JPH0981908A - 薄膜磁気ヘッドチップの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドチップの製造方法Info
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- JPH0981908A JPH0981908A JP7260839A JP26083995A JPH0981908A JP H0981908 A JPH0981908 A JP H0981908A JP 7260839 A JP7260839 A JP 7260839A JP 26083995 A JP26083995 A JP 26083995A JP H0981908 A JPH0981908 A JP H0981908A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 導通下地膜除去工程で、ギャップ部やギャッ
プ材の被傷害がなく、製造工程が簡単な薄膜磁気ヘッド
チップの製造方法を得る。 【解決手段】 コイル部導体層８Ａの電解メッキ後にフ
ォトレジストフレーム７Ａを除去した後、ギャップ部３
Ａに積層された前記導通下地膜６Ａをギャップ部保護層
９Ａで部分的に覆う工程と、ギャップ部保護層９Ａ以外
の導通下地膜６Ａをエッチング法で除去してコイル部導
体層８Ａを完成する工程と、ギャップ部保護層９Ａを除
去して露呈したギャップ部導通下地膜６ａ以外の部分を
一時的にレジスト保護層１０で被覆する工程と、ウエッ
トエッチング法によりギャップ部導通下地膜６Ａを除去
した後に同レジスト保護層１０を取り除く工程と、第１
絶縁層５Ａ及びコイル部導体層８Ａの表面を第２絶縁層
１１Ａで被覆する工程と、第２絶縁層１１Ａの一部に上
部磁極層１２Ａを積層する工程とを備えた。
プ材の被傷害がなく、製造工程が簡単な薄膜磁気ヘッド
チップの製造方法を得る。 【解決手段】 コイル部導体層８Ａの電解メッキ後にフ
ォトレジストフレーム７Ａを除去した後、ギャップ部３
Ａに積層された前記導通下地膜６Ａをギャップ部保護層
９Ａで部分的に覆う工程と、ギャップ部保護層９Ａ以外
の導通下地膜６Ａをエッチング法で除去してコイル部導
体層８Ａを完成する工程と、ギャップ部保護層９Ａを除
去して露呈したギャップ部導通下地膜６ａ以外の部分を
一時的にレジスト保護層１０で被覆する工程と、ウエッ
トエッチング法によりギャップ部導通下地膜６Ａを除去
した後に同レジスト保護層１０を取り除く工程と、第１
絶縁層５Ａ及びコイル部導体層８Ａの表面を第２絶縁層
１１Ａで被覆する工程と、第２絶縁層１１Ａの一部に上
部磁極層１２Ａを積層する工程とを備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばハードディス
クドライブ装置等に用いる磁気ヘッドに関し、特に、薄
膜形成法により製造される磁気ヘッドチップの製造方法
に関する。
クドライブ装置等に用いる磁気ヘッドに関し、特に、薄
膜形成法により製造される磁気ヘッドチップの製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、図１５に示すようなハー
ドディスクドライブ装置の磁気ヘッドにおいては、耐摩
耗性材料から構成されるスライダＡの端部に形成される
薄膜磁気ヘッドチップＢが用いられるが、この薄膜磁気
ヘッドチップＢの渦巻き状コイル導体Ｃは、電解メッキ
フレーム法で製造されるのが普通である。
ドディスクドライブ装置の磁気ヘッドにおいては、耐摩
耗性材料から構成されるスライダＡの端部に形成される
薄膜磁気ヘッドチップＢが用いられるが、この薄膜磁気
ヘッドチップＢの渦巻き状コイル導体Ｃは、電解メッキ
フレーム法で製造されるのが普通である。
【０００３】即ち、図１６から図１９は従来の薄膜磁気
ヘッドチップの製造方法を示し、ウエハー基板１の表面
には、図１６に示すように、磁気コアとなる下部磁極層
２が部分的に積層され、同下部磁極層２の一部にはギャ
ップ部３が形成された後、ギャップ部３以外の下部磁極
層２及びウエハー基板１の表面は磁極短絡用スルーホー
ル４を残して第１絶縁層５で覆われる。そして、ウエハ
ー基板１の表面全体に電解メッキ用導通下地膜６が形成
され、同導通下地膜６の表面に渦状スロット７ａをもつ
フォトレジストフレーム７がフォトレジスト法等で積層
される。
ヘッドチップの製造方法を示し、ウエハー基板１の表面
には、図１６に示すように、磁気コアとなる下部磁極層
２が部分的に積層され、同下部磁極層２の一部にはギャ
ップ部３が形成された後、ギャップ部３以外の下部磁極
層２及びウエハー基板１の表面は磁極短絡用スルーホー
ル４を残して第１絶縁層５で覆われる。そして、ウエハ
ー基板１の表面全体に電解メッキ用導通下地膜６が形成
され、同導通下地膜６の表面に渦状スロット７ａをもつ
フォトレジストフレーム７がフォトレジスト法等で積層
される。
【０００４】この後、図１７の電解メッキ工程では、Ｃ
ｕのコイル部導体層８が前記渦状スロット７ａに電解メ
ッキされた後、図１８に示すように、有機溶剤を用いて
フォトレジストフレーム７が除去されるが、この状態で
は、コイル部導体層８が機能しないために、従来では、
図１９に示すように、イオンミリング法を用いてコイル
部導体層８以外の導通下地膜６が取り除かれる。
ｕのコイル部導体層８が前記渦状スロット７ａに電解メ
ッキされた後、図１８に示すように、有機溶剤を用いて
フォトレジストフレーム７が除去されるが、この状態で
は、コイル部導体層８が機能しないために、従来では、
図１９に示すように、イオンミリング法を用いてコイル
部導体層８以外の導通下地膜６が取り除かれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の導通下地膜除去工程では、イオンミリン
グ法を用いて導通下地膜６を完全に除去する必要がある
ので、同工程では、下部磁極層２の一部までも除去され
てしまうことがある。つまり、イオンミリング法による
イオン粒子の衝突により下部磁極層２の表面荒さが増加
すると、後続の上部磁極層の成膜時に、磁極層の配向性
や結晶粒径に悪影響が生じ、また、同下部磁極層２の表
面にギャップ材が積層されている場合には、同ギャップ
材が侵食され、均一な厚みのギャップを形成できなくな
り、製品の信頼性を維持できなくなる問題があった。
たような従来の導通下地膜除去工程では、イオンミリン
グ法を用いて導通下地膜６を完全に除去する必要がある
ので、同工程では、下部磁極層２の一部までも除去され
てしまうことがある。つまり、イオンミリング法による
イオン粒子の衝突により下部磁極層２の表面荒さが増加
すると、後続の上部磁極層の成膜時に、磁極層の配向性
や結晶粒径に悪影響が生じ、また、同下部磁極層２の表
面にギャップ材が積層されている場合には、同ギャップ
材が侵食され、均一な厚みのギャップを形成できなくな
り、製品の信頼性を維持できなくなる問題があった。
【０００６】本発明の目的は、以上に述べたような従来
の薄膜磁気ヘッドチップの製造方法の問題に鑑み、導通
下地膜除去工程で、ギャップ部やギャップ材が傷害され
ることがなく、製造工程が比較的簡単な薄膜磁気ヘッド
チップの製造方法を得るにある。
の薄膜磁気ヘッドチップの製造方法の問題に鑑み、導通
下地膜除去工程で、ギャップ部やギャップ材が傷害され
ることがなく、製造工程が比較的簡単な薄膜磁気ヘッド
チップの製造方法を得るにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面目的とする形状の第
１絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第１絶縁層
の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により導
通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成し、
前記ギャップ部及び前記第１絶縁層の表面の不必要な導
通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おいて、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォトレ
ジストフレームを除去した後、前記ギャップ部に積層さ
れた前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に覆う
工程と、この工程の後、ギャップ部保護層以外の前記導
通下地膜をエッチング法で除去してコイル部導体層を完
成する工程と、前記ギャップ部保護層を除去して露呈し
たギャップ部導通下地膜以外の部分を一時的にレジスト
保護層で被覆する工程と、ウエットエッチング法により
ギャップ部導通下地膜を除去した後に同レジスト保護層
を取り除く工程と、前記第１絶縁層及びコイル部導体層
の表面を第２絶縁層で被覆する工程と、前記第２絶縁層
の一部に上部磁極層を積層する工程とを備える薄膜磁気
ヘッドチップの製造方法を提案するものである。
め、本発明は、ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面目的とする形状の第
１絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第１絶縁層
の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により導
通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成し、
前記ギャップ部及び前記第１絶縁層の表面の不必要な導
通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おいて、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォトレ
ジストフレームを除去した後、前記ギャップ部に積層さ
れた前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に覆う
工程と、この工程の後、ギャップ部保護層以外の前記導
通下地膜をエッチング法で除去してコイル部導体層を完
成する工程と、前記ギャップ部保護層を除去して露呈し
たギャップ部導通下地膜以外の部分を一時的にレジスト
保護層で被覆する工程と、ウエットエッチング法により
ギャップ部導通下地膜を除去した後に同レジスト保護層
を取り除く工程と、前記第１絶縁層及びコイル部導体層
の表面を第２絶縁層で被覆する工程と、前記第２絶縁層
の一部に上部磁極層を積層する工程とを備える薄膜磁気
ヘッドチップの製造方法を提案するものである。
【０００８】また、後述する本発明の好ましい実施例に
おいては、ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層した
後、同下部磁極層の端部にギャップ部を形成して下部磁
極層及びウエハー基板の表面を第１絶縁層で覆い、前記
ギャップ部及び前記第１絶縁層の表面に導通下地膜を形
成して電解フレーム法により導通下地膜の表面に渦巻き
状のコイル部導体層を形成し、前記ギャップ部及び前記
第１絶縁層の表面の不必要な導通下地膜を除去する薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法において、前記コイル部導
体層の電解メッキ後にフォトレジストフレームを除去し
かつ前記ギャップ部に積層された前記導通下地膜をギャ
ップ部保護層で部分的に覆う工程と、ギャップ部保護層
以外の前記導通下地膜をエッチング法で除去してコイル
部導体層を完成する工程と、前記ギャップ部保護層を取
り除いて前記コイル部導体層の表面を第２絶縁層で被覆
する工程と、前記ギャップ部保護層の除去により露呈し
たギャップ部導通下地膜以外の表面を保護層で被覆して
ウエットエッチング法により前記ギャップ部導通下地膜
を除去する工程と、前記保護層の除去の後、前記第２絶
縁層の一部に上部磁極層を積層する工程とを備える薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法も説明される。また、本発
明の利点は、これらの薄膜磁気ヘッドチップの製造方法
により得られた磁気ヘッドにもある。
おいては、ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層した
後、同下部磁極層の端部にギャップ部を形成して下部磁
極層及びウエハー基板の表面を第１絶縁層で覆い、前記
ギャップ部及び前記第１絶縁層の表面に導通下地膜を形
成して電解フレーム法により導通下地膜の表面に渦巻き
状のコイル部導体層を形成し、前記ギャップ部及び前記
第１絶縁層の表面の不必要な導通下地膜を除去する薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法において、前記コイル部導
体層の電解メッキ後にフォトレジストフレームを除去し
かつ前記ギャップ部に積層された前記導通下地膜をギャ
ップ部保護層で部分的に覆う工程と、ギャップ部保護層
以外の前記導通下地膜をエッチング法で除去してコイル
部導体層を完成する工程と、前記ギャップ部保護層を取
り除いて前記コイル部導体層の表面を第２絶縁層で被覆
する工程と、前記ギャップ部保護層の除去により露呈し
たギャップ部導通下地膜以外の表面を保護層で被覆して
ウエットエッチング法により前記ギャップ部導通下地膜
を除去する工程と、前記保護層の除去の後、前記第２絶
縁層の一部に上部磁極層を積層する工程とを備える薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法も説明される。また、本発
明の利点は、これらの薄膜磁気ヘッドチップの製造方法
により得られた磁気ヘッドにもある。
【０００９】
【実施例】以下、図１から図１４について本発明の実施
例の詳細を説明する。
例の詳細を説明する。
【００１０】図１から図９は本発明の第１実施例による
薄膜磁気ヘッドチップの製造方法を示し、図１は同薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法の電解フレーム形成工程を
示している。即ち、ウエハー基板１Ａの表面には、磁気
コアとなる下部磁極層２Ａが部分的に積層され、同下部
磁極層２Ａの一部にはギャップ部３Ａが形成された後、
目的とする形状で、ギャップ部３Ａ以外の下部磁極層２
Ａ及びウエハー基板１Ａの表面は磁極短絡用スルーホー
ル４Ａを残して第１絶縁層５Ａで覆われる。そして、ウ
エハー基板１Ａの表面全体に電解メッキ用導通下地膜６
Ａ、即ちＣｒ、Ｃｕ等の薄い膜が形成され、同導通下地
膜６Ａの表面に渦状スロット７ａをもつフォトレジスト
フレーム７Ａがフォトレジスト法等で積層されるのは、
従来と同様である。
薄膜磁気ヘッドチップの製造方法を示し、図１は同薄膜
磁気ヘッドチップの製造方法の電解フレーム形成工程を
示している。即ち、ウエハー基板１Ａの表面には、磁気
コアとなる下部磁極層２Ａが部分的に積層され、同下部
磁極層２Ａの一部にはギャップ部３Ａが形成された後、
目的とする形状で、ギャップ部３Ａ以外の下部磁極層２
Ａ及びウエハー基板１Ａの表面は磁極短絡用スルーホー
ル４Ａを残して第１絶縁層５Ａで覆われる。そして、ウ
エハー基板１Ａの表面全体に電解メッキ用導通下地膜６
Ａ、即ちＣｒ、Ｃｕ等の薄い膜が形成され、同導通下地
膜６Ａの表面に渦状スロット７ａをもつフォトレジスト
フレーム７Ａがフォトレジスト法等で積層されるのは、
従来と同様である。
【００１１】この後、図２の電解メッキ工程では、Ｃｕ
のコイル部導体層８Ａが前記渦状スロット７ａに電解メ
ッキされた後、図３に示すように、有機溶剤を用いてフ
ォトレジストフレーム７Ａが除去されるが、前述した導
通下地膜６Ａを除去する前に、図４に示すように、前記
ギャップ部３Ａに積層された前記導通下地膜６Ａがフォ
トレジスト層等の厚みのあるギャップ部保護層９Ａで部
分的に覆われ、厚みのあるこのギャップ部保護層９Ａで
イオンミリングによる導通下地膜６Ａ及びギャップ部３
Ａの侵食が防止される。
のコイル部導体層８Ａが前記渦状スロット７ａに電解メ
ッキされた後、図３に示すように、有機溶剤を用いてフ
ォトレジストフレーム７Ａが除去されるが、前述した導
通下地膜６Ａを除去する前に、図４に示すように、前記
ギャップ部３Ａに積層された前記導通下地膜６Ａがフォ
トレジスト層等の厚みのあるギャップ部保護層９Ａで部
分的に覆われ、厚みのあるこのギャップ部保護層９Ａで
イオンミリングによる導通下地膜６Ａ及びギャップ部３
Ａの侵食が防止される。
【００１２】次に、第１実施例による薄膜磁気ヘッドチ
ップの製造方法においては、図５に示すように、イオン
ミリング法により導通下地膜６Ａが除去されるけれど
も、このイオンミリング法による導通下地膜６Ａの除去
の場合、ギャップ部３Ａがフォトレジスト層等の厚みの
あるギャップ部保護層９Ａで充分に保護されているの
で、ギャップ部３Ａを損傷することなく、不必要な導通
下地膜６Ａを完全に除去することができる。つまり、露
呈した導通下地膜６Ａに対する充分なイオンミリングに
より残留導通下地膜６Ａによるコイル部導体層８Ａの短
絡を防止できると共に、磁極短絡用スルーホール４Ａの
完全な回復を図ることができる。
ップの製造方法においては、図５に示すように、イオン
ミリング法により導通下地膜６Ａが除去されるけれど
も、このイオンミリング法による導通下地膜６Ａの除去
の場合、ギャップ部３Ａがフォトレジスト層等の厚みの
あるギャップ部保護層９Ａで充分に保護されているの
で、ギャップ部３Ａを損傷することなく、不必要な導通
下地膜６Ａを完全に除去することができる。つまり、露
呈した導通下地膜６Ａに対する充分なイオンミリングに
より残留導通下地膜６Ａによるコイル部導体層８Ａの短
絡を防止できると共に、磁極短絡用スルーホール４Ａの
完全な回復を図ることができる。
【００１３】続いて、レジスト除去剤等を用いて、図６
に示すように、ギャップ部保護層９Ａが除かれ、図７に
示すように、ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面にレ
ジスト保護層１０が積層されて後続のウエットエッチン
グ工程でのコイル部導体層８Ａの侵食が予め防止され
る。
に示すように、ギャップ部保護層９Ａが除かれ、図７に
示すように、ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面にレ
ジスト保護層１０が積層されて後続のウエットエッチン
グ工程でのコイル部導体層８Ａの侵食が予め防止され
る。
【００１４】よって、図８のギャップ部導通下地膜除去
工程では、ギャップ部導通下地膜６ａがウエットエッチ
ング法を用いて完全に除去されることになるけれども、
ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面はレジスト保護層
１０で保護されているので、同ギャップ部導通下地膜６
ａのみがエッチングされる。また、同エッチング処理液
では、第１絶縁層５Ａやギャップ材は全く侵食しない点
にも留意されたい。
工程では、ギャップ部導通下地膜６ａがウエットエッチ
ング法を用いて完全に除去されることになるけれども、
ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面はレジスト保護層
１０で保護されているので、同ギャップ部導通下地膜６
ａのみがエッチングされる。また、同エッチング処理液
では、第１絶縁層５Ａやギャップ材は全く侵食しない点
にも留意されたい。
【００１５】これらの工程の後、図９に仮想線で示すよ
うに、コイル部スルーホール１１ａを形成した状態でコ
イル部導体層８Ａの表面に第２絶縁層１１Ａが積層さ
れ、前記下部磁極層２Ａの表面に上部磁極層１２Ａが形
成されて成膜が完成された後、ウエハー基板１Ａが裁断
されて薄膜磁気ヘッドチップが完成されることになる。
うに、コイル部スルーホール１１ａを形成した状態でコ
イル部導体層８Ａの表面に第２絶縁層１１Ａが積層さ
れ、前記下部磁極層２Ａの表面に上部磁極層１２Ａが形
成されて成膜が完成された後、ウエハー基板１Ａが裁断
されて薄膜磁気ヘッドチップが完成されることになる。
【００１６】第１実施例による薄膜磁気ヘッドチップの
製造方法は、以上のような工程で磁気ヘッドチップを製
造するから、ギャップ部導通下地膜除去工程で、第１絶
縁層５Ａやギャップ材が損傷することがなくなるから、
安定した第１絶縁層５Ａの厚みが得られ、同第１絶縁層
５Ａの表面粗さも非常に緻密なものとなるから、上部磁
極層１２Ａの形成工程で、その配向性や結晶粒径への悪
影響を阻止できる。したがって、第１実施例によると、
導通下地膜６Ａの除去不足によるコイル部導体層８Ａの
絶縁不良がなく、ギャップ部３Ａの厚みが均一で、上部
磁極層１２Ａの形成状態の良好な薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
製造方法は、以上のような工程で磁気ヘッドチップを製
造するから、ギャップ部導通下地膜除去工程で、第１絶
縁層５Ａやギャップ材が損傷することがなくなるから、
安定した第１絶縁層５Ａの厚みが得られ、同第１絶縁層
５Ａの表面粗さも非常に緻密なものとなるから、上部磁
極層１２Ａの形成工程で、その配向性や結晶粒径への悪
影響を阻止できる。したがって、第１実施例によると、
導通下地膜６Ａの除去不足によるコイル部導体層８Ａの
絶縁不良がなく、ギャップ部３Ａの厚みが均一で、上部
磁極層１２Ａの形成状態の良好な薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
【００１７】図１０から図１４は本発明の第２実施例に
よる薄膜磁気ヘッドチップの製造方法を示し、図１０は
前述した図６と同様の状態を示している。即ち、ウエハ
ー基板１Ｂの表面には、下部磁極層２Ｂが部分的に積層
され、同下部磁極層２Ｂの一部にはギャップ部３Ｂが形
成され、目的とする形状で、ギャップ部３Ｂ以外の下部
磁極層２Ｂ及びウエハー基板１Ｂの表面は磁極短絡用ス
ルーホール４Ｂを残して第１絶縁層５Ｂで覆われ、前述
したギャップ部保護層９Ａを用いて導通下地膜６Ｂ及び
コイル部導体層８Ｂが成膜される。つまり、図１０はギ
ャップ部保護層９Ａを除去した状態であるが、このイオ
ンミリング工程では、完全な導通下地膜６Ｂの除去によ
り、磁極短絡用スルーホール４Ｂの回復が図られてい
る。
よる薄膜磁気ヘッドチップの製造方法を示し、図１０は
前述した図６と同様の状態を示している。即ち、ウエハ
ー基板１Ｂの表面には、下部磁極層２Ｂが部分的に積層
され、同下部磁極層２Ｂの一部にはギャップ部３Ｂが形
成され、目的とする形状で、ギャップ部３Ｂ以外の下部
磁極層２Ｂ及びウエハー基板１Ｂの表面は磁極短絡用ス
ルーホール４Ｂを残して第１絶縁層５Ｂで覆われ、前述
したギャップ部保護層９Ａを用いて導通下地膜６Ｂ及び
コイル部導体層８Ｂが成膜される。つまり、図１０はギ
ャップ部保護層９Ａを除去した状態であるが、このイオ
ンミリング工程では、完全な導通下地膜６Ｂの除去によ
り、磁極短絡用スルーホール４Ｂの回復が図られてい
る。
【００１８】次に、第２実施例による薄膜磁気ヘッドチ
ップの製造方法においては、図１１に示すように、コイ
ル部スルーホール１１ａを形成した状態でコイル部導体
層８Ｂの表面に第２絶縁層１１Ｂが積層され、図１２に
示すように、ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面を覆
う状態の一時的な保護層１３Ｂがフォトレジスト等によ
り積層され、後続のウエットエッチング工程でのコイル
部導体層８Ｂの侵食が予め防止される。
ップの製造方法においては、図１１に示すように、コイ
ル部スルーホール１１ａを形成した状態でコイル部導体
層８Ｂの表面に第２絶縁層１１Ｂが積層され、図１２に
示すように、ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面を覆
う状態の一時的な保護層１３Ｂがフォトレジスト等によ
り積層され、後続のウエットエッチング工程でのコイル
部導体層８Ｂの侵食が予め防止される。
【００１９】この後、図１３のギャップ部導通下地膜除
去工程では、ギャップ部導通下地膜６ａがウエットエッ
チング法を用いて完全に除去されることになるけれど
も、ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面は保護層１３
Ｂで保護されているので、同ギャップ部導通下地膜６ａ
のみがエッチングされる。また、同エッチング処理液で
は、第１絶縁層５Ｂやギャップ材は全く侵食しない点に
も留意されたい。
去工程では、ギャップ部導通下地膜６ａがウエットエッ
チング法を用いて完全に除去されることになるけれど
も、ギャップ部導通下地膜６ａ以外の表面は保護層１３
Ｂで保護されているので、同ギャップ部導通下地膜６ａ
のみがエッチングされる。また、同エッチング処理液で
は、第１絶縁層５Ｂやギャップ材は全く侵食しない点に
も留意されたい。
【００２０】これらの工程の後、一時的なコイル部保護
層１３Ｂが除去され、図１４に仮想線で示すように、前
記第２絶縁層１１Ｂの表面に上部磁極層１２Ｂが形成さ
れて成膜が完成された後、ウエハー基板１Ｂが裁断され
て薄膜磁気ヘッドチップが完成されることになる。
層１３Ｂが除去され、図１４に仮想線で示すように、前
記第２絶縁層１１Ｂの表面に上部磁極層１２Ｂが形成さ
れて成膜が完成された後、ウエハー基板１Ｂが裁断され
て薄膜磁気ヘッドチップが完成されることになる。
【００２１】第２実施例による薄膜磁気ヘッドチップの
製造方法は、以上のような工程で磁気ヘッドチップを製
造するから、ギャップ部導通下地膜除去工程で、第１絶
縁層５Ｂやギャップ材が損傷することがなくなるから、
安定した第１絶縁層５Ｂの厚みが得られ、同第１絶縁層
５Ｂの表面粗さも非常に緻密なものとなるから、上部磁
極層１２Ｂの形成工程で、その配向性や結晶粒径への悪
影響を阻止できる。したがって、第２実施例によると、
導通下地膜６Ｂの除去不足によるコイル部導体層８Ｂの
絶縁不良がなく、ギャップの厚みが均一で、上部磁極層
１２Ｂの形成状態の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
製造方法は、以上のような工程で磁気ヘッドチップを製
造するから、ギャップ部導通下地膜除去工程で、第１絶
縁層５Ｂやギャップ材が損傷することがなくなるから、
安定した第１絶縁層５Ｂの厚みが得られ、同第１絶縁層
５Ｂの表面粗さも非常に緻密なものとなるから、上部磁
極層１２Ｂの形成工程で、その配向性や結晶粒径への悪
影響を阻止できる。したがって、第２実施例によると、
導通下地膜６Ｂの除去不足によるコイル部導体層８Ｂの
絶縁不良がなく、ギャップの厚みが均一で、上部磁極層
１２Ｂの形成状態の良好な薄膜磁気ヘッドを得ることが
できる。
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、コイル部導体層の形成のために用いられる導
通下地膜及びギャップ部導通下地膜を的確に除去できる
から、ギャップ部の厚みを安定したものとすることがで
き、上部磁極層の配向性や結晶粒径への悪影響を阻止し
た品質の高い薄膜磁気ヘッドチップを得ることができ
る。
によれば、コイル部導体層の形成のために用いられる導
通下地膜及びギャップ部導通下地膜を的確に除去できる
から、ギャップ部の厚みを安定したものとすることがで
き、上部磁極層の配向性や結晶粒径への悪影響を阻止し
た品質の高い薄膜磁気ヘッドチップを得ることができ
る。
【図１】（ａ）は本発明の第２実施例による薄膜磁気ヘ
ッドチップの製造方法における電解フレーム形成工程の
断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図であ
る。
ッドチップの製造方法における電解フレーム形成工程の
断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図であ
る。
【図２】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おける電解メッキ工程の断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線に沿う断面図である。
おける電解メッキ工程の断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線に沿う断面図である。
【図３】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるレジスト除去工程の断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
−ｂ線に沿う断面図である。
おけるレジスト除去工程の断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ
−ｂ線に沿う断面図である。
【図４】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるギャップ部保護層形成工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
おけるギャップ部保護層形成工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図５】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるコイル部導通下地膜除去工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
おけるコイル部導通下地膜除去工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図６】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるギャップ部保護層除去工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
おけるギャップ部保護層除去工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図７】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるコイル部保護層形成工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
おけるコイル部保護層形成工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図８】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるギャップ部導通下地膜除去工程の断面図、（ｂ）
は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
おけるギャップ部導通下地膜除去工程の断面図、（ｂ）
は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図９】（ａ）は同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法に
おけるコイル部保護層除去工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
おけるコイル部保護層除去工程の断面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例による薄膜磁気ヘッドチ
ップの製造方法におけるギャップ部保護膜除去工程の断
面図である。
ップの製造方法におけるギャップ部保護膜除去工程の断
面図である。
【図１１】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
コイル部絶縁層形成工程の断面図である。
コイル部絶縁層形成工程の断面図である。
【図１２】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
コイル部保護層形成工程の断面図である。
コイル部保護層形成工程の断面図である。
【図１３】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
ギャップ部導通下地膜除去工程の断面図である。
ギャップ部導通下地膜除去工程の断面図である。
【図１４】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
コイル部保護層除去工程の断面図である。
コイル部保護層除去工程の断面図である。
【図１５】従来のハードディスク用磁気ヘッドの一部切
欠き要部拡大斜視図である。
欠き要部拡大斜視図である。
【図１６】従来の薄膜磁気ヘッドチップの製造方法にお
ける電解フレーム形成工程の断面図である。
ける電解フレーム形成工程の断面図である。
【図１７】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
電解メッキ工程の断面図である。
電解メッキ工程の断面図である。
【図１８】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
レジスト除去工程の断面図である。
レジスト除去工程の断面図である。
【図１９】同薄膜磁気ヘッドチップの製造方法における
導通下地膜除去工程の断面図である。
導通下地膜除去工程の断面図である。
１Ａ，１Ｂ ウエハー基板 ２Ａ，２Ｂ 下部磁極層 ３Ａ，３Ｂ ギャップ部 ５Ａ，５Ｂ 第１絶縁層 ６Ａ，６Ｂ 導通下地膜 ６ａ ギャップ部導通下地膜 ７Ａ，７Ｂ フォトレジストフレーム ８Ａ，８Ｂ コイル部導体層 ９Ａ ギャップ部保護層 １０ レジスト保護層 １１Ａ，１１Ｂ 第２絶縁層 １２Ａ，１２Ｂ 上部磁極層 １３Ｂ 保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面に目的とする形状の
第１絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第１絶縁
層の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により
導通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成
し、前記ギャップ部及び前記第１絶縁層の表面の不必要
な導通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方
法において、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォ
トレジストフレームを除去した後、前記ギャップ部に積
層された前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に
覆う工程と、この工程の後、ギャップ部保護層以外の前
記導通下地膜をエッチング法で除去してコイル部導体層
を完成する工程と、前記ギャップ部保護層を除去して露
呈したギャップ部導通下地膜以外の部分を一時的にレジ
スト保護層で被覆する工程と、ウエットエッチング法に
よりギャップ部導通下地膜を除去した後に同レジスト保
護層を取り除く工程と、前記第１絶縁層及びコイル部導
体層の表面を第２絶縁層で被覆する工程と、前記第２絶
縁層の一部に上部磁極層を積層する工程とを備えること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドチップの製造方法。 - 【請求項２】 ウエハー基板の表面に下部磁極層を積層
した後、同下部磁極層の目的部にギャップ部を形成して
下部磁極層及びウエハー基板の表面に目的とする形状の
第１絶縁層を形成し、前記ギャップ部及び前記第１絶縁
層の表面に導通下地膜を形成して電解フレーム法により
導通下地膜の表面に渦巻き状のコイル部導体層を形成
し、前記ギャップ部及び前記第１絶縁層の表面の不必要
な導通下地膜を除去する薄膜磁気ヘッドチップの製造方
法において、前記コイル部導体層の電解メッキ後にフォ
トレジストフレームを除去しかつ前記ギャップ部に積層
された前記導通下地膜をギャップ部保護層で部分的に覆
う工程と、ギャップ部保護層以外の前記導通下地膜をエ
ッチング法で除去してコイル部導体層を完成する工程
と、前記ギャップ部保護層を取り除いて前記コイル部導
体層の表面を第２絶縁層で被覆する工程と、前記ギャッ
プ部保護層の除去により露呈したギャップ部導通下地膜
以外の表面を保護層で被覆してウエットエッチング法に
より前記ギャップ部導通下地膜を除去する工程と、前記
保護層の除去の後、前記第２絶縁層の一部に上部磁極層
を積層する工程とを備えることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドチップの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載された製
造方法で製造された薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260839A JPH0981908A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 薄膜磁気ヘッドチップの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260839A JPH0981908A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 薄膜磁気ヘッドチップの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981908A true JPH0981908A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17353480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7260839A Withdrawn JPH0981908A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 薄膜磁気ヘッドチップの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0981908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114175860A (zh) * | 2019-08-08 | 2022-03-11 | 株式会社村田制作所 | 树脂多层基板以及树脂多层基板的制造方法 |
-
1995
- 1995-09-13 JP JP7260839A patent/JPH0981908A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114175860A (zh) * | 2019-08-08 | 2022-03-11 | 株式会社村田制作所 | 树脂多层基板以及树脂多层基板的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040129 |