JPH097742A - セラミックヒータ - Google Patents
セラミックヒータInfo
- Publication number
- JPH097742A JPH097742A JP17819195A JP17819195A JPH097742A JP H097742 A JPH097742 A JP H097742A JP 17819195 A JP17819195 A JP 17819195A JP 17819195 A JP17819195 A JP 17819195A JP H097742 A JPH097742 A JP H097742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ceramic
- resistance heating
- main body
- heating wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック基板に温度分布が生じにくく、均
一に発熱させることが可能なセラミックヒータを提供す
る。 【構成】 セラミックヒータ１は、長方形板状に形成さ
れたセラミック基板２と、これに埋設された抵抗発熱線
３とを備える。抵抗発熱線３は、基板２の一辺に沿って
延びる複数の本体部４の互いに隣接するもの同士が、両
端部において接続部５により順次連結された一本の連続
形態に形成されている。そして、各本体部４は、基板２
の長辺側の縁部に近接するものほどその配置間隔が段階
的に小さくなるものとされている。これにより、基板２
の縁部側の方が中央側よりも発熱量が大きくなり、両者
の間に温度差が生ずることが防止ないし抑制される。
一に発熱させることが可能なセラミックヒータを提供す
る。 【構成】 セラミックヒータ１は、長方形板状に形成さ
れたセラミック基板２と、これに埋設された抵抗発熱線
３とを備える。抵抗発熱線３は、基板２の一辺に沿って
延びる複数の本体部４の互いに隣接するもの同士が、両
端部において接続部５により順次連結された一本の連続
形態に形成されている。そして、各本体部４は、基板２
の長辺側の縁部に近接するものほどその配置間隔が段階
的に小さくなるものとされている。これにより、基板２
の縁部側の方が中央側よりも発熱量が大きくなり、両者
の間に温度差が生ずることが防止ないし抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファンヒータや半導体
製造設備における基板加熱装置等に使用されるセラミッ
クヒータに関する。
製造設備における基板加熱装置等に使用されるセラミッ
クヒータに関する。
【０００２】
【従来の技術】上述のようなセラミックヒータは、図８
に示すように、角板状に形成されたセラミック基板（以
下、単に基板ともいう）１００中に抵抗発熱線１０１を
埋設した構成のものが使用されている。抵抗発熱線１０
１は曲折した一本の連続形態に形成され、基板１００の
一辺に沿う方向に延び、かつこれと交差する方向に互い
に等間隔で配置された複数の本体部１０２を備えるとと
もに、その両端部に形成された端子部１０４から受電す
ることにより、セラミック基板１００を加熱する。
に示すように、角板状に形成されたセラミック基板（以
下、単に基板ともいう）１００中に抵抗発熱線１０１を
埋設した構成のものが使用されている。抵抗発熱線１０
１は曲折した一本の連続形態に形成され、基板１００の
一辺に沿う方向に延び、かつこれと交差する方向に互い
に等間隔で配置された複数の本体部１０２を備えるとと
もに、その両端部に形成された端子部１０４から受電す
ることにより、セラミック基板１００を加熱する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図８に示すセラミック
ヒータは、基板１００の縁部においては、上下の板面に
加え側面部からも放熱するので、基板中央部よりも縁部
の方が温度が低くなりやすい。そのため、このようなセ
ラミックヒータを例えばファンヒータ等に使用した場
合、基板１００は、中央部の方が縁部よりも熱膨張が大
きくなって引張応力が発生し、割れ等を生じやすい問題
がある。また、ヒータ昇温時においては、このような熱
応力の発生を抑制するために、基板１００になるべく温
度分布が生じないようヒータをできるだけ低速で昇温す
る必要があり、効率が悪い欠点がある。さらに、半導体
製造用の基板加熱装置に使用する場合は、上述の熱応力
発生による不具合に加え、半導体基板への膜形成やドー
ピング成分の拡散等が温度分布によって不均一となり、
製品不良を招く問題も生じうる。
ヒータは、基板１００の縁部においては、上下の板面に
加え側面部からも放熱するので、基板中央部よりも縁部
の方が温度が低くなりやすい。そのため、このようなセ
ラミックヒータを例えばファンヒータ等に使用した場
合、基板１００は、中央部の方が縁部よりも熱膨張が大
きくなって引張応力が発生し、割れ等を生じやすい問題
がある。また、ヒータ昇温時においては、このような熱
応力の発生を抑制するために、基板１００になるべく温
度分布が生じないようヒータをできるだけ低速で昇温す
る必要があり、効率が悪い欠点がある。さらに、半導体
製造用の基板加熱装置に使用する場合は、上述の熱応力
発生による不具合に加え、半導体基板への膜形成やドー
ピング成分の拡散等が温度分布によって不均一となり、
製品不良を招く問題も生じうる。
【０００４】本発明の課題は、セラミック基板に温度分
布が生じにくく、均一に発熱させることが可能なセラミ
ックヒータを提供することにある。
布が生じにくく、均一に発熱させることが可能なセラミ
ックヒータを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明の
セラミックヒータは、セラミック基板と、そのセラミッ
ク基板に曲折して又は渦巻状に設けられた抵抗発熱線と
を有し、上述の課題を解決するために、セラミック基板
の縁部側において中央側よりも抵抗発熱線の配置間隔が
小さくされていることを特徴とする。その結果、本発明
のセラミックヒータは、縁部側の方が中央側よりも発熱
量が大きくなり、両者の間に温度差が生ずることが防止
ないし抑制されるので、熱応力に伴うセラミック基板の
割れ等の発生確率が低減される。また、半導体製造設備
の基板加熱装置に使用される場合には、加熱装置側の温
度分布に基づく製品不良等が発生しにくくなる。
セラミックヒータは、セラミック基板と、そのセラミッ
ク基板に曲折して又は渦巻状に設けられた抵抗発熱線と
を有し、上述の課題を解決するために、セラミック基板
の縁部側において中央側よりも抵抗発熱線の配置間隔が
小さくされていることを特徴とする。その結果、本発明
のセラミックヒータは、縁部側の方が中央側よりも発熱
量が大きくなり、両者の間に温度差が生ずることが防止
ないし抑制されるので、熱応力に伴うセラミック基板の
割れ等の発生確率が低減される。また、半導体製造設備
の基板加熱装置に使用される場合には、加熱装置側の温
度分布に基づく製品不良等が発生しにくくなる。
【０００６】また、抵抗発熱線は、予め定められた間隔
で配置された複数の本体部と、それら本体部をその両端
部において互いに接続する接続部とを有する一本の連続
形態に形成することができる。この場合、その本体部の
配置間隔を、セラミック基板の縁部側において中央側よ
りも小さくすることができる。セラミック基板は、具体
的には、長方形状ないし正方形状に形成することがで
き、抵抗発熱線の各本体部は、それぞれそのセラミック
基板の一辺部に沿う方向に延びるものとすることができ
る。また、セラミック基板を円板状に形成することも可
能であり、抵抗発熱線の各本体部を、それぞれそのセラ
ミック基板の周方向に沿って延びるものとし、かつその
半径方向に沿って予め定められた間隔で配置されたもの
とすることができる。
で配置された複数の本体部と、それら本体部をその両端
部において互いに接続する接続部とを有する一本の連続
形態に形成することができる。この場合、その本体部の
配置間隔を、セラミック基板の縁部側において中央側よ
りも小さくすることができる。セラミック基板は、具体
的には、長方形状ないし正方形状に形成することがで
き、抵抗発熱線の各本体部は、それぞれそのセラミック
基板の一辺部に沿う方向に延びるものとすることができ
る。また、セラミック基板を円板状に形成することも可
能であり、抵抗発熱線の各本体部を、それぞれそのセラ
ミック基板の周方向に沿って延びるものとし、かつその
半径方向に沿って予め定められた間隔で配置されたもの
とすることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例を図面を用
いて説明する。図１（ａ）に示すセラミックヒータ１
は、四角形（例えば長方形）板状に形成されたセラミッ
ク基板（以下、単に基板ともいう）２と、これに埋設さ
れた抵抗発熱線３とを備える。セラミック基板は、アル
ミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリカ（ＳｉＯ2）、ジルコニア
（ＺｒＯ2）、チタニア（ＴｉＯ2）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、ジルコン
（ＺｒＯ2・ＳｉＯ2）、コージェライト（２ＭｇＯ・２
Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）、窒化硅素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化
硅素（ＳｉＣ）等のセラミックスの焼成体により構成す
ることができる。また、抵抗発熱線３は、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属ないしそれらの合金及び
ステンレス鋼やニクロムなど、各種抵抗発熱材料で構成
することができる。
いて説明する。図１（ａ）に示すセラミックヒータ１
は、四角形（例えば長方形）板状に形成されたセラミッ
ク基板（以下、単に基板ともいう）２と、これに埋設さ
れた抵抗発熱線３とを備える。セラミック基板は、アル
ミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリカ（ＳｉＯ2）、ジルコニア
（ＺｒＯ2）、チタニア（ＴｉＯ2）、マグネシア（Ｍｇ
Ｏ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、ジルコン
（ＺｒＯ2・ＳｉＯ2）、コージェライト（２ＭｇＯ・２
Ａｌ2Ｏ3・５ＳｉＯ2）、窒化硅素（Ｓｉ3Ｎ4）、炭化
硅素（ＳｉＣ）等のセラミックスの焼成体により構成す
ることができる。また、抵抗発熱線３は、タングステ
ン、モリブデン等の高融点金属ないしそれらの合金及び
ステンレス鋼やニクロムなど、各種抵抗発熱材料で構成
することができる。
【０００８】抵抗発熱線３は、基板２の一辺（例えば長
辺）に沿って延びる複数の本体部４の互いに隣接するも
の同士が、両端部において接続部５により順次連結され
た一本の連続形態に形成されている。そして、各本体部
４は、図１（ｂ）に示すように、互いにほぼ等しい断面
積を有するとともに、基板２の長辺側の縁部に近接する
ものほどその配置間隔が段階的に小さくなるものとされ
ている（なお、抵抗発熱線の断面積は誇張して描かれて
いる。以下の断面図についても同様である）。また、抵
抗発熱線３の両端部は基板２の一方の短辺に近接して位
置するとともに、それぞれ本体部４よりも広幅の端子部
７とされている。さらに、その短辺側において基板２の
側面には、上記各端子部７とそれぞれ接触する端子金具
８が挿入されている。
辺）に沿って延びる複数の本体部４の互いに隣接するも
の同士が、両端部において接続部５により順次連結され
た一本の連続形態に形成されている。そして、各本体部
４は、図１（ｂ）に示すように、互いにほぼ等しい断面
積を有するとともに、基板２の長辺側の縁部に近接する
ものほどその配置間隔が段階的に小さくなるものとされ
ている（なお、抵抗発熱線の断面積は誇張して描かれて
いる。以下の断面図についても同様である）。また、抵
抗発熱線３の両端部は基板２の一方の短辺に近接して位
置するとともに、それぞれ本体部４よりも広幅の端子部
７とされている。さらに、その短辺側において基板２の
側面には、上記各端子部７とそれぞれ接触する端子金具
８が挿入されている。
【０００９】図２は、セラミックヒータ１の製造方法の
一例を示すものであり、（ａ）に示すように、セラミッ
クス粉末をバインダとともに板状に成形した粉末成形体
９の板面に、抵抗発熱材料粉末を含有するペーストを用
いて、抵抗発熱線のパターン３ａを印刷し、その端子部
７に予定される部分７ａに対し端子金具８を配置する。
次に（ｂ）に示すように、粉末成形体９のパターン３ａ
が形成された面に、同じく板状に形成された別の粉末成
形体１０を重ね合わせて積層体１１を作製する。そし
て、（ｃ）に示すように、その積層体１１を所定の焼成
炉１２内で焼成することにより、粉末成形体９及び１０
は焼結・一体化してセラミック基板２となり、印刷され
たパターン３ａは、その抵抗発熱材料粉末が焼結されて
抵抗発熱線３を形成することとなる。
一例を示すものであり、（ａ）に示すように、セラミッ
クス粉末をバインダとともに板状に成形した粉末成形体
９の板面に、抵抗発熱材料粉末を含有するペーストを用
いて、抵抗発熱線のパターン３ａを印刷し、その端子部
７に予定される部分７ａに対し端子金具８を配置する。
次に（ｂ）に示すように、粉末成形体９のパターン３ａ
が形成された面に、同じく板状に形成された別の粉末成
形体１０を重ね合わせて積層体１１を作製する。そし
て、（ｃ）に示すように、その積層体１１を所定の焼成
炉１２内で焼成することにより、粉末成形体９及び１０
は焼結・一体化してセラミック基板２となり、印刷され
たパターン３ａは、その抵抗発熱材料粉末が焼結されて
抵抗発熱線３を形成することとなる。
【００１０】図１に戻って、セラミックヒータ１は、端
子金具８から受電することにより抵抗発熱線３が発熱
し、セラミック基板２が加熱される。ここで、抵抗発熱
線３の本体部４は、基板２の縁部側において中央側より
も配置間隔が小さくなっているので、セラミックヒータ
１は縁部側の方が中央側よりも発熱量が大きくなり、両
者の間に温度差が生ずることが防止ないし抑制されるこ
ととなる。
子金具８から受電することにより抵抗発熱線３が発熱
し、セラミック基板２が加熱される。ここで、抵抗発熱
線３の本体部４は、基板２の縁部側において中央側より
も配置間隔が小さくなっているので、セラミックヒータ
１は縁部側の方が中央側よりも発熱量が大きくなり、両
者の間に温度差が生ずることが防止ないし抑制されるこ
ととなる。
【００１１】以下、本発明のセラミックヒータの各種変
形例について説明する。まず、図１において、本体部４
は基板２の縁部に近接するものほどその配置間隔が段階
的に小さくなるように形成されているが、例えば本体部
４のうち最も外側に位置するものを除いて、それよりも
中央側に位置するものを互いにほぼ等間隔に配置し、最
も外側のものとそのすぐ内側に位置するもの同士の間隔
をそれよりも小さくする構成とすることもできる。
形例について説明する。まず、図１において、本体部４
は基板２の縁部に近接するものほどその配置間隔が段階
的に小さくなるように形成されているが、例えば本体部
４のうち最も外側に位置するものを除いて、それよりも
中央側に位置するものを互いにほぼ等間隔に配置し、最
も外側のものとそのすぐ内側に位置するもの同士の間隔
をそれよりも小さくする構成とすることもできる。
【００１２】次に、図３（ａ）に示すように、基板２を
円板状に形成することができる。抵抗発熱線３の各本体
部４は、それぞれ基板２の周方向に沿って延びるものと
され、かつ（ｂ）に示すように、本体部４の配置間隔
は、基板２の中心部に向かうにつれて段階的に増大する
ものとされている。なお、端子部７は、基板２の縁部か
らその板面方向に張り出した板状の張出部２ｃに形成さ
れている。このような形態のセラミックヒータ１は、例
えばシリコンウェハー等の円板状の半導体基板を加熱す
るのに好適に使用することができる。
円板状に形成することができる。抵抗発熱線３の各本体
部４は、それぞれ基板２の周方向に沿って延びるものと
され、かつ（ｂ）に示すように、本体部４の配置間隔
は、基板２の中心部に向かうにつれて段階的に増大する
ものとされている。なお、端子部７は、基板２の縁部か
らその板面方向に張り出した板状の張出部２ｃに形成さ
れている。このような形態のセラミックヒータ１は、例
えばシリコンウェハー等の円板状の半導体基板を加熱す
るのに好適に使用することができる。
【００１３】また、基板２を円板状に形成する場合、図
４に示すように、基板２に対してその中央に、これを板
厚方向に貫通する孔部２ｄを形成することもできる。抵
抗発熱線３の本体部４の配置間隔は、基板２の外周縁及
び内周縁に近づくほど小さくなるように設定されてい
る。
４に示すように、基板２に対してその中央に、これを板
厚方向に貫通する孔部２ｄを形成することもできる。抵
抗発熱線３の本体部４の配置間隔は、基板２の外周縁及
び内周縁に近づくほど小さくなるように設定されてい
る。
【００１４】一方、基板２を四角形状に形成する場合、
抵抗発熱線３の本体部４は、図１等に示すように、基板
２の１つの辺に沿う方向に延びるもののみを含むように
形成してもよいが、これと交差する辺部に沿うものを混
在させることも可能である。図５はそのようなセラミッ
クヒータの例を示しており、基板２の１つの辺に沿って
延び、かつそれと交差する方向において所定の間隔で配
置された本体部４の組と、それらの一方の端部側におい
て、基板２の、上述のものと交差する辺に沿って延びる
本体部２４とを備えている。本体部４の組においては、
基板２の縁部に近いものほどその配置間隔が小さくされ
ている。また、本体部２４は、その幅（断面積）を本体
部４よりも小さくすることにより電気抵抗値が高められ
ており、本体部４に対応する縁部とともに、本体部２４
に対応する縁部においても温度低下が抑制されるように
なっている。
抵抗発熱線３の本体部４は、図１等に示すように、基板
２の１つの辺に沿う方向に延びるもののみを含むように
形成してもよいが、これと交差する辺部に沿うものを混
在させることも可能である。図５はそのようなセラミッ
クヒータの例を示しており、基板２の１つの辺に沿って
延び、かつそれと交差する方向において所定の間隔で配
置された本体部４の組と、それらの一方の端部側におい
て、基板２の、上述のものと交差する辺に沿って延びる
本体部２４とを備えている。本体部４の組においては、
基板２の縁部に近いものほどその配置間隔が小さくされ
ている。また、本体部２４は、その幅（断面積）を本体
部４よりも小さくすることにより電気抵抗値が高められ
ており、本体部４に対応する縁部とともに、本体部２４
に対応する縁部においても温度低下が抑制されるように
なっている。
【００１５】さらに、図６に示すように、抵抗発熱線３
を基板２に対し渦巻状に形成することも可能である。
（ａ）に示すように、基板２は円板状とされ、抵抗発熱
線３はその中心に近づくほど抵抗発熱線３の隣接する部
分同士の間隔が徐々に増加するように形成されている。
そして、（ｂ）に示すように、基板２の中心部には、基
板２の板厚方向に沿って延び、一端が抵抗発熱線３の端
部に接するとともに、他端が基板２の一方の板面に到達
する連結導電部２０が埋設されている。また、基板２の
その板面には、連結導電部２０の端部と導通する端子形
成部２７が形成されており、抵抗発熱線３はこの端子形
成部２７と、自身の端部に形成された端子部７とから受
電するようになっている。ここで、図７に示すように、
基板２を四角形ないしその他の多角形状に形成すること
もでき、抵抗発熱線３は基板２の各辺に沿いながらその
中心部に向けて渦を描くように形成されることとなる。
を基板２に対し渦巻状に形成することも可能である。
（ａ）に示すように、基板２は円板状とされ、抵抗発熱
線３はその中心に近づくほど抵抗発熱線３の隣接する部
分同士の間隔が徐々に増加するように形成されている。
そして、（ｂ）に示すように、基板２の中心部には、基
板２の板厚方向に沿って延び、一端が抵抗発熱線３の端
部に接するとともに、他端が基板２の一方の板面に到達
する連結導電部２０が埋設されている。また、基板２の
その板面には、連結導電部２０の端部と導通する端子形
成部２７が形成されており、抵抗発熱線３はこの端子形
成部２７と、自身の端部に形成された端子部７とから受
電するようになっている。ここで、図７に示すように、
基板２を四角形ないしその他の多角形状に形成すること
もでき、抵抗発熱線３は基板２の各辺に沿いながらその
中心部に向けて渦を描くように形成されることとなる。
【００１６】なお、上述の各実施例においては、抵抗発
熱線はセラミック基板内に埋設されているが、セラミッ
ク基板の板面に抵抗発熱線を形成するようにしてもよ
い。また、抵抗発熱線を形成するために、抵抗発熱材料
粉末のペーストを用いてセラミック粉末の成形体上に所
望のパターンを印刷した後焼成する方法が使用されてい
たが、予め焼成されたセラミック基板上に、蒸着、スパ
ッタリング等により抵抗発熱材料の膜を各種パターンに
形成する方法を採用することも可能である。
熱線はセラミック基板内に埋設されているが、セラミッ
ク基板の板面に抵抗発熱線を形成するようにしてもよ
い。また、抵抗発熱線を形成するために、抵抗発熱材料
粉末のペーストを用いてセラミック粉末の成形体上に所
望のパターンを印刷した後焼成する方法が使用されてい
たが、予め焼成されたセラミック基板上に、蒸着、スパ
ッタリング等により抵抗発熱材料の膜を各種パターンに
形成する方法を採用することも可能である。
【図１】本発明のセラミックヒータの一例を、そのＡ−
Ａ断面とともに示す平面図。
Ａ断面とともに示す平面図。
【図２】本発明のセラミックヒータの製造方法の一例を
示す説明図。
示す説明図。
【図３】本発明のセラミックヒータの第一の変形例を、
そのＢ−Ｂ断面とともに示す平面図。
そのＢ−Ｂ断面とともに示す平面図。
【図４】同じく第二の変形例を示す平面図。
【図５】同じく第三の変形例を示す平面図。
【図６】同じく第四の変形例を、そのＣ−Ｃ断面ととも
に示す平面図。
に示す平面図。
【図７】同じく第五の変形例を示す平面図。
【図８】従来のセラミックヒータを示す平面図。
１ セラミックヒータ ２ セラミック基板 ３ 抵抗発熱線 ４、２４ 本体部 ５ 接続部
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック基板と、そのセラミック基板
に曲折して又は渦巻状に設けられた抵抗発熱線とを有す
るセラミックヒータであって、 前記セラミック基板の縁部側において中央側よりも前記
抵抗発熱線の配置間隔が小さくされていることを特徴と
するセラミックヒータ。 - 【請求項２】 前記抵抗発熱線は、予め定められた間隔
で配置された複数の本体部と、それら本体部をその両端
部において互いに接続する接続部とを有する一本の連続
形態に形成されるとともに、各本体部の配置間隔は、前
記セラミック基板の縁部側において中央側よりも小さく
されている請求項１記載のセラミックヒータ。 - 【請求項３】 前記セラミック基板は長方形状ないし正
方形状に形成され、前記抵抗発熱線の前記各本体部は、
それぞれそのセラミック基板の一辺部に沿う方向に延び
るものとされている請求項２記載のセラミックヒータ。 - 【請求項４】 前記セラミック基板は円板状に形成さ
れ、前記抵抗発熱線の前記各本体部は、それぞれそのセ
ラミック基板の周方向に沿って延びるものとされ、かつ
その半径方向に沿って予め定められた間隔で配置されて
いる請求項２記載のセラミックヒータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17819195A JPH097742A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | セラミックヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17819195A JPH097742A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | セラミックヒータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097742A true JPH097742A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16044192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17819195A Pending JPH097742A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | セラミックヒータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097742A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223257A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
| KR20030063599A (ko) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | 윤영일 | 가열장치 |
| JP2018137163A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP17819195A patent/JPH097742A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223257A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
| KR20030063599A (ko) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | 윤영일 | 가열장치 |
| JP2018137163A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100916953B1 (ko) | 세라믹 정전척 조립체 및 그 제조방법 | |
| JP3381909B2 (ja) | 半導体製造・検査装置用セラミックヒータ | |
| EP1406472A1 (en) | Ceramic heater and ceramic joined article | |
| JPH097741A (ja) | セラミックヒータ | |
| US7247817B2 (en) | Ceramic heater having a resistance heater element | |
| US6888106B2 (en) | Ceramic heater | |
| JP2001274230A (ja) | 半導体製造装置用ウェハ保持体 | |
| US20030164365A1 (en) | Ceramic heater | |
| TWI713408B (zh) | 陶瓷加熱器 | |
| KR20190142384A (ko) | 웨이퍼 지지대 | |
| JP3642746B2 (ja) | セラミックスヒータ | |
| JP4376070B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JPH097742A (ja) | セラミックヒータ | |
| WO2020153086A1 (ja) | セラミックヒータ | |
| JP4545896B2 (ja) | ヒータユニット及びその製造方法 | |
| JP2000340343A (ja) | 円盤状ヒータ | |
| KR102592798B1 (ko) | 히터 | |
| JP2002334828A (ja) | ホットプレートユニット | |
| JP2002334820A (ja) | 半導体ウエハまたは液晶基板加熱用セラミックヒータ | |
| JP2003257593A (ja) | ウエハ支持部材 | |
| WO2022163799A1 (ja) | ヒータ | |
| JP2004303736A (ja) | セラミックヒータ | |
| JP7566185B1 (ja) | セラミックヒーター | |
| JP2002016072A (ja) | 半導体加熱用セラミックヒーターおよびその製造方法 | |
| JP3495689B2 (ja) | セラミックヒータ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |