JPH01301684A - 有機金属化合物の製造方法 - Google Patents
有機金属化合物の製造方法Info
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- JPH01301684A JPH01301684A JP63130180A JP13018088A JPH01301684A JP H01301684 A JPH01301684 A JP H01301684A JP 63130180 A JP63130180 A JP 63130180A JP 13018088 A JP13018088 A JP 13018088A JP H01301684 A JPH01301684 A JP H01301684A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、アルキルガリウム又はインジウム等の有機金
属化合物の製造方法に関する。
属化合物の製造方法に関する。
高純度の上記有機金属化合物は、電子工業における化合
物半導体の原料、有機合成での出発原料や触媒等に用い
られている。
物半導体の原料、有機合成での出発原料や触媒等に用い
られている。
[従来の技術]
アルキルガリウム又はインジウム等の有機金属化合物は
、 ■金属ガリウム又はインジウムとアルキル水銀との反応
、 ■ハロゲン化ガリウム又はインジウムとアルキル亜鉛と
の反応、 ■ハロゲン化ガリウム又はインジウt1とアルキルアル
ミニウムとの反応、 ■ハロゲン化ガリウム又はインジウムとグリニヤール試
薬との反応、 ■ガリウム又はインジウム−マグネシウム合金とハロゲ
ン化アルキルとの反応、 等の方法で合成されている。
、 ■金属ガリウム又はインジウムとアルキル水銀との反応
、 ■ハロゲン化ガリウム又はインジウムとアルキル亜鉛と
の反応、 ■ハロゲン化ガリウム又はインジウt1とアルキルアル
ミニウムとの反応、 ■ハロゲン化ガリウム又はインジウムとグリニヤール試
薬との反応、 ■ガリウム又はインジウム−マグネシウム合金とハロゲ
ン化アルキルとの反応、 等の方法で合成されている。
このうち、グリニヤール反応による方法(■、■)は、
グリニヤール試薬或いはガリウム又はインジウム−マグ
ネシウム合金の細片をエーテルに浸し、これにハロゲン
化アルキルのエーテル溶液を攪拌しながら滴下し、次い
で加熱して反応させるものであった(例えば、新実験化
学講座、1又 p324.1976 丸首発行)。
グリニヤール試薬或いはガリウム又はインジウム−マグ
ネシウム合金の細片をエーテルに浸し、これにハロゲン
化アルキルのエーテル溶液を攪拌しながら滴下し、次い
で加熱して反応させるものであった(例えば、新実験化
学講座、1又 p324.1976 丸首発行)。
しかし、反応の際に、大量のエーテル系溶媒を用いると
、合成された有機金属化合物に溶媒であるエーテル化合
物が配位してエーテラートを形成し、単なる蒸留操作で
は、これを解離させることは困難であった。
、合成された有機金属化合物に溶媒であるエーテル化合
物が配位してエーテラートを形成し、単なる蒸留操作で
は、これを解離させることは困難であった。
特に、最近、これらの有機金属化合物は1M○CV D
(Metalorganjc Chemjcal V
aper Deposition)をはじめとした化合
物半導体の原料或いはドーパントとして用いられること
が多くなってきた。しかし、上記エーテル化合物が配位
したエーテラートを含む有機金属化合物をこのような用
途に用いると、結晶成長過程に酸素を同伴することにな
り、製造された半導体の電気特性を低下させる原因とな
っていた。
(Metalorganjc Chemjcal V
aper Deposition)をはじめとした化合
物半導体の原料或いはドーパントとして用いられること
が多くなってきた。しかし、上記エーテル化合物が配位
したエーテラートを含む有機金属化合物をこのような用
途に用いると、結晶成長過程に酸素を同伴することにな
り、製造された半導体の電気特性を低下させる原因とな
っていた。
このためこの種の用途に用いられる有機金属化合物は、
もっばらエーテル系溶媒を用いないで済む、上記グリニ
ヤール反応によらない方法(■、■、■)が採用されて
いる。
もっばらエーテル系溶媒を用いないで済む、上記グリニ
ヤール反応によらない方法(■、■、■)が採用されて
いる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記方法は、反応速度が遅く、また収率
が悪く、またアルキル水銀や亜鉛やアルミニウムが不純
物として含まれ、この除去のため複雑な操作を要すると
いう問題点がある。
が悪く、またアルキル水銀や亜鉛やアルミニウムが不純
物として含まれ、この除去のため複雑な操作を要すると
いう問題点がある。
本発明者は、かかる問題を解決すべく鋭意研究を進めた
結果、ガリウム−マグネシウム合金又はインジウム−マ
グネシウム合金とハロゲン化アルキルとを反応させてア
ルキルガリウム又はアルキルインジウムを合成する反応
においては、先ず、ガリウム又はインジウム−マグネシ
ウム合金中のマグネシウムがエーテル溶媒の介在下にハ
ロゲン化アルキルと反応してグリニヤール試薬となると
考えられるが、このエーテル溶媒は触媒的に作用し、過
剰のエーテル溶媒は必要でないことを見い出した。
結果、ガリウム−マグネシウム合金又はインジウム−マ
グネシウム合金とハロゲン化アルキルとを反応させてア
ルキルガリウム又はアルキルインジウムを合成する反応
においては、先ず、ガリウム又はインジウム−マグネシ
ウム合金中のマグネシウムがエーテル溶媒の介在下にハ
ロゲン化アルキルと反応してグリニヤール試薬となると
考えられるが、このエーテル溶媒は触媒的に作用し、過
剰のエーテル溶媒は必要でないことを見い出した。
本発明は、かかる知見に基づきなされたもので、本発明
の目的は、少量のエーテル化合物を溶媒として使用し、
効率良く、また高い収率で、エーテラートの含有量の極
めて少ない高純度のアルキルガリウム又はアリキルイン
ジウムを製造する方法を提供することにある。
の目的は、少量のエーテル化合物を溶媒として使用し、
効率良く、また高い収率で、エーテラートの含有量の極
めて少ない高純度のアルキルガリウム又はアリキルイン
ジウムを製造する方法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、ガリウム−マグネシウム合金又はインジウム
−マグネシウム合金とハロゲン化アルキルとを反応させ
てアルキルガリウム又はアルキルインジウムを製造する
方法において、前記ガリウム−マグネシウム合金又はイ
ンジウム−マグネシウム合金とハロゲン化アルキルとを
直接混合し、当該混合物中にマグネシウム1当量に対し
、エーテル化合物を0.5当量以下添加して反応させる
ことからなるものである。
−マグネシウム合金とハロゲン化アルキルとを反応させ
てアルキルガリウム又はアルキルインジウムを製造する
方法において、前記ガリウム−マグネシウム合金又はイ
ンジウム−マグネシウム合金とハロゲン化アルキルとを
直接混合し、当該混合物中にマグネシウム1当量に対し
、エーテル化合物を0.5当量以下添加して反応させる
ことからなるものである。
上記ガリウム又はインジウム−マグネシウム合金は、ガ
リウム又はインジウム/マグネシウムの原子比が2〜1
0の割合の合金を用いることが、これらの金属とハロゲ
ン化アルキルとの反応を効率良く進める上で好ましい。
リウム又はインジウム/マグネシウムの原子比が2〜1
0の割合の合金を用いることが、これらの金属とハロゲ
ン化アルキルとの反応を効率良く進める上で好ましい。
この合金は、純度の高いガリウム又はインジウムとマグ
ネシウムとを溶融混合することによりえられる。こメミ
場合のガリウム又はインジウムとしては、ス−4= リーナインの市販のこれらの金属を真空蒸発精製及び真
空蒸留精製を行ったシックスナインの純度を有するのも
のを用いると好ましい。またマグネシウムとしては、市
販されているスリーナイン以上のもの、またはそれらを
さらに蒸留等の操作で不純物濃度を低減させたもの髪用
いることができる。
ネシウムとを溶融混合することによりえられる。こメミ
場合のガリウム又はインジウムとしては、ス−4= リーナインの市販のこれらの金属を真空蒸発精製及び真
空蒸留精製を行ったシックスナインの純度を有するのも
のを用いると好ましい。またマグネシウムとしては、市
販されているスリーナイン以上のもの、またはそれらを
さらに蒸留等の操作で不純物濃度を低減させたもの髪用
いることができる。
また、本発明で用いられるハロゲン化アルキルとしては
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル等の低級アルキル基と臭素。
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル等の低級アルキル基と臭素。
塩素、沃素等のハロゲンとのモノハロゲン化合物を例示
しうる。
しうる。
これらの合金とハロゲン化アルキルの量は、量論比、す
なわちハロゲン化アルキル3当量に対し合金はガリウム
又はインジウムとしてコーモルとするのが良いが、この
量は、この3:1の比を中心に、1:3〜10:1の範
囲で適宜変更しても、特に、支障はない。
なわちハロゲン化アルキル3当量に対し合金はガリウム
又はインジウムとしてコーモルとするのが良いが、この
量は、この3:1の比を中心に、1:3〜10:1の範
囲で適宜変更しても、特に、支障はない。
本発明においては、先ず反応容器に上記合金を投入し、
次いで上記ハロゲン化アルキルを入れ、攪拌加熱しなが
らエーテル化合物を添加する。この添加は、滴下方式が
好ましい。
次いで上記ハロゲン化アルキルを入れ、攪拌加熱しなが
らエーテル化合物を添加する。この添加は、滴下方式が
好ましい。
また、添加するエーテル化合物の量は、上記合金中のマ
グネシウムの少なくとも0.5当量以下とする。より好
ましくは、0.01〜0.5当量の範囲で適宜選定する
と良い。
グネシウムの少なくとも0.5当量以下とする。より好
ましくは、0.01〜0.5当量の範囲で適宜選定する
と良い。
反応温度は、0−150℃とするのが好ましく、特には
、ジエチルエーテルを用いる場合、その還流下に行なう
と良い。
、ジエチルエーテルを用いる場合、その還流下に行なう
と良い。
エーテル化合物としては、ジエチルエーテルが好ましい
が、ジイソプロピルエーテル、ジローブチルエーテル、
アニソール、フエネトール等のエーテルを用いることも
できる。
が、ジイソプロピルエーテル、ジローブチルエーテル、
アニソール、フエネトール等のエーテルを用いることも
できる。
反応は、常圧下、必要ならば加圧下或いは減圧下で、1
0分〜2時間行われる。
0分〜2時間行われる。
反応終了後に、蒸留により、アルキルガリウム又はイン
ジウムを留出させて回収するが、この化合物は分解温度
が比較的低いため、真空蒸留とすることが好ましい。こ
の蒸留条件は、アルキル基の種類、すなわち、化合物の
沸点と分解温度を勘案して適宜選定される。この蒸留に
おいて、高純度のアルキルガリウム又はインジウムを得
ることができる。
ジウムを留出させて回収するが、この化合物は分解温度
が比較的低いため、真空蒸留とすることが好ましい。こ
の蒸留条件は、アルキル基の種類、すなわち、化合物の
沸点と分解温度を勘案して適宜選定される。この蒸留に
おいて、高純度のアルキルガリウム又はインジウムを得
ることができる。
[実施例]
実施例し
マグネシウム/ガリウムの原子比が5.8のガリウム−
マグネシウム合金の切り粉50gをパイレックス製フラ
スコに入れ、これに臭化エチルを300m1加え、攪拌
しながら、ジエチルエーテル5mlを1時間かけて滴下
した。滴下終了後、引き続いて90℃の温度で2時間加
熱、攪拌した。この結果、灰色のスラッジ状の反応生成
物が得られた。次いで、フラスコに蒸留装置を取付け、
50mmHgで減圧蒸留し、60〜70°Cの留分を2
4g得た。この留分をトルエンで希釈し、エタノール及
び水を加えて蒸発乾固し、塩酸水溶液を加えて誘導結合
プラズマ発光法によりガリウム含有率を測定した。この
結果、ガリウム含有率は、41−.6%であり、ジエチ
ルエーテルは、6.3%含まれていると推算された。
マグネシウム合金の切り粉50gをパイレックス製フラ
スコに入れ、これに臭化エチルを300m1加え、攪拌
しながら、ジエチルエーテル5mlを1時間かけて滴下
した。滴下終了後、引き続いて90℃の温度で2時間加
熱、攪拌した。この結果、灰色のスラッジ状の反応生成
物が得られた。次いで、フラスコに蒸留装置を取付け、
50mmHgで減圧蒸留し、60〜70°Cの留分を2
4g得た。この留分をトルエンで希釈し、エタノール及
び水を加えて蒸発乾固し、塩酸水溶液を加えて誘導結合
プラズマ発光法によりガリウム含有率を測定した。この
結果、ガリウム含有率は、41−.6%であり、ジエチ
ルエーテルは、6.3%含まれていると推算された。
ル1口」1
実施例1で用いた合金と同し合金50.0 gとジエチ
ルエーテル300m1とをパイレックス製フラスコに入
れ、攪拌しながら、これに臭化エチル300m]を1時
間かけて滴下し、他は、実施例]と同様の操作を行なっ
た。この結果、ガリウム含有率は、25.9%であり、
ジエチルエーテルは、41.7%含まれていると推算さ
れた。
ルエーテル300m1とをパイレックス製フラスコに入
れ、攪拌しながら、これに臭化エチル300m]を1時
間かけて滴下し、他は、実施例]と同様の操作を行なっ
た。この結果、ガリウム含有率は、25.9%であり、
ジエチルエーテルは、41.7%含まれていると推算さ
れた。
失胤鮮主
マグネシウム/インジウムの原子比が2.9のインジウ
ム−マグネシウム合金20.0gをパイレックス製フラ
スコに入れ、これに臭化エチルをiooml加え、攪拌
しながら、ジエチルエーテル7mlを30分間かけて滴
下し、引き続き2時間反応させた。次に、20Torr
で減圧蒸留し、95〜110℃の留分を22g採取した
。この留分を、実施例1と同様の方法により分析した結
果、インジウムの含有率は、50.2%で、ジエチルエ
ーテルは11.7%含まれていると推算された。
ム−マグネシウム合金20.0gをパイレックス製フラ
スコに入れ、これに臭化エチルをiooml加え、攪拌
しながら、ジエチルエーテル7mlを30分間かけて滴
下し、引き続き2時間反応させた。次に、20Torr
で減圧蒸留し、95〜110℃の留分を22g採取した
。この留分を、実施例1と同様の方法により分析した結
果、インジウムの含有率は、50.2%で、ジエチルエ
ーテルは11.7%含まれていると推算された。
比較例2
実施例2で用いた合金と同じ合金20.0gをジエチル
エーテル150m1とをパイレックス製反応装置に入れ
、攪拌しながら、これに臭化エチルを1時間かけて滴下
し、引き続いて1−時間反応を行わせた。次いで、実施
例2と同様の方法により、減圧蒸留して、95〜110
℃の留分を26.0g採取した。この留分を、実施例]
と同様の方法により分析した結果、インジウムの含有率
は、43.0%であり、ジエチルエーテルは、24.3
%含まれていると推算された。
エーテル150m1とをパイレックス製反応装置に入れ
、攪拌しながら、これに臭化エチルを1時間かけて滴下
し、引き続いて1−時間反応を行わせた。次いで、実施
例2と同様の方法により、減圧蒸留して、95〜110
℃の留分を26.0g採取した。この留分を、実施例]
と同様の方法により分析した結果、インジウムの含有率
は、43.0%であり、ジエチルエーテルは、24.3
%含まれていると推算された。
[発明の効果コ
本発明は、ガリウム又はインジウム−マグネシウム合金
とハロゲン化アルキルとを直接混合し、<W該混合物中
にマグネシウム1重量部に対し、び。
とハロゲン化アルキルとを直接混合し、<W該混合物中
にマグネシウム1重量部に対し、び。
C左−チル化合物を0.5重量部以下添加して反応させ
るようにしたため、効率良く、高収率で、しかもエーテ
ラートの含有量の極めて少ない高純度のアルキルガリウ
ム又はアルキルインジウムを製造できるという格別の効
果を奏する。
るようにしたため、効率良く、高収率で、しかもエーテ
ラートの含有量の極めて少ない高純度のアルキルガリウ
ム又はアルキルインジウムを製造できるという格別の効
果を奏する。
Claims (1)
- ガリウム−マグネシウム合金又はインジウム−マグネシ
ウム合金とハロゲン化アルキルとを反応させてアルキル
ガリウム又はアルキルインジウムを製造する方法におい
て、前記ガリウム−マグネシウム合金又はインジウム−
マグネシウム合金とハロゲン化アルキルとを直接混合し
、当該混合物中にマグネシウム1当量に対し、エーテル
化合物を0.5当量以下添加して反応させることを特徴
とする有機金属化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63130180A JPH01301684A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 有機金属化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63130180A JPH01301684A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 有機金属化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01301684A true JPH01301684A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15027969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63130180A Pending JPH01301684A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 有機金属化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01301684A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5043462A (en) * | 1989-04-28 | 1991-08-27 | Messer Greisheim | Process for the production of gallium-alkyl compounds |
US5248800A (en) * | 1991-11-19 | 1993-09-28 | Shell Research Limited | Process for the preparation of trialkyl gallium compounds |
EP1705719A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-27 | Nichia Corporation | Methods for producing trialkyl gallium |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63130180A patent/JPH01301684A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5043462A (en) * | 1989-04-28 | 1991-08-27 | Messer Greisheim | Process for the production of gallium-alkyl compounds |
US5248800A (en) * | 1991-11-19 | 1993-09-28 | Shell Research Limited | Process for the preparation of trialkyl gallium compounds |
EP1705719A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-27 | Nichia Corporation | Methods for producing trialkyl gallium |
EP1755175A1 (en) * | 2005-03-23 | 2007-02-21 | Nichia Corporation | Methods for producing trialkyl gallium |
EP1903618A1 (en) | 2005-03-23 | 2008-03-26 | Nichia Corporation | Method for producing trialkyl gallium |
US7667063B2 (en) | 2005-03-23 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Method for producing trialkyl gallium |
US8278470B2 (en) | 2005-03-23 | 2012-10-02 | Nichia Corporation | Method for producing trialkyl gallium |
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