[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPH01307221A - X線露光装置 - Google Patents

X線露光装置

Info

Publication number
JPH01307221A
JPH01307221A JP63137361A JP13736188A JPH01307221A JP H01307221 A JPH01307221 A JP H01307221A JP 63137361 A JP63137361 A JP 63137361A JP 13736188 A JP13736188 A JP 13736188A JP H01307221 A JPH01307221 A JP H01307221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rays
ray
paraboloid
optical system
specific wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63137361A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryohei Yokohama
横浜 良平
Mitsuo Sumiya
住谷 充夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP63137361A priority Critical patent/JPH01307221A/ja
Publication of JPH01307221A publication Critical patent/JPH01307221A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体集積回路の製造における露光工程に用
いられるxsus光装置に関する。
(従来の技術) 1990年代に量産化が始まる′と予想されている16
Mピット以降の超LSI半導体素子の最小線幅は、1/
2〜1/4μmであるため、現在使用されている紫外線
露光に代わる新たな微細パターン転写技術(リソグラフ
ィ)として、X線リソグラフィが、解像度、生産、性及
び歩留の点から最有力視されている。すなわち、このX
線リソグラフィは、波長が0.5〜lnmの軟X線を転
写光とするもので、0.1μmオーダの加工精度を容易
に達成できる。しかも、X線は、直進性と透過性に優れ
ているので、パターンの微細化に伴りて要求されるレジ
ストの高アスペクト比や有機物塵埃を転写しないことな
どの利点を有する。
しかしながら、従来のX線露光装置においては、白色X
線を特定波長の単色X線にするいわゆる単色化するため
の装置と、単色化された単色X線の照射面積を拡大する
例えば振動ミラーなどの装置とが別々に設けられている
。そのため、露光装置が複雑化する難点をもっている。
と<K、振動ミラーを用いる場合は、ミラーを振動させ
るための機構を必要として、装置が一層複雑化する。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、上記実施例を勘案してなされたもので、装置
をコンパクト化でき、しかも、単色化と照射面積の拡大
が可能なX線露光装置を提供することを目的とする。
(発明の構成〕 (課題を解決するための手段と作用) 特定波長のX線をX線マスクを介して照射することによ
り被露光体を所定のパターンに露光するX線露光装置に
おいて、平面回折格子若しくは焦点を共有する一対の放
物面きラー又はこれらの組合せによシ上記特定波長のX
線の光束横断面積を変化させるようKしたものである。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第1図は、この実施例のX線露光装置を示している。こ
の装置は、80R(5ynchrotron 0rbi
tal Ra−dlation ;シンクロトロン放射
)光(1)を放出するX線源(2)と、このX線源(2
)から放出されたSOR光(1)を入射して特定波長の
X線(4)K変換する第1光学系(5)と、この第1光
学系(5)から出射した80R光(4)を入射してスポ
ット径が拡大された平行X+1i(6)に変換する第2
光学系(7)と、X線露光されるウェーハ(8)を保持
して平行X線(6)により露光させる露光部(9)とか
らなっている。しかして、X線源(2)は、電子を加速
するシンクロトロン(図示せず。)と、このシンクロト
ロンからの電子を導入して円軌道に沿って加速し接線方
向の80R光(1)を放出する80Bリング(10)と
を有している。このSOR光(1)は、スポット径と光
強度の均一なビームとなりていて、80RIJング(1
0)の特定位置における接線方向に放出される。そして
、80R<(x)のスペクトルは、赤外線からXStで
連続した分布でX線領域にピーク値を有する。一方、第
1光学系(5)は、平面回折格子(11)と、この平面
回折格子(11)を80B光(1)を入射する位置に保
持する保持手段(図示せず。)と、平面回折格子(11
)の出光側に設けられ余分の単色X線(4)を除去する
ためのスリット(llりとを有している。そして、平面
回折格子(11)には、三角断面形状の格子溝(14)
・・・が例えばルーりンダエンジン表どKよ)刻設され
てそる。そして、格子溝(14)−・・の格子間隔σお
よび格子溝角θは、軟X線に適用する場合、それぞれ1
/1200〜1/3600mmおよび1〜3°となって
いる。しかして、平面回折格子(11)は、保持手段に
より、矢印(1a)方向に回動自在に設けられている。
この保持手段により、SOR光(1)の平面回折格子(
11)への入射角αを変化させることにより、反射角β
方向に入射角αによって決定する波長を有するX線(4
)を出射するようになっている。つまシ、第1光学系(
5)は、分光器(モノクロメータ)を構成している。他
方、#g2光学系(7)は、X線(4)を入射する位置
に設けられた第1の回転放物面ミラー(15)と、この
第1の回転放物面ミラー(15)にて反射したX線(4
)を入射して平行X線(6)に変換する第2の回転放物
面ミラー(16)とからなりている。そうして、第1お
よび第2の回転放物面ミラー(15)、 (16)は、
焦点(17)を共有していて、第1の回転放物面ミラー
(15)の反射面(15M)は、放物面(18)の外側
を向くように設けられ、第2の回転放物面ミラー(16
)の反射面(16a)は放物+g+(19)の内側を向
くように設けられている。
しかして、X線(4)は、第1の回転放物面ミラー(1
5)にてスポット径が拡径した後に、第2の回転放物面
ミラー(16)により平行X線(6)に変換されるよう
に設けられている。なお、放物面(18)、 (19)
は、x −y座標系では次式■、■のように表わされる
y2= 2pt X          ””””’■
ただし、p2>plである。したがって、放物面(18
)。
(19)の焦点(17)の座標値は、(p1/2.0 
)となる。
また、放物面(18)、 (19)の準線(20)、 
(21)は、それぞれ次式〇、■で表わされる。
よって、pl、p2の値を適宜選択することにより、X
線(4)のスポット径の拡大率を変更できる。さらに、
露光部(9)は、X線透過部分とX線吸収部とからなシ
、これらによシ所定のLSIパターンが形成され拡径さ
れた平行X線(6)を入射して前記X線透過部分にての
み選択的にX線を透過させるX線マスク(20)と、こ
のX線マスク(20)を透過した平行X線(6)を入射
する位、置にてウェハ(8)を支持するウェハ支持手段
(21)とからなっている。
つぎに、上記構成のX線露光装置の作動について述べる
まず、X線源(2)からSOR光(1)を放射させ、こ
のSOR光(1)を平面回折格子(11)に入射させる
。すると、このときのSOR光(1)の入射角αに対応
して決定される波長を有するX線(4)が反射角βで平
面回折格子(11)から出射する。このとき、入射角α
は、反射角βよりも常に大きいので、SOR光(1)の
スポット径△1は、X線(4)のスポット径Δ2よシも
常に小さくなる。つまり 、SOR光(1)は、平面回
折格子(11)により特定波長のX線に変換されるとと
もに、スポット径が拡大される。つぎに、平面回折格子
(11)から出射されたX線(4)は、スリブ) (l
la)を通過したのち、第1の回転放物面ミ7  (1
5)の反射面(15a) Ic入射する。すると、この
X線(4)は、あたかも焦点(17)から放射されたと
きのような光路に溢って反射し、第2の回転放物面ミラ
ー(16)の反射l11i(16a)に入射する。する
と、X?J(4)は、コノ反射面(16a)にて平行X
線(6)に変換される。このとき、平行X線(6)のス
ポット径△3は、X線(4)のスポット径△2に比べて
、数倍以上拡大している。ついで、平行X線(6)は、
X線マスク(20)を経由してウェハ(8)に照射され
、所定のパターンが露光される。
以上のように、この実施例のX?fIA露光装置は、第
1光学系(5)と第2光学系(7)との2段にわたって
X線のスポット径の拡大を行っているので、スポット径
を所望の拡大率で拡径することができる。
また、第1光学系(5)では特定波長のX線への変換も
行うことができ、装置がコンパクト化する。また、振動
ミラーを用いる場合のように、X線の散乱がないので、
X線強度の低減が少ない。
なお、上記実施例において、第2光学系(7)は、省略
し、第1光学系から出射されたX線(4)を直接露光部
(9)K導入させるようにしてもよい。また逆に、第1
光学系を多層膜ミラーによシ構成し、この多層膜ミラー
により特定波長を有するように変換されたX線を第2光
学系(7)に入射させて、特定波長のX線のスポット径
を拡大させるようにしてもよい。さらに、X線源(2)
としては、SORに限ることなく、例えばプラズマX線
など他のX線源でもよい。さらに、前記第2光学系(7
)は、第3図に示すように、X線マスク(30)を経由
して第2の回転放物面ミラー(16)に入射したX線(
31)のスポット径を第1の回転放物面ミラー(15)
によシ縮小しウェハ(8)を露光させるようにしてもよ
い。つまり、この第2光学系(7)は、縮小露光法にも
適用できる。
さらに、第4図に示すように、一対の第2光学系(7a
)、 (7b)を、マスク(40)を介して対称的に配
置することにより、いったん光学系(7a)によりX線
(41)のスポット径を縮小させて、マスク(40)を
通過させた後、光学系(7b)により再びスポット径を
拡大させ、ウェハ(8)を露光させるようにしてもよい
。さらに、第1および第2の回転放物面ミラー(15)
、 (16)上に多層膜を形成してもよく、こうすると
とkよシ、X線の臨界入射角を大きくすることができる
〔発明の効果〕
本発明のX線露光装獄は、露光用のX線を、X線強度の
低減を惹起することなく、所望の拡大率Kl!1節する
ことができる。また、装置構成がコンパクト化するとと
もに、保守も容易になる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のX線露光装置の構成図、第
2図は同じく要部説明図、第3図及び第4図は本発明の
他の実施例の構成図である。 (2):X線源。 (5):第1光学系。 (7):第2光学系。 (8):ウェハ(被露光体)。 (11) :平面回折格子。 (15) :第1の回転放物面ミラー。 (16) :第2の回転放物面ミ2−9(20) : 
X線マスク。 代理人 弁理士  則 近 憲 佑 同   松山光之 第 2 口 、、、、/ 第 3 (2)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)特定波長のX線をX線マスクを介して照射するこ
    とにより被露光体を所定のパターンに露光するX線露光
    装置において、焦点を共有する一対の回転放物面ミラー
    を有し、上記特定波長のX線を上記一方の回転放物面ミ
    ラーから上記他方の回転放物面ミラーにかけて順次反射
    させることにより上記一方の回転放物面ミラーに入射す
    る特定波長のX線の光束横断面に対する上記他方の回転
    放物面ミラーにて反射された特定波長のX線の光束横断
    面積の比を調整することを特徴とするX線露光装置。
  2. (2)特定波長のX線をX線マスクを介して照射するこ
    とにより被露光体を所定のパターンに露光するX線露光
    装置において、複数の波長を有するX線を放射するX線
    源と、このX線源から放射されたX線を入射して上記特
    定波長のX線に変換する平面回折格子を有する第1光学
    系と、焦点を共有する一対の回転放物面ミラーを有し上
    記第1光学系から出射された特定波長のX線を上記一方
    の回転放物面ミラーから上記他方の回転放物面ミラーに
    かけて順次反射させ上記特定波長のX線を上記X線マス
    クに入射させる第2光学系とを具備し、上記X線源から
    放射されたX線の光束横断面積を上記第1光学系及び上
    記第2光学系により拡大させることを特徴とするX線露
    光装置。
JP63137361A 1988-06-06 1988-06-06 X線露光装置 Pending JPH01307221A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63137361A JPH01307221A (ja) 1988-06-06 1988-06-06 X線露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63137361A JPH01307221A (ja) 1988-06-06 1988-06-06 X線露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01307221A true JPH01307221A (ja) 1989-12-12

Family

ID=15196870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63137361A Pending JPH01307221A (ja) 1988-06-06 1988-06-06 X線露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01307221A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005501221A (ja) * 2001-01-23 2005-01-13 カール ツァイス エスエムテー アーゲー 193nmより短い波長を用いた照明光学系のための、不使用領域を持つ集光器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005501221A (ja) * 2001-01-23 2005-01-13 カール ツァイス エスエムテー アーゲー 193nmより短い波長を用いた照明光学系のための、不使用領域を持つ集光器
US7460212B2 (en) 2001-01-23 2008-12-02 Carl-Zeiss Smt Ag Collector configured of mirror shells

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6285497B1 (en) Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US4242588A (en) X-ray lithography system having collimating optics
US5512759A (en) Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
TWI240151B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP3771414B2 (ja) リソグラフ投影装置
US6798494B2 (en) Apparatus for generating partially coherent radiation
JPH0921900A (ja) 照明装置とこれを有する露光装置や顕微鏡装置、ならびにデバイス生産方法
US6972419B2 (en) Extreme ultraviolet radiation imaging
US20060289810A1 (en) Adjustment of distance between source plasma and mirrors to change partial coherence
US20070159611A1 (en) Source Multiplexing in Lithography
TW201131315A (en) Illumination system, lithographic apparatus and illumination method
US6225027B1 (en) Extreme-UV lithography system
US6210865B1 (en) Extreme-UV lithography condenser
TW201017345A (en) Collector assembly, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US20020006556A1 (en) Low thermal distortion extreme-UV lithography reticle
TW498184B (en) Method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured in accordance with said method
US6927887B2 (en) Holographic illuminator for synchrotron-based projection lithography systems
US6859263B2 (en) Apparatus for generating partially coherent radiation
JPH01307221A (ja) X線露光装置
JPH0588355A (ja) 反射型マスク及びそれを用いた露光装置
JPH03120714A (ja) X線露光装置
US5548625A (en) Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography
JP3254771B2 (ja) X線縮小投影露光装置および方法
TWI759885B (zh) 極紫外線微影裝置及其使用方法
JP2697264B2 (ja) 露光処理装置