JPH01296647A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPH01296647A JPH01296647A JP63127307A JP12730788A JPH01296647A JP H01296647 A JPH01296647 A JP H01296647A JP 63127307 A JP63127307 A JP 63127307A JP 12730788 A JP12730788 A JP 12730788A JP H01296647 A JPH01296647 A JP H01296647A
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止形半導体装置に関し、特に半導体素子
およびこれにワイヤを介して接続されるリードフレーム
の内部リード部などを封止樹脂材で一体的にモールド成
形してなる樹脂封止形半導体装置の改良に関する。
およびこれにワイヤを介して接続されるリードフレーム
の内部リード部などを封止樹脂材で一体的にモールド成
形してなる樹脂封止形半導体装置の改良に関する。
（従来の技術〕
従来この種の樹脂封止形半導体装置は、概略第３図に示
すような構成とされていた。これを簡単に説明すると１
図中符号１は半導体素子で、この半導体素子ｌは、素子
搭載用のダイパッド２の素子搭載面２ａ上にろう材３等
といった接合材により固着して設けられている。４は半
導体素子ｌの周囲に配列される複数本のリードフレーム
で、その内部リード部４ａの内方端に対し前記半導体素
子１の各電極端子（図示せず）から引出されたワイヤ５
がポンディング用金属メー２キロを介して接続されてい
る。７はこれら半導体素子ｌ、ワイヤ５、リードフレー
ム４の内部リードｆｉ４ａなどを封止樹脂材により一体
的にモールド成形してなるモールド本体で、このモール
ド本体７の側方から前記リードフレーム４の外部リード
部４ｂが外部に露呈するように引出されている。
すような構成とされていた。これを簡単に説明すると１
図中符号１は半導体素子で、この半導体素子ｌは、素子
搭載用のダイパッド２の素子搭載面２ａ上にろう材３等
といった接合材により固着して設けられている。４は半
導体素子ｌの周囲に配列される複数本のリードフレーム
で、その内部リード部４ａの内方端に対し前記半導体素
子１の各電極端子（図示せず）から引出されたワイヤ５
がポンディング用金属メー２キロを介して接続されてい
る。７はこれら半導体素子ｌ、ワイヤ５、リードフレー
ム４の内部リードｆｉ４ａなどを封止樹脂材により一体
的にモールド成形してなるモールド本体で、このモール
ド本体７の側方から前記リードフレーム４の外部リード
部４ｂが外部に露呈するように引出されている。
そして、このような樹脂対１ヒ形半導体装置において、
半導体素子ｌ、ワイヤ５等は封止樹脂材によって外部環
境から保護されており、また使用時はモールド本体７か
ら外部に延設されているリードフレーム４の外部リード
部４ｂから電気信号が入力され、ワイヤ５を通って半導
体素子ｌに導かれ、この素子ｌで所定の処理が行なわれ
て再びワイヤ５を通ってリードフレーム４から外部に出
力されるように動作する。
半導体素子ｌ、ワイヤ５等は封止樹脂材によって外部環
境から保護されており、また使用時はモールド本体７か
ら外部に延設されているリードフレーム４の外部リード
部４ｂから電気信号が入力され、ワイヤ５を通って半導
体素子ｌに導かれ、この素子ｌで所定の処理が行なわれ
て再びワイヤ５を通ってリードフレーム４から外部に出
力されるように動作する。
ところで、このような従来構成による樹脂封止形半導体
装置によれば、その構成部品や使用材料間でそれぞれの
線膨張係数に差があり、特に封止樹脂材によるモールド
本体７における線［４係数は、他の構成部品や形成材料
などの線膨張係数に比べて大きいことから、樹脂封止形
半導体装置をプリント配線基板などに実装する場合など
に受ける温度変化により、樹脂封止形半導体装置の各部
分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑な応力が発生すると
いう問題を生じている。そして、このような外部温度変
化による応力は、装置各部分での角部や端部等に応力が
集中し、また封止樹脂材と他の構成部品や形成材料との
界面で剥離現象が生じ、これにより応力の集中度合がよ
り一層増大し、封止樹脂材によるモールド本体７にタラ
ツク等が発生するといった問題があった。
装置によれば、その構成部品や使用材料間でそれぞれの
線膨張係数に差があり、特に封止樹脂材によるモールド
本体７における線［４係数は、他の構成部品や形成材料
などの線膨張係数に比べて大きいことから、樹脂封止形
半導体装置をプリント配線基板などに実装する場合など
に受ける温度変化により、樹脂封止形半導体装置の各部
分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑な応力が発生すると
いう問題を生じている。そして、このような外部温度変
化による応力は、装置各部分での角部や端部等に応力が
集中し、また封止樹脂材と他の構成部品や形成材料との
界面で剥離現象が生じ、これにより応力の集中度合がよ
り一層増大し、封止樹脂材によるモールド本体７にタラ
ツク等が発生するといった問題があった。
また、上述した構成による樹脂封止形半導体装置におい
て、特に表面実装用の薄型パー２ケージなどにあっては
、モールド本体７を構成する封ＩＩ：樹脂材が吸湿状態
にあるときに、熱ストレスを加えた場合、樹脂材内での
水分に急激な気化による力が加わり、これによりクラッ
クが発生する等といった問題があり、これらの問題点を
一掃し得る何らかの対策を講じることが望まれている。
て、特に表面実装用の薄型パー２ケージなどにあっては
、モールド本体７を構成する封ＩＩ：樹脂材が吸湿状態
にあるときに、熱ストレスを加えた場合、樹脂材内での
水分に急激な気化による力が加わり、これによりクラッ
クが発生する等といった問題があり、これらの問題点を
一掃し得る何らかの対策を講じることが望まれている。
未発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、装置
実装時などにおける温度変化や吸湿後の熱ストレスの印
加時にも、モールド本体を構成する封止樹脂材でのクラ
ックの発生を防止し得るようにした樹脂封止形半導体装
置を得ることを目的としている。
実装時などにおける温度変化や吸湿後の熱ストレスの印
加時にも、モールド本体を構成する封止樹脂材でのクラ
ックの発生を防止し得るようにした樹脂封止形半導体装
置を得ることを目的としている。
このような要請に応えるために本発明に係る樹脂封止形
半導体装置は、全体が樹脂封止される半導体素子搭載用
のダイパッドおよびリードフレームの内部リード部に、
ポリイミド樹脂材等による樹脂被膜を形成したものであ
る。
半導体装置は、全体が樹脂封止される半導体素子搭載用
のダイパッドおよびリードフレームの内部リード部に、
ポリイミド樹脂材等による樹脂被膜を形成したものであ
る。
本発明によれば、ダイパッドおよびリードフレームの内
部リード部に、ポリイミド樹脂被膜等が形成されること
により、このポリイミド樹脂被膜を介してダイパッドお
よび内部リード部とモールド本体を構成する封止樹脂材
との接着強度が向−ヒし、温度変化や吸湿後の熱ストレ
スの印加時においても、従来のような封止樹脂材による
モールド本体でのクラックの発生を適切かつ確実に防［
ヒし得るものである。
部リード部に、ポリイミド樹脂被膜等が形成されること
により、このポリイミド樹脂被膜を介してダイパッドお
よび内部リード部とモールド本体を構成する封止樹脂材
との接着強度が向−ヒし、温度変化や吸湿後の熱ストレ
スの印加時においても、従来のような封止樹脂材による
モールド本体でのクラックの発生を適切かつ確実に防［
ヒし得るものである。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置の一実施例
を示すものであり、同図において前述した第３図と同一
または相当する部分には同一番号を付してその説明は省
略する。
を示すものであり、同図において前述した第３図と同一
または相当する部分には同一番号を付してその説明は省
略する。
さて、本発明によれば、前述したような樹脂封止形半導
体装置において、半導体素子ｌ搭載用のダイパッド２に
おける素子搭載面２ａ以外の部分およびリードフレーム
４の内部リード部４ａにおけるポンディング用金属メツ
キ６以外の部分に、ポリイミド樹脂被膜１０（１０ａ；
１０ｂ。
体装置において、半導体素子ｌ搭載用のダイパッド２に
おける素子搭載面２ａ以外の部分およびリードフレーム
４の内部リード部４ａにおけるポンディング用金属メツ
キ６以外の部分に、ポリイミド樹脂被膜１０（１０ａ；
１０ｂ。
１０ｃ）を形成し、このポリイミド樹脂液９９１０を介
してその外側を封止樹脂材によりモールド成形してモー
ルド本体７を形成するようにしたところに特徴を有して
いる。
してその外側を封止樹脂材によりモールド成形してモー
ルド本体７を形成するようにしたところに特徴を有して
いる。
そして、このような構成によれば、ダイパッド２および
リードフレーム４の内部リード部４ａに、ポリイミド樹
脂被膜ｌＯが形成されているために、このポリイミド樹
脂液ｓｉｏを介してダイパッド２および内部リード部４
ａとモールド本体７を構成する封止樹脂材との接着強度
を向上させ、高い密着性を確保しその接合部分（界面）
での剥離現象を防ぎ、これにより従来のような装置実装
時等における温度変化や吸湿後の熱ストレスの印加時な
どにおいても、封止樹脂材によるモールド本体７でのク
ラックの発生を適切かつ確実に防止し得るものである。
リードフレーム４の内部リード部４ａに、ポリイミド樹
脂被膜ｌＯが形成されているために、このポリイミド樹
脂液ｓｉｏを介してダイパッド２および内部リード部４
ａとモールド本体７を構成する封止樹脂材との接着強度
を向上させ、高い密着性を確保しその接合部分（界面）
での剥離現象を防ぎ、これにより従来のような装置実装
時等における温度変化や吸湿後の熱ストレスの印加時な
どにおいても、封止樹脂材によるモールド本体７でのク
ラックの発生を適切かつ確実に防止し得るものである。
ここで、このような本発明による樹脂封止形半導体装置
と従来構造によるものとを、高温高湿（８５℃／８５％
ＲＨ； ７２時間）の雰囲気中で吸湿させた後、急速加
熱（２６０℃、３０秒）シ工熱ストレスを印加させた時
、クラ７りの発生率が、第２図から明らかなように、従
来構造のものでは約９０％程度であったのに対し、本発
明によるものではほとんど０％と大幅に減少したことが
実験により確認されている。
と従来構造によるものとを、高温高湿（８５℃／８５％
ＲＨ； ７２時間）の雰囲気中で吸湿させた後、急速加
熱（２６０℃、３０秒）シ工熱ストレスを印加させた時
、クラ７りの発生率が、第２図から明らかなように、従
来構造のものでは約９０％程度であったのに対し、本発
明によるものではほとんど０％と大幅に減少したことが
実験により確認されている。
そして、このようにクラックの発生を適切かつ確実に防
止できることにより、本発明による樹脂封止形半導体装
置では、その耐湿性を必要かつ充分な状態で維持するこ
とが可能で、これにより装置信頼性を向上させ得るもの
である。
止できることにより、本発明による樹脂封止形半導体装
置では、その耐湿性を必要かつ充分な状態で維持するこ
とが可能で、これにより装置信頼性を向上させ得るもの
である。
なお、本発明はＪ：述した実施例構造に限定されず、樹
脂封止形半導体装置としての各部の形状：構造等を、適
宜変形、変更することは自由で、種々の変形例が考えら
れよう、たとえば本発明を特徴づける樹脂被膜１０とし
ても、ポリイミド樹脂材が最も効果的であるが、これに
類する樹脂材を採用してもよいことは勿論である。
脂封止形半導体装置としての各部の形状：構造等を、適
宜変形、変更することは自由で、種々の変形例が考えら
れよう、たとえば本発明を特徴づける樹脂被膜１０とし
ても、ポリイミド樹脂材が最も効果的であるが、これに
類する樹脂材を採用してもよいことは勿論である。
以北説明したように、本発明に係る樹脂封止形半導体装
置によれば、半導体素子搭載用のダイパッドおよびリー
ドフレームの内部リード部に、ポリイミド樹脂被膜を、
形成し、その外側を封止樹脂材でモールド成形するよう
にしたので、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、ダイ
パッドやリードフレームの内部リード部がポリイミド樹
脂被膜を介してモールド本体を構成する封止樹脂材と適
切かつ確実に密着接合されることになり、高い接合強度
を確保し、従来のような装欝実装時の温度変化や吸湿後
の熱ストレスの印加時における封止樹脂材によるモール
ド本体でのクラック発生等といった問題を適切かつ確実
に防止し、装置信頼性を向上させ得る等という種々優れ
た効果がある。
置によれば、半導体素子搭載用のダイパッドおよびリー
ドフレームの内部リード部に、ポリイミド樹脂被膜を、
形成し、その外側を封止樹脂材でモールド成形するよう
にしたので、簡単かつ安価な構成にもかかわらず、ダイ
パッドやリードフレームの内部リード部がポリイミド樹
脂被膜を介してモールド本体を構成する封止樹脂材と適
切かつ確実に密着接合されることになり、高い接合強度
を確保し、従来のような装欝実装時の温度変化や吸湿後
の熱ストレスの印加時における封止樹脂材によるモール
ド本体でのクラック発生等といった問題を適切かつ確実
に防止し、装置信頼性を向上させ得る等という種々優れ
た効果がある。
第１図は本発明に係る樹脂封止形半導体装置の一実施例
を示す概略断面図、第２Ｆ９！Ｊはそのクラック発生防
止効果を説明するための特性図、第３図は従来例を示す
概略断面図である。 １・・・・半導体素子、２・・・・ダイパッド、２ａ・
・・・素子搭載面、３・・・・ろう材（接合材）、４・
・・・リードフレーム、４ａ・・・・内部リード部、５
・・・・ワイヤ、６・・・・ポンディング用金属メツキ
、７・・・・封止樹脂材によるモールド本体、１０（１
０ａ： １０ｂ、１０ｃ）−−−−ポリイミド樹脂被膜
。
を示す概略断面図、第２Ｆ９！Ｊはそのクラック発生防
止効果を説明するための特性図、第３図は従来例を示す
概略断面図である。 １・・・・半導体素子、２・・・・ダイパッド、２ａ・
・・・素子搭載面、３・・・・ろう材（接合材）、４・
・・・リードフレーム、４ａ・・・・内部リード部、５
・・・・ワイヤ、６・・・・ポンディング用金属メツキ
、７・・・・封止樹脂材によるモールド本体、１０（１
０ａ： １０ｂ、１０ｃ）−−−−ポリイミド樹脂被膜
。
Claims (1)
- ダイパッド上に搭載される半導体素子とこれにワイヤ
を介して接続されるリードフレームの内部リード部とを
樹脂封止してなる樹脂封止形半導体装置において、前記
樹脂封止されるダイパッドおよび内部リード部に、ポリ
イミド樹脂材等による樹脂被膜を形成したことを特徴と
する樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127307A JPH01296647A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127307A JPH01296647A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296647A true JPH01296647A (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14956711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127307A Pending JPH01296647A (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090008756A1 (en) * | 2006-03-09 | 2009-01-08 | Infineon Technologies Ag | Multi-Chip Electronic Package with Reduced Stress |
| JP2015018860A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 株式会社デンソー | 半導体パッケージの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-25 JP JP63127307A patent/JPH01296647A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090008756A1 (en) * | 2006-03-09 | 2009-01-08 | Infineon Technologies Ag | Multi-Chip Electronic Package with Reduced Stress |
| US8604595B2 (en) * | 2006-03-09 | 2013-12-10 | Infineon Technologies Ag | Multi-chip electronic package with reduced stress |
| JP2015018860A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 株式会社デンソー | 半導体パッケージの製造方法 |
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