JPH01268112A - 電解コンデンサの温度補償素子 - Google Patents
電解コンデンサの温度補償素子Info
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- JPH01268112A JPH01268112A JP63097874A JP9787488A JPH01268112A JP H01268112 A JPH01268112 A JP H01268112A JP 63097874 A JP63097874 A JP 63097874A JP 9787488 A JP9787488 A JP 9787488A JP H01268112 A JPH01268112 A JP H01268112A
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- electrolytic capacitor
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- positive
- thermistor
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 3
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- 229910004410 SrSnO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910002929 BaSnO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はスイッチング電源等に使用する電解コンデンサ
の温度補償素子に関するもので、常温での抵抗値が１Ω
以下の正特性サーミスタを電解コンデンサの近傍に配し
、かつ、直列に接続してなる。
の温度補償素子に関するもので、常温での抵抗値が１Ω
以下の正特性サーミスタを電解コンデンサの近傍に配し
、かつ、直列に接続してなる。
（発明が解決しようとする課題）
スイッチング電源で電解コンデンサを使う場合、高周波
化に伴いリップル電流が増大し、コンデンサの温度が上
昇し破壊する。その結果、電のとしては使用不可となり
多大の被害を発生する。このリップル電流を制限するの
が本発明の主題であり、以下図面に基づいて詳しく説明
する。
化に伴いリップル電流が増大し、コンデンサの温度が上
昇し破壊する。その結果、電のとしては使用不可となり
多大の被害を発生する。このリップル電流を制限するの
が本発明の主題であり、以下図面に基づいて詳しく説明
する。
（課題を解決するだめの手段）
ＢａＴｉ０３を母体とした半導体セラミックスに、各々
０．１〜１０％のＣａ ’Ｉ１．” ｉ ０ ：＋、Ｍ
ｙ Ｔ ＋ ０３、Ｓ ｒ ｉ、” ＋ ０３、Ｐｂ’
ｌ”＋０３等のキー−り一点シフト材料と、低抵抗にす
るた抗値が１Ω以下の正特性サーミスタを焼成する。円
筒状に作製したこの正特性サーミスタを、スイッチング
電源の電解コンデンサの外側にかぶせ、電気的に直列に
結線する（第１図ン。電解コンデンサが大型の場合には
、円筒状正特性サーミスタを内部に配置することになる
。なお、円筒状正特性サーミスタの内周面と外周面に電
極を付着する。
０．１〜１０％のＣａ ’Ｉ１．” ｉ ０ ：＋、Ｍ
ｙ Ｔ ＋ ０３、Ｓ ｒ ｉ、” ＋ ０３、Ｐｂ’
ｌ”＋０３等のキー−り一点シフト材料と、低抵抗にす
るた抗値が１Ω以下の正特性サーミスタを焼成する。円
筒状に作製したこの正特性サーミスタを、スイッチング
電源の電解コンデンサの外側にかぶせ、電気的に直列に
結線する（第１図ン。電解コンデンサが大型の場合には
、円筒状正特性サーミスタを内部に配置することになる
。なお、円筒状正特性サーミスタの内周面と外周面に電
極を付着する。
（作用）
周囲温度やリップル電流の増加に伴って電解コンデンサ
が昇温すると、その近傍に配した正特性サーミスタも昇
温し、キューリー点以上に達すると抵抗値は著るしく増
加し、リップル電流を抑制し、電解コンデンサの熱的破
壊を阻止する。
が昇温すると、その近傍に配した正特性サーミスタも昇
温し、キューリー点以上に達すると抵抗値は著るしく増
加し、リップル電流を抑制し、電解コンデンサの熱的破
壊を阻止する。
（実施例）
実施例（１）
ＢａＴｉ０３の半導体セラミックスに、各々０．５％の
Ｂａ Ｓｎ ０３とＳｒＳｎＯ３を添加して低抵抗化し
たものに、キューリー点が９０ＣになるようにＣａＴｉ
Ｏ３を添加し、これを円筒に焼成して正特性サーミス
タ（１）を作製する。この正特性サーミスタ（１）の電
気的特性は、常温での抵抗値が０．１０であり、９０Ｃ
１でほぼこの値を保っているが、９０Ｃを越えると抵抗
値は著るしく上昇し、１１０ＣでＩＫΩに達する。この
よりなＰ ’Ｉ” Ｃ特性を有する円筒状正特性サーミ
スタ（１）の内周面と外周面に電極を付着し、第１図の
ように電解コンデンサ（２）の外側にかぶせる。この電
解コンデンサ（２）と正特性サーミスタ（１）とを電気
的に直列に結線する。第２図はスイッチング電源回路で
、フィルター回路（３）、整流回路（４）、制御回路（
５）、検出回路（６）から成り立っておシ、出力側の電
解コンデンサ（２）と直列に正特性サーミスタ（］ンを
配置する。入力は１００■・ＡＣで外気温度は２５ｃ、
出力電圧ば１２Ｖ、最大出力電流は４．２人としだ。正
特性サーミスタ（１）を用いない出力電圧のリップルが
５０ｍ■ｐｐに較べて、１１０ｍＶ、、に増大したが通
常通りに作動した（第３図（ａ））。次に外気温度を７
０〜８０Ｃにすると、電解コンデンサ（２）の温度が上
昇し、正特性サーミスタ（１）の抵抗値が増大して、リ
ップル電圧は増加しだが実効電圧としては多少低下した
（第３図（ｂ月。
Ｂａ Ｓｎ ０３とＳｒＳｎＯ３を添加して低抵抗化し
たものに、キューリー点が９０ＣになるようにＣａＴｉ
Ｏ３を添加し、これを円筒に焼成して正特性サーミス
タ（１）を作製する。この正特性サーミスタ（１）の電
気的特性は、常温での抵抗値が０．１０であり、９０Ｃ
１でほぼこの値を保っているが、９０Ｃを越えると抵抗
値は著るしく上昇し、１１０ＣでＩＫΩに達する。この
よりなＰ ’Ｉ” Ｃ特性を有する円筒状正特性サーミ
スタ（１）の内周面と外周面に電極を付着し、第１図の
ように電解コンデンサ（２）の外側にかぶせる。この電
解コンデンサ（２）と正特性サーミスタ（１）とを電気
的に直列に結線する。第２図はスイッチング電源回路で
、フィルター回路（３）、整流回路（４）、制御回路（
５）、検出回路（６）から成り立っておシ、出力側の電
解コンデンサ（２）と直列に正特性サーミスタ（］ンを
配置する。入力は１００■・ＡＣで外気温度は２５ｃ、
出力電圧ば１２Ｖ、最大出力電流は４．２人としだ。正
特性サーミスタ（１）を用いない出力電圧のリップルが
５０ｍ■ｐｐに較べて、１１０ｍＶ、、に増大したが通
常通りに作動した（第３図（ａ））。次に外気温度を７
０〜８０Ｃにすると、電解コンデンサ（２）の温度が上
昇し、正特性サーミスタ（１）の抵抗値が増大して、リ
ップル電圧は増加しだが実効電圧としては多少低下した
（第３図（ｂ月。
したがって、リップル電圧は増大するものの過電圧の発
生や電解コンデンサ（２）の破壊は防ぐことができた。
生や電解コンデンサ（２）の破壊は防ぐことができた。
更に、外気温度を１００Ｃにすると、正特性サーミスタ
（１）の抵抗が著るしく上るため出力電圧は電解コンデ
ンサ（２）のない状態になり、脈流が発生するが、過電
圧の発生や電解コンデンサ（２）の破壊を防ぐことがで
きた。
（１）の抵抗が著るしく上るため出力電圧は電解コンデ
ンサ（２）のない状態になり、脈流が発生するが、過電
圧の発生や電解コンデンサ（２）の破壊を防ぐことがで
きた。
実施例（２）
実施例（１）と同じ成分であるが配合割合を変えて常温
での抵抗値が０．０１Ω、９０Ｃから抵抗値が著るしく
増大して１１０ｒで１００Ωまで上昇する正特性サーミ
スタ（１）を製造した。円筒状の正特性サーミスタ（１
）を電解コンデンサ（２）の外側にかぶせて（第１図）
、第２図のスイッチング電源回路に実施例（１）と同じ
ように配置した。常温（２５Ｃ）のリップル電圧が６０
ｍＶｐ。
での抵抗値が０．０１Ω、９０Ｃから抵抗値が著るしく
増大して１１０ｒで１００Ωまで上昇する正特性サーミ
スタ（１）を製造した。円筒状の正特性サーミスタ（１
）を電解コンデンサ（２）の外側にかぶせて（第１図）
、第２図のスイッチング電源回路に実施例（１）と同じ
ように配置した。常温（２５Ｃ）のリップル電圧が６０
ｍＶｐ。
に減少しく第４図（ａ））、７０〜８０Ｃでリップル電
圧の多少の増大、１００Ｃで出力低下の現象（第４図（
Ｃ））が発生したが、過電圧の発生や電解コンデンサ（
２）の破壊を防ぐことができた。
圧の多少の増大、１００Ｃで出力低下の現象（第４図（
Ｃ））が発生したが、過電圧の発生や電解コンデンサ（
２）の破壊を防ぐことができた。
実施例（３）
実施例（１）で用いた、正特性サーミスタ（１）と電解
コンデンサ（２）を直列に接続し、これを第２図の正特
性サーミスタ（１）と電解コンデンサ（２）に並列配置
する。電解コンデンサ（２）が倍の容量になったため、
テークとしては実施例（２）の結果（第４図）と同じに
なった。
コンデンサ（２）を直列に接続し、これを第２図の正特
性サーミスタ（１）と電解コンデンサ（２）に並列配置
する。電解コンデンサ（２）が倍の容量になったため、
テークとしては実施例（２）の結果（第４図）と同じに
なった。
以上の実施例の如く、正特性サーミスタ（１）の初期抵
抗値が０．０１Ω程度であれは、通常の回路でも十分効
果を発揮する。まだ、０．１〜１Ωのものでも並列使用
を考えれば同じ効果を発揮しえる。特に並列使用の際に
、各正特性サーミスタ（１）のキューリー点をずらして
おけば交替で作動するのでリップル電圧の低下に有効で
ある。
抗値が０．０１Ω程度であれは、通常の回路でも十分効
果を発揮する。まだ、０．１〜１Ωのものでも並列使用
を考えれば同じ効果を発揮しえる。特に並列使用の際に
、各正特性サーミスタ（１）のキューリー点をずらして
おけば交替で作動するのでリップル電圧の低下に有効で
ある。
実施例（４）
大型の電解コンデンサ（図示せず）の内側に第１図と同
じ円筒状の正特性サーミスタ（１）を配置した。正特性
サーミスタ（１）の抵抗値は常温で０．０１Ω、９０Ｃ
から抵抗値が著るしく増大して１１０Ｃで１０００に達
する（実施例（２）と同じもの）。外気温度が２５Ｃの
時のりノズル電圧は６０ｍ、Ｖ、ｐ （第５図（ａ））
、７０〜８０Ｃで電圧が低下した。１００Ｃでは脈流が
発生した（第５図（Ｃ））。これは、正特性サーミスタ
（１）が電解コンデンサ（２）の中に入っただめ、温度
的に２０Ｃ程高くなったためである。しかし、コンパク
トになるため、使いやすい。
じ円筒状の正特性サーミスタ（１）を配置した。正特性
サーミスタ（１）の抵抗値は常温で０．０１Ω、９０Ｃ
から抵抗値が著るしく増大して１１０Ｃで１０００に達
する（実施例（２）と同じもの）。外気温度が２５Ｃの
時のりノズル電圧は６０ｍ、Ｖ、ｐ （第５図（ａ））
、７０〜８０Ｃで電圧が低下した。１００Ｃでは脈流が
発生した（第５図（Ｃ））。これは、正特性サーミスタ
（１）が電解コンデンサ（２）の中に入っただめ、温度
的に２０Ｃ程高くなったためである。しかし、コンパク
トになるため、使いやすい。
（効果）
要するに、本発明は常温での抵抗値が１Ω以下の正特性
サーミスタ（１）を電解コンデンサ（２）の近傍に配置
し、かつ、この電解コンデンサ（２）と電気的に直列に
結線したため、スイッチング電源の出力電圧を熱的に安
定させることができる。特に、常温域での抵抗値が０．
０１Ω程度の正特性サーミスタ（１）を温度補償素子と
して採用すれは、１００ｔ：程度の高温域でも十分に使
用することができる。
サーミスタ（１）を電解コンデンサ（２）の近傍に配置
し、かつ、この電解コンデンサ（２）と電気的に直列に
結線したため、スイッチング電源の出力電圧を熱的に安
定させることができる。特に、常温域での抵抗値が０．
０１Ω程度の正特性サーミスタ（１）を温度補償素子と
して採用すれは、１００ｔ：程度の高温域でも十分に使
用することができる。
図面は本発明実施の一例を示すものにして、第１図は電
解コンデンサの外側に円筒状正特性サーミスタをかぶせ
た時の斜視図、第２図はスイッチング電源回路図、第３
〜５図はスイッチング電源回路内に正特性サーミスタを
組みこんだ実験例の出力電圧曲線図である。
解コンデンサの外側に円筒状正特性サーミスタをかぶせ
た時の斜視図、第２図はスイッチング電源回路図、第３
〜５図はスイッチング電源回路内に正特性サーミスタを
組みこんだ実験例の出力電圧曲線図である。
Claims (5)
- （１）常温での抵抗値が１Ω以下の正特性サーミスタを
電解コンデンサの近傍に配置し、かつ、この電解コンデ
ンサと電気的に直列に結線してなる、電解コンデンサの
温度補償素子。 - （２）正特性サーミスタを円筒状に作製し、電解コンデ
ンサの外側にかぶせる、請求項１記載の電解コンデンサ
の温度補償素子。 - （３）電解コンデンサの内部に正特性サーミスタを配置
してなる、請求項１記載の電解コンデンサの温度補償素
子。 - （４）ＢａＴｉＯ＿３を母体とした半導体セラミックス
に、各々０．１〜１０％のＣａＴｉＯ＿３、ＭｇＴｉＯ
＿３、ＳｒＴｉＯ＿３、ＰｂＴｉＯ＿３等のキューリー
点シフト材料、及び低抵抗にするために各々０．０１〜
１０％のＢａＳｎＯ＿３、ＳｒＳｎＯ＿３を添加して、
常温及び必要温度までの抵抗値が１Ω以下の正特性サー
ミスタを作製する、請求項１記載の電解コンデンサの温
度補償素子。 - （５）スイッチング電源回路内に、電解コンデンサと正
特性サーミスタを直列配置してなる、電解コンデンサの
温度補償素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097874A JPH01268112A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 電解コンデンサの温度補償素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63097874A JPH01268112A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 電解コンデンサの温度補償素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268112A true JPH01268112A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14203894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097874A Pending JPH01268112A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 電解コンデンサの温度補償素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108987125A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-11 | 云南大学 | 具有高比电容量的钙钛矿型锡酸盐超级电容器电极材料及其制备方法 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63097874A patent/JPH01268112A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108987125A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-11 | 云南大学 | 具有高比电容量的钙钛矿型锡酸盐超级电容器电极材料及其制备方法 |
| CN108987125B (zh) * | 2018-08-13 | 2021-04-16 | 云南大学 | 钙钛矿型锡酸盐超级电容器电极材料、制备方法和应用 |
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