
US4816426A (en) * | 1987-02-19 | 1989-03-28 | Olin Corporation | Process for manufacturing plastic pin grid arrays and the product produced thereby |
JPS63245944A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路チツプ封止装置 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63145203A patent/JPH01313969A/ja active Pending
-
1991
- 1991-01-24 US US07/645,357 patent/US5067007A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7082682B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-08-01 | Formfactor, Inc. | Contact structures and methods for making same |
US7084656B1 (en) | 1993-11-16 | 2006-08-01 | Formfactor, Inc. | Probe for semiconductor devices |
US7347702B2 (en) | 1993-11-16 | 2008-03-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US7200930B2 (en) | 1994-11-15 | 2007-04-10 | Formfactor, Inc. | Probe for semiconductor devices |
US6137185A (en) * | 1996-01-16 | 2000-10-24 | Hitachi, Ltd. | Electrode structure of a wiring substrate of semiconductor device having expanded pitch |
JP2008003132A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 仮想現実感生成装置及び仮想現実感生成装置の設計方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5067007A (en) | 1991-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01313969A (ja) | 半導体装置 | |
US5381039A (en) | Hermetic semiconductor device having jumper leads | |
KR0161365B1 (ko) | 전자 부품 및 전자 부품 접속 구조체 | |
US5708567A (en) | Ball grid array semiconductor package with ring-type heat sink | |
US5969424A (en) | Semiconductor device with pad structure | |
US4607276A (en) | Tape packages | |
US5521429A (en) | Surface-mount flat package semiconductor device | |
CA2202426C (en) | Mounting structure for a semiconductor circuit | |
US5367124A (en) | Compliant lead for surface mounting a chip package to a substrate | |
EP1427016A2 (en) | Semiconductor device and circuit board mounted with the same | |
JPH0294532A (ja) | 半導体パッケージ及びそれを用いたコンピュータ | |
JPH10256429A (ja) | 半導体パッケージ | |
CN102341899A (zh) | 具有多种ic封装构造的无引线阵列塑料封装 | |
KR100606295B1 (ko) | 회로 모듈 | |
US7361977B2 (en) | Semiconductor assembly and packaging for high current and low inductance | |
KR100248035B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
US20050230842A1 (en) | Multi-chip flip package with substrate for inter-die coupling | |
JP3075617B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US8097950B2 (en) | Semiconductor device and electronic component module using the same | |
KR20020085102A (ko) | 칩 적층형 반도체 패키지 | |
JPH10256428A (ja) | 半導体パッケージ | |
KR100196291B1 (ko) | 요철 형상의 범프 구조를 이용한 반도체 칩과 기판 간의 접속 구조 | |
JPH0368163A (ja) | 半導体装置 | |
JPH10256413A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2705281B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 |