JPH01209740A - 半導体基板の位置決め方法 - Google Patents
半導体基板の位置決め方法Info
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- JPH01209740A JPH01209740A JP63035866A JP3586688A JPH01209740A JP H01209740 A JPH01209740 A JP H01209740A JP 63035866 A JP63035866 A JP 63035866A JP 3586688 A JP3586688 A JP 3586688A JP H01209740 A JPH01209740 A JP H01209740A
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- Japan
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- wafer chuck
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
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- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基板とウェーハチャックの偏心の補正及びオリエ
ンテーションフラットの位置決め方法の改良に関し、 短時間に半導体基板とウェーハチャックの偏心の補正及
びオリフラの位置決めが行える半導体基板の位置決め方
法の提供を目的とし、 回転機構を有するウェーハチャックと、ラインセンサと
、搬送機構とを具備する半導体基板の位置決め装置を用
いて、半導体基板と前記ウェーハチャックとの偏心量及
びオリエンテーションフラットの位置を検出し、該検出
データの該オリエンテーションフラットの位置データに
基づき、前記回転機構により前記ウェーハチャックを回
転して前記半導体基板の前記オリエンテーションフラッ
トを所望の位置に位置決めし、該検出データの偏心量デ
ータに基づき、搬送機構の位置決めを行い、搬送先のウ
ェーハチャックに前記半導体基板を搬送するよう構成す
る。
ンテーションフラットの位置決め方法の改良に関し、 短時間に半導体基板とウェーハチャックの偏心の補正及
びオリフラの位置決めが行える半導体基板の位置決め方
法の提供を目的とし、 回転機構を有するウェーハチャックと、ラインセンサと
、搬送機構とを具備する半導体基板の位置決め装置を用
いて、半導体基板と前記ウェーハチャックとの偏心量及
びオリエンテーションフラットの位置を検出し、該検出
データの該オリエンテーションフラットの位置データに
基づき、前記回転機構により前記ウェーハチャックを回
転して前記半導体基板の前記オリエンテーションフラッ
トを所望の位置に位置決めし、該検出データの偏心量デ
ータに基づき、搬送機構の位置決めを行い、搬送先のウ
ェーハチャックに前記半導体基板を搬送するよう構成す
る。
本発明は、半導体基板のハンドリングに係り、特に半導
体−板とウヱー・・チャ・りの偏心の補正及びオリエン
テーションフラットの位置決め方法の改良に関するもの
である。
体−板とウヱー・・チャ・りの偏心の補正及びオリエン
テーションフラットの位置決め方法の改良に関するもの
である。
半導体基板の処理工程においては、通常の場合、最初に
半導体基板をウェーハチャックに搭載した時には、半導
体基板とウェーハチャックの偏心及びオリエンテーショ
ンフラット（以下、オリフラと略称する）の位置は不定
であり、その後の半導°体基板のハンドリングを行うた
めには、上記の偏 。
半導体基板をウェーハチャックに搭載した時には、半導
体基板とウェーハチャックの偏心及びオリエンテーショ
ンフラット（以下、オリフラと略称する）の位置は不定
であり、その後の半導°体基板のハンドリングを行うた
めには、上記の偏 。
６量を無くし、オリフラの位置決めを行っておくことが
必要となる。
必要となる。
従来の半導体基板の位置決め方法は大別して２種類の方
法があり、その一つはエツジ接触方式で、他の一つはス
ポットセンサ等を用いた非接触方式これらの方式は、特
に半導体装置の製造工程等においては種々のパーティク
ルに起因する品質の問題や、位置決めの工程が煩雑なた
めに時間がかかり過ぎる問題がある。
法があり、その一つはエツジ接触方式で、他の一つはス
ポットセンサ等を用いた非接触方式これらの方式は、特
に半導体装置の製造工程等においては種々のパーティク
ルに起因する品質の問題や、位置決めの工程が煩雑なた
めに時間がかかり過ぎる問題がある。
以上のような状況から半導体基板とウェーハチャックの
偏心の補正及びオリフラの位置決めを、清浄な雰囲気で
効率良く行うことが可能な半導体基板の位置決め方法が
要望されている。
偏心の補正及びオリフラの位置決めを、清浄な雰囲気で
効率良く行うことが可能な半導体基板の位置決め方法が
要望されている。
従来の半導体基板の位置決め方法について、第４図及び
第５図により説明する。
第５図により説明する。
第４図はエツジ接触方式の主要部を示す図である。図に
示すように、ウェーハチャック１２に対して偏心量が零
の状態で載置された半導体基板１１の外周に、位置決め
機構のローラ１３を接触させ、この状態でウェーハチャ
ック１２の回転機構１４により半導体基板１１を回転さ
せ、ローラ１３がウェーハチャックの中心に最も接近し
た位置でウェーハチャック１２の回転を停止し、オリフ
ラｌ１ａの位置決めを行っている。
示すように、ウェーハチャック１２に対して偏心量が零
の状態で載置された半導体基板１１の外周に、位置決め
機構のローラ１３を接触させ、この状態でウェーハチャ
ック１２の回転機構１４により半導体基板１１を回転さ
せ、ローラ１３がウェーハチャックの中心に最も接近し
た位置でウェーハチャック１２の回転を停止し、オリフ
ラｌ１ａの位置決めを行っている。
第５図はスポットセンサを用いた非接触方式の主要部を
示す図である。図に示すように、ウェーハチャック２２
に対して偏心量が零の状態で載置された半導体基板２１
の外周の直近の内側のオリフラ２１ａを配設しようとす
る位置に、オリフラ２１ａの弦の長さよりも短い距離を
おいて二組のスポットセンサ２３を設け、この状態でウ
ェーハチャック２２の回転機構２４により半導体基板２
１を回転させ、この二個のスポットセンサ２３が同時に
作動する位置でウェーハチャック２２の回転を停止し、
オリフラ２１ａの位置決めを行っている。
示す図である。図に示すように、ウェーハチャック２２
に対して偏心量が零の状態で載置された半導体基板２１
の外周の直近の内側のオリフラ２１ａを配設しようとす
る位置に、オリフラ２１ａの弦の長さよりも短い距離を
おいて二組のスポットセンサ２３を設け、この状態でウ
ェーハチャック２２の回転機構２４により半導体基板２
１を回転させ、この二個のスポットセンサ２３が同時に
作動する位置でウェーハチャック２２の回転を停止し、
オリフラ２１ａの位置決めを行っている。
いずれの場合も上記のように、半導体基板とウェーハチ
ャックの偏心量を零の状態にする工程を行った後にオリ
フラの位置決めを行うことが必要である。
ャックの偏心量を零の状態にする工程を行った後にオリ
フラの位置決めを行うことが必要である。
以上説明の従来の半導体基板の位置決め方法で問題とな
るのは、いずれの場合も先ず半導体基板とウェーハチャ
ックの偏心量を零の状態にする工程を行った後にオリフ
ラの位置決めを行わねばならないので、その後のオリフ
ラの位置決めとの二工程になり、位置決め処理に時間が
かかり過ぎることである。
るのは、いずれの場合も先ず半導体基板とウェーハチャ
ックの偏心量を零の状態にする工程を行った後にオリフ
ラの位置決めを行わねばならないので、その後のオリフ
ラの位置決めとの二工程になり、位置決め処理に時間が
かかり過ぎることである。
更に、接触方式の場合には半導体基板或いは半導体基板
に被着した被膜類等のパーティクルが一度でも発生し、
そのパーティクルが位置決め装置のローラ等に付着する
と、以後に位置決めを行う全ての半導体基板に蔓延する
虞があることである。
に被着した被膜類等のパーティクルが一度でも発生し、
そのパーティクルが位置決め装置のローラ等に付着する
と、以後に位置決めを行う全ての半導体基板に蔓延する
虞があることである。
本発明は以上のような状況から短時間に半導体基板とウ
ェーハチャックの偏心の補正及びオリフラの位置決めが
行える半導体基板の位置決め方法の提供を目的としたも
のである。
ェーハチャックの偏心の補正及びオリフラの位置決めが
行える半導体基板の位置決め方法の提供を目的としたも
のである。
上記問題点は、回転機構を有するウェーハチャックと、
ラインセンサと、搬送機構とを具備する半導体基板の位
置決め装置を用いて、半導体基板とこのウェーハチャッ
クとの偏心量及びオリエンテーションフラットの位置を
検出し、該検出データのオリエンテーションフラットの
位置データに基づき、この回転機構によりこのウエーハ
チャソりを回転してこの半導体基板のオリエンテーショ
ンフラットを所望の位置に位置決めし、該検出データの
偏心量データに基づき、搬送機構の位置決めを行い、搬
送先のウェーハチャックにこの半導体基板を搬送する本
発明による半導体基板の位置決め方法によって解決され
る。
ラインセンサと、搬送機構とを具備する半導体基板の位
置決め装置を用いて、半導体基板とこのウェーハチャッ
クとの偏心量及びオリエンテーションフラットの位置を
検出し、該検出データのオリエンテーションフラットの
位置データに基づき、この回転機構によりこのウエーハ
チャソりを回転してこの半導体基板のオリエンテーショ
ンフラットを所望の位置に位置決めし、該検出データの
偏心量データに基づき、搬送機構の位置決めを行い、搬
送先のウェーハチャックにこの半導体基板を搬送する本
発明による半導体基板の位置決め方法によって解決され
る。
即ち本発明においては、ウェーハチャックの上の任意の
位置に半導体基板を載置した状態のまま、回転機構によ
りウェーハチャックを回転させ、半導体基板の周縁に配
設したラインセンサの半導体基板による遮光状態をデー
タ化し、このオリフラの位置データによりウェーハチャ
ックを回転して半導体基板のオリフラの位置を所定の位
置に移動し、一方、この偏心量のデータにより次のウェ
ーハチャックに半導体基板を搬送する搬送機構のＸ−Ｙ
方向の位置決めを行い、この状態で半導体基板を搬送機
構に搭載し、搬送先のウェーハチャックに半導体基板を
搬送し、正しい位置に半導体基板を載置することが可能
となる。
位置に半導体基板を載置した状態のまま、回転機構によ
りウェーハチャックを回転させ、半導体基板の周縁に配
設したラインセンサの半導体基板による遮光状態をデー
タ化し、このオリフラの位置データによりウェーハチャ
ックを回転して半導体基板のオリフラの位置を所定の位
置に移動し、一方、この偏心量のデータにより次のウェ
ーハチャックに半導体基板を搬送する搬送機構のＸ−Ｙ
方向の位置決めを行い、この状態で半導体基板を搬送機
構に搭載し、搬送先のウェーハチャックに半導体基板を
搬送し、正しい位置に半導体基板を載置することが可能
となる。
以下第１図〜第３図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図に示すように、本発明の一実施例ではウェーハチ
ャック２に対して偏心量Ｃを有する位置に半導体基板ｌ
が吸着されている。
ャック２に対して偏心量Ｃを有する位置に半導体基板ｌ
が吸着されている。
ラインセンサ３は図示のように、ウェーハチャック２の
半径方向にラインセンサ３の素子が並ぶ位置に設けられ
ている。
半径方向にラインセンサ３の素子が並ぶ位置に設けられ
ている。
この状態で回転機構４を駆動し、ウェーハチャック２と
半導体基板ｌとを一体として、ウェーハチャック２の中
心を回転中心として反時計方向に回転させると、ライン
センサ３の半導体基板ｌにより遮蔽される部分の面積が
変化する。
半導体基板ｌとを一体として、ウェーハチャック２の中
心を回転中心として反時計方向に回転させると、ライン
センサ３の半導体基板ｌにより遮蔽される部分の面積が
変化する。
従ってラインセンサ３の受光量が第３図に示すように回
転角度に対して変化する。
転角度に対して変化する。
図に示すように、回転角度に対する受光量は回転角度が
９０＠の時最小になり、２７０ ”の時に最大になり、
オリフラ１ａの部分では図示のような変化をし、全体的
には滑らかな曲線を示している。
９０＠の時最小になり、２７０ ”の時に最大になり、
オリフラ１ａの部分では図示のような変化をし、全体的
には滑らかな曲線を示している。
偏心量は回転角度が９０＠の場合と２７０°の場合の受
光量の差から求めることができる。
光量の差から求めることができる。
オリフラの１８中央の位置はオリフラ部の曲線の最大光
量の回転角度から求めることができる。
量の回転角度から求めることができる。
このようにして求めたオリフラ１ａの中心の回転角度だ
けウェーハチャック２を反時計方向に回転してウェーハ
チャック２を固定し、オリフラ１ａの方向を決定する。
けウェーハチャック２を反時計方向に回転してウェーハ
チャック２を固定し、オリフラ１ａの方向を決定する。
このオリフラ１ａの位置決めのために回転した回転角度
をθとすると、第２図に示す偏心量は、それぞれ次の値
になる。
をθとすると、第２図に示す偏心量は、それぞれ次の値
になる。
Ｄ＝Ｃ−ＣＯ５θ、Ｅ＝Ｃ−ＳＩＮ θこれらの偏心量
の補正は搬送機構５の位置をこれらの偏心量だけ移動し
た状態で半導体基板ｌを搬送機構５に搭載し、次に半導
体基板１を載置するウェーハチャンク６に対して規定さ
れた位置に搬送機構５を戻し、半導体基板１をウェーハ
チャック６に載置する。
の補正は搬送機構５の位置をこれらの偏心量だけ移動し
た状態で半導体基板ｌを搬送機構５に搭載し、次に半導
体基板１を載置するウェーハチャンク６に対して規定さ
れた位置に搬送機構５を戻し、半導体基板１をウェーハ
チャック６に載置する。
このようにラインセンサ３の受光量に応じてウェーハチ
ャック２を回転してオリフラ１ａの方向を確定し、偏心
量を補正した位置で搬送機構５へ半導体基板ｌを搭載し
、次工程のウェーハチャック６へは搬送機構５の規定さ
れた位置で半導体基板１を載置するので、ウェーハチャ
ック２の任意の位置に搭載した半導体基板ｌの偏心量の
補正と、オリフラ１ａの位置決めとを短時間で同時に行
うことが可能となる。
ャック２を回転してオリフラ１ａの方向を確定し、偏心
量を補正した位置で搬送機構５へ半導体基板ｌを搭載し
、次工程のウェーハチャック６へは搬送機構５の規定さ
れた位置で半導体基板１を載置するので、ウェーハチャ
ック２の任意の位置に搭載した半導体基板ｌの偏心量の
補正と、オリフラ１ａの位置決めとを短時間で同時に行
うことが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な構造のラインセンサを備えたウェーハチャックによ
り、半導体基板とウェーハチャックの偏心量及びオリフ
ラの位置ずれを検出することが可能となり、この検出デ
ータによって半導体基板の位置合わせを行うことが可能
となる等の利点があり、著しい経済的及び、信軌性向上
の効果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
単な構造のラインセンサを備えたウェーハチャックによ
り、半導体基板とウェーハチャックの偏心量及びオリフ
ラの位置ずれを検出することが可能となり、この検出デ
ータによって半導体基板の位置合わせを行うことが可能
となる等の利点があり、著しい経済的及び、信軌性向上
の効果が期待でき工業的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例の主要部を示す図、
第２図は本発明による一実施例の全体を示す平面図、
第３図は本発明による一実施例の回転角度とラインセン
サ光量との関係を示す曲線、 第４図は従来の半導体基板の位置決め方法を示す図、 第５図は従来の他の半導体基板の位置決め方法を示す図
、である。 図において、 １は半導体基板、 １ａはオリエンテーションフラット、 ２はウェーハチャック、３はラインセンサ、４は回転機
構、 ５は搬送機構、６はウェーハチャック、 を示す。 １ａ＋平面図 中Ｉ Ａ−Ａ矢視側面図 本発明による一実施例の主要部を示す図第１図 本発明による一実施例の全体を示す平面図第２図 ば ボ Ｉ！１ （ａｌ平面図 （′ｂ）側面図 従来の半導体基板の位置決め方法を示す図第４図 （ａ）平面図 （ｂｌ側面図 従来の他の半導体基板の位置決め方法を示す図第５図
サ光量との関係を示す曲線、 第４図は従来の半導体基板の位置決め方法を示す図、 第５図は従来の他の半導体基板の位置決め方法を示す図
、である。 図において、 １は半導体基板、 １ａはオリエンテーションフラット、 ２はウェーハチャック、３はラインセンサ、４は回転機
構、 ５は搬送機構、６はウェーハチャック、 を示す。 １ａ＋平面図 中Ｉ Ａ−Ａ矢視側面図 本発明による一実施例の主要部を示す図第１図 本発明による一実施例の全体を示す平面図第２図 ば ボ Ｉ！１ （ａｌ平面図 （′ｂ）側面図 従来の半導体基板の位置決め方法を示す図第４図 （ａ）平面図 （ｂｌ側面図 従来の他の半導体基板の位置決め方法を示す図第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回転機構（４）を有するウェーハチャック（２）と、
ラインセンサ（３）と、搬送機構（５）とを具備する半
導体基板の位置決め装置を用いて、半導体基板（１）と
前記ウェーハチャック（２）との偏心量及びオリエンテ
ーションフラット（１ａ）の位置を検出し、該検出デー
タの該オリエンテーションフラット（１ａ）の位置デー
タに基づき、前記回転機構（４）により前記ウェーハチ
ャック（２）を回転して前記半導体基板（１）の前記オ
リエンテーションフラット（１ａ）を所望の位置に位置
決めし、 該検出データの偏心量データに基づき、搬送機構（５）
の位置決めを行い、搬送先のウェーハチャック（６）に
前記半導体基板（１）を搬送することを特徴とする半導
体基板の位置決め方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035866A JPH01209740A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 半導体基板の位置決め方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035866A JPH01209740A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 半導体基板の位置決め方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01209740A true JPH01209740A (ja) | 1989-08-23 |
Family
ID=12453910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035866A Pending JPH01209740A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 半導体基板の位置決め方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01209740A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142853A (ja) * | 1989-10-28 | 1991-06-18 | Hitachi Ltd | ウエハ整合装置およびその整合方法 |
| KR100387524B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지 시스템과 이를 이용하는 반도체장치 제조 설비 및 그에 따른 웨이퍼 위치 상태 감지방법 |
| KR100472959B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비 |
| JP2010199586A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Siltronic Ag | 熱処理中に半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法 |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP63035866A patent/JPH01209740A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142853A (ja) * | 1989-10-28 | 1991-06-18 | Hitachi Ltd | ウエハ整合装置およびその整合方法 |
| KR100387524B1 (ko) * | 2001-01-26 | 2003-06-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 위치 상태 감지 시스템과 이를 이용하는 반도체장치 제조 설비 및 그에 따른 웨이퍼 위치 상태 감지방법 |
| KR100472959B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비 |
| JP2010199586A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Siltronic Ag | 熱処理中に半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法 |
| US8357549B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-01-22 | Siltronic Ag | Method for identifying an incorrect position of a semiconductor wafer during a thermal treatment |
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