JPH01106433A - Equipment for manufacturing semiconductor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
本発明は半導体製造装置、特に半導体ウェハを加熱して
、酸素ガスプラズマ等によりその加工処理をするダウン
ストリーム型の半導体製造装置に関し、
半導体ウェハの温度を間接的に測定することなく、直接
、半導体ウェハに感温部を接触させて。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, particularly downstream semiconductor manufacturing equipment that heats a semiconductor wafer and processes it using oxygen gas plasma, etc. By directly touching the temperature sensing part to the semiconductor wafer without directly measuring it.
その温度を測定しながら、その加工処理をすることを目
的とし、
ガスを導入してガスプラズマを発生するプラズマ発生部
と、ガスプラズマを導入して半導体ウェハを加工処理す
る加工処理容器と、半導体ウェハを支持する複数の支持
手段と、半導体ウェハを加熱する熱源とを具備する半導
体製造装置において、前記支持手段の少なくとも一つを
前記半導体ウェハの温度を測定するための感温支持手段
とすることを含み構成する。The purpose is to process semiconductor wafers while measuring their temperature. In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a plurality of support means for supporting a wafer and a heat source for heating the semiconductor wafer, at least one of the support means is a temperature-sensitive support means for measuring the temperature of the semiconductor wafer. Contains and composes.
［産業の利用分野］ 本発明は半導体ウェハはに関するものであり。[Field of industrial use] The present invention relates to semiconductor wafers.
更に詳しく言えば半導体ウェハを加熱して、酸素ガスプ
ラズマ等によりその加工処理をするダウンストリーム型
の半導体製造装置に関するものである。More specifically, the present invention relates to a downstream type semiconductor manufacturing apparatus that heats a semiconductor wafer and processes it using oxygen gas plasma or the like.
［従来の技術］ 第３図は従来例に係る説明図である。[Conventional technology] FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional example.
同図（ａ） 、 （ｂ）は、酸素を含むガスプラズマ
の下流に半導体ウェハを設置して、例えばレジスト膜等
を灰化するダウンストリーム型の酸素アッシング装置を
示している。Figures (a) and (b) show a downstream type oxygen ashing device in which a semiconductor wafer is placed downstream of a gas plasma containing oxygen, and a resist film or the like is ashed, for example.
同図（ａ）において、１ａは酸素アッシングされる半導
体ウェハ、２ａは加工容器、３ａはプラズマ発生部、４
は半導体ウェハｌａを支える支持ピン、５は半導体ウェ
ハ１ａを加熱する加熱用赤外ランプ等、６はプラズマ化
されるガスであり。In the same figure (a), 1a is a semiconductor wafer subjected to oxygen ashing, 2a is a processing container, 3a is a plasma generation part, 4
5 is a heating infrared lamp for heating the semiconductor wafer 1a, and 6 is a gas to be turned into plasma.
酸素や窒素等であり、６ａは０２／Ｎ２ガスプラズマで
ある。Oxygen, nitrogen, etc., and 6a is 02/N2 gas plasma.
また、７は赤外温度計であり、半導体ウェハｌａの加熱
温度を測定するために加工処理容器２ａに設けられてい
る。Further, 7 is an infrared thermometer, which is provided in the processing container 2a to measure the heating temperature of the semiconductor wafer la.
なお、８は排気ガスである。また半導体ウェハｌａは、
支持ピン４により空間に保持されているので裏面のアッ
シングもすることができる。Note that 8 is exhaust gas. In addition, the semiconductor wafer la is
Since it is held in space by the support pin 4, the back surface can also be ashed.
同図（ｂ）は、半導体ウェハｌａを加熱する熱源にホッ
トプレート９を用いた酸素アッシング装置である６図に
おいて、ｌｂは半導体ウェハ。FIG. 6B shows an oxygen ashing apparatus using a hot plate 9 as a heat source for heating a semiconductor wafer la. In FIG. 6, lb is a semiconductor wafer.
２ｂは加工処理容器、３ｂはプラズマ発生部、９はホッ
トプレートである。なお、１０は熱電対であり、半導体
ウェハｉｂの加熱温度を測定するためにホットプレート
９に埋込まれている。2b is a processing container, 3b is a plasma generating section, and 9 is a hot plate. Note that 10 is a thermocouple, which is embedded in the hot plate 9 to measure the heating temperature of the semiconductor wafer ib.
同図（Ｃ）は、酸素アッシングする半導体ウェハ１ａの
断面図であり、図においてＩＣはＳｉ基板、ｌｄは５ｉ
０２膜、ｌｅはレジス膜、ｉｆはアルミ配線、５ａは加
熱用赤外ランプ等５により輻射される熱流、６ａは０２
／Ｎ２ガスプラズマである。Figure (C) is a cross-sectional view of the semiconductor wafer 1a subjected to oxygen ashing. In the figure, IC is a Si substrate, and ld is a 5i
02 film, le is the resist film, if is the aluminum wiring, 5a is the heat flow radiated by the heating infrared lamp etc. 5, 6a is the 02
/N2 gas plasma.
また、アッシング時の半導体ウェハｌａの温度は、例え
ばアルミ配線１ｆを形成するために用いたレジスト膜１
ｅを灰化する場合、１５０〜３００℃程度まで加熱する
。Furthermore, the temperature of the semiconductor wafer la during ashing is, for example, the temperature of the resist film 1 used to form the aluminum wiring 1f.
When e is incinerated, it is heated to about 150 to 300°C.
なお、半導体ウェハｌａの温度は、アッシング速度や、
レジストＷ１１ｅの７ツシングによるアルミ配線１ｆの
アルミのグレインの変化および素子に悪影響を及ぼすレ
ジストなどからの重金属汚染等を左右する重要因子とな
っている。このため正確な温度制御が要求される。Note that the temperature of the semiconductor wafer la depends on the ashing rate,
This is an important factor that influences changes in the aluminum grain of the aluminum wiring 1f due to the 7th shinging of the resist W11e and heavy metal contamination from the resist etc. that adversely affects the element. For this reason, accurate temperature control is required.
［発明が解決しようとする問題点］
ところで従来例によれば、第４図（ａ）のように加工処
理容量２ａに設けた赤外温度計７や、同図（ｂ）のよう
にホットプレート９内に埋込んだ熱電対ｌＯにより半導
体ウェハｌａ、ｌｂの加熱温度を測定している。[Problems to be Solved by the Invention] According to the conventional example, the infrared thermometer 7 installed in the processing capacity 2a as shown in FIG. 4(a) or the hot plate as shown in FIG. 4(b) The heating temperature of the semiconductor wafers la and lb is measured by a thermocouple lO embedded in the wafer 9.
このため、赤外温度計７の場合には同図（ｃ）のような
半導体ウェハ１ａのアルミ配線ｉｆの有無や、５ｉＯｚ
ｌｔ５！ ｌ ｄの厚さ等のパターン密度により、真の
赤外線の放射量を検知できない、またホットプレート９
に埋め込まれた熱電対ｌＯの場合には、該ホットプレー
ト９の温度は正確に測定できるが、ホットプレート９と
半導体ウェハとの間の熱伝導度の影響により、真の半導
体ウェハｌｂの温度を測定できない。For this reason, in the case of the infrared thermometer 7, the presence or absence of the aluminum wiring if of the semiconductor wafer 1a as shown in FIG.
lt5! The amount of true infrared radiation cannot be detected due to the pattern density such as the thickness of the hot plate 9.
In the case of a thermocouple lO embedded in the hot plate 9, the temperature of the hot plate 9 can be accurately measured, but due to the effect of thermal conductivity between the hot plate 9 and the semiconductor wafer, the true temperature of the semiconductor wafer lb cannot be measured Cannot be measured.
すなわち、両者共に間接的に半導体ウェハｌａ、ｌｂの
温度を測定しているため半導体ウェハ内に生じた反射熱
等による温度上昇を正確に測定することができないとい
う問題がある。That is, since both methods indirectly measure the temperature of the semiconductor wafers la and lb, there is a problem in that the temperature rise due to reflected heat generated within the semiconductor wafer cannot be accurately measured.
本発明はかかる問題に鑑みて創作されたものであり、半
導体ウェハの温度を間接的に測定することなく、直接半
導体ウェハに感温部を接触させて、その温度を測定しな
がらその加工処理をすることを可能とする半導体製造装
置の提供を目的とする。The present invention was created in view of this problem, and it does not indirectly measure the temperature of the semiconductor wafer, but directly contacts the semiconductor wafer with a temperature sensing part, and processes the semiconductor wafer while measuring its temperature. The purpose of the present invention is to provide semiconductor manufacturing equipment that enables the following.
［問題点を解決するための手段］
本発明の半導体製造装置はその一実施例を第１，２１１
に示すように、ガスｌｅａを導入してガスプラズマ１６
ｂを発生するプラズマ発生部ｌ３と、ガスプラズマ１θ
ｂを導入して半導体ウェハ１１を加工処理する加工処理
容器１２と、半導体ウェハ１１を支持する複数の支持手
段１４と、半導体ウェハ１１を加熱する熱源１５とを具
備する半導体製造装置において、前記支持手段１４の少
なくとも一つを前記半導体ウェハ１１の温度を測定する
ための感温支持手段１４ａとすることを特徴とし上記目
的を達成する。[Means for Solving the Problems] The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention has an embodiment as shown in No. 1,211.
As shown in FIG.
a plasma generating part l3 that generates b, and a gas plasma 1θ
A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a processing container 12 for processing a semiconductor wafer 11 by introducing a semiconductor wafer 11; a plurality of support means 14 for supporting the semiconductor wafer 11; and a heat source 15 for heating the semiconductor wafer 11. The above object is achieved by at least one of the means 14 being a temperature-sensitive support means 14a for measuring the temperature of the semiconductor wafer 11.
［作用］
本発明によれば、半導体ウェハを支持する支持手段の一
つを感温支持手段としているので、直接、該半導体ウェ
ハに感温部を接触させることが可能となる。これにより
、従来の赤外温度計やホットプレート内の熱電対のよう
な間接的に半導体ウェハの温度を測定しながらその加工
処理をすることなく、真の半導体ウェハの温度を測定し
ながら、その加工処理をすることが可能となる。[Operation] According to the present invention, since one of the supporting means for supporting the semiconductor wafer is the temperature-sensitive support means, it is possible to bring the temperature-sensitive portion into direct contact with the semiconductor wafer. This makes it possible to measure the true semiconductor wafer temperature without having to process it while indirectly measuring the temperature of the semiconductor wafer, such as with conventional infrared thermometers or thermocouples in hot plates. Processing becomes possible.
［実施例］
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の実施例に係る半導体製造装置であり、
ダウンストリーム型の酸素アッシング装置を示している
。FIG. 1 shows a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention,
A downstream type oxygen ashing device is shown.
図において、１１は酸素アッシングされる半導体ウェハ
であり、所定工程を得て不要となった不図示のレジスト
１＆！等を有している。なおこのレジス）ＩＦＪ等がｉ
ｌＶ＃素アッシングされて、灰化され除去される。１２
は半導体ウェハ１１を加工処理するための加工処理容器
である。In the figure, 11 is a semiconductor wafer subjected to oxygen ashing, and a resist 1 &! etc. Note that this Regis) IFJ etc.
lV# bare ash to be ashed and removed. 12
is a processing container for processing the semiconductor wafer 11.
１３はプラズマ発生部であり、２．４５ＧＴｏのル波、
出力９００Ｗ程度である。１４は半導体ウェハ【ｌを支
持する支持手段であり、例えば、先端を針状にした支持
ピン等である。なお、その支持方法は、三本以上のアル
ミやステンレス等の支持ピンにより半導体ウェハ１１を
支持して行う。13 is a plasma generation part, which generates 2.45 GTo waves,
The output is about 900W. Reference numeral 14 denotes a support means for supporting the semiconductor wafer [l, such as a support pin having a needle-like tip. Note that the supporting method is performed by supporting the semiconductor wafer 11 with three or more support pins made of aluminum, stainless steel, or the like.
１５は半導体ウェハ１１の温度を上昇させる熱源であり
、加熱用赤外ランプである。15 is a heat source for increasing the temperature of the semiconductor wafer 11, and is an infrared heating lamp.
１６ａはプラズマ化される酸素（０２）や窒素（Ｎ２）
等の混合ガスである。なおその組成比は（Ｎ２ ／ （
０２＋Ｎ２ ））＝Ｏ，ｌである。また、１６ｂ ｒ＊
ｏ２／ Ｎ２ 、０２ ／Ｎ２０ カスプラズマであ
り、その圧力はｌ”４Ｔｏｒｒ、発生量は１０立／ ｍ
ｉ ｍである。なお１６ｃは排気ガスである。16a is oxygen (02) and nitrogen (N2) that are turned into plasma
It is a mixed gas such as The composition ratio is (N2/(
02+N2))=O,l. Also, 16b r*
o2/N2, 02/N20 gas plasma, its pressure is 1”4 Torr, and the amount generated is 10 cubic meters/m
I am. Note that 16c is exhaust gas.
同図（ｂ）は半導体ウェハ１１を支持する支持手段１４
を拡大した斜視図である０図において三本の支持手段１
４のうち、１４ａは半導体ウェハ１１の温度を測定する
ための感温支持手段であり、半導体ウェハ１１に直接、
接触して支持している。なお１７はセラミック等により
形成される支持手段１４を固定するホルダーである。The figure (b) shows the support means 14 that supports the semiconductor wafer 11.
In Figure 0, which is an enlarged perspective view of
4, 14a is a temperature-sensitive support means for measuring the temperature of the semiconductor wafer 11, and 14a is a temperature-sensitive support means for measuring the temperature of the semiconductor wafer 11.
Contact and support. Note that 17 is a holder for fixing the support means 14 made of ceramic or the like.
第２図は本発明の実施例に係る感温支持手段１４ａを説
明する断面図である。FIG. 2 is a sectional view illustrating the temperature-sensitive support means 14a according to the embodiment of the present invention.
同図（ａ）は感温支持手段１４ａに熱電対１４ａを用い
た例を示している０図において、破線円で示した熱電対
４１ａの感温部４１ｃは半導体ウェハ１１にその先端を
突き刺している。なお、４１ｂは熱電対により発生され
る熱起電力により温度を表示する温度表示部である。ま
た熱電対４１ａは、アルメル／クロメル合金（通称ＣＡ
熱電対）を接点溶接により構成し、室温から８００℃の
測定範囲を有している。FIG. 1A shows an example in which a thermocouple 14a is used as the temperature-sensing support means 14a. In FIG. There is. Note that 41b is a temperature display section that displays the temperature using thermoelectromotive force generated by a thermocouple. Further, the thermocouple 41a is made of alumel/chromel alloy (commonly known as CA
The thermocouple is constructed by contact welding, and has a measurement range from room temperature to 800°C.
同図（ｂ）は感温支持手段１４ａに光学系のグラスファ
イバー４２ａを用いた例を示している０図において破線
円で示した光学系のグラスファイバー４２ａの感温部４
２ｅは温度によって蛍光強度が変わる蛍光物ｆｉ４２ａ
を介して半導体ウェハ１１に接触している。なお４２ｂ
は温度表示部であり、温度表示部４２ｂより発射される
光４２ｂが半導体ウェハ１１の温度上昇により蛍光物質
４２ｃの蛍光強度を変化させ、その反射光に対応する温
度を表示する。The same figure (b) shows an example in which the glass fiber 42a of the optical system is used as the temperature-sensitive support means 14a.
2e is a fluorescent material fi42a whose fluorescence intensity changes depending on the temperature.
It is in contact with the semiconductor wafer 11 via. Furthermore, 42b
is a temperature display section, in which light 42b emitted from the temperature display section 42b changes the fluorescence intensity of the fluorescent substance 42c as the temperature of the semiconductor wafer 11 rises, and displays the temperature corresponding to the reflected light.
同図（Ｃ１）、（Ｃ２）は、本発明の実施例に係る半導
体ウェハ１１の温度測定と、従来のその測定とを比較す
るための本発明の詳細な説明する図である０図において
横軸は時間ｔ ［ｓｅｃ］を示し、縦軸は半導体ウェハ
１１の温度Ｔ［’（３］ を示している。Figures (C1) and (C2) are horizontal views in Figure 0, which are diagrams illustrating the present invention in detail for comparing the temperature measurement of the semiconductor wafer 11 according to the embodiment of the present invention and the conventional measurement. The axis indicates time t[sec], and the vertical axis indicates temperature T['(3]) of the semiconductor wafer 11.
同図（Ｃ１）は、従来の赤外温度計の温度測定方法によ
る温度特性曲線を示し、同図（Ｃ２）は本発明の実施例
による感温支持手段１４ａに熱電対４１ａを用いた温度
特性曲線を示している。なお、両者の初期条件として半
導体ウェハ１１の真の温度Ｔを２００℃となるようにす
る。このときの熱電対（４１ａ）の温度表示部４２ｂの
表示Ｔ ＝ ２００℃を正しいものと仮定する。また赤
外温度計の表示を真の温度Ｔ ＝ ２００℃となるよう
に校正する。The same figure (C1) shows the temperature characteristic curve by the temperature measuring method of the conventional infrared thermometer, and the same figure (C2) shows the temperature characteristic curve using the thermocouple 41a as the temperature-sensitive support means 14a according to the embodiment of the present invention. It shows a curve. Note that as an initial condition for both, the true temperature T of the semiconductor wafer 11 is set to 200°C. It is assumed that the display T = 200° C. on the temperature display section 42b of the thermocouple (41a) at this time is correct. Also, calibrate the display of the infrared thermometer so that the true temperature T = 200°C.
ここで、酸素アッシングにより半導体ウェハ１１のレジ
ストをアッシングする。なおｔｌはそのアッシング時間
、ｊｃｔ３は加熱を止めて半導体ウェハ１１を放置する
放置時間であり、Ｔ１は酸素アッシング（化学反応）に
よる温度上昇部分であり、Ｔ２は任意の時刻ｔ２におけ
る温度差を示している。Here, the resist on the semiconductor wafer 11 is ashed by oxygen ashing. Note that tl is the ashing time, jct3 is the leaving time for stopping the heating and leaving the semiconductor wafer 11, T1 is the temperature increase part due to oxygen ashing (chemical reaction), and T2 is the temperature difference at an arbitrary time t2. ing.
この温度差Ｔ２は、レジストがなくなったことにより、
ウェハーから出る赤外線がレジストに吸収されなくなる
為に生ずる誤差と考えられる。半導体ウェハ１１の酸化
膜やアルミ配線等により赤外線の放射量がその被覆面積
によって変化するため、赤外温度計を使う場合はその初
期設定を半導体（７）パターンの種類ごとに変えなくて
はならない、これにより従来の赤外温度計による半導体
ウェハの温度を加熱しながら加工処理をすることは妥当
ではない。This temperature difference T2 is due to the disappearance of the resist.
This error is thought to be caused by infrared rays emitted from the wafer being no longer absorbed by the resist. Since the amount of infrared radiation emitted by the oxide film, aluminum wiring, etc. of the semiconductor wafer 11 changes depending on the covered area, when using an infrared thermometer, the initial setting must be changed for each type of semiconductor (7) pattern. Therefore, it is not appropriate to process the semiconductor wafer while heating it using a conventional infrared thermometer.
このようにして、半導体ウェハ１１を支持する支持手段
１４の一つを感温支持手段１４ａとしているので、直接
半導体ウェハ１１に感温部１４ａや４２ｅを接触させる
ことが可能となる。これにより、従来の赤外温度計やホ
ットプレート内の熱電対のように間接的に半導体ウェハ
１１の温度を測定しながらその加工処理をすることなく
、真の半導体ウェハ１１の温度を測定しながら、その加
工処理をすることが可能となる。In this way, since one of the support means 14 that supports the semiconductor wafer 11 is the temperature-sensitive support means 14a, it becomes possible to bring the temperature-sensing parts 14a and 42e into direct contact with the semiconductor wafer 11. As a result, it is possible to measure the true temperature of the semiconductor wafer 11 without indirectly measuring the temperature of the semiconductor wafer 11 and processing it like a conventional infrared thermometer or thermocouple inside a hot plate. , it becomes possible to process it.
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハの温
度制御を正確にすることができる。このためレジスト膜
等のアッシング速度や、そのアッシングにより半導体等
への汚染の程度を正確に制御しながら加工処理をするこ
とが可能となる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to accurately control the temperature of a semiconductor wafer. Therefore, processing can be performed while accurately controlling the ashing speed of the resist film and the like and the degree of contamination of the semiconductor and the like due to the ashing.
第１図は本発明の実施例に係る半導体製造装置の説明図
。
第２図は本発明の実施例に係る説明図、第３図は従来例
に係る説明図である。
（符号の説明）
ｌａ、ｌｂ、１１・・・半導体ウェハ。
２ａ、２ｂ、１２・・・加工処理容器、３ａ、３ｂ、１
３・・・プラズマ発生部、４．１４・・・支持手段（支
持ピン）、−５，１５・・・熱源（加熱用赤外ランプ等
）、６．１６ａ・・・ガス、
６ ａ 、 １６ ｂ・−０２／ Ｎ２ 、０２ ／
８２０ガスプラズマ。
７・・・赤外温度計、
８．１６ｃ・・・排気ガス、
９・・・ホットプレート、
１０．４１ａ・・・熱電対、
ｌｃ・・・Ｓｉ基板、
ｌｄ・・・５ｉＯｚ膜、
１ｅ・・・レジスト膜、
Ｉｆ・・・アルミ配線、
５ａ・・・熱源、
１４ａ・・・感温支持手段、
１７・・・ホルダー。
４２ａ・・・光学系のグラスファイバー、４Ｌｃ、４２
ｅ・−・感温部、
４１ｂ、４２ｂ・・・温度表示部、
４２ｃ・・・蛍光物質。
４２ｄ・・・光、
ｔｌ・・・アッシング時間、
ｊｏｏ・・・放置時間、
Ｔ１・・・アッシングによる温度上昇、Ｔ２・・・温度
差。
（ａ）
（Ｃ２）
；季ζ〉Ｒさヨ月）グ丁りてメギ２４句ンリ１てイ３ミ
Ｓあ明図第２図 （軸２）
（ｂン
ｒ、を米を１１で（そる説日月図
第３図（÷の１）
５８稀瓶
（Ｃ） −
従序イ四１り糸る貌朋図
郊 ３ 図（その２）FIG. 1 is an explanatory diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional example. (Explanation of symbols) la, lb, 11... semiconductor wafer. 2a, 2b, 12...processing container, 3a, 3b, 1
3... Plasma generation part, 4.14... Support means (support pin), -5, 15... Heat source (heating infrared lamp, etc.), 6.16a... Gas, 6 a, 16 b・-02/N2,02/
820 gas plasma. 7... Infrared thermometer, 8.16c... Exhaust gas, 9... Hot plate, 10.41a... Thermocouple, lc... Si substrate, ld... 5iOz film, 1e. ...Resist film, If...Aluminum wiring, 5a...Heat source, 14a...Temperature-sensitive support means, 17...Holder. 42a...glass fiber of optical system, 4Lc, 42
e---Temperature sensing part, 41b, 42b...Temperature display part, 42c...Fluorescent material. 42d...Light, tl...Ashing time, joo...Leaving time, T1...Temperature rise due to ashing, T2...Temperature difference. (a) (C2) ; Season ζ〉R Sayo month) Dice the barberry and cut the rice into 11 pieces (Axis 2) Figure 3 (÷ no 1) 58 Rare bottle (C) - Jujo I 41 Riitoru Geho Zuko Figure 3 (Part 2)
Claims (2)
）を発生するプラズマ発生部（１３）と、ガスプラズマ
（１６ｂ）を導入して半導体ウェハ（１１）を加工処理
する加工処理容器（１２）と、半導体ウェハ（１１）を
支持する複数の支持手段（１４）と、半導体ウェハ（１
１）を加熱する熱源（１５）とを具備する半導体製造装
置において、 前記支持手段（１４）の少なくとも一つを前記半導体ウ
ェハ（１１）の温度を測定するための感温支持手段（１
４ａ）とすることを特徴とする半導体製造装置。(1) Introducing gas (16a) and gas plasma (16b)
), a processing container (12) for processing the semiconductor wafer (11) by introducing gas plasma (16b), and a plurality of support means for supporting the semiconductor wafer (11). (14) and a semiconductor wafer (1
1), wherein at least one of the support means (14) is connected to a temperature-sensitive support means (1) for measuring the temperature of the semiconductor wafer (11).
4a) A semiconductor manufacturing apparatus characterized by:
や光学系のグラスファイバー（４２ａ）であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載する半導体製造装
置。(2) The temperature-sensitive support means (14a) is a thermocouple (41a)
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is a glass fiber (42a) of an optical system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26413387A JPH01106433A (en) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | Equipment for manufacturing semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26413387A JPH01106433A (en) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | Equipment for manufacturing semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106433A true JPH01106433A (en) | 1989-04-24 |
Family
ID=17398918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26413387A Pending JPH01106433A (en) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | Equipment for manufacturing semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106433A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011135097A (en) * | 2000-04-11 | 2011-07-07 | Applied Materials Inc | Correction of wafer temperature drift in plasma reactor based on continuous wafer temperature measurement using in-situ wafer temperature optical probe |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP26413387A patent/JPH01106433A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011135097A (en) * | 2000-04-11 | 2011-07-07 | Applied Materials Inc | Correction of wafer temperature drift in plasma reactor based on continuous wafer temperature measurement using in-situ wafer temperature optical probe |
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