JPH01311534A - 電子放出素子及びそれを用いた発光素子 - Google Patents
電子放出素子及びそれを用いた発光素子Info
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- JPH01311534A JPH01311534A JP63141566A JP14156688A JPH01311534A JP H01311534 A JPH01311534 A JP H01311534A JP 63141566 A JP63141566 A JP 63141566A JP 14156688 A JP14156688 A JP 14156688A JP H01311534 A JPH01311534 A JP H01311534A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/316—Cold cathodes having an electric field parallel to the surface thereof, e.g. thin film cathodes
- H01J2201/3165—Surface conduction emission type cathodes
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、表面伝導形放出素子を利用してライン状の電
子放出を行わせる電子放出装置に関するものであり、特
に微粒子の配置場所によって放出方向の調整を行った装
置に関する。
子放出を行わせる電子放出装置に関するものであり、特
に微粒子の配置場所によって放出方向の調整を行った装
置に関する。
[従来の技術]
従来、111単な構造で電子の放出が得られる素子とし
て、例えば、エム・アイ・エリンソン(M、 I。
て、例えば、エム・アイ・エリンソン(M、 I。
Elinson)等によって発表された冷陰極素子が知
られている[ラジオ・エンジニアリング・エレクトロン
゛フィシ4−/クス(Radio Eng、 Elec
tron。
られている[ラジオ・エンジニアリング・エレクトロン
゛フィシ4−/クス(Radio Eng、 Elec
tron。
Phys、)第10巻、 1290〜129B頁、 1
1385年]。
1385年]。
これは、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利
用するもので、一般には表面伝導形放出素子と呼ばれて
いる。
この表面伝導形放出素子としては、前記エリンソン等に
より発表された5n02(Sb)薄膜を用いたものの他
、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー:゛スイン・
ソリッド・フィルムス″(G、 Dittmer:“T
h1n 5olid Films”)、9巻、317頁
、 (1972年)1、ITO薄膜によるもの[エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド:
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・デイ−・
コンク″(M、 Hartwell and C,G、
FanStad:“IEEE Trans、 ED
Canf、” ) 519頁、(1975年月、カーボ
ン薄膜によるもの[荒木久他:“真空”。
より発表された5n02(Sb)薄膜を用いたものの他
、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマー:゛スイン・
ソリッド・フィルムス″(G、 Dittmer:“T
h1n 5olid Films”)、9巻、317頁
、 (1972年)1、ITO薄膜によるもの[エム・
ハートウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド:
“アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・デイ−・
コンク″(M、 Hartwell and C,G、
FanStad:“IEEE Trans、 ED
Canf、” ) 519頁、(1975年月、カーボ
ン薄膜によるもの[荒木久他:“真空”。
第2B巻、第1号、22頁、 (1983年)]等が
報告されている。
報告されている。
これらの表面伝導形放出素子の典型的な素子構成を第7
図に示す0図中、1は基板、3および4は電気的接続を
得る為の電極、5は電子放出部、6は電子放出材料で形
成される薄膜を示す。
図に示す0図中、1は基板、3および4は電気的接続を
得る為の電極、5は電子放出部、6は電子放出材料で形
成される薄膜を示す。
上述した表面伝導形放出素子は、いずれも、薄膜6を設
けた基板l上に電極3.4を設けて、電極3,4間に電
圧を印加し、フォーミングと呼ばれる通電加熱処理で電
子放出部5を形成することによって製造されている。即
ち、電極3.4間への電圧の印加によって薄膜6に通電
し、これにより発生するジュール熱で薄膜6を局所的に
破壊。
けた基板l上に電極3.4を設けて、電極3,4間に電
圧を印加し、フォーミングと呼ばれる通電加熱処理で電
子放出部5を形成することによって製造されている。即
ち、電極3.4間への電圧の印加によって薄膜6に通電
し、これにより発生するジュール熱で薄膜6を局所的に
破壊。
変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした
電子放出部5を形成することにより、電子放出機能を付
与しているものである。
電子放出部5を形成することにより、電子放出機能を付
与しているものである。
上記電気的な高抵抗状態とは、薄膜6の一部に0.5#
Lm〜5IL層の亀裂を有し、かつ亀裂内が、いわゆる
島構造を有する不連続状態膜となっていることをいう、
島構造を有する不連続状態膜とは、一般に数十オングス
トロームから数ミクロン径の微粒子が基板1上にあり、
抜機粒子は空間的に不連続でかつ電気的に連続な膜を形
成していることを言う。
Lm〜5IL層の亀裂を有し、かつ亀裂内が、いわゆる
島構造を有する不連続状態膜となっていることをいう、
島構造を有する不連続状態膜とは、一般に数十オングス
トロームから数ミクロン径の微粒子が基板1上にあり、
抜機粒子は空間的に不連続でかつ電気的に連続な膜を形
成していることを言う。
さらに、従来の表面伝導形素子では、電子放出の放射特
性、即ち素子から放出された電子の広がりを第8図に示
すように電極4をプラス電位、電極3をアース電位、蛍
光体基板7をtooov程度として蛍光体の発光形状を
観察すると、同図の8に示すように三日月形の広がり特
性を示す、さらに上記の輝点は実際の電子放出部の沿直
上よりもプラス電極4偏にずれており1表面伝導形素子
から放出される電子はアース電極3側から見て斜め前方
に向って放出されていることを示している。
性、即ち素子から放出された電子の広がりを第8図に示
すように電極4をプラス電位、電極3をアース電位、蛍
光体基板7をtooov程度として蛍光体の発光形状を
観察すると、同図の8に示すように三日月形の広がり特
性を示す、さらに上記の輝点は実際の電子放出部の沿直
上よりもプラス電極4偏にずれており1表面伝導形素子
から放出される電子はアース電極3側から見て斜め前方
に向って放出されていることを示している。
また、特願昭81−210588等ですでに技術開示し
たように、微小間隔を有する一対の対向電極の微小間隔
部に金属、あるいは酸化物等から成る微粒子を分散配置
することで従来必要とされてきたフォーミング工程を経
ずに同等以上の電子放出機能を・得ることが可能となる
電子放出素子においても、微小間隔部全体に微粒子を分
散配置した場合には、放出される電子線の広がりは電極
幅よりも大きくなり、フォーミング素子同様三日月形の
広がり特性を示していた。
たように、微小間隔を有する一対の対向電極の微小間隔
部に金属、あるいは酸化物等から成る微粒子を分散配置
することで従来必要とされてきたフォーミング工程を経
ずに同等以上の電子放出機能を・得ることが可能となる
電子放出素子においても、微小間隔部全体に微粒子を分
散配置した場合には、放出される電子線の広がりは電極
幅よりも大きくなり、フォーミング素子同様三日月形の
広がり特性を示していた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来例では表面伝導形素子から放出
される電子ビームは三日月状の広がり特性を持っている
ため次のような欠点を有していた。
される電子ビームは三日月状の広がり特性を持っている
ため次のような欠点を有していた。
(1)表面伝導形素子から放出された電子ビームを任意
の形状、大きさに集束させるためには、非常に複雑な電
子光学系を必要とする。
の形状、大きさに集束させるためには、非常に複雑な電
子光学系を必要とする。
(2)表面伝導形素子から放出される電子ビームは大き
な広がりを持っているため、同一基板上に高密度配列さ
せることが困難である。
な広がりを持っているため、同一基板上に高密度配列さ
せることが困難である。
以上のような問題点があるため、従来の表面伝導形素子
は素子構造が簡単であり発熱も少ないという優れた利点
があるにもかかわらず、産業上積極的に応用されるには
至っていない0本発明は上記従来例の欠点を除去するこ
とを目的としてなされたものである。
は素子構造が簡単であり発熱も少ないという優れた利点
があるにもかかわらず、産業上積極的に応用されるには
至っていない0本発明は上記従来例の欠点を除去するこ
とを目的としてなされたものである。
[課題を解決するための手段及び作用]上記三日月状の
電子線の広がりを解決するために、本発明では特願昭6
1−210588等ですでに技術開示した素子構成を用
いて、微粒子の局所配置化により上記問題点を解決した
。
電子線の広がりを解決するために、本発明では特願昭6
1−210588等ですでに技術開示した素子構成を用
いて、微粒子の局所配置化により上記問題点を解決した
。
即ち1本発明は、一対の電極と該電極間に電子放出部を
有する表面伝導形放出素子において、電子放出部が微粒
子から形成され、この微粒子が前記電極間の局所部分に
のみ血けられていることを特徴とする表面伝導形放出素
子である。
有する表面伝導形放出素子において、電子放出部が微粒
子から形成され、この微粒子が前記電極間の局所部分に
のみ血けられていることを特徴とする表面伝導形放出素
子である。
本発明において講じられた手段を本発明の説明図である
第1図により説明すると、本発明ではまずガラス、石英
などの基板1上に相対向する2つの電極3.4を設けた
後、電極3.4間の微小間隔(以下電極ギャップと記す
)の一部分に、所望の電子放出材料から成る微粒子2を
所望の密度で分散配置することで素子を作製する。
第1図により説明すると、本発明ではまずガラス、石英
などの基板1上に相対向する2つの電極3.4を設けた
後、電極3.4間の微小間隔(以下電極ギャップと記す
)の一部分に、所望の電子放出材料から成る微粒子2を
所望の密度で分散配置することで素子を作製する。
本発明では電極ギャップの一部分に局所的に微粒子2を
形成することを特徴としており、電極ギャップ長及びそ
の幅、形状1等は所望のものを利用できる0通常は、電
極ギャップ長(図中、文)は数百オングストローム−数
十ミクロン程度が好ましく、電極幅(図中、W)は数十
ミクロン以上が好ましい。
形成することを特徴としており、電極ギャップ長及びそ
の幅、形状1等は所望のものを利用できる0通常は、電
極ギャップ長(図中、文)は数百オングストローム−数
十ミクロン程度が好ましく、電極幅(図中、W)は数十
ミクロン以上が好ましい。
また電極ギャップ間に設ける微粒子2は電極作製とは全
く独立しているため所望の位置に設けることができる上
、さらに電子放出に係る領域の大きさが微粒子を設ける
領域の面積で調整できるため、予め必要な電子ビームの
広がりに応じた電子放出部の形成が容易である。
く独立しているため所望の位置に設けることができる上
、さらに電子放出に係る領域の大きさが微粒子を設ける
領域の面積で調整できるため、予め必要な電子ビームの
広がりに応じた電子放出部の形成が容易である。
さらに、実際の電子放出部の幅が電極幅よりも狭くなっ
ているため放出される電子ビームの広がりは従来のフォ
ーミング素子と比較して小さくなり、より高霜度の集積
化、マルチ化が可能となる0通常は、電子放出部の幅は
電極幅の1/10〜172程度であることが好ましい。
ているため放出される電子ビームの広がりは従来のフォ
ーミング素子と比較して小さくなり、より高霜度の集積
化、マルチ化が可能となる0通常は、電子放出部の幅は
電極幅の1/10〜172程度であることが好ましい。
電子放出に係る微粒子は、例えば電子を電界放出し易い
物質や、二次電子放出し易い物質、或いは電子の衝撃に
よって電子を放出しやすく、且つ#熱性、耐flf蝕性
に強い物質であれば良く、例えば、仕事関数が低く、耐
熱性の高いW、Ti。
物質や、二次電子放出し易い物質、或いは電子の衝撃に
よって電子を放出しやすく、且つ#熱性、耐flf蝕性
に強い物質であれば良く、例えば、仕事関数が低く、耐
熱性の高いW、Ti。
Au、 Ag、 Cu、 Cr、 Aj’、 Pt、
Pd等の金属や、Sn02 。
Pd等の金属や、Sn02 。
In2O3,Bad、 MgO等の酸化物、もしくはカ
ーボン或いは以上の混合物等であるが、この限りではな
い、また、その寸法は通常直径が数十へから数千A程度
が好ましい。
ーボン或いは以上の混合物等であるが、この限りではな
い、また、その寸法は通常直径が数十へから数千A程度
が好ましい。
さらに電極部材としては、特に限定することなく通常使
用される広範囲な電極材が使用できる。
用される広範囲な電極材が使用できる。
[実施例]
実施例1
以下に述べるようにして、第2図に示されるような表面
伝導形放出素子を作製した。同図は電子放出特性近の部
分的上面図である。
伝導形放出素子を作製した。同図は電子放出特性近の部
分的上面図である。
まず、十分脱脂、洗浄を行った1インチ×1.5インチ
角の石英基板l上に通常のフォトリングラフィ技術を用
いてリフトオフにより、マイナス側電極3とプラス側電
極4を形成した。ここで、同図に示したように電極3は
上面から見た形状は長方形であるが、電極4は電極3に
対して頂点を向けた三角形をした電極となっている。ま
た図中の見は2終謬、Wは1■層である。電極材料はニ
ッケルを用い、膜厚はおよそ100OA、真空蒸着によ
り成膜を行った。
角の石英基板l上に通常のフォトリングラフィ技術を用
いてリフトオフにより、マイナス側電極3とプラス側電
極4を形成した。ここで、同図に示したように電極3は
上面から見た形状は長方形であるが、電極4は電極3に
対して頂点を向けた三角形をした電極となっている。ま
た図中の見は2終謬、Wは1■層である。電極材料はニ
ッケルを用い、膜厚はおよそ100OA、真空蒸着によ
り成膜を行った。
次に、上記電極上の図中2の部分以外にレジストを形成
した後、基板l全体に有機パラジウム化合物を含む有機
溶媒(実費製薬工業製キャタペーストccp)をスピン
コータを用いて回転塗布した。
した後、基板l全体に有機パラジウム化合物を含む有機
溶媒(実費製薬工業製キャタペーストccp)をスピン
コータを用いて回転塗布した。
その後、250℃−1θ分間の焼成を行いパラジウム微
粒子から成る島構造を有する不連続状態膜2を設け、最
後にレジストを除去して氷表面伝導形放出素子を完成し
た0本素子では同図中の5が電子放出部となり、他の部
分には、パラジウム微粒子が存在しないため、電気的に
は電子放出部5に電流が集中する形状となっている。
粒子から成る島構造を有する不連続状態膜2を設け、最
後にレジストを除去して氷表面伝導形放出素子を完成し
た0本素子では同図中の5が電子放出部となり、他の部
分には、パラジウム微粒子が存在しないため、電気的に
は電子放出部5に電流が集中する形状となっている。
こうして得られた素子の電子放出特性を調べるため、素
子を真空容器中に入れ電極3をアース電位、電極4を+
14Vとし、さらに素子から5蹟層沿直上に1kVの電
圧を印加した蛍光体基板を設置して放出電流の測定を行
った。
子を真空容器中に入れ電極3をアース電位、電極4を+
14Vとし、さらに素子から5蹟層沿直上に1kVの電
圧を印加した蛍光体基板を設置して放出電流の測定を行
った。
その結果、上記条件のもとでの放出電流Ieはおよそ5
00nA 、このときの素子中を流れる電流Ifは2m
Aであった。また素子に印加する電圧を逆向きにして同
様の実験を行ったが、Ie、 Ifともに順方向に電圧
を印加した場合とほぼ同等であった。
00nA 、このときの素子中を流れる電流Ifは2m
Aであった。また素子に印加する電圧を逆向きにして同
様の実験を行ったが、Ie、 Ifともに順方向に電圧
を印加した場合とほぼ同等であった。
次に、本素子から放出された電子の広がりを上記と同様
の実験装置を用いて観察した。その結果を第3図に示す
、同図において7は蛍光体基板、8は蛍光体の発光パタ
ーンであるが、本素子で特徴的なことは発光パターンが
三日月状からほぼ長楕円形になっていることである。従
来2隔層2幅300μ層程度の平行なギャップを持つ対
向電極を用いて素子を作製した場合、幅が2〜2.5■
程度の三日月状であったが、今回作製した素子は発光の
形状、大きさともに平行電極に比べより集束されたもの
となっている。
の実験装置を用いて観察した。その結果を第3図に示す
、同図において7は蛍光体基板、8は蛍光体の発光パタ
ーンであるが、本素子で特徴的なことは発光パターンが
三日月状からほぼ長楕円形になっていることである。従
来2隔層2幅300μ層程度の平行なギャップを持つ対
向電極を用いて素子を作製した場合、幅が2〜2.5■
程度の三日月状であったが、今回作製した素子は発光の
形状、大きさともに平行電極に比べより集束されたもの
となっている。
実施例2
次に、以下に述べるようにして第4図に示されるような
電子放出角度状の異なる表面伝導形放出素子を作製した
。第4図において、lは石英基板、2は放出部を形成す
る微粒子、3.4は電気的導通を得るための電極である
。
電子放出角度状の異なる表面伝導形放出素子を作製した
。第4図において、lは石英基板、2は放出部を形成す
る微粒子、3.4は電気的導通を得るための電極である
。
まず、実施例1と同様に十分脱脂洗浄を行った石英基板
1に通常のフォトリングラフィ技術を用いてフォトレジ
ストを形成した後、真空蒸着法によってニッケルを10
0OA蒸着し、リフトオフにより同図に示した電極3,
4を作製した。このとき、電子放出部となる電極ギャッ
プ5の形状を半円形とし、電極ギャップは最小部分立を
全て2μ園とした。電極幅Wはlamである。
1に通常のフォトリングラフィ技術を用いてフォトレジ
ストを形成した後、真空蒸着法によってニッケルを10
0OA蒸着し、リフトオフにより同図に示した電極3,
4を作製した。このとき、電子放出部となる電極ギャッ
プ5の形状を半円形とし、電極ギャップは最小部分立を
全て2μ園とした。電極幅Wはlamである。
次に、電極ギャップ中に第4図に示したように中央付近
、直径40OI&m程度の円形債域にパラジウム微粒子
を形成した。パラジウム微粒子の形成には金属マスクを
用いたガス中蒸発法を利用した。
、直径40OI&m程度の円形債域にパラジウム微粒子
を形成した。パラジウム微粒子の形成には金属マスクを
用いたガス中蒸発法を利用した。
また使用したノズルは、微粒子の均一塗布と大面積化に
適した特殊な形状の物を用いた。
適した特殊な形状の物を用いた。
こうして得られた素子の放出部を電子顕微鏡観察したと
ころ、電極ギャップ中に存在したパラジウム微粒子の直
径は、30〜50オングストロ一ム程度と極めて微小で
あり、微粒子間がほぼ接する形で不連続膜となっていた
。
ころ、電極ギャップ中に存在したパラジウム微粒子の直
径は、30〜50オングストロ一ム程度と極めて微小で
あり、微粒子間がほぼ接する形で不連続膜となっていた
。
次に1本素子を実施例1と同様に真空容器中に入れ、電
極3をアース電位、電極4を+14Vとして放出電流の
測定及び蛍光体基板の発光の観察を行った。
極3をアース電位、電極4を+14Vとして放出電流の
測定及び蛍光体基板の発光の観察を行った。
その結果、1素子からの放出電流Isはほぼ100nA
であった。また蛍光体基板上での輝点形状は第5図の8
に示したようにeoop層X 800μ■程度の円形に
近い楕円形であり、従来表面伝導形素子の特徴であった
三日月形が補正された。
であった。また蛍光体基板上での輝点形状は第5図の8
に示したようにeoop層X 800μ■程度の円形に
近い楕円形であり、従来表面伝導形素子の特徴であった
三日月形が補正された。
実施例3
電極ギャップに5i02薄膜を応用したたて型構造の素
子を作製した。第6図において石英基板1上に段差形成
層9として5i02の液体コーティング剤(東京応化工
業社製0CO)を塗布、乾燥し、厚さ30GOAのS
i02層を形成した0次に)IFエツチング液により5
i02層をエツチングし1段差部を設け、さらにこの段
差部上にマスク真空蒸着法により、旧を厚さ500 A
成膜して電極3,4を形成した。
子を作製した。第6図において石英基板1上に段差形成
層9として5i02の液体コーティング剤(東京応化工
業社製0CO)を塗布、乾燥し、厚さ30GOAのS
i02層を形成した0次に)IFエツチング液により5
i02層をエツチングし1段差部を設け、さらにこの段
差部上にマスク真空蒸着法により、旧を厚さ500 A
成膜して電極3,4を形成した。
この後、実施例1同様に本素子の電極ギャップ部5の一
部にパラジウム微粒子を形成し、素子を完成した。
部にパラジウム微粒子を形成し、素子を完成した。
本素子も前述実施例同様の実験を行ったところ、電子放
出角度が補正されていることが示され、他素子同様の効
果があった。
出角度が補正されていることが示され、他素子同様の効
果があった。
[発明の効果]
以上説明したように1本発明は、一対の相対向する電極
と該電極間に設けられた微粒子から成る表面伝導形素子
において、微粒子を電極間の一部分に局所的に設けるこ
とで。
と該電極間に設けられた微粒子から成る表面伝導形素子
において、微粒子を電極間の一部分に局所的に設けるこ
とで。
(1)従来フォーミング素子の持っていた放出電子の三
日月形の広がりを楕円形あるいは長楕円形に補正するこ
とができる、 (2)微粒子を設けた部分にのみ電流が集中するため、
効率向上が容易である、 (3)電極形状との組合せにより所望のビーム形状が得
られる 等の効果がある。
日月形の広がりを楕円形あるいは長楕円形に補正するこ
とができる、 (2)微粒子を設けた部分にのみ電流が集中するため、
効率向上が容易である、 (3)電極形状との組合せにより所望のビーム形状が得
られる 等の効果がある。
第1図は本発明の特徴を示す説明図、第2図は実施例1
で作製した素子の概略図、第3図はその放出電子の広が
りを模式的に示した平面図、第4図は実施例2で作製し
た素子の平面図、第5図はその放出電子の広がりを模式
的に示した平面図、第6図は実施例3で作製した素子の
断面図、第7図は従来表面伝導形素子の平面図、第8図
は従来表面伝導形素子の電子放出パターンである。 l二基板 2:電子放出部を形成する微粒子 3:マイナス側電極 4ニブラス側電極5:電子放出
部 6:電子放出部材で形成される薄膜
で作製した素子の概略図、第3図はその放出電子の広が
りを模式的に示した平面図、第4図は実施例2で作製し
た素子の平面図、第5図はその放出電子の広がりを模式
的に示した平面図、第6図は実施例3で作製した素子の
断面図、第7図は従来表面伝導形素子の平面図、第8図
は従来表面伝導形素子の電子放出パターンである。 l二基板 2:電子放出部を形成する微粒子 3:マイナス側電極 4ニブラス側電極5:電子放出
部 6:電子放出部材で形成される薄膜
Claims (2)
- (1)一対の電極と該電極間に電子放出部を有する表面
伝導形電子放出素子において、電子放出部が微粒子から
形成され、この微粒子が前記電極間の局所部分にのみ設
けられていることを特徴とする表面伝導形放出素子。 - (2)前記微粒子が前記電極間の中央付近に局在するこ
とを特徴とする請求項1記載の表面伝導形放出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14156688A JP2630990B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 電子放出素子及びそれを用いた発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14156688A JP2630990B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 電子放出素子及びそれを用いた発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01311534A true JPH01311534A (ja) | 1989-12-15 |
JP2630990B2 JP2630990B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=15294954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14156688A Expired - Fee Related JP2630990B2 (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 電子放出素子及びそれを用いた発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2630990B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6005334A (en) * | 1996-04-30 | 1999-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting apparatus having a periodical electron-emitting region |
US6288494B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting apparatus and image-forming apparatus |
CN112979286A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-18 | 成都宏科电子科技有限公司 | 用于高密度封装外壳的氧化铝陶瓷、其制备方法及生瓷带 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313247A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Canon Inc | 電子放出装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP14156688A patent/JP2630990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6313247A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Canon Inc | 電子放出装置およびその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6005334A (en) * | 1996-04-30 | 1999-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting apparatus having a periodical electron-emitting region |
US6259191B1 (en) | 1996-04-30 | 2001-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting apparatus having a periodical electron-emitting region |
US6288494B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting apparatus and image-forming apparatus |
CN112979286A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-06-18 | 成都宏科电子科技有限公司 | 用于高密度封装外壳的氧化铝陶瓷、其制备方法及生瓷带 |
CN112979286B (zh) * | 2021-01-18 | 2022-08-12 | 成都宏科电子科技有限公司 | 用于高密度封装外壳的氧化铝陶瓷、其制备方法及生瓷带 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2630990B2 (ja) | 1997-07-16 |
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Legal Events
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |