JPH01316752A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
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- JPH01316752A JPH01316752A JP14899088A JP14899088A JPH01316752A JP H01316752 A JPH01316752 A JP H01316752A JP 14899088 A JP14899088 A JP 14899088A JP 14899088 A JP14899088 A JP 14899088A JP H01316752 A JPH01316752 A JP H01316752A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アルミニウムなどからなる導電性基体上に光
電変換機能を存する感光材料からなる感光層を設けた感
光体に対する画像潜像形成のための露光の波長がほぼ7
80n+*である電子写真装置に関する。
電変換機能を存する感光材料からなる感光層を設けた感
光体に対する画像潜像形成のための露光の波長がほぼ7
80n+*である電子写真装置に関する。
電子写真用感光体は、−mにアルミニウム等の導電性材
料からなる基体上にCds+ZnO,Sl+Se、Se
−To金合金 Se−^S合金、有機感光材料等の光
電変換機能を有する感光材料と積層したものである。製
法は、円筒状、ベルト状あるいは板状の導電性基体に真
空蒸着法、スパッタリング法あるいは塗布法等により感
光材料を積層させる。
料からなる基体上にCds+ZnO,Sl+Se、Se
−To金合金 Se−^S合金、有機感光材料等の光
電変換機能を有する感光材料と積層したものである。製
法は、円筒状、ベルト状あるいは板状の導電性基体に真
空蒸着法、スパッタリング法あるいは塗布法等により感
光材料を積層させる。
電子写真用感光体は、暗中で表面にコロナ放電により電
荷を受容し、原稿からの反射光やメモリからのレーザ光
などにより表面電荷による画像潜像を形成する0次いで
、画像潜像に対応する逆電荷をもつトナーと称する現像
剤を静電引力によって感光体表面に付着させ現像する0
次に、普通紙をこの感光体表面にのせ、普通紙の上から
トナー電荷と逆極性のコロナ放電を行い、静電引力によ
りトナーを紙の上に転写する。転写されたトナー、すな
わち画像は、熱転写ローラ等により紙の上に焼き付けら
れる。一方、感光体上の残留電荷や残留トナーは、光除
電1 コロナ放電による除電等により除去され、またさ
らに残留したトナーは、プラスチック製あるいは毛製の
ブレード、ブラシなどで機械的に除去される。
荷を受容し、原稿からの反射光やメモリからのレーザ光
などにより表面電荷による画像潜像を形成する0次いで
、画像潜像に対応する逆電荷をもつトナーと称する現像
剤を静電引力によって感光体表面に付着させ現像する0
次に、普通紙をこの感光体表面にのせ、普通紙の上から
トナー電荷と逆極性のコロナ放電を行い、静電引力によ
りトナーを紙の上に転写する。転写されたトナー、すな
わち画像は、熱転写ローラ等により紙の上に焼き付けら
れる。一方、感光体上の残留電荷や残留トナーは、光除
電1 コロナ放電による除電等により除去され、またさ
らに残留したトナーは、プラスチック製あるいは毛製の
ブレード、ブラシなどで機械的に除去される。
上記のような電子写真用感光体の画像潜像の形成に用い
られる光は、白色光、Be−Meレーザ光。
られる光は、白色光、Be−Meレーザ光。
半導体レーザ光1発光ダイオード光等がある。ここで波
長7801の光を発する半導体レーザを露光光源とする
場合、感光材料のセレン感光体や有機感光体はレーザ光
が基体まで透過し、基体表面での反射光が干渉光となり
、これが画像に再現され、例えば黒色画像に濃淡濃淡の
縞模様が生じ、画像濃度に悪影響を及ぼす。
長7801の光を発する半導体レーザを露光光源とする
場合、感光材料のセレン感光体や有機感光体はレーザ光
が基体まで透過し、基体表面での反射光が干渉光となり
、これが画像に再現され、例えば黒色画像に濃淡濃淡の
縞模様が生じ、画像濃度に悪影響を及ぼす。
この基体反射による干渉光は、基体表面の粗さや、微細
な波形形状により発生の仕方が決まる。
な波形形状により発生の仕方が決まる。
本発明の課題は、上記の問題を解決し、感光体への画像
潜像形成のための露光光源として、例えば半導体レーザ
を用いほぼ78Gamの波長の光を照射しても画像に基
体表面での反射光による干渉によって干渉縞の生ずるこ
とのない電子写真用感光体装置を提供することにある。
潜像形成のための露光光源として、例えば半導体レーザ
を用いほぼ78Gamの波長の光を照射しても画像に基
体表面での反射光による干渉によって干渉縞の生ずるこ
とのない電子写真用感光体装置を提供することにある。
上記の課題の解決のために、本発明の電子写真装置は画
像潜像形成のための露光の波長がほぼ780amであり
、感光体の導電性基体が(1) 最大高さ (R,a
m ) 0.4〜2.0μm(2) 表面うねり
(Wc) 0.1〜0.6n(3) 平均中間隔(
Sm) 5〜30μ(4) 中心線平均粗さ
(R,) 0.1−0.5 tna(6) 十点平
均粗さ (Rz ) 0.3〜1.9 mの各条件を
満足する表面を有するものとする。
像潜像形成のための露光の波長がほぼ780amであり
、感光体の導電性基体が(1) 最大高さ (R,a
m ) 0.4〜2.0μm(2) 表面うねり
(Wc) 0.1〜0.6n(3) 平均中間隔(
Sm) 5〜30μ(4) 中心線平均粗さ
(R,) 0.1−0.5 tna(6) 十点平
均粗さ (Rz ) 0.3〜1.9 mの各条件を
満足する表面を有するものとする。
基体表面が平滑になると乱反射が生せず、反射光の方向
が揃うため入射光との間に干渉が起こる。
が揃うため入射光との間に干渉が起こる。
従って表面粗さの程度をあられす各特性値に下限を設け
である程度まで粗面化すると干渉の発生が防止できる。
である程度まで粗面化すると干渉の発生が防止できる。
しかし、粗面の程度が過大になると画像欠陥の発生の原
因となるので各特性値には上限が設けられる。
因となるので各特性値には上限が設けられる。
(実施例〕
表面の粗さの程度の異なる50本のアルミニウム円筒基
体上にセレン系合金を同様に蒸着し、半導体レーザ光に
より黒色画像潜像を形成し、現像して表面の粗さと干渉
縞の発生率を調べた。第1図(畠)は最大高さと干渉−
発生率の関係を示し、0.35−より小さくなると濃淡
濃淡の干渉縞発生率が急上昇する。一方2.O1mを超
えると、斜線を引いて示した画像欠陥発生領域に入る。
体上にセレン系合金を同様に蒸着し、半導体レーザ光に
より黒色画像潜像を形成し、現像して表面の粗さと干渉
縞の発生率を調べた。第1図(畠)は最大高さと干渉−
発生率の関係を示し、0.35−より小さくなると濃淡
濃淡の干渉縞発生率が急上昇する。一方2.O1mを超
えると、斜線を引いて示した画像欠陥発生領域に入る。
従って最大高さは0.4〜2.0−の範囲に限定される
。第1図〜)は表面うねりWcと干渉縞発生率の関係を
示し、表面うねりが0.1nより小さ(なると干渉縞発
生率が高くなり、 0.1 =0.6 μmの範囲に限
定されることがわかる。第1図((+)は平均中間隔S
、と干渉縞発生率の関係を示し、平均中間隔が5nより
小さくすると干渉縞発生率が上がり、5〜30mの範囲
に限定されることがわかる。第1図(dlは中心線平均
粗さR1と干渉縞発生率の関係を示し、中心線平均粗さ
R1が0.14より小さくなり、0.5 nより大きく
なると干渉縞発生率が上がるので、0.1〜0.5μの
範囲に限定されることがわかる。第1図+81は十点平
均粗さR2と干渉縞発生率の関係を示し、十点平均粗さ
R2が0.3nより小さ(なると干渉縞発生率が急増し
、0.3〜1.9 tnaの範囲に限定されることがわ
かる。
。第1図〜)は表面うねりWcと干渉縞発生率の関係を
示し、表面うねりが0.1nより小さ(なると干渉縞発
生率が高くなり、 0.1 =0.6 μmの範囲に限
定されることがわかる。第1図((+)は平均中間隔S
、と干渉縞発生率の関係を示し、平均中間隔が5nより
小さくすると干渉縞発生率が上がり、5〜30mの範囲
に限定されることがわかる。第1図(dlは中心線平均
粗さR1と干渉縞発生率の関係を示し、中心線平均粗さ
R1が0.14より小さくなり、0.5 nより大きく
なると干渉縞発生率が上がるので、0.1〜0.5μの
範囲に限定されることがわかる。第1図+81は十点平
均粗さR2と干渉縞発生率の関係を示し、十点平均粗さ
R2が0.3nより小さ(なると干渉縞発生率が急増し
、0.3〜1.9 tnaの範囲に限定されることがわ
かる。
本発明によれば、感光体の導電性基体の表面粗さの程度
を限定することにより、露光波長が780−前後の場合
の感光層を透過後の基体表面での反射光を適宜散乱させ
て干渉光とならぬようにし、画像に干渉縞が生ずること
を防止すると共に画像欠陥の発生もない電子写真vi置
を得ることができた。
を限定することにより、露光波長が780−前後の場合
の感光層を透過後の基体表面での反射光を適宜散乱させ
て干渉光とならぬようにし、画像に干渉縞が生ずること
を防止すると共に画像欠陥の発生もない電子写真vi置
を得ることができた。
第1図(a)〜(e)は感光体の導電性基体表面の最大
高さ9表面うねり、平均山間隔、中心線平均粗さ。
高さ9表面うねり、平均山間隔、中心線平均粗さ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)画像潜像形成のための露光の波長がほぼ780nm
であり、感光体の導電性基体が (1)最大高さ(R_m_a_x)0.4〜2.0μm (2)表面うねり(W_c)0.1〜0.6μm (3)平均山間隔(S_m)5〜30μm (4)中心線平均粗さ(R_a)0.1〜0.5μm (5)十点平均粗さ(R_z)0.3〜1.9μm の各条件を満足する表面を有することを特徴とする電子
写真装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63148990A JP2634061B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63148990A JP2634061B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01316752A true JPH01316752A (ja) | 1989-12-21 |
JP2634061B2 JP2634061B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=15465234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63148990A Expired - Lifetime JP2634061B2 (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2634061B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0240662A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH031157A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及び画像形成方法 |
JPH0527467A (ja) * | 1990-11-16 | 1993-02-05 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体用基体及びその製造方法 |
US6331371B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-12-18 | Nec Corporation | Electrophotographic photoreceptor and its manufacturing method |
WO2004079455A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | 電子写真感光体用基体、該基体の製造方法および該基体を用いた電子写真感光体 |
JP2015230440A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 株式会社リコー | 導電性支持体、感光体、画像形成装置、及びカートリッジ |
Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JPS56150755A (en) * | 1981-02-20 | 1981-11-21 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Manufacture of substrate for electrophotographic receptor |
JPS58139153A (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS60112049A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS60166956A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Canon Inc | 感光体及びそれを用いた画像形成方法 |
JPS61240247A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその画像形成法 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63148990A patent/JP2634061B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH031157A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及び画像形成方法 |
JPH0527467A (ja) * | 1990-11-16 | 1993-02-05 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体用基体及びその製造方法 |
US6331371B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-12-18 | Nec Corporation | Electrophotographic photoreceptor and its manufacturing method |
WO2004079455A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | 電子写真感光体用基体、該基体の製造方法および該基体を用いた電子写真感光体 |
US7358018B2 (en) | 2003-03-04 | 2008-04-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Substrate for electrophotographic photoreceptor, process for producing the substrate, and electrophotographic photoreceptor employing the substrate |
CN100442146C (zh) * | 2003-03-04 | 2008-12-10 | 三菱化学株式会社 | 用于电子照相光感受器的基底、其生产方法及使用其的电子照相光感受器 |
US7601476B2 (en) | 2003-03-04 | 2009-10-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | Substrate for electrophotographic photoreceptor, process for producing the substrate, and electrophotographic photoreceptor employing the substrate |
JP2015230440A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | 株式会社リコー | 導電性支持体、感光体、画像形成装置、及びカートリッジ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2634061B2 (ja) | 1997-07-23 |
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