JPH01144661A - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームの製造方法に係り、特にイン
ナーリードの先端部への貴金属メッキ方法に関する。

〔従来技術およびその問題点〕

ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際して用いられる
リードフレームは、鉄系あるいは銅系等の金属材料をプ
レス加工またはエツチングにより所望の形状に成形せし
められてなるものである。

通常、リードフレームは、第２図に示す如く、半導体集
積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載するタイバー
ト１１と、ダイパッドを取り囲むように配設せしめられ
た複数のインナーリード１２と、インナーリート１２を
一体的に連結するタイバー１３と、各インナーリードに
連設せしめられタイバーの外側に伸長するアウターリー
ド１４と、タイバー１３を両サイドから支持するサイド
パー１５．１６と、ダイパッド１１を支持するサポート
パー１７とから構成されている。

そして、実装に際しては、第３図に示す如く、リードフ
レーム１のグイパッド１１上に半導体チップ２を搭載し
、この半導体チップのポンディングパッドとリードフレ
ームのインナーリード１２とを金線あるいはアルミ線の
ボンディングワイヤ３によって結線し、さらにこれらを
樹脂等の封止材料４て封止した後、タイバーやサイドパ
ーを切断し、アウターリードを所望の形状に折り曲げて
完成せしめられる。

ところで、このようなリードフレームのインナーリード
の先端あるいはダイパッド等、ボンディング領域にはボ
ンディング性を高めるため銀メッキ等の貴金属メッキが
施されている。

通常この貴金属メッキ工程は、打ち抜き法等によってリ
ードフレームを所望の形状に成形するパターニング工程
の後に行なわれるが、これてはインナーリードの側面ま
でメッキされメッキ金属の−３＝ 無駄を生じるのみならず、パッケージラインの近傍で側
面にメッキ金属が付着していると湿気の侵入によりマイ
グレーションを生じ易く半導体装置の信頼性低下の誘因
となっていた。

そこで、この問題を解決するため、リードフレーム各部
の成形を行なう前の帯状材料に所定の領域に予め貴金属
メッキを施しその後成形するという方法か提案されてい
る。

ところが、この方法では、成形工程でメッキ面が損傷を
受けるのみならず、後に切除してしまうスクラップ領域
にもメッキが行なわれるため、メッキ金属すなわち貴金
属の大量な無駄を生じる。

不要部に付着した貴金属はその後スクラップ内から回収
することは可能であるが、回収設備が必要となるため、
依然としてコストの高騰を避けることは不可能であった
。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、低コスト
で信頼性の高いリードフレームを提供することを目的と
する。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで本発明の方法では、インナーリードの先端部への
貴金属メッキを行なうに先立ち、タイバーのパッド側（
内方）の端縁がインナーリードの貴金属メッキライン（
貴金属メッキの端縁）よりもパッド側にくるようにタイ
バーを幅広にした状態で、リードフレームのパターニン
グを行ない、最後に、タイバーのパッド側の端縁が貴金
属メッキラインの外側にくるようにタイバーを通常の幅
に成形している。

〔作用〕

上記方法によれば、インナーリードのパッケージライン
近傍の側面は、幅広のタイバーの１部となって露呈して
いない状態でメッキが施され、メッキ後に形成がなされ
露呈せしめられるため、メッキ金属が付着することがな
い。したがって、マイグレーションの発生もなく、半導
体装置の信頼性の向上を図ることができる。

また、メッキに先立ちインナーリード先端部等のパター
ニングがなされているため、スクラップとなる不要部に
付着するメッキ金属も最小限に抑えることができ、コス
トの低減を図ることができる。さらに、メッキ後にイン
ナーリードの先端部の成形はなされないためメッキ面に
損傷を与えることもなく完成することが可能であり、ボ
ンディング性の低下を招くこともない。

ところで、半導体チップのポンディングパッドとインナ
ーリードの先端とか同一面上にくるようにし、ボンディ
ング性を高めるために、リードフレームにはデイプレス
加工が施されることが多い。

すなわち、リードフレームのダイパッドは、これを支え
るサポートバーを再度加圧しくデイプレス加工を施し）
、所定の角度（すなわちデイプレス角度）をなすように
曲げることにより、インナーリードのボンディング面よ
りも所定の高さだけ低い位置にくるように形成される。

このデイプレス加工工程と同時に前記タイバーの成形を
行なうようにすれば、デイプレス金型に少し変形を加え
るの、みて何ら付加工程を要することなく完成させるこ
とができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

まず、第１図（ａ）に示す如く、通常のプレス加工法に
よりリードフレームのパターンを形成する（ここで第２
図における部材と同一の部材には同一の符号を付した。

）。このとき、第１図（ｂ）に部分拡大説明図を示すよ
うに、タイバー１３′のダイパッド１１側の端縁ＤＬが
、インナーリード１２の貴金属メッキラインＭＬよりも
ダイパッド側にくるように幅広のタイバー１３′をもつ
形状とする。ここでＰＬはパッケージラインを示すもの
とする。またＵＬは後工程での打ち抜きラインを示す（
他は、従来例のものと全く同様である。）。

次いで、第１図（ｃ）に示す如く、テープ（図示せず）
を貼着することにより非メッキ領域を被覆した状態で銀
の無電解メッキ液に浸漬し銀メッキ層Ｇを形成する。

この後、第１図（ｄ）および第１図（ｅ＞に示す如く、
サポートバーを曲げ加工し、ダイパッドの而をインナー
リードの先端面より低く成形すると同時に、タイバーの
ダイパッド側の端縁を切除し通常の幅のタイバー１３と
なるような金型を用いてデイプレス加工を行なう。ここ
で第１図（ｅ）は、第１図（ｄ）のＡ−Ａ断面図である
。

このようにして形成されたり−トフレームは、第１図（
ｆ）に部分拡大説明図を示すようにマイグレーションの
発生しやすいパッケージラインＰＬ近傍のインナーリー
ド側面Ｓは銀メッキが付着することなく維持されている
ため、湿気の侵入によるマイグレーションの発生等もな
く信頼性の高いものとなっている。

また、スクラップとなる部分はタイバーの１部のみであ
るため、スクラップ部分に付着する貴金属もわずかとな
り、コストも低減される。

さらに、タイバーの成形はデイプレス加工と同一工程で
行なわれるため、何ら工程を付加することなく形成可能
である。

なお、実施例では、デイプレス加工と同時にタイバーの
成形を行なうようにしたが、必ずしも同一　　８　− 時に行なう必要はなく、ダイパッドが別に形成される方
式のものあるいは一体的に形成されていてもデイプレス
加工を行わないものについては、独立の工程でタイバー
の成形を行なえばよい。

また、タイバーを幅広に形成する範囲は、インナーリー
ド先端がタイバーと平行に延びるパッドの側面に位置す
る範囲内で良く、サイドバーの近傍では従来の幅と同様
にすれば良いが、全体について幅広にしてもよいことは
いうまでもない。

また、実施例では、プレス加工によってリードフレーム
のパターニングを行なう場合について説明したが、プレ
ス加工に限定されることなくエツチングによるパターニ
ングを行なった場合にも有効であることはいうまでもな
い。

さらに、ダイパッドおよびサポートバーの形状について
も実施例に限定されることなく適宜変更可能であり、例
えばダイパッドか４本のサポートバーによって支持せし
められているような形状をとることも可能である。

〔発明の効果〕

以」二説明してきたように、本発明の方法によれば、イ
ンナーリードの先端付近までくるようにタイバーを幅広
にしたリードフレームのパターンを形成し、インナーリ
ードの先端部への貴金属メッキを行なった後、タイバー
を所定幅まで成形するようにしているため、低価格でか
つ信頼性の高いリードフレームを提供することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至第１図（ｆ）は、本発明実施例のリー
ドフレームの製造工程を示す図、第２図は、従来例のリ
ードフレームを示す図、第３図は、従来の半導体装置の
実装例を示す図である。 １］・・ダイパ’ｙド、１２・　インナーリード、］３
・・タイバー、１４・・アウターリート、１５．１６・
サイドバー、１７・・・サポートバー、１・・リードフ
レーム、２・・・半導体チップ、３・・・ボンディング
ワイヤ、４・・・封止材料、ＰＬ・・・パッケージライ
ン、 ＭＬ・・・貴金属メッキライン、 ＤＬ・・・ダイパッドの端縁、 ＵＬ・・・後工程でのタイバーの打ち抜きライン。 のくへ、　　■ ＝　　茸二　　〇

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）先端部に貴金属メッキ層からなるボンディングエ
   リアを具えた複数のインナーリードと、インナーリード
   を一体的に連結するタイバーと、各インナーリードに連
   設せしめられ、タイバーの外方に伸長するアウターリー
   ドとを具えたリードフレームの製造方法において、 タイバーの内方の端縁がインナーリードの貴金属メッキ
   層形成予定部の端縁よりも内方にくるようにタイバーを
   幅広にしたリードフレームのパターンを形成する第１の
   工程と、 インナーリードの先端部に貴金属メッキ層を形成するメ
   ッキ工程と、 前記タイバーの内方の端縁が前記貴金属メッキ層の端縁
   の外方にくるようにタイバーの内縁を切除する第２の成
   形工程とを具備したことを特徴とするリードフレームの
   製造方法。
2. （２）半導体チップを搭載するダイパッドと、ダイパッ
   ドの周りに配設せしめられたインナーリードと、 インナーリードを一体的に連結するタイバーと各インナ
   ーリードに連設せしめられるアウターリードと、 ダイパッドを支持するサポードバーとを具えたリードフ
   レームの製造方法において、 タイバーの内方の端縁がインナーリードの貴金属メッキ
   層形成予定部の端縁よりも内方にくるようにタイバーを
   幅広にしたリードフレームのパターンを形成する第１の
   成形工程と、 インナーリードの先端部に貴金属メッキ層を形成するメ
   ッキ工程と、 前記サポートバーを所定の角度だけ曲げ加工すると同時
   に、 前記タイバーの内方の端縁が前記貴金属メッキ層の端縁
   の外方にくるようにタイバーの内縁を切除する第２の成
   形工程とを具えたことを特徴とするリードフレームの製
   造方法。