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JPH01263600A - Manufacture of radiation image conversion panel - Google Patents

Manufacture of radiation image conversion panel

Info

Publication number
JPH01263600A
JPH01263600A JP9162888A JP9162888A JPH01263600A JP H01263600 A JPH01263600 A JP H01263600A JP 9162888 A JP9162888 A JP 9162888A JP 9162888 A JP9162888 A JP 9162888A JP H01263600 A JPH01263600 A JP H01263600A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
image
radiation
conversion panel
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9162888A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Nakazawa
中沢 正行
Hisanori Tsuchino
久憲 土野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP9162888A priority Critical patent/JPH01263600A/en
Publication of JPH01263600A publication Critical patent/JPH01263600A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable a composition of a sharply focused radiation image conversion without any deformation of a panel at its usage, by holding a temperature of a depositing layer base at a specific value and by forming a stimulative phosphorescent layer with a gaseous deposition method. CONSTITUTION:A crystallized glass carrier of around 1.0mm thick is placed in a vacuum evaporator as a depositing layer base and then an alkalihalide stimulative phosphorescence is put in a water cooled melting pot and is pressed so as to form the shape of the melting pot. After that, the vacuum evaporator is evacuated and the stimulative phosphorescence is vaporized with an EB gun, being supplied with power, while keeping the temperature of the base within + or -20 deg.C range of its operating temperature. When a radiation R is emitted from a radiation generator 41 through an object 42 into a radiation image conversion panel 43 obtained in this way, the radiation R is absorbed to the stimulated phosphorescent layer of the panel 43 to compose an accumulated image of transmissive image. Therewith, making the image stimulated with a stimulated light source of the layer 44, the photo-signal can be displayed 47 as an image through a photoelectric converter 45 and an image regenerator 46.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
の製造方法に関するものであり、さらに詳しくは詐鋭性
が高い放射線画像を与え、かつ反り等による変形が少な
く、感度むらの小さい輝尽性蛍光体層を有する放射線画
像変換パネルの製造方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer, and more specifically to a method for manufacturing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer. The present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel that provides a radiation image and has a stimulable phosphor layer that is less deformed due to warping or the like and has small sensitivity unevenness.

(従来の技術) xvj画像のような放射線画像は病気診断用などに多く
用いられている。
(Prior Art) Radiographic images such as XVJ images are often used for disease diagnosis.

このX線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に代
って蛍光体層から直接画像を取出すxtllij画像変
換方法が工夫されている。
In order to obtain this X-ray image, an xtllij image conversion method has been devised in which an image is directly extracted from a phosphor layer instead of a silver halide photosensitive material.

この方法は、被写体を透過した放射線(一般にX線)を
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光
または熱エネルギーで励起することにより、この蛍光体
が上記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギー
を蛍光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化す
る方法である。
In this method, radiation (generally X-rays) transmitted through the object is absorbed by a phosphor, and then this phosphor is excited with light or thermal energy, so that the phosphor accumulates due to the absorption of the radiation. This method involves emitting radiation energy as fluorescence, detecting this fluorescence, and creating an image.

具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及
び特開昭55−12144号公報には、輝尽性蛍光体を
用い可視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像
変換方法が示されている。
Specifically, for example, U.S. Patent No. 3,859,527 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 12144/1987 disclose a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared rays as stimulable excitation light. It is shown.

この方法は、輝尽性蛍光体層(以後輝尽層と略称)を有
する放射線画像変換パネル(以後変換パネルと略称)を
使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を透
過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応
する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しか
る後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。
This method uses a radiation image conversion panel (hereinafter referred to as conversion panel) that has a photostimulable phosphor layer (hereinafter referred to as photostimulable layer). to accumulate radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part of the subject to form a latent image, and then scan this photostimulation layer with photostimulation excitation light to emit the accumulated radiation energy of each part. This is converted into light, and an image is obtained using an optical signal based on the intensity of this light.

この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、CRT上に再生してもよい。
This final image may be reproduced as a hard copy or on a CRT.

この放射線画像変換方法において使用される変換パネル
は、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査によ
って蓄積エネルギーを放出するので、走査径再度放射線
画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能である
The conversion panel used in this radiation image conversion method stores radiation image information and then releases the stored energy by scanning the stimulated excitation light, so it is possible to store radiation images again within the scanning diameter, and it can be used repeatedly. It is possible.

このような変換パネルを製造する際、被堆積基板上に、
蒸着法、スパッタ法、CVD法等の気相堆積法によって
輝尽層を形成する方法が使用されている。
When manufacturing such a conversion panel, on the substrate to be deposited,
A method of forming a stimulable layer by a vapor deposition method such as a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method is used.

(発明が解決しようとする問題点) ところが、上述の方法により被堆積基板上に輝尽層を形
成した場合、いずれの場合においても、輝尽層を被堆積
基板上に形成する際の温度が、変換パネルの通常の使用
温度よりかなり高いために、輝尽層と被堆積基板の熱膨
張率の差により、使用時に反り等の変形を生じ、感度む
らの原因となる。この感度むらは放射線画像変換装置の
集光系と変換パネルとの距離が1変換パネルの変形によ
って一定でなくなるために生ずる。また、高い温度で形
成された輝尽層はり鋭性も低下し、放射線画像にボケを
生じる等の問題も生じていた。
(Problems to be Solved by the Invention) However, when the photostimulated layer is formed on the substrate to be deposited by the above-mentioned method, in any case, the temperature at which the photostimulated layer is formed on the substrate to be deposited is Since the temperature is considerably higher than the normal operating temperature of the conversion panel, the difference in thermal expansion coefficient between the stimulable layer and the substrate on which it is deposited causes deformation such as warping during use, causing sensitivity unevenness. This sensitivity unevenness occurs because the distance between the light collection system of the radiation image conversion device and the conversion panel is not constant due to deformation of one conversion panel. Furthermore, the sharpness of the photostimulable layer formed at high temperatures also deteriorates, causing problems such as blurring of radiographic images.

そこで、本発明は鮮鋭性の高い放射線画像を与え、反り
等の変形が少なく、感度むらの小さい輝尽層を有する変
換パネルの製造方法の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a conversion panel having a stimulable layer that provides a radiographic image with high sharpness, less deformation such as warping, and less unevenness in sensitivity.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は、輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルの製造方法において、被堆積基板上変が±20°C以
内となるように保持して、該輝尽性蛍光体層を該被堆積
基板上に気相堆積法により形成せしめることを特徴とす
るものである。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides a method for manufacturing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer so that the variation on the substrate to be deposited is within ±20°C. The method is characterized in that the stimulable phosphor layer is formed on the substrate by a vapor deposition method.

本発明の方法における被堆積基板とは、気相堆積法によ
り輝尽層を形成する際の基板である。
The substrate to be deposited in the method of the present invention is a substrate on which a photostimulated layer is formed by a vapor deposition method.

通常使用される放射線画像変換パネルは支持体上に輝尽
性蛍光体層を有するのが一般的である。
A commonly used radiation image conversion panel generally has a stimulable phosphor layer on a support.

本発明の方法により、変換パネルを製造する際には、支
持体を被堆積基板として、支持体上に気相堆積法により
輝尽層を形成することができる。
According to the method of the present invention, when manufacturing a conversion panel, a stimulable layer can be formed on the support by a vapor deposition method using the support as a substrate to be deposited.

また、必要に応じて、輝尽層の支持体が設けられる面と
は反対側の面に、輝尽層を物理的にあるいは化学的に保
護するための保護層を設けてもよし)。
Furthermore, if necessary, a protective layer for physically or chemically protecting the photostimulable layer may be provided on the side of the photostimulable layer opposite to the side on which the support is provided).

この保護層は、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布し
て形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途形成した
保護層を輝尽層の支持体が設けられる面とは反対側の面
上に設けてもよい、また、別途形成した保護層上に気相
堆積法により輝尽層を形成した後に支持体を設けてもよ
い、この場合、堆積基板は保護層である。
This protective layer may be formed by directly applying a coating solution for the protective layer onto the photostimulable layer, or by applying a separately formed protective layer in advance on the side opposite to the side where the support for the photostimulable layer is provided. Alternatively, the support may be provided after forming the stimulable layer by vapor deposition on a separately formed protective layer. In this case, the deposition substrate is the protective layer.

上述のように被堆積基板は支持体であっても、保護層で
あってもよい。
As mentioned above, the substrate to be deposited may be a support or a protective layer.

本発明の方法において使用される輝尽性蛍光体とは、最
初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後に、
光重、熱的1機械的、化学的または電気的等の刺激(輝
尽励起)により、最初の光もしくは高エネルギー放射線
の照射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実
用的な面から好ましくは500nm以上の輝尽励起光に
よって輝尽発光を示す蛍光体である。そのような輝尽性
蛍光体としては、例えば特開昭48−80487号公報
に記載されているBaSO4:Ax、特開昭48−80
489号公報に記載されている5rSO,:Ax、特開
昭53−39277号公報のL 12 B407 : 
Cu 、Ag等、特開昭54−47883号公報のLi
2O・(B202 ) x;Cu及びLi20* (B
202)x:cu。
The stimulable phosphor used in the method of the present invention is a stimulable phosphor that is
A phosphor that exhibits stimulated luminescence corresponding to the amount of initial light or high-energy radiation irradiation when stimulated by mechanical, chemical, or electrical stimulation (photostimulation excitation), but is not practical. From this point of view, it is preferably a phosphor that exhibits stimulated luminescence by stimulated excitation light of 500 nm or more. Examples of such stimulable phosphors include BaSO4:Ax described in JP-A No. 48-80487, and JP-A No. 48-80.
5rSO,:Ax described in JP-A No. 489, L 12 B407 of JP-A-53-39277:
Cu, Ag, etc., Li of JP-A No. 54-47883
2O・(B202) x; Cu and Li20* (B
202) x:cu.

Ag等、米国特許3.859.527号のSrS:Ce
、Sm、SrS:Eu、Sm、La2O2S:Eu、S
m及び(Zn 、Cd)S :Mn 、 で示される蛍
光体が挙げられる。
SrS:Ce of Ag et al., U.S. Pat. No. 3,859,527.
, Sm, SrS: Eu, Sm, La2O2S: Eu, S
Examples include phosphors represented by m and (Zn, Cd)S:Mn.

また、特開昭55−12142号公報に記載されている
ZnS:Cu、Pb蛍光体、一般式B aO拳x/M1
203  : Euで示されるアルミン酸バリウム蛍光
体、及び一般式MHO−xSi02:Aで示されるアル
カリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開
昭55−12143号公報に記載されている一般式%式
% で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号公報に記載されている一般式 %式%: で示される蛍光体、特開昭55−12145号に記載さ
れている一般式 %式%: で示される蛍光体、特開昭55−84389号公報に記
載されている一般式 %式% で示される蛍光体、特開昭55−160.078号公報
に記載されている一般式 %式%: で示される希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS : A、CdS : A、(Zn
、Cd)S:A、S:A、ZnS:A、X及びCdS:
A、Xで示される蛍光体、特開昭59−38278号公
報に記載されている下記いずれかの一般式 %式%: : で示される蛍光体、特開昭59−155487号公報に
記載されている下記いずれかの一般式%式%: で示される蛍光体、及び特開昭61−72087号公報
に記載されている下記一般式 %式%: で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパフタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。
Furthermore, the ZnS:Cu, Pb phosphor described in JP-A-55-12142, general formula B aOx/M1
203: Barium aluminate phosphor represented by Eu and alkaline earth metal silicate phosphor represented by the general formula MHO-xSi02:A. In addition, alkaline earth fluorohalide phosphors having the general formula % described in JP-A-55-12143, general formula % described in JP-A-55-12144, %: A phosphor represented by the general formula % formula described in JP-A No. 55-12145 %: A phosphor represented by the general formula % formula % described in JP-A-55-84389 A phosphor represented by a rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor represented by the general formula % formula % described in JP-A-55-160.078: A phosphor represented by a rare earth element activated divalent metal fluorohalide, a general formula ZnS: A, CdS: A, (Zn
, Cd) S:A, S:A, ZnS:A, X and CdS:
A phosphor represented by A, Examples include phosphors represented by any of the following general formulas, and alkali halide phosphors represented by the following general formulas described in JP-A-61-72087: . In particular, alkali halide phosphors are preferred because they can easily form a stimulable layer by methods such as vapor deposition and sputtering.

しかし1本発明により製造される変換パネルに用いられ
る輝尽性蛍光体は、@述の蛍光体に限られるものではな
く、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝
尽発光を示す蛍光体であればいかなる蛍光体であっても
よい。
However, the stimulable phosphor used in the conversion panel manufactured according to the present invention is not limited to the phosphor mentioned above, and can emit stimulated luminescence when irradiated with radiation and then irradiated with stimulable excitation light. Any phosphor may be used as long as it shows the phosphor.

本発明により製造される変換パネルは前記の輝尽性蛍光
体の少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝
尽層から成る輝尽層群であってもよい。また、それぞれ
の輝尽層に含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよい
が異なっていてもよい。
The conversion panel manufactured according to the present invention may be a stimulable layer group consisting of one or more stimulable layers containing at least one kind of the above-mentioned stimulable phosphors. Furthermore, the stimulable phosphors contained in each stimulable layer may be the same or different.

変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、10戸〜1000μ謂の範囲、さらに好ましく
は201!I11〜800μsの範囲から選ばれるのが
好ましい。
The thickness of the stimulable layer of the conversion panel varies depending on the radiation sensitivity of the intended conversion panel, the type of stimulable phosphor, etc., but is in the range of 10 to 1000 μm, more preferably 20 μm to 100 μm. It is preferable to select from the range of I11 to 800 μs.

本発明の方法において使用される支持体としては各種高
分子材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる
Supports used in the method of the present invention include various polymeric materials, glasses, ceramics, metals, and the like.

高分子材ネ4としては例えばセルロースアセテートフィ
ルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリ
カーボネート等のフィルムが挙げられる。金属としては
、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シートまたは
金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートま
たは金属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガ
ラス、結晶化ガラス、石英、硼珪酸ガラスなどが挙げら
れる。またセラミックスとしてはアルミナやジルコニア
の焼結板などが挙げられる。
Examples of the polymer material 4 include films such as cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate, polyamide, polyimide, triacetate, and polycarbonate. Examples of the metal include metal sheets or metal plates of aluminum, iron, copper, chromium, etc., or metal sheets or metal plates having a coating layer of the metal oxide. Examples of the glass include chemically strengthened glass, crystallized glass, quartz, and borosilicate glass. Examples of ceramics include sintered plates of alumina and zirconia.

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、−船釣には80−〜5000−であり、
取り扱い上の点が、さらに好ましくは200戸〜200
0μである。
In addition, the layer thickness of these supports varies depending on the material of the support used, etc., but for boat fishing it is 80 to 5000.
In terms of handling, more preferably 200 to 200 units.
It is 0μ.

これら支持体の表面は・滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
個々に独立した微小りイル状板を害に配置した表面構造
としてもよい。
The surfaces of these supports may be smooth or matte for the purpose of improving adhesion to the stimulable phosphor layer. Further, the surface of the support may be an uneven surface,
The surface structure may include individually arranged micro-iron plates.

さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向上
させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けても
よいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けても
よい。
Furthermore, on these supports, a subbing layer may be provided on the surface on which the photostimulable layer is provided for the purpose of improving adhesion with the photostimulable layer, and if necessary, a light reflecting layer, a light absorbing layer, etc. etc. may be provided.

本発明の方法に用いられる保護層の材料としては酢酸セ
ルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の
通常の保護層用材料や、石英、硼珪酸ガラス、化学的強
化ガラス等の板ガラスが挙げられる。これらの保護層の
層厚は一般には1g〜5mm程度が好ましい。
Materials for the protective layer used in the method of the present invention include common protective layer materials such as cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride, and nylon. Examples include plate glasses such as quartz, borosilicate glass, and chemically strengthened glass. The thickness of these protective layers is generally preferably about 1 g to 5 mm.

本発明の方法において、輝尽層を形成するには気相堆積
法を用いるが、本明細書において気相堆積法とは、気相
状態とした成分を吸着させて層を形成せしめる方法を意
味し1例えば蒸着法、スパッタ法、CVD法等が挙げら
れる。
In the method of the present invention, a vapor deposition method is used to form a photostimulated layer, and in this specification, the vapor deposition method refers to a method of adsorbing components in a vapor phase to form a layer. Examples of the method include a vapor deposition method, a sputtering method, and a CVD method.

その際に、被t<r積基板(支持体または保護層)の温
度を変換パネル使用時の温度との差が±20℃以内とす
ることが必要であり、好ましくは±10”C以内、さら
に好ましくは±5℃以内とする。被堆積基板の温度がこ
の範囲を逸脱すると、被堆積基板と輝尽層との間の熱膨
張率の差により、製造した変換パネルが使用温度におい
て反り等の変形を生じたり、また、輝尽性蛍光体の特性
も劣化して放射線画像にボケを生じたりするので好まし
くない、なお、使用温度は通常40℃付近である。
At that time, it is necessary that the difference between the temperature of the t<r laminated substrate (support body or protective layer) and the temperature when the conversion panel is used is within ±20°C, preferably within ±10”C, More preferably, it is within ±5°C. If the temperature of the substrate to be deposited is outside this range, the manufactured conversion panel may warp at the operating temperature due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate to be deposited and the stimulable layer. This is not preferable because it causes deformation of the stimulable phosphor, and also deteriorates the properties of the stimulable phosphor, causing blur in the radiation image.The operating temperature is usually around 40°C.

蒸着法においては、まず被堆積基板を蒸着装置内に設置
した後装置内を排気して10”Torr程度の真空度と
する0次いで、前記輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵
抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発さ
せて前記被堆積基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに
堆積させる。
In the vapor deposition method, first, a substrate to be deposited is placed in a vapor deposition apparatus, and then the apparatus is evacuated to a degree of vacuum of about 10" Torr. Then, at least one of the stimulable phosphors is heated by resistance heating, The stimulable phosphor is deposited on the surface of the substrate to a desired thickness by heating and evaporating it using a method such as an electron beam method.

前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽層を形成すること
も可能であり、また、複数の抵抗加熱器あるいはエレク
トロンビームを用いて共蒸着を行うことも可能である。
In the vapor deposition process, it is possible to form the stimulable layer in multiple steps, and it is also possible to co-evaporate using a plurality of resistance heaters or electron beams.

また、前記蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数
の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共へ
着し、被堆積基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成す
ると同時に輝尽層を形成することも可能である。
In addition, in the vapor deposition method, the stimulable phosphor raw materials are deposited together using a plurality of resistance heaters or an electron beam, and the target stimulable phosphor is synthesized on the substrate to be deposited, and the stimulable phosphor is simultaneously stimulable. It is also possible to form layers.

次にスパッタ法を用いた場合について述べる。Next, a case using the sputtering method will be described.

該方法においては、蒸着法と同様に被堆積基板をスパッ
タ装置内に設置した後装置内を一旦排気して10−6T
orr程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとし
てAr、Ne等の不活性ガスをスパッタ装置内に導入し
て10 ’ Torr程度のガス圧とする。
In this method, similarly to the vapor deposition method, the substrate to be deposited is placed in a sputtering device, and then the inside of the device is once evacuated and heated at 10-6T.
The degree of vacuum is approximately 10 Torr, and then an inert gas such as Ar or Ne is introduced into the sputtering apparatus as a sputtering gas to obtain a gas pressure of approximately 10' Torr.

次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタ
リングすることにより、前記被堆積基板表面に輝尽性蛍
光体を所望の厚さに堆積させる。
Next, the stimulable phosphor is deposited on the surface of the substrate to a desired thickness by sputtering using the stimulable phosphor as a target.

前記スバツタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝
尽層を形成することも可能であるし、また、それぞれ異
った輝尽性蛍光体からなる複数のターゲットを用いて、
同時あるいは順次、前記ターゲットをスパッタリングし
て輝尽層を形成することも可能である。
In the sputtering process, it is possible to form the stimulable layer in multiple steps as in the vapor deposition method, and also, by using multiple targets each made of a different stimulable phosphor,
It is also possible to form the stimulable layer by sputtering the targets simultaneously or sequentially.

前記スバ・、夕法においては、複数の輝尽性蛍光体原料
をターゲットとして用い、これを同時あるいは順次スパ
ッタリングして、被堆積基板上で目的とする輝尽性蛍光
体を合成すると同時に輝尽層を形成することも可能であ
る。また、前記スパッタ法においては、必要に応じて0
2 、H2等のガスを導入して反応性スパッタを行って
もよい。
In the Suba-Yu method, a plurality of stimulable phosphor raw materials are used as targets, and these are sputtered simultaneously or sequentially to synthesize the desired stimulable phosphor on the substrate to be deposited, and at the same time, the stimulable phosphor is sputtered. It is also possible to form layers. In addition, in the sputtering method, if necessary,
2, reactive sputtering may be performed by introducing a gas such as H2.

さらに、CVD法を用いた場合について述べる。Furthermore, a case where the CVD method is used will be described.

該方法は目的とする輝尽性蛍光体あるいは輝尽性蛍光体
原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエ
ネルギーで分解することにより、被堆積基板上に輝尽層
を得る。
In this method, a stimulable phosphor or an organometallic compound containing a stimulable phosphor raw material is decomposed using energy such as heat or high-frequency power to obtain a stimulable layer on a substrate to be deposited.

前記気相堆積法において、被堆積基板の温度を使用時の
温度との差が±20℃以内に保つため、適宜被堆積基板
を冷却(または加熱)する。
In the vapor phase deposition method, the substrate to be deposited is appropriately cooled (or heated) in order to maintain the temperature of the substrate to be deposited within ±20° C. from the temperature during use.

被堆積基板を冷却する方法としては例えば、被堆積基板
を保持する治具に冷却水を流すことにより、被堆積基板
を冷却する方法が挙げられる。この時、被堆積基板とこ
れを保持する治具との接触面積を大きくした方が有効に
冷却が行なえて好ましい。また、気相成分の被堆積基板
への吸着を妨げない位置に別途冷却板を設け、冷却板を
冷却することにより、被堆積基板から熱をうばい、及び
/又は他の発熱源から被堆積基板に熱が到達するのを防
ぐ方法でもよい。冷却の手段は冷却水を用いるのに限る
ことはなく、他の冷奴を用いてもよいし、ペルチェ素子
などを利用してもよい。
As a method for cooling the substrate to be deposited, for example, there is a method of cooling the substrate to be deposited by flowing cooling water through a jig that holds the substrate to be deposited. At this time, it is preferable to increase the contact area between the substrate to be deposited and the jig that holds it, since cooling can be performed more effectively. In addition, a separate cooling plate is provided at a position that does not interfere with the adsorption of vapor phase components to the substrate to be deposited, and by cooling the cooling plate, heat is removed from the substrate to be deposited and/or from other heat generation sources to the substrate to be deposited. It may also be a method to prevent heat from reaching the The means for cooling is not limited to using cooling water, and other cooling devices or Peltier devices may also be used.

被堆積基板を加熱する方法としては、例えばハロゲンラ
ンプや抵抗加熱ヒーターなどを用いることが挙げられる
As a method of heating the substrate to be deposited, for example, a halogen lamp, a resistance heater, or the like may be used.

さらに、前記冷却方法と加熱方法を併用すると、より精
度の高い温度制御ができて好ましい。
Furthermore, it is preferable to use the cooling method and the heating method in combination because it allows for more accurate temperature control.

本発明により製造される変換パネルは、第1図に概略的
に示される放射線画像変換方法に用いられる。
The conversion panel manufactured according to the present invention is used in the radiation image conversion method shown schematically in FIG.

すなわち、放射線発生装置41からの放射VARは、被
写体42を通して変換パネル43に入射する。
That is, the radiation VAR from the radiation generating device 41 enters the conversion panel 43 through the subject 42.

この入射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像のMfI![
像が形成される。
This incident radiation is absorbed by the stimulable layer of the panel 43,
The energy is accumulated, and the MfI of the radiographic image! [
An image is formed.

次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。
Next, this accumulated image is excited with stimulated excitation light from the stimulated excitation light source 44 to emit stimulated luminescence.

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46
によって画像として再生し画像表示装置47によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。
Since the strength of the emitted stimulated luminescence is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device 45 such as a photomultiplier tube, and an image reproduction device 46
By reproducing the image as an image and displaying it on the image display device 47, a radiographic image of the subject can be observed.

(実施例) 次に本発明を実施例により説明する。(Example) Next, the present invention will be explained by examples.

実施例1 1.0mm厚の結晶化ガラス支持体(400Il1mX
500IIlffi)をへ着器中に設置し、被堆積基板
とした。次いで水冷したルツボにアルカリハライド輝尽
性蛍光体(RbBr:0.0006Tlを入れ、プレス
してルツボの形状に形成した。
Example 1 1.0 mm thick crystallized glass support (400Il1mX
500IIlffi) was placed in a deposition device, and used as a substrate to be deposited. Next, an alkali halide stimulable phosphor (RbBr: 0.0006Tl) was placed in a water-cooled crucible and pressed to form a crucible shape.

続いてへ着器を排気し、5 X 104Torrの真空
度とした0次に被堆積基板を40°C〜45℃に保持し
ながら、EBガンに電力を供給して輝尽性蛍光体を蒸発
させた。被堆積基板の温度を保持する方法としては被堆
積基板保持治具を冷却水で冷却する方法とハロゲンラン
プを用いて加熱する方法を併用した。
Subsequently, the evacuator was evacuated, and the 0-order deposition substrate was maintained at 40°C to 45°C with a vacuum level of 5 x 104 Torr, and power was supplied to the EB gun to evaporate the stimulable phosphor. I let it happen. As a method for maintaining the temperature of the deposition target substrate, a method of cooling the deposition target substrate holding jig with cooling water and a method of heating it using a halogen lamp were used in combination.

目的とする輝尽性蛍光体層を得るために膜厚モニタによ
り焦着速度を検出し、蒸着速度が10 ’ A /ff
1inとなるようにコントロールした。
In order to obtain the desired stimulable phosphor layer, the focusing speed was detected using a film thickness monitor, and the vapor deposition speed was 10' A/ff.
It was controlled to be 1 inch.

また電子ビームはルツボのm尽性蛍光体表面をラスター
状にスキャンさせた。
Further, the electron beam scanned the surface of the exhaustible phosphor in the crucible in a raster pattern.

輝に性蛍光体層の層厚が300−となったところで蒸着
を終了させ、本発明の製造方法による放射線画像変換パ
ネルAを得た。
The vapor deposition was terminated when the luminescent phosphor layer had a layer thickness of 300 mm, and a radiation image conversion panel A was obtained by the manufacturing method of the present invention.

かくして得られた放射線画像変換パネルに、管電圧80
KVpのX線を10mR照射した後、半導体レーザ光(
780++m)で輝尽励起し、輝尽性蛍光体層から放射
される輝尽発光を光検出器(光電子増倍管)で光電変換
し、この信号を画像再生装置によって画像として再生し
、銀塩フィルム北に記録した。このときの放射線画像変
換パネルの使用温度は40℃±1℃であった。
The radiation image conversion panel thus obtained was subjected to a tube voltage of 80
After irradiating KVp X-rays for 10 mR, semiconductor laser light (
780++m), the stimulated luminescence emitted from the stimulable phosphor layer is photoelectrically converted by a photodetector (photomultiplier tube), and this signal is reproduced as an image by an image reproducing device. Recorded on film north. The operating temperature of the radiation image conversion panel at this time was 40°C±1°C.

得られた画像より、相対感度の分布および変調伝達関数
による鮮鋭性を調べ第1表に示した。
The distribution of relative sensitivity and the sharpness according to the modulation transfer function were investigated from the obtained images and are shown in Table 1.

第1表において、相対感度の分布は、2048X204
8画素の相対感度の標準偏差を相対感度の平均値で除し
た値を百分率で示した。第1表に示した変調伝達関数(
MTF)は空間周波数が1(ip/++v+)および2
 (i p/+++m) c7)時の値である。
In Table 1, the distribution of relative sensitivity is 2048×204
The value obtained by dividing the standard deviation of the relative sensitivities of 8 pixels by the average value of the relative sensitivities is expressed as a percentage. The modulation transfer function shown in Table 1 (
MTF) has spatial frequencies of 1 (ip/++v+) and 2
(i p/+++m) c7).

また、得られた変換パネルの使用温度40℃での反りを
調べ、第1表に合わせて示した。第1表における反りは
変換パネルを輝尽層を上にして平板上に否いた時の4ず
みの浮き上りの平均値で示しである。
Further, the warpage of the obtained conversion panel at a usage temperature of 40° C. was investigated and is shown in Table 1. The warpage in Table 1 is expressed as the average value of the four times the conversion panel is raised when placed on a flat plate with the stimulable layer facing up.

実施例2,3.4 へ着器中での被堆積基板の温度を以下の表に示す温度に
保ったこと以外は実施例1と同様にして変換パネルB、
C,Dを得た。変換パネルB。
Examples 2 and 3.4 Conversion panel B,
I got C and D. Conversion panel B.

C,Dについて実施例1と同様の評価をし、第1表に併
記した。
C and D were evaluated in the same manner as in Example 1 and are also listed in Table 1.

比較例1,2.3 へ着器中での被堆積基板の温度が以下の□表に示す温度
であった以外は実施例1と同様にして変換パネルx、y
、zを得た。ただし、比較例2は特別な温度制御は行っ
ておらず、比較例3は加熱手段のみ用いた。変換パネル
X、Y、Zについて実施例1と同様の評価を行ない、そ
の結果を第1表に併記した。
Comparative Examples 1 and 2.3 Conversion panels x and y were prepared in the same manner as in Example 1, except that the temperature of the substrate to be deposited in the deposition device was the temperature shown in the table below.
, got z. However, in Comparative Example 2, no special temperature control was performed, and in Comparative Example 3, only heating means were used. The conversion panels X, Y, and Z were evaluated in the same manner as in Example 1, and the results are also listed in Table 1.

第1表 第1表に示したように、被堆積基板の温度を使用時の温
度との差が±20℃以内に保った本発明の方法によって
製造した変換パネルはいずれも反りが小さく、反りに伴
う感度むらも小さい。また、1鋭性も高く、十分実用に
耐えるものである。
Table 1 As shown in Table 1, all of the conversion panels manufactured by the method of the present invention, in which the temperature difference between the substrate to be deposited and the temperature during use was kept within ±20°C, had little warpage. The sensitivity unevenness associated with this is also small. It also has high sharpness and is sufficiently durable for practical use.

一方、被堆積基板の温度が使用時の温度から大きく離れ
ていると反りが大きく、それに伴って感度むらも大きい
。また、被堆積基板の温度が高いために輝尽性蛍光体の
特性が低下し、1鋭性が低い。
On the other hand, if the temperature of the substrate to be deposited is significantly different from the temperature during use, the warpage will be large, and accordingly, the sensitivity unevenness will also be large. Furthermore, since the temperature of the substrate to be deposited is high, the characteristics of the stimulable phosphor deteriorate, and the sharpness of the stimulable phosphor is low.

実施例5 支持体が硼珪酸ガラスであること以外は実施例1と同様
にして変換パネルPを得た。
Example 5 A conversion panel P was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support was borosilicate glass.

実施例6 支持体が0.5mm厚のポリエチレンテレフタレートで
あること以外は実施例1と同様にして変換パネルQを得
た。
Example 6 A conversion panel Q was obtained in the same manner as in Example 1 except that the support was made of polyethylene terephthalate with a thickness of 0.5 mm.

変換パネルP、Qについて実施例1と同様の評価を行な
い、変換パネルAと同様の結果を得た。
Conversion panels P and Q were evaluated in the same manner as in Example 1, and the same results as conversion panel A were obtained.

[発明の効果] 本発明により製造される放射線画像変換パネルは、使用
時の温度に近い温度で製造されるため、使用時にパネル
が反ったりする等の変形を生じることなく、またさらに
、輝尽性蛍光体の特性も良好であるので、昨鋭な放射線
画像を与えることができ有用性が高い。
[Effects of the Invention] Since the radiation image conversion panel manufactured according to the present invention is manufactured at a temperature close to the temperature during use, the panel does not undergo deformation such as warping during use, and furthermore, Since the properties of the fluorescent phosphor are good, sharp radiographic images can be provided, making it highly useful.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は放射線画像変換パネルを用いる放射線画像変換
方法の説明図である。 41・・・放射線発生装置 42・・・被写体 43・・・放射線画像変換パネル 44・・・輝尽励起光源 45・・・光電変換装置 46・・・放射線画像再生装置 47・・・放射線画像表示装置 48・・・フィルタ 第1
FIG. 1 is an explanatory diagram of a radiation image conversion method using a radiation image conversion panel. 41...Radiation generating device 42...Subject 43...Radiation image conversion panel 44...Stimulating excitation light source 45...Photoelectric conversion device 46...Radiation image reproducing device 47...Radiation image display Device 48...filter first

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの製造方
法において、被堆積基板の温度を放射線画像変換パネル
の使用時の温度との差が±20℃以内となるように保持
して、該輝尽性蛍光体層を該被堆積基板上に気相堆積法
により形成せしめることを特徴とする放射線画像変換パ
ネルの製造方法。
In a method for manufacturing a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer, the temperature of the substrate to be deposited is maintained within ±20°C from the temperature during use of the radiation image conversion panel, and the stimulable phosphor layer is A method for manufacturing a radiation image conversion panel, comprising forming an exhaustible phosphor layer on the substrate by a vapor deposition method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1160303A3 (en) * 2000-06-01 2003-09-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Preparation of stimulable phosphor sheet
EP1426977A1 (en) * 2002-10-25 2004-06-09 Agfa-Gevaert Storage phosphor screen and preparation method

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