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JPH01238321A - Input circuit for tuner - Google Patents

Input circuit for tuner

Info

Publication number
JPH01238321A
JPH01238321A JP6609488A JP6609488A JPH01238321A JP H01238321 A JPH01238321 A JP H01238321A JP 6609488 A JP6609488 A JP 6609488A JP 6609488 A JP6609488 A JP 6609488A JP H01238321 A JPH01238321 A JP H01238321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
varactor diode
trap
circuit
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6609488A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuji Abe
安部 修二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6609488A priority Critical patent/JPH01238321A/en
Publication of JPH01238321A publication Critical patent/JPH01238321A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Noise Elimination (AREA)

Abstract

PURPOSE:To block leakage of a high channel signal and a local oscillating frequency by acting a 1st varactor diode controlled in common by a tuning voltage for varying the cut-off frequency and acting the 2nd varactor diode for varying a trap frequency. CONSTITUTION:When a tuning voltage Vt is varied with the frequency of a desired reception channel, the capacitance of a varactor diode VD4 is varied to shift the cut-off frequency of the low pass characteristic. The varactor diode VD5 is varied to shift the trap frequency if the trap circuit Vp. The cut-off frequency of the low pass characteristic by the 1st varactor diode VD4 is shifted to block the high channel frequency being a back-talk disturbance surely. Moreover, the capability excluding input leakage of a local oscillating frequency is high.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はチューナの入力回路に係り、詳細には入力信号
が広帯域の場合に、ローチャンネル受信時にハイチャン
ネル信号によってバックトーク現象が起きて受信特性が
悪化することを防止したチューナの入力回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Objective of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an input circuit for a tuner, and more specifically, when the input signal is a wide band, backtalk is caused by a high channel signal when receiving a low channel. The present invention relates to a tuner input circuit that prevents deterioration of reception characteristics due to occurrence of such phenomenon.

(従来の技術) CATV受信装置では、アップダウン方式のダブルヘテ
ロダインチューナが採用されている。
(Prior Art) A CATV receiver employs an up-down double heterodyne tuner.

このアップダウンチューナでは第1局部発振器の発振周
波数を入力RF信号に合わせて変化させ、第2の局部発
振器の発振周波数を固定して所望のCATV放送信号を
受信するようにしている。
This up-down tuner changes the oscillation frequency of a first local oscillator in accordance with the input RF signal, and fixes the oscillation frequency of a second local oscillator to receive a desired CATV broadcast signal.

第7図はCATV用アップダウンチューナの構成を示す
ブロック図である。ケーブルテレビジョン信号(以下、
RF信号)はバイパスフィルタ71及びローパスフィル
タ72を通過して第1混合器73に入力される。第1混
合器73はバッファアンプ75を介して供給される第1
局部発振器74からの局部発振出力によって動作し、第
1中間周波信丹(以下、第11F信号と称する)を出力
する。第1局部発振器74はチューニング電圧Vtによ
り発振周波数がt、lI御され、例えば、660〜11
6Q[MH2]の周波数の範囲で可変される。入力RF
信りは、例えば50〜550[MH2]の範囲の信号で
あり、第1IF周波敗は、例えば、elo [MHzl
i、=ffl定しである。
FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of a CATV up/down tuner. cable television signal (hereinafter referred to as
RF signal) passes through a bypass filter 71 and a low-pass filter 72 and is input to a first mixer 73. The first mixer 73 receives the first
It operates based on the local oscillation output from the local oscillator 74, and outputs a first intermediate frequency signal (hereinafter referred to as the 11th F signal). The first local oscillator 74 has an oscillation frequency t, lI controlled by a tuning voltage Vt, for example, 660 to 11
It is variable in the frequency range of 6Q [MH2]. input RF
The frequency is, for example, a signal in the range of 50 to 550 [MH2], and the first IF frequency loss is, for example, elo [MHz
i,=ffl is fixed.

第1混合器73からの信号はバンドパスフィルタ76、
第1IFアンプ77及びバンドパスフィルタ78を介し
て第2混合器79に導かれる。第2i11合器79は第
2局811発振器80から出力される局部発振出力・に
より第21F信号を生成し、生成された第21F信号は
、バンドパスフィルタ81を介して通常のTV受amで
受信可能なRF信号として出力する。
The signal from the first mixer 73 is filtered through a bandpass filter 76;
The signal is guided to a second mixer 79 via a first IF amplifier 77 and a bandpass filter 78. The second i11 combiner 79 generates a 21st F signal using the local oscillation output output from the second station 811 oscillator 80, and the generated 21st F signal is received by a normal TV receiver via a bandpass filter 81. Output as possible RF signal.

尚、ローパスフィルタ72の特性はバラクタダイオード
等の可変容量素子を用いてチューニング電圧■(゛によ
って変化させることができる。
The characteristics of the low-pass filter 72 can be changed by adjusting the tuning voltage (2) using a variable capacitance element such as a varactor diode.

このようなチューナの動作を説明する。The operation of such a tuner will be explained.

第1局部発振器14が1ユーニング電圧Vtに基づいて
周波数f1の局部発振出力を発生すると、この局部発振
出力と、ローパスフィルタ72を通過した周波数fin
の入力RF信i)とが第1混合器73において混合され
、fl −fin(=610  [MHzl)の第11
F信号が生成される。
When the first local oscillator 14 generates a local oscillation output of frequency f1 based on 1 Yuning voltage Vt, this local oscillation output and the frequency fin that has passed through the low-pass filter 72
The input RF signal i) is mixed in the first mixer 73, and the 11th
An F signal is generated.

ここで、第1局部発振器74はチューニング電圧vtを
畠くすると、^い周波数の局部発振出力を発生し、yt
が低いと、低い周波数の局部発振出力を発生づる。そし
て、例えば、50[M)12Fのローチャンネル信号を
受信する場合は、チューニング電圧ytを低下させて、
局部発振出力を660[MHzlにする。ところが、例
えば、550[MH7]のハイヂt/ンネル信号がバイ
パスフィルタ71及びローパスフィルタ72を通過して
第1局部発振出力により周波数変換されると、これによ
り生成される周波数変換成分は、ローチャンネル信号の
周波数に近くなり、入力端子側に漏洩する成分で610
[Ml−IZI付近のIF酸成分作ってしまう。
Here, when the first local oscillator 74 increases the tuning voltage vt, it generates a local oscillation output with a high frequency, and yt
If it is low, it will generate a low frequency local oscillation output. For example, when receiving a 50 [M) 12F low channel signal, lower the tuning voltage yt,
Set the local oscillation output to 660 [MHzl]. However, for example, when a high-frequency t/channel signal of 550 [MH7] passes through the bypass filter 71 and the low-pass filter 72 and is frequency-converted by the first local oscillation output, the frequency-converted component generated thereby is a low-channel signal. 610 is a component that is close to the signal frequency and leaks to the input terminal side.
[It creates an IF acid component near Ml-IZI.

このような妨害をバックトークと呼んでいる。また−ロ
ーチャンネル受信時においては、局部発振出力が低周波
側に移動するので、そのときの局部発振出力が入力端子
側に漏洩(以下、入力漏洩と呼ぶ)し混変調特性を悪化
することも考えられる。
This kind of interference is called backtalk. In addition, when receiving low channels, the local oscillation output moves to the lower frequency side, so the local oscillation output at that time may leak to the input terminal side (hereinafter referred to as input leakage), worsening cross-modulation characteristics. Conceivable.

このため、ローパスフィルタ72は、チューニング電圧
Vtによって特性が変化覆るようにし、特にローチャン
ネル受信時にトラップ及びカットオフ特性が顕著に現れ
るようにして上記バックトーク特性及び入力漏洩特性に
よる妨害を受けないようにしである。
For this reason, the low-pass filter 72 is designed so that its characteristics change depending on the tuning voltage Vt, so that the trap and cutoff characteristics appear particularly prominently during low channel reception, so as to avoid interference due to the backtalk characteristics and input leakage characteristics. It's Nishide.

第8図はローパスフィルタ72の具体的構成を示す回路
図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a specific configuration of the low-pass filter 72.

第8図において、端子Pinにはバイパスフィルタ71
からの信号が導かれ、この端子Pinはインダクタンス
及びコンデンサによりトラップ機能を果たづ並列接続P
1に接続されている。並列接続P1は更に後段にインダ
クタンス及びコンデン1すのトラップ並列接続P2 、
P3が縦続接続されている。また、端子Pinと基準電
位点との間にはコンデンサC1aが接続され、Pl及び
P2の接続点と基準電位点との間、並びにP2及びP3
の接続点と基準電位点との間にコンデンサC1b、 C
ICがそれぞれ接続されている。更に、終段の並列接続
P3は、その出力端側と基準電位点との間にコンデンサ
C1dが接12 ’cXれている。これらPI 、 P
2 。
In FIG. 8, a bypass filter 71 is connected to the terminal Pin.
The signal from P is guided, and this terminal Pin performs a trap function with an inductance and a capacitor, and is connected in parallel with P.
Connected to 1. The parallel connection P1 is further followed by a trap parallel connection P2 of inductance and capacitor 1,
P3 are cascaded. Further, a capacitor C1a is connected between the terminal Pin and the reference potential point, and a capacitor C1a is connected between the connection point of Pl and P2 and the reference potential point, and between the connection point of P1 and P2 and the reference potential point.
A capacitor C1b, C is connected between the connection point of C and the reference potential point.
ICs are connected to each. Furthermore, the final stage parallel connection P3 has a capacitor C1d connected between its output end and the reference potential point. These PI, P
2.

P3及びコンデンサ゛C1a、 C1b、 C1c、 
C1dはヂエビシエフ型ローパスフィルタ12′を構成
している。
P3 and capacitors C1a, C1b, C1c,
C1d constitutes a Dzievisiev type low-pass filter 12'.

上記ローパスフィルタ72′ の出力端は、トラップ周
波数補正用のトラップ回路を構成づるインダクタンスL
1 、L2の直列接続を介して端子poutに接続され
、インダクタンスL1 、L2の接続点と基準電位点と
の間にはコンデンサC2、インダクタンス13及びバラ
クタダイオードVDIが直列に接続されている。そして
、バラクタダイオードVD1には抵抗R1を介してチュ
ーニング電圧Vtが印加されでいる。この構成により、
チューニング電圧Vtを変化させると、バラクタダイオ
ードVD1の容量値が変化しローパスフィルタ72の特
性を第9図の如く変化させる。
The output terminal of the low-pass filter 72' is connected to an inductance L that constitutes a trap circuit for correcting the trap frequency.
A capacitor C2, an inductance 13, and a varactor diode VDI are connected in series between the connection point of the inductances L1 and L2 and the reference potential point. A tuning voltage Vt is applied to the varactor diode VD1 via a resistor R1. With this configuration,
When the tuning voltage Vt is changed, the capacitance value of the varactor diode VD1 is changed, and the characteristics of the low-pass filter 72 are changed as shown in FIG.

第9図は第8図に示す回路の周波数特性を示す特性図で
あり、横軸は周波数を縦軸はレスポンスを去り。
FIG. 9 is a characteristic diagram showing the frequency characteristics of the circuit shown in FIG. 8, where the horizontal axis is the frequency and the vertical axis is the response.

第9図において、実線はチューニング電圧Vtが高いと
きの特性を示しており、カットオフ周波 ・数として略
550[MH2]を呈している。また、破線はチューニ
ング電圧Vtを低くしたときの特性を示している。この
ように第8図に示す回路は、カットオフ周波数近傍の部
分でトラップ特性へを作りバックトーク特性を改善しよ
うとしている。
In FIG. 9, the solid line shows the characteristics when the tuning voltage Vt is high, and exhibits a cutoff frequency of approximately 550 [MH2]. Moreover, the broken line shows the characteristics when the tuning voltage Vt is lowered. In this way, the circuit shown in FIG. 8 attempts to improve the backtalk characteristics by creating a trap characteristic in the vicinity of the cutoff frequency.

この特性Aの位置がチューニング電圧Vtの低下に伴い
下側に移動してハイチャンネル周波数を排除しようとづ
るものである。
The position of this characteristic A moves downward as the tuning voltage Vt decreases to eliminate high channel frequencies.

しかし、上述した第8図の回路は、トラップ特性Aの位
置が下側に移動するにつれて、カットオフ点にり高い上
側のトラップ特性Cど特性へとの間にレスポンスが高く
なる特性Bが生じ、この特性Bの帯域を通過したハイチ
ャンネル信号でバックトーク特性が悪化する。また、特
性Cは、第1局部発振周波数域に対応して入力漏洩を改
善しているが、実線の特性よりレベルが上昇しそれだけ
改93 Kが悪化している。そこで、第10図に示J”
回路が提供されている。
However, in the circuit shown in FIG. 8, as the position of the trap characteristic A moves downward, a characteristic B occurs in which the response becomes higher between the cutoff point and the upper trap characteristic C. , the backtalk characteristic deteriorates in high channel signals passing through the band of characteristic B. Furthermore, characteristic C improves input leakage in correspondence with the first local oscillation frequency range, but the level increases compared to the characteristic shown by the solid line, and the Rev. 93 K deteriorates accordingly. Therefore, as shown in Figure 10,
circuit is provided.

第10図はローパスフィルタ72の他の例を示す回路図
である。第10図において、第8図と同一の構成要素に
は同一の符号を付している。
FIG. 10 is a circuit diagram showing another example of the low-pass filter 72. In FIG. 10, the same components as in FIG. 8 are given the same reference numerals.

点線内に示すローパスフィルタ72′ は第8図と同様
にLとCの組合わせによって構成されている。
The low-pass filter 72' shown within the dotted line is constructed by a combination of L and C as in FIG.

この回路は、上記ローパスフィルタ72′ と端子Po
utとの間にインダクタンスL4、コンデンサC3、C
4によりローパス特性のカットオフ周波数が定まる特性
補正フィルタ72八を設けたものである。この特性補正
フィルタ72Aは、コンデンナC3、C4と!!準電位
点との間にそれぞれバラクタダイオード■D2.VD3
が接続されている。これらバラクタダイオードVD2 
、VO2は各カソード間に抵抗R2が接続され、チュー
ニング電圧Vtは抵抗R3を介してバラクタダイオード
VD3に印加され、更にその電圧が抵抗R2を介してバ
ラクタダイオードVD2に印加されている。
This circuit consists of the above-mentioned low-pass filter 72' and the terminal Po
Inductance L4, capacitor C3, C
A characteristic correction filter 728 whose cutoff frequency of the low-pass characteristic is determined by 4 is provided. This characteristic correction filter 72A is connected to the condensers C3 and C4! ! A varactor diode ■D2. VD3
is connected. These varactor diodes VD2
, VO2 have a resistor R2 connected between their respective cathodes, and a tuning voltage Vt is applied to the varactor diode VD3 via the resistor R3, and this voltage is further applied to the varactor diode VD2 via the resistor R2.

第11図は第10図に示す回路の特性を示す特性図であ
り、実線はチューニング電圧Vtが高い場合の特性を、
破線はチューニング電圧Vtが低い場合の特性を示して
いる。また、△1.3+ 。
FIG. 11 is a characteristic diagram showing the characteristics of the circuit shown in FIG. 10, and the solid line shows the characteristics when the tuning voltage Vt is high.
The broken line shows the characteristics when the tuning voltage Vt is low. Also, △1.3+.

C′は第9図における特性A、B、Cの周波数域と対応
している。この特性から理解されるように、特性補正フ
ィルタ72Aは、第9図のBに示したように、レスポン
スの高くなる特性を形成することなく、ローパスフィル
タ特有の右下がりスロープがそのまま左側に移動するよ
うな補正を行うものひある。これにより、チューニング
電圧■【が低い場合には、カットオフ周波数部分(特性
B′域)から第1局部発振周波数(C’部分)域での減
衰量が19られ、入力漏洩特性は茗しく改善されている
C' corresponds to the frequency range of characteristics A, B, and C in FIG. As can be understood from this characteristic, in the characteristic correction filter 72A, as shown in B of FIG. 9, the downward slope peculiar to a low-pass filter moves to the left without forming a characteristic that increases the response. There are some that perform such corrections. As a result, when the tuning voltage ■[ is low, the amount of attenuation from the cutoff frequency part (characteristic B' region) to the first local oscillation frequency (C' part) region is reduced by 19, and the input leakage characteristics are gently improved. has been done.

しかし、特性A′を第10図と比較すると、十分な減衰
H1を得ることができず、この部分においてバックトー
ク特性が悪化してしまう。
However, if the characteristic A' is compared with FIG. 10, sufficient attenuation H1 cannot be obtained, and the backtalk characteristic deteriorates in this portion.

(発明が解決しようとする課題) このように、チエビシエフ特性を右づるローパスフィル
タによって入力周波数を規制する従来の回路は、第1局
部発振周波数の漏洩とハイチャンネル信号の漏洩を防止
するため、ローパスフィルタ特性のカットオフ点での特
性を、トラップフィルタやO−パスフィルタを2段で構
成する等の回路手段をムjじて補正している。しかし、
上記各妨害成分を両方とも十分に減衰させることが困難
で、トラップフィルタと、ローパスフィルタとを(if
用することで解決するしか方法がなかった。このため、
回路構成が複雑化して部品点数が増加するなどの欠点が
あった。
(Problem to be Solved by the Invention) As described above, the conventional circuit that regulates the input frequency using a low-pass filter that follows the Tievisiev characteristic has a low-pass The characteristic at the cutoff point of the filter characteristic is corrected by using circuit means such as a trap filter or an O-pass filter configured in two stages. but,
It is difficult to sufficiently attenuate both of the above disturbance components, and a trap filter and a low-pass filter (if
The only way to solve the problem was to use For this reason,
The disadvantages were that the circuit configuration became complicated and the number of parts increased.

本発明は上記問題点を解決し、簡単な回路構成でバック
トーク特性及び入力漏洩特性を確実に改M 1Jること
かできるチューナの入力回路を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems and provide a tuner input circuit that can reliably improve backtalk characteristics and input leakage characteristics with a simple circuit configuration.

[発明の構成] (課題を解決するだめの手段) 本発明は、アンテナを信号源とし、第1のコンデンサと
コイル及び第2のコンデンナから成る並列接続との組合
わせ回路により所定のローパス特性を右する入力ローパ
スフィルタを設け、第1のコンデンサのいずれかを兼用
する第1のバラクタダイオードによりこのローバスフィ
ルりのカッ1〜オフ周波数を可変し、この第1のバラク
タダイオードとチューニング電圧によって共通に容量が
可変される第2のバラクタダイオードを右するトラップ
回路によって前記ローパス特性部にトラップ特性部を作
りこれを変化さけるものである。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention uses an antenna as a signal source and achieves a predetermined low-pass characteristic by a combination circuit of a first capacitor, a coil, and a second capacitor connected in parallel. A first varactor diode that also serves as one of the first capacitors is used to vary the cut-off frequency of the low-pass filter, and a common input voltage is set by the first varactor diode and the tuning voltage. A trap characteristic section is created in the low-pass characteristic section by a trap circuit that connects a second varactor diode whose capacitance is varied to avoid changes in the trap characteristic section.

(作用) このような構成によれば、チューニング電圧によって共
通に制御される第1、第2のバラクタダイオードのうち
、第1のバラクタダイオードがカッ117周波数の可変
のために、第2のバラクタダイオードがトラップ周波数
の可変のために機能Jる。これより、ローヂI7ンネル
信号受信時の入ツノ選択特性は、トラップ周波数の移動
によって奇生ずるレスポンスの大きな特性部がカッ11
7周波数が下側へ移動したローパス特性によって押さえ
られた特性となる。このため、上記レスポンスの大きな
特性部に基因するハイチャンネル信号及び局発周波数の
漏洩を阻止することができる。
(Function) According to such a configuration, among the first and second varactor diodes that are commonly controlled by the tuning voltage, the first varactor diode is controlled by the second varactor diode because the frequency is variable. functions for varying the trap frequency. From this, it can be seen that the input horn selection characteristics when receiving the Rode I7 channel signal are characterized by large response characteristics that occur due to the movement of the trap frequency.
The characteristic is suppressed by the low-pass characteristic in which the 7th frequency is shifted downward. Therefore, it is possible to prevent leakage of the high channel signal and local oscillation frequency caused by the characteristic portion having a large response.

(実流例) 以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明すφ。第1図
は本発明に係るチコーナの入力回路の一実施例を示す回
路図である。第1図において第8図と同一の構成要素に
は同一の符号を付す。
(Example of Actual Flow) The present invention will be described in detail below based on the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the input circuit of a chicona according to the present invention. In FIG. 1, the same components as in FIG. 8 are given the same reference numerals.

第1図において、端子PinにはRF倍信号導入される
。インダクタンス及びコンデンサーによりトラップ機能
を果たす並列接続Pi 、R2、R3及びコンデンサC
1a、 C1b、 C1cは従来と同様の構成である。
In FIG. 1, an RF multiplied signal is introduced into the terminal Pin. Parallel connection Pi, R2, R3 and capacitor C which perform trap function by inductance and capacitor
1a, C1b, and C1c have the same configuration as the conventional one.

終段の並列接続P3は、コンデンサC5及び第1のバラ
クタダイオードVD4を介して基準電位点に接続されて
おり、バラクタダイオードVD4には抵抗R4、R5を
介してチューニング電圧Vtが印加されている。
The final stage parallel connection P3 is connected to a reference potential point via a capacitor C5 and a first varactor diode VD4, and a tuning voltage Vt is applied to the varactor diode VD4 via resistors R4 and R5.

上記並列接続P3の出力端は、インダクタンスL5 、
 L6の直列接続を介して端子poutに接続され、イ
ンダクタンスL5.16の接続点と基準電位点との間に
はコンデンサC6、インダクタンスL7及び第2のバラ
クタダイオードVD5が直列に接続されている。そして
、バラクタダイオードV[)5には抵抗R5を介してチ
ューニング電圧Vtが印加されている。これらインダク
タンスL5、L6.L7、コンデン’J−06及びバラ
クタダイオードVD5でバックトーク妨害阻止用のトラ
ップ回路Vpが構成される。
The output end of the parallel connection P3 has an inductance L5,
A capacitor C6, an inductance L7, and a second varactor diode VD5 are connected in series between the connection point of the inductance L5.16 and the reference potential point. A tuning voltage Vt is applied to the varactor diode V[)5 via a resistor R5. These inductances L5, L6. L7, capacitor J-06, and varactor diode VD5 constitute a trap circuit Vp for preventing backtalk interference.

なお、端子poutは混合器(図示せず)に接続され、
端子poutから出力されたRF倍信号局部発振出力と
i12合されて周波数変換される。
Note that the terminal pout is connected to a mixer (not shown),
It is combined with the RF multiplied signal local oscillation output output from the terminal pout and frequency converted.

次に、このように構成された実施例の動作について第2
図を参照して説明する。
Next, a second explanation will be given of the operation of the embodiment configured as described above.
This will be explained with reference to the figures.

第2図は、上記実施例の周波数特性を示す特性図であり
、横軸は周波数を、縦+Mはレスポンスを表す。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the frequency characteristics of the above embodiment, where the horizontal axis represents the frequency and the vertical axis +M represents the response.

チューニング電圧V[が、希望とする受信チャンネルの
周波数に合わせて可変されると、第1゜第2のバラクタ
ダイオードVD4 、VO2が共通に容量の変化を受け
る。バラクタダイオードVD4の容量が変化すると、並
列接続P3の出力端と基準電位点との間の容♀が変化し
、ローパス特性のカットオフ周波数を移動させる。また
、バラクタダイオードVD5が変化することにより、ト
ラップ回路■pのトラップ周波数を移動させる。このよ
うに、チューニング電圧Vtの変化に従ってフィルター
特性が変化するが、第2図の実線はチューニング電圧V
tが高い場合の特性を示し、破線は低い場合を示してい
る。
When the tuning voltage V[ is varied in accordance with the frequency of the desired reception channel, the first and second varactor diodes VD4 and VO2 commonly undergo a change in capacitance. When the capacitance of the varactor diode VD4 changes, the capacitance between the output end of the parallel connection P3 and the reference potential point changes, shifting the cutoff frequency of the low-pass characteristic. Further, by changing the varactor diode VD5, the trap frequency of the trap circuit 2p is moved. In this way, the filter characteristics change as the tuning voltage Vt changes, and the solid line in FIG.
The characteristics when t is high are shown, and the broken line shows the characteristics when t is low.

チューニング電圧Vtが高い場合には、バラクタダイオ
ードVD4 、VO2の容量は小さく、トラップ周波数
及びカットオフ周波数は共に高い周波数側に移動して、
カットオフ周波数を与えるレスポンス点より0−パスフ
ィルタ特有のスロープを形成してレスポンスが低下して
いる。反対にチューニング電圧Vtを低下させると、バ
ラクタダイオードVD4 、VO2の容Mが増加し、ト
ラップ周波数及びカットオフ周波数は低い周波数側に移
動する。破線におけるトラップ特性部りはトラップ周波
数の低下により、カットオフ周波数近傍において減衰が
大きくなったものである。また、先に示した第9図の特
性に似て、トラップ特性部Dの上側にレスポンスが大き
くなる特性部Eが生じる。しかし本回路の場合は、第1
のバラクタダイオードVD4によるローパス特性のカッ
トオフ周波数が移動づることによって上記特性部Eは、
第9図の特性より低い。その分バックトーク妨害となる
ハイチャンネル受信時の阻止が確実に行われることにな
る。
When the tuning voltage Vt is high, the capacitances of the varactor diodes VD4 and VO2 are small, and both the trap frequency and cutoff frequency move to the higher frequency side,
A slope peculiar to a 0-pass filter is formed and the response is lowered from the response point that gives the cutoff frequency. Conversely, when the tuning voltage Vt is lowered, the capacitance M of the varactor diodes VD4 and VO2 increases, and the trap frequency and cutoff frequency move to the lower frequency side. The trap characteristic portion indicated by the broken line indicates that the attenuation becomes large in the vicinity of the cutoff frequency due to a decrease in the trap frequency. Further, similar to the characteristics shown in FIG. 9 previously shown, a characteristic portion E where the response becomes large is generated above the trap characteristic portion D. However, in the case of this circuit, the first
As the cutoff frequency of the low-pass characteristic by the varactor diode VD4 moves, the above characteristic part E becomes as follows.
It is lower than the characteristics shown in FIG. Correspondingly, blocking of high channel reception, which causes backtalk interference, is reliably performed.

次に、カットオフ点より上側の特性部Fは、局発周波数
の入力漏洩を阻止Jるのであるが、本回路の特性の場合
、第9図と比較して、レスポンスがよ昇することなく、
トラップレベルを一定にしたまま、周波数が下側にずれ
たかたらになっている。このため第8図の回路に比べ局
発周波数の入力漏洩を排除する能力は高いものである。
Next, the characteristic part F above the cutoff point prevents input leakage of the local frequency, but in the case of the characteristics of this circuit, the response does not increase much compared to Fig. 9. ,
The frequency shifts downward while keeping the trap level constant. Therefore, the ability to eliminate input leakage of the local oscillator frequency is higher than that of the circuit shown in FIG.

このように、本実施例は、第8図に示すトラップ方式を
改良し、ローチャンネル受信時におけるトラップ回路V
pの特性に、第10図のローパス特性可変機能を持たせ
るようにしたものということができる。
In this way, this embodiment improves the trap method shown in FIG.
It can be said that the low-pass characteristic variable function shown in FIG. 10 is added to the characteristic of p.

このような特性により、チューニング電圧を低下さゼて
ローチャンネルを受信する場合、バイブt/ンネル側の
周波数及び局部発振周波数を確実にカットすることがで
きるので、バックトーク特性部、び局部発振器からの入
力漏洩特性を改善することができる。
Due to these characteristics, when receiving a low channel by lowering the tuning voltage, it is possible to reliably cut the frequency on the vibration channel side and the local oscillation frequency, so the backtalk characteristic section and the local oscillator frequency can be cut off. can improve input leakage characteristics.

いま、このような特性を得るために、第8図及び第10
図に示す従来の回路を単に組合わせた場合には、バラク
タダイオードの部品点数はVDI 。
Now, in order to obtain such characteristics, Figs.
If the conventional circuit shown in the figure is simply combined, the number of varactor diode components is VDI.

VD2 、VD3の3点、インダクタンスは並列接vc
P1〜P3を構成するインダクタンスの3点とLl 、
L2 、L3 、L4との7点、コンデンサは並列接続
P1〜P3を構成するコンデンサの3点とC1a−C1
d、 C2〜C4との10点、抵抗はR1−R3の3点
のml 23点の部品が必要である。
Three points of VD2 and VD3, inductance is connected in parallel vc
The three inductance points forming P1 to P3 and Ll,
The 7 points of L2, L3, and L4, and the capacitors are connected to the 3 points of the capacitors forming the parallel connection P1 to P3 and C1a-C1.
d, 23 parts are required: 10 parts C2 to C4, and 3 parts R1 to R3 for resistance.

一方、実施例では、バラクタダイオードの部品点数はV
D4 、VD5の2点、インダクタンスは並列接続P1
〜P3を構成するインダクタンスの3点とし5〜L7と
の6点、コンデンサは並列接続P1〜P3を構成づるコ
ンデンサの3点とC1a〜C1c、C5,06との8点
、抵抗はR4、R5の2点の計18点の部品で構成する
ことができる。
On the other hand, in the embodiment, the number of components of the varactor diode is V
Two points D4 and VD5, inductance connected in parallel P1
The three points of inductance that make up ~P3 are six points, 5 to L7, the capacitors are connected in parallel, the three points of capacitors that make up P1 to P3, and the eight points of C1a to C1c, C5, 06, and the resistors are R4 and R5. It can be constructed from a total of 18 parts, including two parts.

このように、本実施例回路は部品点数が少なく、コスト
の低減が可能である。
In this way, the circuit of this embodiment has a small number of parts and can reduce costs.

ところで、第8図において基準電位点側に設各ノだコン
デンサC1a、 C1b、 C1c、 C1dのいずれ
の容量値を変化させてもカットオフ周波数を変化させる
ことができる。
Incidentally, in FIG. 8, the cutoff frequency can be changed by changing the capacitance value of any of the capacitors C1a, C1b, C1c, and C1d installed on the reference potential point side.

第3図は第1図に示す回路において、コンデンサCIC
に代えてコンデンサC5’及びバラクタダイオードVD
4’の直列回路を設けた例であるが、この場合には第4
図にて示り特性となる。なお、この図も実線はハイチャ
ンネル受信時の特性を示し、破線はローi−11ンネル
受信時の特性を示している。第4図の特性によれば、第
2図の特性と異なり、レスポンスの高くなる特性部E′
がEのように減衰されていない。したがって、この帯域
においてバックトーク特性が悪化してしまう。また、コ
ンデンサC1a又はコンデンサC1bをバラクタダイオ
ードに代えた場合には、チューニング電圧V【を供給す
るラインを通して局部光振出ノコが漏洩する欠点がある
。このため、設計特性より実際の特性はずれ、性能が低
下してしまう。以上の実験結果を検討して、本実施例の
ように、コンデンサC1dを可変にする方式が最適であ
ることが確認された。
Figure 3 shows the capacitor CIC in the circuit shown in Figure 1.
Capacitor C5' and varactor diode VD in place of
This is an example in which a 4' series circuit is provided, but in this case, the 4th
The characteristics are shown in the figure. In this figure as well, the solid line indicates the characteristic when receiving the high channel, and the broken line indicates the characteristic when receiving the low I-11 channel. According to the characteristics shown in FIG. 4, unlike the characteristics shown in FIG.
is not attenuated like E. Therefore, backtalk characteristics deteriorate in this band. Furthermore, when the capacitor C1a or the capacitor C1b is replaced with a varactor diode, there is a drawback that the local light source is leaked through the line that supplies the tuning voltage V. For this reason, the actual characteristics deviate from the designed characteristics, resulting in a decrease in performance. After examining the above experimental results, it was confirmed that the method of making the capacitor C1d variable as in this embodiment is optimal.

なお、トラップ回路Vpは第5図a、bに示すように構
成しても良い。第5図aにおいてT1は、並列接続P3
の出力端に接続され、T2は端子Poutに相当する。
Note that the trap circuit Vp may be constructed as shown in FIGS. 5a and 5b. In FIG. 5a, T1 is the parallel connection P3
T2 corresponds to the terminal Pout.

このような回路は、第1図の等何回路であってコイルL
8とコンデン1すC8及びバラクタダイオードVD6の
並列接続によってトラップ周波数が可変される。又、第
5図すは、可変容量ダイオードとしてVD7とVD8の
2個による逆直列接続を用いたーbので、チューニング
電圧Vtは、これらの交点に印加する。このような回路
によりトラップ特性が改善される。尚、L9゜Llo、
 Lllはそれぞれ第1図の15.L6.L7に対応し
ている。
Such a circuit is similar to the circuit shown in Fig. 1, where the coil L
The trap frequency can be varied by connecting the capacitor C8, the capacitor C8, and the varactor diode VD6 in parallel. Further, in FIG. 5, since two variable capacitance diodes, VD7 and VD8, are connected in anti-series, the tuning voltage Vt is applied to the intersection of these. Such a circuit improves trapping characteristics. Furthermore, L9゜Llo,
Lll is 15. in FIG. 1, respectively. L6. Compatible with L7.

第6図に第1のバラクタダイオードVD4によるカット
オフ周波数可変部の他の回路例をそれぞれ示している。
FIG. 6 shows other circuit examples of the cutoff frequency variable section using the first varactor diode VD4.

T1は並列接続P3の出力端に接続される端子、TI’
 は回路を2ボ一ト回路として見た場合の出力端である
T1 is a terminal connected to the output end of parallel connection P3, TI'
is the output terminal when the circuit is viewed as a 2-bot circuit.

第6図aは、バラクタダイオードVD9に直列にインダ
クタンスL12を接続したものである。この場合、L1
2は小さく設定し、変化比を改善する。
FIG. 6a shows an inductance L12 connected in series with a varactor diode VD9. In this case, L1
2 is set small to improve the change ratio.

第6図すはバラクタダイオードVD10.VD11を逆
方向に直列接続しである。このようなバラクタダイオー
ドの使い方も第5図すと同様に特性を改善することがで
きる。第6図Cは並列接続のバラクタダイオードVD1
2.VD13を設け、これら並列接続に更に固定容量の
コンデンサC9を接続しである。これにより、必要な接
地容tl値を確保している。これら第5図及び第6図に
示1回路を用いてし部品点数の増加は1,2点であり、
第1図に示J実施例より、トラップ周波数、カットオフ
周波数等の変化比が改善され、バックトーク特性及び入
力漏洩特性を改善することができることは明らかである
Figure 6 shows varactor diode VD10. VD11 is connected in series in the opposite direction. Using such a varactor diode can also improve the characteristics in the same way as shown in FIG. Figure 6C shows the varactor diode VD1 connected in parallel.
2. VD13 is provided, and a fixed capacitor C9 is further connected to these parallel connections. This ensures the necessary ground capacity tl value. When using one circuit shown in FIGS. 5 and 6, the number of parts increases by 1 or 2 points,
From the J embodiment shown in FIG. 1, it is clear that the change ratio of the trap frequency, cutoff frequency, etc. can be improved, and the backtalk characteristics and input leakage characteristics can be improved.

なお、本実施例はトラップ効果を有する並列接続は3段
の場合の例であるが、特に段数を限定する必要はない。
Note that although this embodiment is an example in which there are three stages of parallel connection having a trap effect, there is no particular need to limit the number of stages.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、簡単な回路構成で
バックトーク特性及び入力漏洩特性を改善することがで
きる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, backtalk characteristics and input leakage characteristics can be improved with a simple circuit configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係るチューナの入力回路の一実施例を
示す回路図、第2図及び第3図は第1図に示づ実施例の
特性を説明するための特性図及び回路図、第4図は第3
図に示す回路の特性を示す特性図、第5図は本発明に使
用するトラップ回路の他の例をそれぞれ示す回路図、第
6図は同様にカットオフ周波数制御部の他の例を示す回
路図、第7図は本発明を利用するアップダウンチューナ
を示すブロック図、第8図は従来のチューナの入力回路
の一例を示す回路図、第9図はその選択特性を示す特性
図、第10図は従来の入力回路の別の例を示1回路図、
第11図はイの選択特性を示す特性図である。 Pin・・・入力端子、pout・・・出力端子、VD
4 、VD5・・・バラクタダイオード、C1a−C1
c、C5、C6−Tlンデンサ、p・・・トラップ回路 第2図 第3図
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the input circuit of a tuner according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are characteristic diagrams and circuit diagrams for explaining the characteristics of the embodiment shown in FIG. Figure 4 is the third
5 is a circuit diagram showing other examples of the trap circuit used in the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of the cutoff frequency control section. 7 is a block diagram showing an up-down tuner using the present invention, FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of an input circuit of a conventional tuner, FIG. 9 is a characteristic diagram showing its selection characteristics, and FIG. The figure shows another example of a conventional input circuit;
FIG. 11 is a characteristic diagram showing the selection characteristics of A. Pin...input terminal, pout...output terminal, VD
4, VD5... Varactor diode, C1a-C1
c, C5, C6-Tl capacitor, p...Trap circuit Fig. 2 Fig. 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 信号源にパラレル接続の第1のコンデンサとシリアル接
続のコイル及び第2のコンデンサから成る並列接続との
組合わせ回路を多段接続し所定のローパス特性を有する
ようにしたローパスフィルタと、 このローパスフィルタにおける前記第1のコンデンサの
いずれかを兼用し、該ローパスフィルタのカットオフ周
波数を可変する第1のバラクタダイオードと、 この第1のバラクタダイオードとチューニング電圧によ
って共通に容量が可変される第2のバラクタダイオード
を有し、この第2のバラクタダイオードにおける容量の
変化によって前記ローパス特性部にトラップ特性部を作
りこれを変化させるトラップ回路とを具備したことを特
徴とするチューナの入力回路。
[Claims] A low-pass filter that has predetermined low-pass characteristics by connecting a combination circuit in multiple stages to a signal source, including a parallel-connected first capacitor, a serially-connected coil, and a parallel-connected second capacitor. and a first varactor diode that also serves as one of the first capacitors in this low-pass filter and that varies the cutoff frequency of the low-pass filter, and a capacitance that is variable in common with the first varactor diode by a tuning voltage. and a trap circuit that creates a trap characteristic section in the low-pass characteristic section and changes the trap characteristic section by changing the capacitance of the second varactor diode. circuit.
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