JPH01233443A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01233443A JPH01233443A JP63059328A JP5932888A JPH01233443A JP H01233443 A JPH01233443 A JP H01233443A JP 63059328 A JP63059328 A JP 63059328A JP 5932888 A JP5932888 A JP 5932888A JP H01233443 A JPH01233443 A JP H01233443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- exposure
- ultraviolet rays
- acid
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 abstract description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 abstract 1
- 238000005906 dihydroxylation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- RGQAGGXXBWCZRM-UHFFFAOYSA-L 2-anilinobenzenediazonium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.N#[N+]C1=CC=CC=C1NC1=CC=CC=C1.N#[N+]C1=CC=CC=C1NC1=CC=CC=C1 RGQAGGXXBWCZRM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- QBAQKRUAIKKDST-UHFFFAOYSA-L 4-anilinobenzenediazonium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.C1=CC([N+]#N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1.C1=CC([N+]#N)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 QBAQKRUAIKKDST-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- CIZVQWNPBGYCGK-UHFFFAOYSA-N benzenediazonium Chemical compound N#[N+]C1=CC=CC=C1 CIZVQWNPBGYCGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRRODXJHANJPEB-UHFFFAOYSA-L benzenediazonium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.N#[N+]C1=CC=CC=C1.N#[N+]C1=CC=CC=C1 RRRODXJHANJPEB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
遠紫外線用レジストのパターン形成方法に関し、遠紫外
線に適したレジストを提供しかつそのレジストをパター
ンに形成する方法を提供することを目的とし、 ヒドロキシル基を有するポリマーと露光により酸を生じ
る付加剤との混合レジストを用い、該混合レジストを遠
紫外線で露光し、加熱し、そして水で現像することを特
徴とするパターン形成方法に構成する。
線に適したレジストを提供しかつそのレジストをパター
ンに形成する方法を提供することを目的とし、 ヒドロキシル基を有するポリマーと露光により酸を生じ
る付加剤との混合レジストを用い、該混合レジストを遠
紫外線で露光し、加熱し、そして水で現像することを特
徴とするパターン形成方法に構成する。
本発明は、レジストのパターン形成方法に関し、より詳
しくは、遠紫外線用レジストのパターン形成方法に関す
る。
しくは、遠紫外線用レジストのパターン形成方法に関す
る。
ＬＳＩ 、 ＶＬＳＩなどの半導体装置の微細加工のた
めに用いるレジストパターンの形成においては、より一
層のパターンの微細化に応じてリソグラフィーにおける
露光も普通の紫外線からより短波長の遠紫外線（ｄｅｅ
ｐ Ｕν）へと進んでいる。この遠紫外線は波長が２０
０〜３００ｎｍ程度であり、光源にＸｅ−Ｈｇランプな
どあり、近年は波長が２４８ｎｍのユキシマレーザの使
用とそれに適したレジストの開発が進められている。
めに用いるレジストパターンの形成においては、より一
層のパターンの微細化に応じてリソグラフィーにおける
露光も普通の紫外線からより短波長の遠紫外線（ｄｅｅ
ｐ Ｕν）へと進んでいる。この遠紫外線は波長が２０
０〜３００ｎｍ程度であり、光源にＸｅ−Ｈｇランプな
どあり、近年は波長が２４８ｎｍのユキシマレーザの使
用とそれに適したレジストの開発が進められている。
遠紫外線用レジストとしては、分解型のポリマーを用い
る、あるいは、紫外線用のノボラック型レジストをその
まま用いるなどが提案されているが、前者の場合には、
感度、ドライエツチング耐性が乏しく、また、後者の場
合には、ポリマーに含まれているベンゼン環の吸収が強
すぎて解像度が十分でない。さらに、ネガレジストも提
案されているが、架橋型のため膨潤が生じて解像度が十
分でない。
る、あるいは、紫外線用のノボラック型レジストをその
まま用いるなどが提案されているが、前者の場合には、
感度、ドライエツチング耐性が乏しく、また、後者の場
合には、ポリマーに含まれているベンゼン環の吸収が強
すぎて解像度が十分でない。さらに、ネガレジストも提
案されているが、架橋型のため膨潤が生じて解像度が十
分でない。
本発明の課題は、遠紫外線に適したレジストを提供しか
つそのレジストをパターンに形成する方法を提供するこ
とである。
つそのレジストをパターンに形成する方法を提供するこ
とである。
上述の課題が、ヒドロキシル基を有するポリマーと露光
により酸を生じる付加剤との混合レジストを用い、該混
合レジストを遠紫外線で露光し、加熱し、そして水で現
像することを特徴とするパターン形成方法によって達成
される。
により酸を生じる付加剤との混合レジストを用い、該混
合レジストを遠紫外線で露光し、加熱し、そして水で現
像することを特徴とするパターン形成方法によって達成
される。
ヒドロキシル基（水酸基）を含むポリマー〔例えば、ポ
リビニルアルコール（ＰＶＡ））とｉ光によって酸を生
成する付加剤（例えば、ジアゾニウム塩）とを混合した
レジストを遠紫外線で露光すると下記の如き反応が進行
する。
リビニルアルコール（ＰＶＡ））とｉ光によって酸を生
成する付加剤（例えば、ジアゾニウム塩）とを混合した
レジストを遠紫外線で露光すると下記の如き反応が進行
する。
露光後に加熱すると（例えば、約１００°と）、生成し
た酸（ＨＸ）が触媒として作用して、下記の如き反応が
進行する。
た酸（ＨＸ）が触媒として作用して、下記の如き反応が
進行する。
１１！
酸（ＨＸ）を触媒としてＯＨの脱離反応が起り、結果と
してのポリマー（ｎ先部）は水に不溶となって、水で現
像すると未露光部が除去されネガパターンとして残る。
してのポリマー（ｎ先部）は水に不溶となって、水で現
像すると未露光部が除去されネガパターンとして残る。
さらに、この系は露光による架橋反応を用いる通常のネ
ガレジストと異なり極性の変化を利用しているので膨潤
がなく （水分の吸収がなく）、微細な（より高い解像
度の）ネガパターンが得られる。
ガレジストと異なり極性の変化を利用しているので膨潤
がなく （水分の吸収がなく）、微細な（より高い解像
度の）ネガパターンが得られる。
また、本発明に係るレジストでは酸は触媒として働くの
で、露光によって酸を生成する付加剤の量は少なくてす
み、したがって、レジストは遠紫外線に対して光透過性
があってノボラック樹脂でのような吸収による悪影響は
ない。
で、露光によって酸を生成する付加剤の量は少なくてす
み、したがって、レジストは遠紫外線に対して光透過性
があってノボラック樹脂でのような吸収による悪影響は
ない。
以下、本発明の実施例によって本発明の詳細な説明する
。
。
実施例１
ＰＶＡのポリマーにｐ−（Ｎ−フェニルアミノ）フエニ
ルジアゾニウムサルフェートの付加剤を５−【％混ぜた
レジスト水溶液をウェハー上にスピンコード法で塗布し
、乾燥させて、レジスト層とした。Ｘｅ−Ｈｇランプで
波長をコールドミラーにより３３０ｎｍ以下にして露光
（照度：４ｆｆＩＷ／ｃＩｉｌ、約１５秒）し、ホット
プレートにて加熱（１００℃、４５分）した、そして、
レジスト層を水で現像して、解像度１趨（ラインアンド
スペース）のネガパターンを得た。
ルジアゾニウムサルフェートの付加剤を５−【％混ぜた
レジスト水溶液をウェハー上にスピンコード法で塗布し
、乾燥させて、レジスト層とした。Ｘｅ−Ｈｇランプで
波長をコールドミラーにより３３０ｎｍ以下にして露光
（照度：４ｆｆＩＷ／ｃＩｉｌ、約１５秒）し、ホット
プレートにて加熱（１００℃、４５分）した、そして、
レジスト層を水で現像して、解像度１趨（ラインアンド
スペース）のネガパターンを得た。
実施例２
実施例１において、付加剤にジフェニルヨウドニウムト
リフルオロメタンスルホネートを用いる他は同じ条件で
処置して、解像度０．８ ｓのネガパターンを得た。
リフルオロメタンスルホネートを用いる他は同じ条件で
処置して、解像度０．８ ｓのネガパターンを得た。
実施例３
ポリマーにメチルセルロースを用い、そして付加剤に２
−（Ｎ−フェニルアミノ）フエニルジアゾニウムサルフ
ェートを用いて、実施例１と同様に処置して、解像度１
．５−のネガパターンを得た。
−（Ｎ−フェニルアミノ）フエニルジアゾニウムサルフ
ェートを用いて、実施例１と同様に処置して、解像度１
．５−のネガパターンを得た。
実施例４
ポリマーにポリ （１−メチル）ビニルアルコールを用
い、そして付加剤に２−（Ｎ−フェニルアミノ）フエニ
ルジアゾニウムサルフェートを用いて、実施例１と同様
に処置して、解像度１．０ｍのネガパターンを得た。
い、そして付加剤に２−（Ｎ−フェニルアミノ）フエニ
ルジアゾニウムサルフェートを用いて、実施例１と同様
に処置して、解像度１．０ｍのネガパターンを得た。
実施例５
実施例１において付加剤に２−（Ｎ−フェニルアミノ）
フエニルジアゾニウムサルフェートを用いてその混合割
合を２〜１６ｗｔ％の範囲で変え、同様に露光・現像し
てネガパターンを形成して、その感度を調べ、その結果
を第１図に示す。この場合に、付加量が２ｗｔ％よりも
少ないと、水に難容性となる量が少なく残膜率が低くな
り、一方、１０％よりも多いと露光時の反応によって生
じるＮ２のためにレジスト膜中に気泡が生じるようにな
り好ましくない。したがって、付加剤の量は２〜１０ｗ
ｔ％が望ましい。
フエニルジアゾニウムサルフェートを用いてその混合割
合を２〜１６ｗｔ％の範囲で変え、同様に露光・現像し
てネガパターンを形成して、その感度を調べ、その結果
を第１図に示す。この場合に、付加量が２ｗｔ％よりも
少ないと、水に難容性となる量が少なく残膜率が低くな
り、一方、１０％よりも多いと露光時の反応によって生
じるＮ２のためにレジスト膜中に気泡が生じるようにな
り好ましくない。したがって、付加剤の量は２〜１０ｗ
ｔ％が望ましい。
本発明によれば、遠紫外線露光に用いるレジストが提供
でき、しかも水で現像できて膨潤がないのでより微細な
ネガパターンを形成することができる。
でき、しかも水で現像できて膨潤がないのでより微細な
ネガパターンを形成することができる。
第１図は、ＰＶＡポリマーに２−（Ｎ−フヱニルアミノ
）フエニルジアゾニウムサルフェートを付加したレジス
トの付加剤濃度と感度との関係を示すグラフである。 付加剤濃度（ｗ ｔ ’１０ ） 第１０
）フエニルジアゾニウムサルフェートを付加したレジス
トの付加剤濃度と感度との関係を示すグラフである。 付加剤濃度（ｗ ｔ ’１０ ） 第１０
Claims (1)
- １、ヒドロキシル基を有するポリマーと露光により酸を
生じる付加剤との混合レジストを用い、該混合レジスト
を遠紫外線で露光し、加熱し、そして水で現像すること
を特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059328A JPH01233443A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | パターン形成方法 |
| EP19890302448 EP0333407A3 (en) | 1988-03-15 | 1989-03-13 | Resist material and process for information of resist patterns |
| US07/322,037 US5017461A (en) | 1988-03-15 | 1989-03-13 | Formation of a negative resist pattern utilize water-soluble polymeric material and photoacid generator |
| KR1019890003188A KR910005884B1 (ko) | 1988-03-15 | 1989-03-15 | 패턴형성용 레지스트물질 및 레지스트 패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63059328A JPH01233443A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233443A true JPH01233443A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13110167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63059328A Pending JPH01233443A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | パターン形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5017461A (ja) |
| EP (1) | EP0333407A3 (ja) |
| JP (1) | JPH01233443A (ja) |
| KR (1) | KR910005884B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5691101A (en) * | 1994-03-15 | 1997-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252435A (en) * | 1990-01-30 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming pattern |
| JP3339157B2 (ja) * | 1993-05-31 | 2002-10-28 | ソニー株式会社 | 感光性組成物及びパターン形成方法 |
| US6814899B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-11-09 | 3M Innovative Properties Company | Enhanced K-type polarizer |
| US6808657B2 (en) * | 2002-02-12 | 2004-10-26 | 3M Innovative Properties Company | Process for preparing a K-type polarizer |
| US7087194B2 (en) | 2002-04-04 | 2006-08-08 | 3M Innovative Properties Company | K-type polarizer and preparation thereof |
| US6949207B2 (en) | 2002-04-04 | 2005-09-27 | 3M Innovative Properties Company | K-type polarizer and preparation thereof |
| US6905621B2 (en) * | 2002-10-10 | 2005-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for preventing the etch transfer of sidelobes in contact hole patterns |
| US7235348B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
| US7033735B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
| JP4196822B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2008-12-17 | パナソニック株式会社 | 水溶性材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US8357616B2 (en) | 2005-04-14 | 2013-01-22 | President And Fellows Of Harvard College | Adjustable solubility in sacrificial layers for microfabrication |
| US7651830B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-01-26 | 3M Innovative Properties Company | Patterned photoacid etching and articles therefrom |
| WO2014126830A2 (en) | 2013-02-12 | 2014-08-21 | Eipi Systems, Inc. | Method and apparatus for three-dimensional fabrication |
| EP2956822B1 (en) | 2013-02-12 | 2016-06-29 | CARBON3D, Inc. | Method and apparatus for three-dimensional fabrication with feed through carrier |
| WO2015142546A1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-24 | Carbon3D, Inc. | Method and apparatus for three-dimensional fabrication with gas injection through carrier |
| WO2015164234A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Carbon3D, Inc. | Continuous three dimensional fabrication from immiscible liquids |
| KR20170017941A (ko) | 2014-06-20 | 2017-02-15 | 카본, 인크. | 중합성 액체의 왕복 공급을 통한 3차원 프린팅 |
| WO2015195920A1 (en) | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Carbon3D, Inc. | Three-dimensional printing method using increased light intensity and apparatus therefore |
| WO2015195909A1 (en) | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Carbon3D, Inc. | Three-dimensional printing using tiled light engines |
| BR112016029793A2 (pt) | 2014-06-23 | 2017-08-22 | Carbon Inc | resinas de poliuretano tendo múltiplos mecanismos de endurecimento para uso na produção de objetos tridimensionais |
| WO2016025579A1 (en) | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Carbon3D, Inc. | Three-dimensional printing with build plates having a smooth or patterned surface and related methods |
| EP3240671B1 (en) | 2014-12-31 | 2020-12-16 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing of objects with breathing orifices |
| WO2016112084A1 (en) | 2015-01-06 | 2016-07-14 | Carbon3D, Inc. | Build plate for three dimensional printing having a rough or patterned surface |
| WO2016112090A1 (en) | 2015-01-07 | 2016-07-14 | Carbon3D, Inc. | Microfluidic devices and methods of making the same |
| EP3245044B1 (en) | 2015-01-13 | 2021-05-05 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing with build plates having surface topologies for increasing permeability and related methods |
| WO2016123506A1 (en) | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Carbon3D, Inc. | Build plates for continuous liquid interface printing having permeable sheets and related methods, systems and devices |
| US11020898B2 (en) | 2015-01-30 | 2021-06-01 | Carbon, Inc. | Build plates for continuous liquid interface printing having permeable base and adhesive for increasing permeability and related methods, systems and devices |
| WO2016126779A1 (en) | 2015-02-05 | 2016-08-11 | Carbon3D, Inc. | Method of additive manufacturing by fabrication through multiple zones |
| US11000992B2 (en) | 2015-02-20 | 2021-05-11 | Carbon, Inc. | Methods and apparatus for continuous liquid interface printing with electrochemically supported dead zone |
| WO2016140891A1 (en) | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Carbon3D, Inc. | Continuous liquid interface production with sequential patterned exposure |
| WO2016140886A1 (en) | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Carbon3D, Inc. | Fabrication of three dimensional objects with multiple operating modes |
| WO2016140888A1 (en) | 2015-03-05 | 2016-09-09 | Carbon3D, Inc. | Fabrication of three dimensional objects with variable slice thickness |
| WO2016145050A1 (en) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Carbon3D, Inc. | Microfluidic devices having flexible features and methods of making the same |
| WO2016145182A1 (en) | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Carbon3D, Inc. | Additive manufacturing using polymerization initiators or inhibitors having controlled migration |
| WO2016149151A1 (en) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | Carbon3D, Inc. | Three-dimensional printing with concurrent delivery of different polymerizable liquids |
| US10792856B2 (en) | 2015-03-13 | 2020-10-06 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing with flexible build plates |
| US10843402B2 (en) | 2015-03-13 | 2020-11-24 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing with reduced pressure build plate unit |
| WO2017048710A1 (en) | 2015-09-14 | 2017-03-23 | Carbon, Inc. | Light-curable article of manufacture with portions of differing solubility |
| CN108367495B (zh) | 2015-09-25 | 2021-06-15 | 卡本有限公司 | 用于连续液体相间打印的具有发光面板的构造板组合件和相关方法、系统及装置 |
| US20180243976A1 (en) | 2015-09-30 | 2018-08-30 | Carbon, Inc. | Method and Apparatus for Producing Three- Dimensional Objects |
| US12010287B2 (en) | 2015-10-09 | 2024-06-11 | Southern Methodist University | System and method for a three-dimensional optical switch display device |
| US10647873B2 (en) | 2015-10-30 | 2020-05-12 | Carbon, Inc. | Dual cure article of manufacture with portions of differing solubility |
| WO2017112483A2 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Carbon, Inc. | Accelerants for additive manufacturing with dual cure resins |
| WO2017112571A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Carbon, Inc. | Dual cure additive manufacturing of rigid intermediates that generate semi-rigid, flexible, or elastic final products |
| WO2017112521A1 (en) | 2015-12-22 | 2017-06-29 | Carbon, Inc. | Production of flexible products by additive manufacturing with dual cure resins |
| EP3394673A1 (en) | 2015-12-22 | 2018-10-31 | Carbon, Inc. | Fabrication of compound products from multiple intermediates by additive manufacturing with dual cure resins |
| US10350823B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-07-16 | Carbon, Inc. | Dual precursor resin systems for additive manufacturing with dual cure resins |
| AU2017273542B2 (en) | 2016-05-31 | 2023-07-06 | Northwestern University | Method for the fabrication of three-dimensional objects and apparatus for same |
| WO2018006029A1 (en) | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Carbon, Inc. | Three-dimensional printing with build plates having reduced pressure and/or channels for increased fluid flow |
| WO2018094131A1 (en) | 2016-11-21 | 2018-05-24 | Carbon, Inc. | Method of making three-dimensional object by delivering reactive component for subsequent cure |
| US10239255B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-03-26 | Molecule Corp | Fabrication of solid materials or films from a polymerizable liquid |
| KR102596387B1 (ko) * | 2017-04-18 | 2023-10-30 | 더 유니버서티 오브 시카고 | 광활성인 무기 리간드-캐핑된 무기 나노결정 |
| NL2022372B1 (en) | 2018-12-17 | 2020-07-03 | What The Future Venture Capital Wtfvc B V | Process for producing a cured 3d product |
| CA3131996A1 (en) | 2019-04-09 | 2020-10-15 | David Alan WALKER | Methodologies to rapidly cure and coat parts produced by additive manufacturing |
| CN113745439B (zh) * | 2020-05-27 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光结构及其制作方法和显示装置 |
| CN114784151A (zh) * | 2022-03-22 | 2022-07-22 | 清华大学 | 纳米颗粒打印的方法以及发光元件 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2199865A (en) * | 1937-06-18 | 1940-05-07 | Harris Seybold Potter Co | Production of plates for printing in lithographic manner |
| US4341859A (en) * | 1980-09-23 | 1982-07-27 | General Electric Company | Emulsion for making dry film resists |
| US4414059A (en) * | 1982-12-09 | 1983-11-08 | International Business Machines Corporation | Far UV patterning of resist materials |
| US4657844A (en) * | 1983-06-27 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Plasma developable negative resist compositions for electron beam, X-ray and optical lithography |
| US4610952A (en) * | 1983-09-14 | 1986-09-09 | General Electric Company | Photoresist compositions and method |
| US4537854A (en) * | 1983-09-14 | 1985-08-27 | General Electric Company | Photoresist compositions and method |
| EP0195106B1 (de) * | 1985-03-22 | 1989-06-21 | Ibm Deutschland Gmbh | Herstellung einer Abhebemaske und ihre Anwendung |
| DE3721741A1 (de) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP63059328A patent/JPH01233443A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-13 EP EP19890302448 patent/EP0333407A3/en not_active Ceased
- 1989-03-13 US US07/322,037 patent/US5017461A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-15 KR KR1019890003188A patent/KR910005884B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5691101A (en) * | 1994-03-15 | 1997-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
| USRE38256E1 (en) * | 1994-03-15 | 2003-09-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890015077A (ko) | 1989-10-28 |
| KR910005884B1 (ko) | 1991-08-06 |
| US5017461A (en) | 1991-05-21 |
| EP0333407A2 (en) | 1989-09-20 |
| EP0333407A3 (en) | 1992-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01233443A (ja) | パターン形成方法 | |
| TW573213B (en) | Photoresist composition for deep UV radiation | |
| US3260599A (en) | Vesicular diazo copy-sheet containing photoreducible dye | |
| US4264708A (en) | Radiation sensitive element having a thin photopolymerizable layer | |
| JP2000131842A (ja) | ネガフォトレジスト組成物およびネガ画像の形成方法 | |
| US4649100A (en) | Production of resist images, and a suitable dry film resist | |
| JPH1172917A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH01300250A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| US5015559A (en) | Process for forming a fine resist pattern | |
| US4308338A (en) | Methods of imaging photopolymerizable materials containing diester polyether | |
| US3607272A (en) | Photographic polymerization process and product | |
| JPH1069072A (ja) | リソグラフィー用下地材 | |
| JPS6037548A (ja) | 照射線反応ネガレジストの形成方法 | |
| KR900006284B1 (ko) | 고 콘트라스트(high contrast) 레지스트 현상방법 | |
| US3201237A (en) | Photographic polymeric images and process for producing same | |
| JPS6161154A (ja) | 微細ネガレジストパターン形成方法 | |
| Bohland et al. | Some resists based on chemically-amplified crosslinking of phenolic polymers | |
| KR100252218B1 (ko) | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 | |
| KR100253084B1 (ko) | 반도체장치의제조를위한원자외선노광용포토레지스트조성용구조제수지와그제조방법및그구조제수지를포함하는원자외선노광용포토레지스트조성물 | |
| US3754911A (en) | Photoimaging method comprising crosslinking of alkoxy methyl polyamides | |
| KR100252217B1 (ko) | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트 조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를 포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 | |
| Wilkins Jr et al. | Deep UV photolithographic systems and processes | |
| EP0197519A2 (en) | Process for masking and resist formation | |
| JPS6032176B2 (ja) | 光重合性組成物 | |
| JPH03238458A (ja) | パタン形成法 |