JPH01219721A - 金属絶縁物構造体及び液晶表示装置 - Google Patents
金属絶縁物構造体及び液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH01219721A JPH01219721A JP63035456A JP3545688A JPH01219721A JP H01219721 A JPH01219721 A JP H01219721A JP 63035456 A JP63035456 A JP 63035456A JP 3545688 A JP3545688 A JP 3545688A JP H01219721 A JPH01219721 A JP H01219721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- electrode line
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 39
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 32
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 10
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02258—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、所要領域にのみ陽極酸化膜を形成できる金属
絶縁物構造体及び液晶表示装置に関する。
絶縁物構造体及び液晶表示装置に関する。
Ｂ、従来の技術
最近、高密度及び大面積の液晶表示装置として、アクテ
ィブ・マトリックス液晶表示装置の開発が進められてい
る。アクティブ・マトリクス方式は、各画素毎にアクテ
ィブ・スイッチング素子を設けて電圧を保持するために
、時分割で駆動しても選択時の電圧を維持できるので表
示容量を増加できるとともに、コントラストや視野角な
ど画質に関する特性も優れている。
ィブ・マトリックス液晶表示装置の開発が進められてい
る。アクティブ・マトリクス方式は、各画素毎にアクテ
ィブ・スイッチング素子を設けて電圧を保持するために
、時分割で駆動しても選択時の電圧を維持できるので表
示容量を増加できるとともに、コントラストや視野角な
ど画質に関する特性も優れている。
アクティブ・マトリクス液晶表示装置としては、水素化
アモルファスシリコン（以下、ａ −３ｉ：Ｈと略称）
を用いた薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと略称）をア
クティブ・スイッチング素子としたＴＰＴアクティブ・
マトリクス液晶表示装置（以下、ＴＰＴ／ＬＣＤと略称
）が良く知られている。
アモルファスシリコン（以下、ａ −３ｉ：Ｈと略称）
を用いた薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと略称）をア
クティブ・スイッチング素子としたＴＰＴアクティブ・
マトリクス液晶表示装置（以下、ＴＰＴ／ＬＣＤと略称
）が良く知られている。
ＴＰＴ／ＬＣＤにおいて高密度および大面積化を図るに
は、ＴＰＴを構成するＭＩＳ （金属−絶縁体一半導体
）構造の絶縁膜及び走査電極線と信号電極線との交差領
域の層間絶縁膜の絶縁耐圧を十分な値にする必要がある
。特開昭６２−６５４６８号は、ゲート電極（すなわち
走査電極線）を構成するＴａ（タンタル）層のうちＴＰ
Ｔが形成される領域およびドレイン電極（すなわち信号
電極線）との交差領域を局部的に陽極酸化することによ
りこれらの領域の絶縁耐圧を高めようとしている。
は、ＴＰＴを構成するＭＩＳ （金属−絶縁体一半導体
）構造の絶縁膜及び走査電極線と信号電極線との交差領
域の層間絶縁膜の絶縁耐圧を十分な値にする必要がある
。特開昭６２−６５４６８号は、ゲート電極（すなわち
走査電極線）を構成するＴａ（タンタル）層のうちＴＰ
Ｔが形成される領域およびドレイン電極（すなわち信号
電極線）との交差領域を局部的に陽極酸化することによ
りこれらの領域の絶縁耐圧を高めようとしている。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
特開昭６２−６５４６８号は、局部的陽極酸化を行うの
に、フォトレジストをマスクとして使用するものである
が、本発明者の実験によると、フォトレジストは陽極酸
化に対してマスクとしてほとんど機能しないことが判明
した。すなわち、例えば、フォトレジストの膜厚を１．
５μｍ、化成電圧を１００ｖとすると、第５図に示され
ているように、透明ガラス基板Ｓ５上に配設された陽極
酸化可能金属から成る電極線５１のうちフォトレジスト
５０のエツジ５０Ｆからフォトレジスト５０で覆れてい
る領域の内側へ向けて約３０μｍ（第５図のＬ）にわた
ってフォトレジスト５０で覆わない領域と同じ厚さの陽
極酸化膜５２が形成されて（しみ込んで）しまい、また
、そこからフォトレジスト５０で覆われている領域の内
側へ向けて約６０μｍ（第５図のＭ）にわたって徐々に
厚さが薄くなるが陽極酸化膜５２が形成されてしまう。
に、フォトレジストをマスクとして使用するものである
が、本発明者の実験によると、フォトレジストは陽極酸
化に対してマスクとしてほとんど機能しないことが判明
した。すなわち、例えば、フォトレジストの膜厚を１．
５μｍ、化成電圧を１００ｖとすると、第５図に示され
ているように、透明ガラス基板Ｓ５上に配設された陽極
酸化可能金属から成る電極線５１のうちフォトレジスト
５０のエツジ５０Ｆからフォトレジスト５０で覆れてい
る領域の内側へ向けて約３０μｍ（第５図のＬ）にわた
ってフォトレジスト５０で覆わない領域と同じ厚さの陽
極酸化膜５２が形成されて（しみ込んで）しまい、また
、そこからフォトレジスト５０で覆われている領域の内
側へ向けて約６０μｍ（第５図のＭ）にわたって徐々に
厚さが薄くなるが陽極酸化膜５２が形成されてしまう。
現在の液晶表示装置の画素の一辺の長さは２００μｍで
あり、将来この値はより小さくなるから、上述のような
フォトレジストに覆われた領域に約９０μｍも陽極酸化
膜５２が形成されてしまうことは側底許容できるもので
はない。すなわち、必要領域以外の領域に陽極酸化膜が
形成されてしまうと、電極線の抵抗がその分高くなって
しまい、またコンタクト・ホールの形成場所も限られて
しまう。さらに微細化が進むと、電極線全体が陽極酸化
されてしまい、抵抗値が極めて高くなってしまうととも
にコンタクト・ホールの形成が不可能になってしまう。
あり、将来この値はより小さくなるから、上述のような
フォトレジストに覆われた領域に約９０μｍも陽極酸化
膜５２が形成されてしまうことは側底許容できるもので
はない。すなわち、必要領域以外の領域に陽極酸化膜が
形成されてしまうと、電極線の抵抗がその分高くなって
しまい、またコンタクト・ホールの形成場所も限られて
しまう。さらに微細化が進むと、電極線全体が陽極酸化
されてしまい、抵抗値が極めて高くなってしまうととも
にコンタクト・ホールの形成が不可能になってしまう。
本発明の目的は、所要領域には陽極酸化膜が形成される
がその領域の周囲には陽極酸化膜が形成されない金属絶
縁物構造体を提供することにある。
がその領域の周囲には陽極酸化膜が形成されない金属絶
縁物構造体を提供することにある。
本発明の別の目的は、電極線のうち例えばＴＰＴ素子や
ＭＩＭ （金属−絶縁均一金属）素等のアクティブ・ス
イッチング素子の配設領域に陽極酸化膜を形成する際に
、その領域には陽極酸化膜が形成されるがその領域の周
囲には陽極酸化膜が形成されない液晶表示装置を提供す
ることにある。
ＭＩＭ （金属−絶縁均一金属）素等のアクティブ・ス
イッチング素子の配設領域に陽極酸化膜を形成する際に
、その領域には陽極酸化膜が形成されるがその領域の周
囲には陽極酸化膜が形成されない液晶表示装置を提供す
ることにある。
本発明のさらに別の目的は、２つの電極線の交差領域に
陽極酸化膜を形成する際に、その領域には陽極酸化膜が
形成されるがその領域の周囲には陽極酸化膜が形成され
ない液晶表示装置を提供することにある。
陽極酸化膜を形成する際に、その領域には陽極酸化膜が
形成されるがその領域の周囲には陽極酸化膜が形成され
ない液晶表示装置を提供することにある。
Ｄ０問題点を解決するための手段
本発明者は、上述のような例えば１００Ｖという高い化
成を圧を使用する陽極酸化において、気相成長絶縁膜で
覆われた領域の陽極酸化可能金属膜上では陽極酸化は進
行しないことを発見した。
成を圧を使用する陽極酸化において、気相成長絶縁膜で
覆われた領域の陽極酸化可能金属膜上では陽極酸化は進
行しないことを発見した。
これは、気相成長絶縁膜が緻密で絶縁耐圧もあってリー
ク電流も小さいため例えば１００■という高い化成電圧
を印加しても保護マスクとして機能するものと考えられ
る。
ク電流も小さいため例えば１００■という高い化成電圧
を印加しても保護マスクとして機能するものと考えられ
る。
本発明による金属絶縁物構造体は、陽極酸化可能な金属
膜上に堆積された、開口部を有する気相成長絶縁膜を備
えるものであるから、この気相成長絶縁膜が陽極酸化に
対する保護マスクとして機能するので、気相成長絶縁膜
の開口部に位置する金属膜だけに限定して該金属膜の少
くとも表面部分を変成して陽極酸化膜を形成できる。
膜上に堆積された、開口部を有する気相成長絶縁膜を備
えるものであるから、この気相成長絶縁膜が陽極酸化に
対する保護マスクとして機能するので、気相成長絶縁膜
の開口部に位置する金属膜だけに限定して該金属膜の少
くとも表面部分を変成して陽極酸化膜を形成できる。
本発明による第１の液晶表示装置は、陽極酸化可能な金
属から成る電極線上に堆積された、アクティブ・スイッ
チング素子の配設領域に開口部を有する気相成長絶縁膜
を備えるものであるから、この気相成長絶縁膜が陽極酸
化に対する保護マスクとして機能するので、気相成長絶
縁膜の開口部に位置する電極線領域すなわちアクティブ
・スイッチング素子の配設領域だけに限定して電極線の
少くとも表面部分を変成して陽極酸化膜を形成できる。
属から成る電極線上に堆積された、アクティブ・スイッ
チング素子の配設領域に開口部を有する気相成長絶縁膜
を備えるものであるから、この気相成長絶縁膜が陽極酸
化に対する保護マスクとして機能するので、気相成長絶
縁膜の開口部に位置する電極線領域すなわちアクティブ
・スイッチング素子の配設領域だけに限定して電極線の
少くとも表面部分を変成して陽極酸化膜を形成できる。
本発明による第２の液晶表示装置は、陽極酸化可能な金
属から成る第１電極線上に堆積された、該電極線と第２
電極線との交差領域に開口部を有する気相成長絶縁膜を
具備するものであるから、この気相成長絶縁膜の開口部
に位置する第１電極線だけに限定してこの第１電極線の
少くとも表面部分を変成して陽極酸化膜を形成できる。
属から成る第１電極線上に堆積された、該電極線と第２
電極線との交差領域に開口部を有する気相成長絶縁膜を
具備するものであるから、この気相成長絶縁膜の開口部
に位置する第１電極線だけに限定してこの第１電極線の
少くとも表面部分を変成して陽極酸化膜を形成できる。
Ｅ、実施例
第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図は、本発明による金属
絶縁物構造体の製造方法すなわち金属の選択的陽極酸化
方法の一実施例を工程順に示す断面図である。まず、透
明なガラス基板５上にタンタル（Ｔａ）を含む合金から
成る陽極酸化可能金属膜１をスパッタ法等により所定の
膜厚だけ形成する。次に、プラズマ気相成長（ＣＶＯ）
法により、ガラスノル板５が耐え得る温度で、ＳｉＯｘ
から成る絶縁膜２を所定の膜厚だけ気相成長させる。
絶縁物構造体の製造方法すなわち金属の選択的陽極酸化
方法の一実施例を工程順に示す断面図である。まず、透
明なガラス基板５上にタンタル（Ｔａ）を含む合金から
成る陽極酸化可能金属膜１をスパッタ法等により所定の
膜厚だけ形成する。次に、プラズマ気相成長（ＣＶＯ）
法により、ガラスノル板５が耐え得る温度で、ＳｉＯｘ
から成る絶縁膜２を所定の膜厚だけ気相成長させる。
次に、フォトリソグラフィー技術を用いて陽極酸化を必
要とする領域にのみフォトレジスト３の開口部を設けた
後、緩衝弗酸液によるウェットエッチ法により陽極酸化
を必要とする領域の気相成長絶縁膜を除去し、気相成長
絶縁膜２の開口部２Ａを形成する（第１Ａ図）。
要とする領域にのみフォトレジスト３の開口部を設けた
後、緩衝弗酸液によるウェットエッチ法により陽極酸化
を必要とする領域の気相成長絶縁膜を除去し、気相成長
絶縁膜２の開口部２Ａを形成する（第１Ａ図）。
次いで、陽極酸化可能金属膜１、気相成長絶縁膜２及び
フォトレジスト３が堆積されたガラス基板５を、陽極酸
化可能金属膜１に適した電解液中に浸し、金属膜１を陽
極、白金（Ｐｔ）等を陰極として電流を流すと、絶縁膜
２の開口部２Ａにて露出し電解液に接触している陽極に
て発生した酸素（Ｑ２）と、開口部２Ａにおいて露出し
ている陽極酸化可能金属膜１とが結合し、陽極酸化膜４
が生成される。やがて電流は減少してゆき、陽極酸化膜
４の厚さは、陽極と陰極との間に印加される電圧にほぼ
比例する大きさとなる。例えば、陽極酸化可能金属膜１
がタンタルの場合、化成電圧が６０Ｖで膜厚が約１００
０人、化成電圧が１００ｖで膜厚が約１７００人となる
（第１Ｂ図）。
フォトレジスト３が堆積されたガラス基板５を、陽極酸
化可能金属膜１に適した電解液中に浸し、金属膜１を陽
極、白金（Ｐｔ）等を陰極として電流を流すと、絶縁膜
２の開口部２Ａにて露出し電解液に接触している陽極に
て発生した酸素（Ｑ２）と、開口部２Ａにおいて露出し
ている陽極酸化可能金属膜１とが結合し、陽極酸化膜４
が生成される。やがて電流は減少してゆき、陽極酸化膜
４の厚さは、陽極と陰極との間に印加される電圧にほぼ
比例する大きさとなる。例えば、陽極酸化可能金属膜１
がタンタルの場合、化成電圧が６０Ｖで膜厚が約１００
０人、化成電圧が１００ｖで膜厚が約１７００人となる
（第１Ｂ図）。
なお、上記説明では、陽極酸化可能金属膜１としてタン
タルを含む合金を使用したが、タンタル。
タルを含む合金を使用したが、タンタル。
ニオブ（Ｎｂ）、又はニオブを含む合金等を使用できる
。また、プラズムＣＶＤ法により絶縁膜２を形成したが
、光励起やＥＣＲプラズマＣＶＤ法により絶縁膜２を形
成してもよい。また、絶縁膜２は、ＳｉＯｘのかわりに
ＳｉＮスとしてもよい。また、気相成長絶縁膜２の除去
はプラズマエッチ法によって行うこともできる。
。また、プラズムＣＶＤ法により絶縁膜２を形成したが
、光励起やＥＣＲプラズマＣＶＤ法により絶縁膜２を形
成してもよい。また、絶縁膜２は、ＳｉＯｘのかわりに
ＳｉＮスとしてもよい。また、気相成長絶縁膜２の除去
はプラズマエッチ法によって行うこともできる。
最後にフォトレジスト３を除去して選択的陽極酸化プロ
セスが完了する（第１Ｃ図）。フォトレジスト３の除去
は、絶縁膜２の開口エツチング後、陽極酸化前に行って
もよい。
セスが完了する（第１Ｃ図）。フォトレジスト３の除去
は、絶縁膜２の開口エツチング後、陽極酸化前に行って
もよい。
第１Ｃ図に示された金属絶縁物構造体１０は、金属膜１
の陽極酸化を必要とする領域の周囲に気相成長絶縁膜２
が堆積されるので、陽極酸化を必要とする領域すなわち
気相成長絶縁膜２の開口部２Ａにおいて露出していた金
属膜１にのみ陽極酸化膜が形成され、この領域のみ絶縁
耐圧を高めることができるとともに、気相成長絶縁膜２
及び陽極酸化膜４の一方又は双方の厚さを調整すること
により、段差を無くすか又は緩和することができる。
の陽極酸化を必要とする領域の周囲に気相成長絶縁膜２
が堆積されるので、陽極酸化を必要とする領域すなわち
気相成長絶縁膜２の開口部２Ａにおいて露出していた金
属膜１にのみ陽極酸化膜が形成され、この領域のみ絶縁
耐圧を高めることができるとともに、気相成長絶縁膜２
及び陽極酸化膜４の一方又は双方の厚さを調整すること
により、段差を無くすか又は緩和することができる。
第２図は、第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図に示された
方法を使用して製造できる本発明による液晶表示装置の
一実施例のアクティブ・マトリクス電極基板を示す平面
図であり、第３図は、第２図の線Ａ−Ａ’に沿って切断
した断面を示す断面図であり、第４図は、第２図の線Ｂ
−Ｂ’ に沿って切断した断面を示す断面図である。
方法を使用して製造できる本発明による液晶表示装置の
一実施例のアクティブ・マトリクス電極基板を示す平面
図であり、第３図は、第２図の線Ａ−Ａ’に沿って切断
した断面を示す断面図であり、第４図は、第２図の線Ｂ
−Ｂ’ に沿って切断した断面を示す断面図である。
まず、第２図、第３図及び第４図に示されたアクティブ
・マトリクス電極基板の製造方法の一例を説明する。最
初に、透明ガラス基板２０上に厚さ約３０００人のタジ
タル（Ｔａ）を含む合金をスパッタ法によって蒸着し、
フォトリソグラフィ技術により第１層走査電極線２１を
パターニングする。続いて、プラズマＣＶＤ法により、
選択陽極酸化用絶縁膜として機能するＳｉＯｘから成る
気相成長絶縁膜２４を堆積し、さらに、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、第１層走査電極線２１のうちＴＦＴ
配設領域並びに第１層走査電極線２１と信号電極線２９
との交差領域に相当する位置に選択陽極酸化開口部２３
をパターニングする。そして、第１Ａ図、第１Ｂ図及び
第１Ｃ図を参照して説明した選択陽極酸化法により、開
口部２３において露出した第１層走査電極線２１上にＴ
ａ、 Ｏ。
・マトリクス電極基板の製造方法の一例を説明する。最
初に、透明ガラス基板２０上に厚さ約３０００人のタジ
タル（Ｔａ）を含む合金をスパッタ法によって蒸着し、
フォトリソグラフィ技術により第１層走査電極線２１を
パターニングする。続いて、プラズマＣＶＤ法により、
選択陽極酸化用絶縁膜として機能するＳｉＯｘから成る
気相成長絶縁膜２４を堆積し、さらに、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、第１層走査電極線２１のうちＴＦＴ
配設領域並びに第１層走査電極線２１と信号電極線２９
との交差領域に相当する位置に選択陽極酸化開口部２３
をパターニングする。そして、第１Ａ図、第１Ｂ図及び
第１Ｃ図を参照して説明した選択陽極酸化法により、開
口部２３において露出した第１層走査電極線２１上にＴ
ａ、 Ｏ。
から成る陽極酸化膜２２を化成する。この実施例の陽極
酸化は、電解液として濃度０．０１ｗｔ％、温度２４℃
のクエン酸水溶液を使用して行われ、化成膜厚は約２０
００人である。第１層走査電極線２１の膜）１１方向に
一部だけ陽極酸化されることに留意されたい。これは、
第１層走査電極線２１のＴＦＴ配設領域において陽極酸
化膜２２の下方にゲート金属としての金属被膜が残って
いなければＭＯＳ （金属−酸化物一半導体）構造とな
らないことと、第１層走査電線２１の信号電極線２９と
の交差領域において電極線２１が膜厚方向全体に陽極酸
化されてしまうと該電極線２１が導通不能になってしま
うからである。
酸化は、電解液として濃度０．０１ｗｔ％、温度２４℃
のクエン酸水溶液を使用して行われ、化成膜厚は約２０
００人である。第１層走査電極線２１の膜）１１方向に
一部だけ陽極酸化されることに留意されたい。これは、
第１層走査電極線２１のＴＦＴ配設領域において陽極酸
化膜２２の下方にゲート金属としての金属被膜が残って
いなければＭＯＳ （金属−酸化物一半導体）構造とな
らないことと、第１層走査電線２１の信号電極線２９と
の交差領域において電極線２１が膜厚方向全体に陽極酸
化されてしまうと該電極線２１が導通不能になってしま
うからである。
次に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ又はＳｉＮｘを
ゲート絶縁膜２６として約１０００人気相成長させ、こ
れに続いてプラズマＣＶＤ法によりａ −８ｉ ： Ｈ
膜を約３０００人気相成長させ、フォトリソグラフィ技
術を用いてＴＦＴ配設領域及び第１層走査亀（に線２１
と信号電極線２９との交差領域にａ−５ｉ：Ｈの島２５
を形成する。次に、透明表示電極材料としてＩＴＯ（イ
ンジウム−すず−酸化物）をスパッタ法により約３００
０人蒸着し、フォトリソグラフィ技術により透明表示電
極２７をパターニングする。その後、フォトリソグラフ
ィ技術により、第１層走査電極線２１上に第２層走査電
極線２１８と電気的接続を行うためのコンタクト・ホー
ル２８をパターニングして開口する。続いて、信号電極
線２９と第２層走査電極線２１Ｓの材料としてアルミニ
ウム（Ａｌ）をスパッタ法により約２０００人蒸着し、
最後にフォトリソグラフィ技術により信号電極線２９及
び第２層走査電極線２１Ｓをパターニングすると。
ゲート絶縁膜２６として約１０００人気相成長させ、こ
れに続いてプラズマＣＶＤ法によりａ −８ｉ ： Ｈ
膜を約３０００人気相成長させ、フォトリソグラフィ技
術を用いてＴＦＴ配設領域及び第１層走査亀（に線２１
と信号電極線２９との交差領域にａ−５ｉ：Ｈの島２５
を形成する。次に、透明表示電極材料としてＩＴＯ（イ
ンジウム−すず−酸化物）をスパッタ法により約３００
０人蒸着し、フォトリソグラフィ技術により透明表示電
極２７をパターニングする。その後、フォトリソグラフ
ィ技術により、第１層走査電極線２１上に第２層走査電
極線２１８と電気的接続を行うためのコンタクト・ホー
ル２８をパターニングして開口する。続いて、信号電極
線２９と第２層走査電極線２１Ｓの材料としてアルミニ
ウム（Ａｌ）をスパッタ法により約２０００人蒸着し、
最後にフォトリソグラフィ技術により信号電極線２９及
び第２層走査電極線２１Ｓをパターニングすると。
アクティブ・マトリクス電極基板が、液晶の配向のため
の処理を残して完成する。
の処理を残して完成する。
このようにして製造される第２図、第３図及び第４図に
示された液晶表示装置のアクティブ・マトリクス電極基
板は、第１層走査電極線２１のＴＦＴ配設領域及び第１
層走査電極線２１と信号電極線２９との交差領域にそれ
ぞれ陽極酸化膜２２が形成されるので、ＴＦＴ部および
電極線交差領域の絶縁耐圧を高めることができるととも
に、ＴＦＴ配設領域の周囲及び電極線交差領域の周囲に
はそれぞれ選択陽極酸化用絶縁膜として機能する気相成
長絶縁膜２４が堆積されているので、陽極酸化膜２２の
形成は選択陽極酸化開口部２３において露出していた第
１走査電極線２１の領域すなわちＴＦＴ配設領域及び電
極線交差領域に限定されるから、第１Ｎ走査電極２１の
抵抗値が不必要に高くなることはなく、コンタクト・ホ
ール２８の形成位置の自由度も十分に確保できる。
示された液晶表示装置のアクティブ・マトリクス電極基
板は、第１層走査電極線２１のＴＦＴ配設領域及び第１
層走査電極線２１と信号電極線２９との交差領域にそれ
ぞれ陽極酸化膜２２が形成されるので、ＴＦＴ部および
電極線交差領域の絶縁耐圧を高めることができるととも
に、ＴＦＴ配設領域の周囲及び電極線交差領域の周囲に
はそれぞれ選択陽極酸化用絶縁膜として機能する気相成
長絶縁膜２４が堆積されているので、陽極酸化膜２２の
形成は選択陽極酸化開口部２３において露出していた第
１走査電極線２１の領域すなわちＴＦＴ配設領域及び電
極線交差領域に限定されるから、第１Ｎ走査電極２１の
抵抗値が不必要に高くなることはなく、コンタクト・ホ
ール２８の形成位置の自由度も十分に確保できる。
また、走査電極線は２層構造となっている。すなわち、
第１層走査電極線２１２１がＴＦＴゲート電極を兼ねな
がら左右に延設される一方、第２層走査電極線２１Ｓが
第１層走査電極線２１と信号電極線２９との交差領域を
除いてコンタクト・ホール２８を介して第１層走査電極
線２１と電気的に接続されつつ左右に延設されている。
第１層走査電極線２１２１がＴＦＴゲート電極を兼ねな
がら左右に延設される一方、第２層走査電極線２１Ｓが
第１層走査電極線２１と信号電極線２９との交差領域を
除いてコンタクト・ホール２８を介して第１層走査電極
線２１と電気的に接続されつつ左右に延設されている。
この第２Ｐ！Ｊ走査電極線２１Ｓの存在により、走査電
極線全体の抵抗値を低減させることができる。
極線全体の抵抗値を低減させることができる。
また、第１層走査電極線２１のパターン断面に生ずる段
差を、気相成長絶縁膜２４を堆積しあるいはこの膜２４
を開口することで、信号電ｔｌ線２９との交差部や、Ｔ
ＰＴのソース電極（第３図の左側の信号電極線２９）及
びドレイン電極（第３図の右側の信号電極線２９）の領
域において緩和することができ、これらの領域でのステ
ップ・カバレッジの改善にもなっている。
差を、気相成長絶縁膜２４を堆積しあるいはこの膜２４
を開口することで、信号電ｔｌ線２９との交差部や、Ｔ
ＰＴのソース電極（第３図の左側の信号電極線２９）及
びドレイン電極（第３図の右側の信号電極線２９）の領
域において緩和することができ、これらの領域でのステ
ップ・カバレッジの改善にもなっている。
なお、上記説明では、気相成長絶縁膜２４の厚さを約１
５００人、陽極酸化膜２２の厚さを約２０００人とした
が、本発明はこれに限定されず、設計条件に応じて、気
相成長絶縁膜２４及び陽極酸化膜２２の厚さは、ともに
５００乃至５０００人の範囲内で自由に設定できる。ま
た、電解液としてのクエン酸水溶液の濃度及び温度は、
それぞれ０．００１乃至５．０ｗｔ％および２０乃至３
０℃の範囲が適当である。
５００人、陽極酸化膜２２の厚さを約２０００人とした
が、本発明はこれに限定されず、設計条件に応じて、気
相成長絶縁膜２４及び陽極酸化膜２２の厚さは、ともに
５００乃至５０００人の範囲内で自由に設定できる。ま
た、電解液としてのクエン酸水溶液の濃度及び温度は、
それぞれ０．００１乃至５．０ｗｔ％および２０乃至３
０℃の範囲が適当である。
また、上記説明は、アクティブ・スイッチング素子とし
てＴＰＴを使用する液晶表示装置に関するものであるが
、本発明をＭＩＭ素子を用いたアクティブ・マトリクス
液晶表示装置に適用して絶縁膜の耐圧改善および走査電
極線の抵抗低減を行うことができることは当業者には明
らかであろう。
てＴＰＴを使用する液晶表示装置に関するものであるが
、本発明をＭＩＭ素子を用いたアクティブ・マトリクス
液晶表示装置に適用して絶縁膜の耐圧改善および走査電
極線の抵抗低減を行うことができることは当業者には明
らかであろう。
Ｆ０発明の効果
本発明による金属絶縁物構造体は、陽極酸化可能な金属
膜−ヒに堆積された、開口部を有する気相成長絶縁膜を
有するものであるから、開口部に位置する金属膜にのみ
限定して該金属膜の少くとも表面上に陽極酸化膜を形成
できる。また、このような金属絶縁物構造体を液晶表示
装置に適用することにより、陽極酸化可能な金属から成
る電極線のアクティブ・スイッチング素子の配設領域及
び他の電極線との交差領域に限定して陽極酸化膜を形成
できるから、これらの領域の絶縁耐圧を高めることがで
きるとともに、不必要な電極線の抵抗の増加を回避でき
、コンタクト・ホールの設定位置の自由度を十分に確保
できる。
膜−ヒに堆積された、開口部を有する気相成長絶縁膜を
有するものであるから、開口部に位置する金属膜にのみ
限定して該金属膜の少くとも表面上に陽極酸化膜を形成
できる。また、このような金属絶縁物構造体を液晶表示
装置に適用することにより、陽極酸化可能な金属から成
る電極線のアクティブ・スイッチング素子の配設領域及
び他の電極線との交差領域に限定して陽極酸化膜を形成
できるから、これらの領域の絶縁耐圧を高めることがで
きるとともに、不必要な電極線の抵抗の増加を回避でき
、コンタクト・ホールの設定位置の自由度を十分に確保
できる。
第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図は、本発明による金属
絶縁物構造体の製造方法すなわち金属膜の選択的陽極酸
化方法の一実施例を工程順に示す断面図、 第２図は、第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図に示された
方法を使用して製造できる本発明による液晶表示装置の
一実施例のアクティブ・マトリクス電極基板を示す平面
図、 第３図は、第２図の線Ａ−Ａ’に沿って切断した断面を
示す断面図、 第４図は、第２図の線Ｂ−Ｂ’に沿って切断した断面を
示す断面図、 第５図は、従来の選択陽極酸化方法により形成される陽
極酸化膜を示す断面図である。 １・・・・陽極酸化可能金属膜、２・・・・気相成長絶
縁膜、４・・・・陽極酸化膜、１０・・・・金属絶縁物
構造体、２１・・・・第１層走査電極線、２１Ｓ・・・
・第２層走査電極線、２２・・・・陽極酸化膜、２３・
・・・選択陽極酸化開口部、２４・・・・気相成長絶縁
膜、２８・・・・コンタクト・ホール、２９・・・・信
号電極線。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名） 第１Ａ＝ ２１−−−一せ１届走＊＠椙線 第２図
絶縁物構造体の製造方法すなわち金属膜の選択的陽極酸
化方法の一実施例を工程順に示す断面図、 第２図は、第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図に示された
方法を使用して製造できる本発明による液晶表示装置の
一実施例のアクティブ・マトリクス電極基板を示す平面
図、 第３図は、第２図の線Ａ−Ａ’に沿って切断した断面を
示す断面図、 第４図は、第２図の線Ｂ−Ｂ’に沿って切断した断面を
示す断面図、 第５図は、従来の選択陽極酸化方法により形成される陽
極酸化膜を示す断面図である。 １・・・・陽極酸化可能金属膜、２・・・・気相成長絶
縁膜、４・・・・陽極酸化膜、１０・・・・金属絶縁物
構造体、２１・・・・第１層走査電極線、２１Ｓ・・・
・第２層走査電極線、２２・・・・陽極酸化膜、２３・
・・・選択陽極酸化開口部、２４・・・・気相成長絶縁
膜、２８・・・・コンタクト・ホール、２９・・・・信
号電極線。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 岡 １） 次 生（外１名） 第１Ａ＝ ２１−−−一せ１届走＊＠椙線 第２図
Claims (3)
- （１）基板上に形成された陽極酸化可能な金属膜と、前
記金属膜上に堆積された、開口部を有する気相成長絶縁
膜と、 前記気相成長絶縁膜の開口部において前記金属膜の少く
とも表面部分を変成して形成された陽極酸化膜と を具備する金属絶縁物構造体。 - （２）基板上に陽極酸化可能な金属から成る電極線が配
設され、前記電極線の所定領域にアクティブ・スイッチ
ング素子が設けられる液晶表示装置において、 前記電極線上に堆積された、前記スイッチング素子の配
設領域に開口部を有する気相成長絶縁膜と、 前記気相成長絶縁膜の開口部において前記電極線の少く
とも表面部分を変成して形成された陽極酸化膜と を具備する液晶表示装置。 - （３）基板上に陽極酸化可能な金属から成る第１電極線
が配設され、前記第１電極線と交差するように第２電極
線が配設される液晶表示装置において、前記第１電極線
の上に堆積された、前記第１電極線と前記第２電極線と
の交差領域に開口部を有する気相成長絶縁膜と、 前記気相成長絶縁膜の開口部において前記第１電極線の
少くとも表面部分を変成して形成された陽極酸化膜と を具備する液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035456A JPH01219721A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 金属絶縁物構造体及び液晶表示装置 |
| EP89300446A EP0329274A1 (en) | 1988-02-19 | 1989-01-18 | A method of forming anodised regions on an anodisable metal layer |
| CA000592101A CA1304807C (en) | 1988-02-19 | 1989-02-24 | Metal insulation structure and liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035456A JPH01219721A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 金属絶縁物構造体及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219721A true JPH01219721A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12442297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035456A Pending JPH01219721A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 金属絶縁物構造体及び液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0329274A1 (ja) |
| JP (1) | JPH01219721A (ja) |
| CA (1) | CA1304807C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100718065B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2007-05-14 | 삼성전기주식회사 | 산화피막 형성방법 |
| JP2008522402A (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-26 | ワベニクス，インコーポレイテッド | 選択的陽極酸化された金属を用いたパッケージ及びその製作方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3024661B2 (ja) * | 1990-11-09 | 2000-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
| GB2255443B (en) * | 1991-04-30 | 1995-09-13 | Samsung Electronics Co Ltd | Fabricating a metal electrode of a semiconductor device |
| EP0530834B1 (en) * | 1991-09-05 | 1996-12-04 | Casio Computer Company Limited | Thin-film transistor and method of manufacturing the same |
| KR100213969B1 (ko) * | 1996-03-15 | 1999-08-02 | 구자홍 | 액티브 매트릭스의 제조방법 및 구조 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105617A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1535086A (en) * | 1976-03-22 | 1978-12-06 | Western Electric Co | Manufacture of transistors |
| CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63035456A patent/JPH01219721A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-18 EP EP89300446A patent/EP0329274A1/en not_active Ceased
- 1989-02-24 CA CA000592101A patent/CA1304807C/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59105617A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522402A (ja) * | 2004-11-29 | 2008-06-26 | ワベニクス，インコーポレイテッド | 選択的陽極酸化された金属を用いたパッケージ及びその製作方法 |
| KR100718065B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2007-05-14 | 삼성전기주식회사 | 산화피막 형성방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0329274A1 (en) | 1989-08-23 |
| CA1304807C (en) | 1992-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6081308A (en) | Method for manufacturing liquid crystal display | |
| EP0301571B1 (en) | Thin film transistor array | |
| US5352907A (en) | Thin-film transistor | |
| JPH04338677A (ja) | 半導体装置の金属電極形成方法 | |
| JPH0828510B2 (ja) | 薄膜トランジスタの形成方法 | |
| JPH0580650B2 (ja) | ||
| JPH01219721A (ja) | 金属絶縁物構造体及び液晶表示装置 | |
| JP3094610B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR100241721B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP3076483B2 (ja) | 金属配線基板の製造方法および薄膜ダイオードアレイの製造方法 | |
| JP3175225B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS61133662A (ja) | アクテイブマトリクス型薄膜トランジスタ基板 | |
| JPH0812539B2 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0815733A (ja) | 薄膜トランジスタパネルとその製造方法 | |
| JP3047363B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2817737B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR960016487B1 (ko) | 액정용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JP2777394B2 (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| KR970006254B1 (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| JPH1093105A (ja) | アクティブマトリクス回路の製造法 | |
| JP2001033826A (ja) | 薄膜トランジスタパネル及びその製造方法 | |
| JPH02137826A (ja) | 透過型アクティブマトリクス液晶表示装置 | |
| JPH10133235A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| KR940005446B1 (ko) | 반도체 장치의 금속전극 형성방법 | |
| KR930005561B1 (ko) | 액정디스플레이 장치의 표시판넬부 및 그의 제작 방법 |