JPH01118115A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子Info
- Publication number
- JPH01118115A JPH01118115A JP23209088A JP23209088A JPH01118115A JP H01118115 A JPH01118115 A JP H01118115A JP 23209088 A JP23209088 A JP 23209088A JP 23209088 A JP23209088 A JP 23209088A JP H01118115 A JPH01118115 A JP H01118115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrochromic
- electron
- materials
- substance
- regions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 abstract description 7
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150114104 CROT gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004042 decolorization Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N molybdenum(IV) oxide Inorganic materials O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロクロミック表示素子に係シ、とくに
着消色動作時イオン伝導を伴わず分極による電荷を用い
小電流で高速表示のできるエレクトロクロミック表示素
子に関するものである。
着消色動作時イオン伝導を伴わず分極による電荷を用い
小電流で高速表示のできるエレクトロクロミック表示素
子に関するものである。
従来のエレクトロクロミンク素子では表示電極と対向1
に極の間にたとえばM極金属酸化物のエレクトロクロミ
ックj−とイオン導電層を設け、イオン伝導を行なわせ
、この電荷に相当する電子をエレクトロクロミック〜に
注入、放出して着消色表示が行なわれる。この部会、着
色辰示に約5mCβの電荷を要するため、駆動電流が過
大となるという欠点があった。この問題は高速アドレス
制御の際にはとくに著しくなる。また前述によシ着消色
動作時にイオン伝導が不可欠となるから、アドレス速度
がこれにより制約されるという欠点があった。
に極の間にたとえばM極金属酸化物のエレクトロクロミ
ックj−とイオン導電層を設け、イオン伝導を行なわせ
、この電荷に相当する電子をエレクトロクロミック〜に
注入、放出して着消色表示が行なわれる。この部会、着
色辰示に約5mCβの電荷を要するため、駆動電流が過
大となるという欠点があった。この問題は高速アドレス
制御の際にはとくに著しくなる。また前述によシ着消色
動作時にイオン伝導が不可欠となるから、アドレス速度
がこれにより制約されるという欠点があった。
本発明の目的は着消色時の駆動電流が小さくかつ高速ア
ドレス制御可能のエレクトロクロミック表示素子を提供
することである。
ドレス制御可能のエレクトロクロミック表示素子を提供
することである。
前記目的を達成するため、本発明のエレクトロクロミッ
ク表示素子は表示電極と対向電極の間にエレクトロクロ
ミック物質と電子供給物質とが対になって含まれ慝第1
の領域と電子ブロック性物質から成る第2の領域とを、
該第1の領域を多数の微小領域として第2の領域中に分
散させて成ることを特徴とするものである。
ク表示素子は表示電極と対向電極の間にエレクトロクロ
ミック物質と電子供給物質とが対になって含まれ慝第1
の領域と電子ブロック性物質から成る第2の領域とを、
該第1の領域を多数の微小領域として第2の領域中に分
散させて成ることを特徴とするものである。
以下実施例につき詳述する。
講1図(α) 、 (6)は本発明の実施例の構成を示
す説明図である。
す説明図である。
同図において、透明電極2と対向電極6の間に、Won
のような遷移金属酸化物よ構成るエレクトロクロミック
物質3′とInzOsのような電子供給物質4′とが対
になって含まれる微小粒子7を多数たとえば酸化シリコ
ンのような絶縁体よ構成る電子ブロック性物質5′内に
分散させた層を有する。
のような遷移金属酸化物よ構成るエレクトロクロミック
物質3′とInzOsのような電子供給物質4′とが対
になって含まれる微小粒子7を多数たとえば酸化シリコ
ンのような絶縁体よ構成る電子ブロック性物質5′内に
分散させた層を有する。
各微小粒子7における両物質5’、 4’の界面の方向
はランダムに形成されるから、これらの界面方向は少な
くとも画電極の方向と平向な成分が5oqlIは存在す
る。
はランダムに形成されるから、これらの界面方向は少な
くとも画電極の方向と平向な成分が5oqlIは存在す
る。
従って電極にたとえばDClooVの電圧を印加すると
、微小粒子7のエレクトロクロミック領域3’、!:。
、微小粒子7のエレクトロクロミック領域3’、!:。
電子供給領域4′において同図(6) K示すように分
極が生じる。
極が生じる。
この場合、エレクトロクロミック領域3′と電子供給層
イの位置関係に応じて着色する部分と着色しない部分が
生じる。すなわち、エレクトロクロきツク領域3′が電
子供給領域4′よシ■電極側にある場合には発色し、逆
の場合には発色しない。しかし、このような発色する領
域が多数存在すると素子は全体として着色する。各粒子
の寸法は5^程度から100A程度が望ましい。
イの位置関係に応じて着色する部分と着色しない部分が
生じる。すなわち、エレクトロクロきツク領域3′が電
子供給領域4′よシ■電極側にある場合には発色し、逆
の場合には発色しない。しかし、このような発色する領
域が多数存在すると素子は全体として着色する。各粒子
の寸法は5^程度から100A程度が望ましい。
素子の製造方法としては、蒸着、スパッタ、イオン・グ
レーティング等による多元の同時膜生成の方法を用いる
。″また同層(α) 、 (b)のようなエレクト、ロ
クロミンク物質3′と電子供給物質4′が対になってい
る粒子7を形成するためには次の2方法が用いられる。
レーティング等による多元の同時膜生成の方法を用いる
。″また同層(α) 、 (b)のようなエレクト、ロ
クロミンク物質3′と電子供給物質4′が対になってい
る粒子7を形成するためには次の2方法が用いられる。
#11の方法は電子ブロック性物質をデポジット(被着
)した、後エレクトロクロミック物質と電子供給物質と
の同時デポジットを行なう。そしてこれを多数回繰り返
す。
)した、後エレクトロクロミック物質と電子供給物質と
の同時デポジットを行なう。そしてこれを多数回繰り返
す。
第2の方法は電子ブロック性物質のデポジット後、エレ
クトロクロミック物質のデポジット、次いで電子供給物
質のデポジットを行なう。そしてこれを多数回繰9返す
。
クトロクロミック物質のデポジット、次いで電子供給物
質のデポジットを行なう。そしてこれを多数回繰9返す
。
上記第1.第2の方法のうち、とくに第2の方法はエレ
クトロクロミック物質と電子供給物質の位置関係に方向
性をもたせることができ、着色を有効に行なうことがで
きる。
クトロクロミック物質と電子供給物質の位置関係に方向
性をもたせることができ、着色を有効に行なうことがで
きる。
これらの方法を実施する場合、エレクトロクロミック物
質、電子供給物質の厚さをL1≦50にとし、電子ブロ
ック物質の厚さをL2≧2L、とすることが望ましい。
質、電子供給物質の厚さをL1≦50にとし、電子ブロ
ック物質の厚さをL2≧2L、とすることが望ましい。
この場合、エレクトロクロミック物質・電子供給物質を
粒子状にするための条件は、作成時の真空度、基板温度
、およびデポジット速度等である。
粒子状にするための条件は、作成時の真空度、基板温度
、およびデポジット速度等である。
たとえば、エレクトロクロミック物質・電子供給物質作
成時は10 Torr以下の低い真空度でデポジットす
るととくよ多粒子状になシ易く、これに対し電子ブロッ
ク物質は10 Torr以上の高い真空度でデポジット
することにょシ微細な粒子となり層状とすることができ
る。
成時は10 Torr以下の低い真空度でデポジットす
るととくよ多粒子状になシ易く、これに対し電子ブロッ
ク物質は10 Torr以上の高い真空度でデポジット
することにょシ微細な粒子となり層状とすることができ
る。
また、基板温度を電子ブロック物質の作成時は100℃
以下としエレクトロクロミック物質・電子供給物質の作
成時は100℃以上とすることにょ多粒子状になシ易い
。
以下としエレクトロクロミック物質・電子供給物質の作
成時は100℃以上とすることにょ多粒子状になシ易い
。
さらに、デポジット速度は速い方が初期状態において粒
子状Kfkシ易い。
子状Kfkシ易い。
上記実施例における電子ブロック性物質としては、たと
えば窒化シリコン、酸化シリコン、酸化タンタル、アル
ミナ等の通常の絶縁体または10”01以上の高抵抗の
半導体が用いられる。また電子供給物質としては、たと
えば金属またはI 320s eSnow 、遷移金属
酸化物等が用いられる。
えば窒化シリコン、酸化シリコン、酸化タンタル、アル
ミナ等の通常の絶縁体または10”01以上の高抵抗の
半導体が用いられる。また電子供給物質としては、たと
えば金属またはI 320s eSnow 、遷移金属
酸化物等が用いられる。
この場合、エレクトロクロミック物質もWO3等の遷移
金属酸化物が用いられるが、との両層の遷移金属酸化物
は酸化数を異ならせることが望ましい。すなわち、一方
が酸化数の高い金属酸化物を用いた時は他方は酸化数め
低い金属酸化物を用いる。
金属酸化物が用いられるが、との両層の遷移金属酸化物
は酸化数を異ならせることが望ましい。すなわち、一方
が酸化数の高い金属酸化物を用いた時は他方は酸化数め
低い金属酸化物を用いる。
ここで、酸化数の低い金属酸化物とは酸化(電子放出)
により高次の酸化物になるもの、酸化数の高い金属酸化
物とは還元(電子注入)により低次の酸化物になるもの
をいう。
により高次の酸化物になるもの、酸化数の高い金属酸化
物とは還元(電子注入)により低次の酸化物になるもの
をいう。
また、電子の引抜きにより宛色する物質、たとえばV2
O3、Won 、 C旬Os NiOs S30. P
bO* OsO* Ti(L Gazes * cal
o、 TbzOs + SiOs Ta0r FgOe
MOO2。
O3、Won 、 C旬Os NiOs S30. P
bO* OsO* Ti(L Gazes * cal
o、 TbzOs + SiOs Ta0r FgOe
MOO2。
CrOt MiOr UOz e Co Or Crz
Os等を電子供給層として用いると、エレクトロクロ
ミック層と関連して着色に増強または変化を与え極めて
有効である。
Os等を電子供給層として用いると、エレクトロクロ
ミック層と関連して着色に増強または変化を与え極めて
有効である。
以上説明したように、本発明によれば、電極間にエレク
トロクロミック物質から成る第1の領域と電子ブロック
性物質から成る第2の領域との界面を交互に多段に形成
するものである。すなわち、エレクトロクロミック物質
と電子供給物質が対となる第1の領域と第2の領域を、
第1の領域を微小粒子として第2の領域に分散する方法
で実現できる。
トロクロミック物質から成る第1の領域と電子ブロック
性物質から成る第2の領域との界面を交互に多段に形成
するものである。すなわち、エレクトロクロミック物質
と電子供給物質が対となる第1の領域と第2の領域を、
第1の領域を微小粒子として第2の領域に分散する方法
で実現できる。
これにより、着消色動作においてイオン伝導を伴わない
から駆動電流が小さくかつ高速表示機能が得られるもの
である。
から駆動電流が小さくかつ高速表示機能が得られるもの
である。
第1図(α) 、 (b)は本発明の他の実施例の構成
を示す説明図であり、図中1はカラス基板、2は透明電
極、3′はエレクトロクロミック物質、4′は電子供給
物質、5′は電子ブロック物質、6は対向117は微小
粒子を示す。
を示す説明図であり、図中1はカラス基板、2は透明電
極、3′はエレクトロクロミック物質、4′は電子供給
物質、5′は電子ブロック物質、6は対向117は微小
粒子を示す。
Claims (3)
- (1)表示電極と対向電極の間にエレクトロクロミック
物質と電子供給物質とが対になつて含まれる第1の領域
と電子ブロック性物質から成る第2の領域とを、該第1
の領域を多数の微小領域として第2の領域中に分散させ
て成ることを特徴とするエレクトロクロミック表示素子
。 - (2)前記電子供給物質が電子の引抜きにより発色する
物質を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のエレクトロクロミック表示素子。 - (3)前記エレクトロクロミック物質と電子供給物質が
その一方が酸化数の低い金属酸化物であり他方が酸化数
の高い金属酸化物であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のエレクトロクロミック表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23209088A JPH01118115A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23209088A JPH01118115A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56151567A Division JPS5854320A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01118115A true JPH01118115A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=16933844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23209088A Pending JPH01118115A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01118115A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100261203B1 (ko) * | 1991-09-04 | 2000-07-01 | 존 이.반 다인 | 굴절률 정합 구조체를 구비한 전기 발색 장치 |
JP2011100151A (ja) * | 1996-07-19 | 2011-05-19 | E Ink Corp | 電子的にアドレス指定可能なマイクロカプセル化されたインクおよびそのディスプレイ |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23209088A patent/JPH01118115A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100261203B1 (ko) * | 1991-09-04 | 2000-07-01 | 존 이.반 다인 | 굴절률 정합 구조체를 구비한 전기 발색 장치 |
JP2011100151A (ja) * | 1996-07-19 | 2011-05-19 | E Ink Corp | 電子的にアドレス指定可能なマイクロカプセル化されたインクおよびそのディスプレイ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4135790A (en) | Electrochromic element | |
JPS58163921A (ja) | 全固体型電気発色表示素子 | |
JPH01118115A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
CN114764205A (zh) | 显示面板及其制备方法、电子设备 | |
JPH0748399B2 (ja) | エレクトロルミネッセントセル | |
US4447133A (en) | Electrochromic device | |
US4390246A (en) | Electrochromic device by oblique evaporation to improve the response of coloration and bleaching | |
JPH0121484B2 (ja) | ||
JPS5917580A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JPS6011884A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JPS607466A (ja) | エレクトロクロミツク表示装置 | |
JPS61277927A (ja) | エレクトロクロミツク素子構造体 | |
JP2896278B2 (ja) | 透明導電膜およびその透明導電膜をスパッタリングするためのターゲット | |
JPS62115694A (ja) | 薄膜el素子 | |
KR100230441B1 (ko) | 가스 방전 표시소자 | |
JPS61145536A (ja) | エレクトロクロミツク表示素子 | |
JPS62156621A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JPS6011577A (ja) | 全固体エレクトロクロミツク表示素子 | |
JPH02287438A (ja) | 非線形抵抗素子 | |
JPS606981A (ja) | 固体エレクトロクロミツク表示素子 | |
JPS60260018A (ja) | 光シヤツタ素子及びその製造方法 | |
JPS60202419A (ja) | 光シヤツタ素子及びその製造方法 | |
JPH04269427A (ja) | ガス放電パネル | |
JPS61289329A (ja) | エレクトロクロミツクデイスプレイパネル | |
JPS62193203A (ja) | 電圧非直線性素子 |