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JPH097176A - Optical recording method and optical recording medium - Google Patents

Optical recording method and optical recording medium

Info

Publication number
JPH097176A
JPH097176A JP8103591A JP10359196A JPH097176A JP H097176 A JPH097176 A JP H097176A JP 8103591 A JP8103591 A JP 8103591A JP 10359196 A JP10359196 A JP 10359196A JP H097176 A JPH097176 A JP H097176A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
linear velocity
recording
range
optical recording
recording method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8103591A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3171103B2 (en
Inventor
Kenichi Takada
健一 高田
Takashi Ono
孝志 大野
Natsuko Nobukuni
奈津子 信國
Michikazu Horie
通和 堀江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP10359196A priority Critical patent/JP3171103B2/en
Publication of JPH097176A publication Critical patent/JPH097176A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3171103B2 publication Critical patent/JP3171103B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/006Overwriting
    • G11B7/0062Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media

Landscapes

  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)
  • Rotational Drive Of Disk (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical recording method expanding linear velocity margin of a phase transition type optical recording medium. SOLUTION: For dealing with the different linear velocity on the phase transition recording medium, a clock period T is changed according to the linear velocity V, and a parameter of pulse division in a recording laser pulse is revised. The laser pulse is divided into m pieces of pulses by providing the interval α1 T (1<=i<=m) applying recording power Pw and the interval βi T applying bias power Pb alternately when a mark of a length nT is formed. In this division, at least one side between the combination of the αiT and the bias power Pb is made variable making correspond to the linear velocity V. It is suitably used to a CD-E, etc., adopting mark length modulation recording in which the linear velocity is largely different.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光学的記録媒体およ
び光学的記録方法に関する。より詳しくは、レーザー光
などの照射により、情報を記録、消去、再生可能な相変
化型光学的記録媒体について、記録可能な線速を広範囲
に拡大し得る記録方法及びこれに利用される記録媒体に
関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical recording medium and an optical recording method. More specifically, regarding a phase-change type optical recording medium capable of recording, erasing and reproducing information by irradiation with laser light, etc., a recording method capable of expanding a recordable linear velocity in a wide range and a recording medium used for the same Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報量の増大、記録・再生の高密
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザーを
利用した光ディスクについての開発が盛んに行われてい
る。記録可能な光ディスクには、一度だけ記録が可能な
追記型と、記録・消去が何度でも可能な書換え型があ
る。書換え型光ディスクとしては、光磁気効果を利用し
た光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化を利用し
た相変化媒体が挙げられる。相変化媒体は外部磁気を必
要とせず、レーザー光のパワー変調だけで、記録・消去
が可能である。さらに、消去及び再記録を単一ビームで
同時に行う、1ビームオーバーライトが可能であるとい
う利点を有する。1ビームオーバーライト可能な相変化
記録方式では、記録膜のμmオーダーの微小部分を非晶
質化させることによって記録マークを形成し、これを結
晶化させることによって消去を行う場合が一般的であ
る。このような、相変化記録方式に用いられる記録層材
料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多
く、例えば、Ge−Te系、Ge−Te−Sb系、In−Sb
−Te系、Ge−Sn−Te系合金薄膜等が挙げられる。
2. Description of the Related Art In recent years, an optical disk using a laser has been actively developed as a recording medium that meets the demands for increasing the amount of information and increasing the recording and reproducing density and speed. Recordable optical disks include a write-once type that allows recording only once and a rewritable type that allows recording / erasing as many times as desired. Examples of the rewritable optical disk include a magneto-optical recording medium that utilizes the magneto-optical effect and a phase change medium that utilizes a reversible change in crystal state. The phase change medium does not require external magnetism, and recording / erasing is possible only by power modulation of laser light. Further, there is an advantage that one-beam overwriting is possible in which erasing and re-recording are simultaneously performed with a single beam. In the one-beam overwritable phase change recording method, it is general that a recording mark is formed by amorphizing a microscopic portion of the recording film of μm order, and erasing is performed by crystallizing the recording mark. . As a recording layer material used in such a phase change recording method, a chalcogen-based alloy thin film is often used. For example, Ge-Te-based, Ge-Te-Sb-based, In-Sb-based.
-Te series, Ge-Sn-Te series alloy thin films and the like can be mentioned.

【0003】一般に、書換え型の相変化記録媒体では、
相異なる2つの状態(結晶化及び非晶質化)を実現する
ために、異なる2つのレベルのレーザー光パワーを用い
る。この方式を、結晶化された初期状態から非晶質マー
クを形成し、また、これを再び結晶化して非晶質マーク
の消去を行う場合を例にとって説明する。結晶化は、記
録層の結晶化温度より十分に高く、融点よりは低い温度
まで記録層部分を加熱することによってなされる。この
場合、結晶化が十分なされる程度に冷却速度が遅くなる
ように、記録層を誘電体層で挟んだり、ビームの移動方
向に長い楕円形ビームを用いたりする。一方、非晶質化
は融点より高い温度まで記録層を加熱し、急冷すること
によって行う。通常の相変化媒体において1ビームオー
バーライトを行う際には、記録パルスを記録レーザーパ
ワーとそれよりも低いパワーの消去レーザーパワーとの
間で変調して、既に記録されている過去の非晶質マーク
を消去しながら記録を行う。この場合、誘電体層は、記
録層で十分な冷却速度(過冷却速度)を得るための放熱
層としての機能をも有する。さらに、上述のような、加
熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に伴う変
形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防ぎ、或い
は、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上記
誘電体層が重要な役割を有する。一般に、誘電体層の材
質は、レーザー光に対して光学的に透明であること、融
点・軟化点・分解温度が高いこと、膜形成が容易である
こと、適当な熱伝導性を有すること等の観点から選定さ
れる。
Generally, in a rewritable phase change recording medium,
In order to realize two different states (crystallization and amorphization), two different levels of laser light power are used. This method will be described by taking as an example the case where an amorphous mark is formed from a crystallized initial state and the amorphous mark is erased by recrystallizing the amorphous mark. The crystallization is performed by heating the recording layer portion to a temperature sufficiently higher than the crystallization temperature of the recording layer and lower than the melting point. In this case, the recording layer is sandwiched by dielectric layers or an elliptical beam long in the beam moving direction is used so that the cooling rate becomes slow enough to cause sufficient crystallization. On the other hand, the amorphization is performed by heating the recording layer to a temperature higher than the melting point and quenching it. When one-beam overwriting is performed in a normal phase change medium, a recording pulse is modulated between a recording laser power and an erasing laser power lower than the recording laser power, and the previously recorded amorphous material is used. Record while erasing the mark. In this case, the dielectric layer also has a function as a heat dissipation layer for obtaining a sufficient cooling rate (supercooling rate) in the recording layer. Furthermore, in order to prevent deformation of the recording layer due to melting and volume change in the heating / cooling process, thermal damage to the plastic substrate, or deterioration of the recording layer due to moisture as described above, The dielectric layer plays an important role. Generally, the material of the dielectric layer is optically transparent to laser light, has a high melting point / softening point / decomposition temperature, is easy to form a film, and has suitable thermal conductivity. It is selected from the viewpoint of.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記相変化媒体では、
記録及び消去時の熱特性がレーザビームの走査速度、即
ち、線速度によって大きく影響を受けることから、相変
化媒体の作成時においては、記録および消去特性を向上
させるために、目的とする記録装置の記録・消去時のデ
ィスク線速度に応じて媒体の記録層組成又は層構成を最
適化する必要がある。非晶質マークの形成は、一旦記録
パワーで溶融せしめた記録層を、臨界冷却速度以上の速
さで冷却することによって行われる(Mitsubishi Kasei
R&D Review vol.4 No2 p68-81)。この冷却速度は、同
一層構成を用いた場合には線速度に依存する。つまり、
高線速では冷却速度が速くなり、低線速では冷却速度は
遅くなる。これを確認するため、本発明の実施例でも用
いた層構成である、ポリカーボネート基板上にZnS:
SiO2混合膜を100nm、GeSbTe記録層を25n
m、ZnS:SiO2混合膜を20nm、Al合金膜を10
0nm順次に形成したディスクで、一般的な差分法を用
いた熱分布シミュレーションを行った。この場合、計算
上の記録パワー(レベル)Pw、及び、ベースパワー
(レベル)Pbを照射し、記録層について、最高到達温
度1350℃まで昇温した後に、温度が降下する過程に
おいて融点(600℃)付近における臨界冷却速度を、
パルス照射開始位置から0.1μm進んだ位置で調べ
た。結果は、線速度が10m/s以上では数K/nse
c以上、4m/sでは2.2K/nsec、1.4m/
sでは0.9K/nsecであった。
DISCLOSURE OF THE INVENTION In the above phase change medium,
Since the thermal characteristics at the time of recording and erasing are greatly affected by the scanning speed of the laser beam, that is, the linear velocity, in order to improve the recording and erasing characteristics at the time of making the phase change medium, the target recording device It is necessary to optimize the recording layer composition or layer structure of the medium according to the disk linear velocity at the time of recording / erasing. Amorphous marks are formed by cooling the recording layer once melted with recording power at a speed equal to or higher than the critical cooling rate (Mitsubishi Kasei
R & D Review vol.4 No2 p68-81). This cooling rate depends on the linear velocity when the same layer structure is used. That is,
The cooling rate is high at high linear velocity, and is slow at low linear velocity. In order to confirm this, ZnS: was formed on a polycarbonate substrate, which is the layer structure used in the examples of the present invention.
100 nm of SiO 2 mixed film and 25 n of GeSbTe recording layer
m, ZnS: SiO 2 mixed film 20 nm, Al alloy film 10
A heat distribution simulation using a general difference method was performed on the disks sequentially formed with 0 nm. In this case, after the calculated recording power (level) Pw and the base power (level) Pb are irradiated and the recording layer is heated to the maximum attainable temperature 1350 ° C., the melting point (600 ° C. ) The critical cooling rate near
The examination was performed at a position 0.1 μm ahead of the pulse irradiation start position. The result shows that when the linear velocity is 10 m / s or more, it is several K / nse.
c or more and 4 m / s, 2.2 K / nsec, 1.4 m / s
s was 0.9 K / nsec.

【0005】一方、非晶質マークを消去するには、記録
層をその結晶化温度以上で融点以下に一定時間保持する
必要がある。この保温時間は、逆に、高線速では短く、
低線速では長くなる傾向がある。従って、線速度の比較
的大きな記録装置では、光ビームを照射した際に、その
照射された部分の記録層の熱分布が時間的、空間的に比
較的急峻になるため、消去時の消し残りが懸念される。
かかる記録装置に対応するためには、比較的短時間で結
晶化すなわちマーク消去が可能なるように、記録層に結
晶化が比較的速い組成の化合物を用いたり、全体として
熱の逃げにくい層構成にしたりする。逆に、線速度が比
較的遅い記録装置では、前述のように冷却速度が遅くな
ることから、記録時の再結晶化が懸念される。そこで、
線速度の比較的小さな記録装置に対応するためには、目
的のマーク長さを得るために、記録マーク形成時の再結
晶化を防ぐ方法として、記録層に結晶化が比較的遅い組
成の化合物を用いたり、熱の逃げやすい層構成にしたり
する。
On the other hand, in order to erase the amorphous mark, it is necessary to keep the recording layer at a temperature above its crystallization temperature and below its melting point for a certain period of time. On the contrary, this heat retention time is short at high linear velocity,
It tends to be long at low linear velocities. Therefore, in a recording apparatus with a relatively high linear velocity, when the light beam is irradiated, the heat distribution of the recording layer in the irradiated portion becomes relatively steep in terms of time and space, and the unerased portion during erasing Is concerned.
In order to cope with such a recording device, a compound having a relatively rapid crystallization composition is used for the recording layer so that crystallization, that is, mark erasing can be performed in a relatively short time, or a layer structure in which heat does not easily escape as a whole. Or On the contrary, in a recording apparatus having a relatively low linear velocity, the cooling rate becomes slow as described above, and thus recrystallization during recording is a concern. Therefore,
In order to deal with a recording device having a relatively small linear velocity, a compound having a relatively slow crystallization composition in the recording layer is used as a method of preventing recrystallization during formation of the recording mark in order to obtain a target mark length. Or using a layered structure that allows heat to escape easily.

【0006】具体的には、高線速用媒体には、層構成と
して記録層と反射層との間の熱絶縁層を厚くして熱を逃
げにくくし、或いは、材料として例えばGeSbTe系合
金を利用する場合ではGeTe−Sb2Te3ライン上の結晶
化しやすい組成を利用する等の工夫がなされる。一方、
低線速用では、上記熱絶縁層を薄くして熱が逃げやすい
構造になるようにし、或いは、Sbを高線速用媒体に利
用する場合よりも多く入れて再凝固時に結晶化しにくく
する等の工夫がなされる。
Specifically, for a medium for high linear velocity, the heat insulating layer between the recording layer and the reflective layer is made thick to make it difficult for heat to escape, or the material is, for example, a GeSbTe alloy. When it is used, a device such as a composition on the GeTe—Sb 2 Te 3 line that is easily crystallized is used. on the other hand,
For low linear velocities, the thermal insulation layer should be thin so that heat can escape easily, or Sb should be added in a larger amount than when used for high linear velocities to prevent crystallization during resolidification. Is devised.

【0007】上記のような記録層組成を採用し或いは層
構成の最適化を行う等により、目的とする駆動装置で、
良好な特性で情報の記録、消去及び再生を行うことが可
能である。しかし、線速度が比較的大きな記録装置用に
最適化した媒体では、結晶化速度を大きくしているの
で、線速度が小さな領域では、再結晶化のために非晶質
ビットが形成しにくく使用できない。逆に媒体を低線速
に合わせると、非晶質ビットを形成しやすい組成・層構
成としているので、高線速では消去しにくい。結局、記
録媒体の最適化のみでは線速度マージンを大きく広げる
ことは出来なかった。
By adopting the recording layer composition as described above or optimizing the layer structure,
It is possible to record, erase and reproduce information with good characteristics. However, in a medium optimized for a recording device having a relatively high linear velocity, the crystallization speed is increased, so that in a region where the linear velocity is low, it is difficult to form an amorphous bit due to recrystallization, and therefore it is used. Can not. On the other hand, when the medium is adjusted to a low linear velocity, the composition / layer structure is such that an amorphous bit is easily formed, so that it is difficult to erase at a high linear velocity. After all, the linear velocity margin could not be widened only by optimizing the recording medium.

【0008】近年、記録、消去に費やす時間を短縮する
ために記録及び消去時の媒体の線速度は大きくなってき
ているものの、他方で、情報を実時間に沿って記録した
いとする要請がある。例えば、映像や音楽等の記録の場
合であり、この場合、実時間に沿って記録することが必
須である。また、この場合、実時間に沿って記録を行っ
た後には、その情報の編集のための記録は高速で行いた
いという要請もある。更に、同一の記録媒体を、記録可
能CDのような比較的低線速(例えば、1.2m/s〜
1.4m/s及びその4−6倍速まで)での用途、及
び、現行の光磁気ディスク(約10m/s以上)のよう
な高線速での用途の双方に使い分けることができれば、
マルチメディア用の記録媒体として特に好ましい。しか
し、このような要求を満たすために、その記録媒体の層
構成や記録層組成が最適化された本来の線速度より大幅
に小さな線速度で記録を行うと、目的とするマーク長が
記録できずに、情報の記録が出来ない場合があった。こ
れは、相変化記録媒体に於いては、一般に、記録層の微
小部分にレーザーを照射しその微小部分を溶融させた後
にこれを急冷することにより非晶質マークを形成する
が、ディスク線速度が比較的小さな場合には、前述のよ
うに、記録溶融後に再結晶化が起こり、十分な非晶質マ
ークの形成が困難となるためと考えられる。溶融後に再
結晶化した記録マークの再生波形を観察すると図1のよ
うになり、非晶質膜部分の状態を示す図2を併せて参照
すると、記録マークの前半部分では再結晶化が大きく、
マーク後半部分では比較的良好に非晶質が形成されてい
ることが判る。このことは、記録パワーに相当するレー
ザービームの連続照射により、マーク後半部分に相当す
る領域へのレーザー照射による熱が、一旦は溶融したマ
ーク前半部分に相当する領域に伝導し、その結果、マー
ク前半部分が急冷されずに再結晶化してしまうことによ
ると説明できる。この場合、マーク後半部分では、その
直後に記録パワーに相当するレーザービームが照射され
なくなるために、余計な熱の伝導がなく、溶融した部分
が良好な非晶質になる。以上を考慮すると、記録パワー
の照射開始後に、一旦パワーを落とすことによって記録
パルスを分割すれば、記録層の時間的な温度変化が急冷
的になり、記録時の再結晶化によるマークの劣化を抑え
ることが可能になると推論できる。
In recent years, the linear velocity of the medium at the time of recording and erasing has been increasing in order to shorten the time spent for recording and erasing, but on the other hand, there is a demand to record information in real time. . For example, this is the case of recording video, music, etc. In this case, it is essential to record in real time. Further, in this case, there is also a demand for high-speed recording for editing the information after recording in real time. Furthermore, the same recording medium can be recorded on a relatively low linear velocity (for example, 1.2 m / s
If it can be used for both applications at 1.4 m / s and its 4-6 times speed) and applications at high linear velocities such as current magneto-optical disks (about 10 m / s or more),
It is particularly preferable as a recording medium for multimedia. However, in order to meet such requirements, if the recording is performed at a linear velocity that is significantly smaller than the original linear velocity in which the layer structure and recording layer composition of the recording medium are optimized, the target mark length can be recorded. In some cases, information could not be recorded. In a phase change recording medium, an amorphous mark is generally formed by irradiating a minute portion of the recording layer with a laser, melting the minute portion, and then rapidly cooling the amorphous portion. It is considered that when is relatively small, recrystallization occurs after recording and melting, and it becomes difficult to form a sufficient amorphous mark, as described above. When the reproduced waveform of the recrystallized recording mark after melting is observed, it becomes as shown in FIG. 1. Referring also to FIG. 2 showing the state of the amorphous film portion, recrystallization is large in the first half portion of the recording mark,
It can be seen that the latter half of the mark is relatively well formed of amorphous. This means that the continuous irradiation with the laser beam corresponding to the recording power causes the heat generated by the laser irradiation to the area corresponding to the latter half of the mark to be transferred to the area corresponding to the first half of the melted mark. It can be explained that the first half is recrystallized without being rapidly cooled. In this case, in the latter half of the mark, since the laser beam corresponding to the recording power is not irradiated immediately after that, there is no extra heat conduction and the melted portion becomes a good amorphous state. In consideration of the above, if the recording pulse is divided by once reducing the power after the start of the irradiation of the recording power, the temporal temperature change of the recording layer is rapidly cooled, and the deterioration of the mark due to the recrystallization during the recording may occur. It can be inferred that it will be possible to suppress it.

【0009】上記を考慮した記録方法の例としては、特
開平2−165420号、特開平4−212735号、
特開平5−62193号、特開平5−325258号、
特開平1−116927号の各公報、JJAP. vol.30 No.
4 (1991)p677-681等があり、、また、オフパルスを利用
したものでは第40回応用物理学関係連合会春季講演会
29a-B-4、特開平7−37251、特開平6−4867
号、特開平1−253828号、特開平1−15023
0号、特開平1−315030号、特開平4−3138
16号、特開平2−199628号、特開昭63−11
3938号の各公報等が挙げられる。しかし、これらの
方法では、いずれもパルス分割方法が一定であるため
に、ある一定範囲の線速度での記録時には有効である
が、線速度が大きく異なる条件下では良好な記録が行え
ない場合が多く、一定のパルス分割方法を用いる限り、
特定の1つの媒体で対応可能な線速度の範囲には限界が
あった。
As examples of recording methods in consideration of the above, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-165420, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-212735,
JP-A-5-62193, JP-A-5-325258,
JP-A-1-116927, JJAP. Vol.30 No.
4 (1991) p677-681, etc., and for those using off-pulse, 40th Spring Meeting of Applied Physics Association
29a-B-4, JP-A-7-37251, JP-A-6-4867
JP-A-1-253828, JP-A-1-15023
No. 0, JP-A-1-315030, JP-A-4-3138.
16, JP-A-2-199628, JP-A-63-11.
Each publication of No. 3938 is cited. However, in these methods, since the pulse division method is constant, it is effective when recording at a certain range of linear velocities, but good recording may not be possible under conditions where the linear velocities differ greatly. Many, as long as a constant pulse division method is used,
There is a limit to the range of linear velocities that can be supported by one specific medium.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
の解決のため、線速度にあわせたパルス分割の方法をこ
こで提案する。本発明者らは、低速度になるに従って記
録層から熱を素早く逃がして非晶質化しやすいように工
夫し、そのパルス分割方法を線速度に併せて指定できる
ようにと考えた。即ち、本発明の要旨は、記録パルスの
分割方法そのものではなく、線速度に応じたパルス分割
方法の変更方法にある。本発明によると、特定の1枚の
ディスクの線速度の使用マージンを広げることが可能に
なる。以下、詳述する。
The present inventors propose here a method of pulse division according to the linear velocity in order to solve the above problems. The inventors of the present invention have devised that heat can be quickly released from the recording layer as the velocity becomes lower, and the amorphous layer is easily made amorphous, and the pulse division method can be specified in accordance with the linear velocity. That is, the gist of the present invention is not the recording pulse division method itself, but the method of changing the pulse division method according to the linear velocity. According to the present invention, it is possible to widen the use margin of the linear velocity of a specific disc. The details will be described below.

【0011】本発明の記録方法では、まず、光学的に識
別可能な結晶及び非晶質状態を利用して、少なくとも記
録パワーPw、消去パワーPe、バイアスパワーPbの3
値のレーザー光変調によりオーバーライト可能な光記録
媒体に、長さnT(n:2以上の自然。nの取りうる値
の最小、最大値をそれぞれ、nmin、nmaxとする。ま
た、T:基準クロック周期)のマーク長変調記録をする
ための記録信号パルスを分割する。この分割は、記録パ
ワーの印加期間をαi(1≦i≦m)、バイアスパワー
の印加期間をβiとして、各期間を順次に α1T/β1T/α2T/β2T/・・・・/αmT/βmT となるように構成して、レーザパワーをm個のパルスに
分割する。ここで、上記の通り、αiTは記録パワーPw
を印加する時間、βiTはバイアスパワーPbを印加する
時間である。
In the recording method of the present invention, first, at least the recording power Pw, the erasing power Pe, and the bias power Pb are utilized by utilizing the optically distinguishable crystalline and amorphous states.
The length nT (n is a natural length of 2 or more. The minimum and maximum values that n can take are n min and n max , respectively, on an optical recording medium that can be overwritten by laser light modulation of the value. (: Reference clock cycle) The recording signal pulse for mark length modulation recording is divided. In this division, the recording power application period is α i (1 ≦ i ≦ m) and the bias power application period is β i , and each period is sequentially set to α 1 T / β 1 T / α 2 T / β 2 T. / ... ./α m T / β m T, the laser power is divided into m pulses. Here, as described above, α i T is the recording power P w
Is applied, and β i T is the time when the bias power P b is applied.

【0012】本発明では、上記分割において、nL=n
−j=α1+β1+・・・・・+αm+βm(但し、Jは0
≦j≦2の範囲の実数)、m=n−k(kはk=0、1
又は2、nmin−k≧1を条件として、線速度VL≦V≦
h(Vh≧2VL)の範囲で、少なくとも記録時の線速
度を連続的または段階的に可変とした場合に、この選択
された線速度に応じて分割パルス幅αiTの組合せ及び
バイアスパワーPbの少なくとも一方を変化させる。
In the present invention, in the above division, n L = n
-J = α 1 + β 1 + ... + α m + β m (where J is 0
≦ j ≦ 2, m = n−k (k is k = 0, 1)
Alternatively, the linear velocity V L ≦ V ≦ under the condition of 2, n min −k ≧ 1.
Within the range of V h (V h ≧ 2V L ), at least when the linear velocity at the time of recording is made variable continuously or stepwise, a combination of divided pulse widths α i T according to the selected linear velocity and At least one of the bias power Pb is changed.

【0013】本発明の好ましい例では、例えば、VL
1<V2<Vhとなる線速度V1、V2においては、1≦
i≦mなるすべてのiに対して、αiL≦αi1≦αi2≦α
ihが成立するようにする(但し、αiL、αi1、αi2、α
ihはそれぞれ、VL、V1、V2、Vhの時の分割された個
々のパルス幅)。さらに、上記各βiT期間におけるバ
イアスパワーPbiとPeとの比Pbi/Peをθiとすると
き、θiL≦θi1≦θi2≦θihが成立するようにする。た
だし、少なくともVLにおいてはαiL<αih、またはθ
iL<θihとする。
In a preferred embodiment of the invention, for example, V L <
For linear velocities V 1 and V 2 such that V 1 <V 2 <V h , 1 ≦
For all i such that i ≦ m, α iL ≦ α i1 ≦ α i2 ≦ α
ih is satisfied (however, α iL , α i1 , α i2 , α
ih is the divided individual pulse width at the time of V L , V 1 , V 2 , and V h , respectively). Further, when the ratio Pb i / Pe of the bias power Pb i and Pe in each β i T period is θ i , θ iL ≦ θ i1 ≦ θ i2 ≦ θ i h is satisfied. However, at least at V L , α iLih , or θ
iLih .

【0014】本発明の相変化型記録媒体では、上記で採
用されるべき複数の分割方法に関する情報を線速度に対
応させて記録している。ディスク駆動装置は、選定する
線速度に対応させてクロック周波数を選定すると共に、
媒体に記録されたこの情報に基づいて、線速度に対応し
て複数のパルス分割方法からその1つを選択する。
In the phase change recording medium of the present invention, the information regarding the plurality of division methods to be adopted is recorded in correspondence with the linear velocity. The disk drive selects the clock frequency according to the selected linear velocity, and
Based on this information recorded on the medium, one of a plurality of pulse division methods is selected corresponding to the linear velocity.

【0015】上記パルス分割方法を採用できる本発明の
相変化型記録媒体は、記録層を{(Geey(Sb2Te
31-y1-xSbx(xは0≦x<0.1の範囲で、yは
0.2<y<0.9の範囲の数字)及び{My(Te1-x
Sbx1-y(yは0≦y<0.3の範囲で、xは0.5
<x<0.9の範囲の数字で、MはIn、Ga、Zn、G
e、Sn、Si、Pb、Co、Cr、Cu、Ag、Au、Pd、P
t、S、Se、Oのうちの少なくとも1種を示す)の少な
くとも1種から構成し、前記記録層の膜厚が15−30
nm、上部誘電体保護層の膜厚が10−30nmとなる
ように形成することが好ましい。
The phase-change recording medium of the present invention which can adopt the above-mentioned pulse division method has a recording layer of {(G e T e ) y (Sb 2 Te
3 ) 1-y } 1-x Sb x (where x is a number in the range of 0 ≦ x <0.1 and y is a number in the range of 0.2 <y <0.9) and {M y (Te 1-x
Sb x ) 1-y (y is in the range of 0 ≦ y <0.3 and x is 0.5
<X <0.9, where M is In, Ga, Zn, G
e, Sn, Si, Pb, Co, Cr, Cu, Ag, Au, Pd, P
t, S, Se, and O), and the recording layer has a thickness of 15-30.
nm, and the film thickness of the upper dielectric protection layer is preferably 10-30 nm.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】線速度がほぼ一定である記録方法
としては、一般的なCLV(Constant Linear Velocit
y)、ゾーンごとに線速度が一定であるZCLV(Zoned
CLV)等がある(尾上守夫監修.光ディスク技術.ラジ
オ技術社)。ZCLV形式においては、ゾーン内では若
干線速度は変化するが全体として線速度はほぼ一定に保
たれている。今日においては、CDの線速を1倍速
(1.2m/s〜1.4m/s)の間で可変とすること
自体は公知の技術である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As a recording method in which the linear velocity is almost constant, a general CLV (Constant Linear Velocit) is used.
y), ZCLV (Zoned where the linear velocity is constant for each zone)
CLV) etc. (supervised by Morio Onoue. Optical disc technology. Radio Technology Co., Ltd.). In the ZCLV format, the linear velocity slightly changes in the zone, but the linear velocity is kept almost constant as a whole. Today, it is a well-known technique to make the linear velocity of a CD variable between 1 × speed (1.2 m / s to 1.4 m / s).

【0017】例えば、ある最大線速度Vhの時に採用さ
れるクロック周期をThとする。nを指定すると、nTh
によって記録されるマーク長さが決まる。低線速度Vで
同じ長さのマークを記録するには、クロック周期Tを計
算上(Vh/V)×Thとし、nTパルスにより同じ長さ
のマークが得られる筈である。線速に応じてこのように
クロック周期Tを調整することは既に一般的に行われて
いる。しかし、実際には熱拡散によるマーク長の拡大、
あるいは再結晶化によるマーク長短縮により、必ずしも
所望のマーク長が得られない。このようなことは、最低
線速度VLが4〜6m/s未満の低線速度の場合に特に
起こりやすい。そこで、記録パルスを分割し、個々の分
割パルス幅を短くすることで記録層内の温度分布を調整
する。このマーク長変調した記録方法を図3に示す。こ
のようなマーク長変調を利用する変調方式には、1−7
変調、EFM変調等がある。これらのマーク長記録で
は、記録マークの始端位置と後端位置とが記録データに
対応するため特に重要である。
For example, let T h be the clock cycle adopted at a certain maximum linear velocity V h . If you specify n, nT h
The mark length to be recorded is determined by. In order to record marks of the same length at a low linear velocity V, the clock period T should be calculated (V h / V) × T h, and nT pulses should give marks of the same length. Such adjustment of the clock cycle T according to the linear velocity has already been generally performed. However, in reality, the length of the mark is increased by thermal diffusion,
Alternatively, the desired mark length cannot always be obtained because the mark length is shortened by recrystallization. This is especially likely to occur when the minimum linear velocity VL is a low linear velocity of 4 to less than 6 m / s. Therefore, the recording pulse is divided and the width of each divided pulse is shortened to adjust the temperature distribution in the recording layer. A recording method in which the mark length is modulated is shown in FIG. A modulation method using such mark length modulation is 1-7
There are modulation, EFM modulation, and the like. In these mark length recordings, the starting end position and the trailing end position of the recording mark correspond to the recording data, which is particularly important.

【0018】本発明においては、線速度に対応してパル
ス分割方法を決めるパラメータm=n−k、n−j=
(α1+β1+・・・・・+αm+βm)、nmin−k≧1
を条件として、αiT及びPbのうち少なくとも一方を下
記の法則に従って可変とし、同一の媒体の適用可能線速
を広げる構成を採用する。即ちち、本発明では、線速度
が小さく冷却速度が遅くなった場合には、記録パワーP
wがオンとなるパルス幅αiTを短くし、オフとなる時間
βiTを長くし、又は、記録パワーPwがオフとなる期間
βiTに印加されるレーザー光パワー(バイアスパワ
ー)Pbiを低線速ほど低くすることで、1マーク内に熱
がたまることを抑制して冷却速度を増大せしめ、再結晶
化を防止する。あるいは、これらに加えて、1つのマー
クを記録するために分割された記録パルスの1つが、後
続する記録パルスにより再加熱されることを抑制するた
めに、分割された記録パルス間に照射される光エネルギ
ーを制御することにより、非晶質マーク形成のために溶
融された領域の冷却速度を制御する。より定式化するな
らば、相変化型光記録媒体に情報を記録する線速度の範
囲(VL〜Vh)において、VL<V1<V2<Vhとなる線
速度V1、V2においては、1≦i≦mなるすべてのiに
対して、 αiL≦αi1≦αi2≦αih (1)、 が成立するようにする。ここで、αiL、αi1、αi2、α
ihはそれぞれ、VL、V1、V2、Vhの時の分割された個
々のパルス幅である。
In the present invention, parameters m = n−k, n−j = which determine the pulse division method according to the linear velocity.
1 + β 1 + ... + α m + β m ), nmin- k ≧ 1
Under the condition, at least one of α i T and Pb is made variable according to the following law, and the applicable linear velocity of the same medium is widened. That is, in the present invention, when the linear velocity is small and the cooling rate is slow, the recording power P
The pulse width α i T for turning on w is shortened, the time β i T for turning off is lengthened, or the laser light power (bias power) Pb applied during the period β i T for which the recording power Pw is off. By lowering i as the linear velocity becomes lower, heat accumulation in one mark is suppressed, the cooling rate is increased, and recrystallization is prevented. Alternatively, in addition to these, one of the recording pulses divided to record one mark is irradiated between the divided recording pulses in order to suppress reheating by a subsequent recording pulse. By controlling the light energy, the cooling rate of the region melted to form the amorphous mark is controlled. If more formulated in a range of linear velocity for recording information on a phase-change optical recording medium (V L ~V h), V L <V 1 <V 2 <V h become linear velocity V 1, V In 2 , for all i satisfying 1 ≦ i ≦ m, α iL ≦ α i1 ≦ α i2 ≦ α ih (1) is satisfied. Where α iL , α i1 , α i2 , α
ih is the divided individual pulse width at times V L , V 1 , V 2 , and V h , respectively.

【0019】上記に代えて、或いは、上記に加えて、上
記βiT期間における各バイアスパワーPbiと消去パワ
ーPeとの比Pbi/Peをθiとし、θiL、θi1、θi2
びθihを、同様に夫々VL、V1、V2及びVhのときのθ
iとするとき、 θiL≦θi1≦θi2≦θih (2) とすることが出来る。
Instead of or in addition to the above, the ratio Pb i / Pe between the bias power Pb i and the erase power Pe in the β i T period is θ i, and θ iL , θ i1 , θ i2 And θ i h are also θ when V L , V 1 , V 2 and V h , respectively.
When i is set, θ iL ≦ θ i1 ≦ θ i2 ≦ θ ih (2) can be satisfied .

【0020】上記いずれの場合にも、少なくともVL
おいては、 αiL<αih (3)、 又は、 θiL<θih (4)、 が少なくとも1つのiに対して成り立つようにする。但
し、当然のことながら、記録パワーPw、消去パワーPe
は個々の線速によって異なる値をとる。
In any of the above cases, at least at V L , α iLih (3) or θ iLih (4) holds for at least one i. However, as a matter of course, the recording power Pw and the erasing power Pe
Takes different values depending on the individual linear velocity.

【0021】特に、Peは、それのみを直流的に一回だ
け照射したときに、非晶質マークを消去できるパワーに
選ばれる。より具体的には、fmax=1/(2n
maxT)、又は、fmin=1/(2nminT)なる単一周
波数(デューティ比50%)で記録したマーク上に直流
的にPeを照射したときに、消去された信号のキャリア
レベルの減衰が約20dB以上となるPeが選ばれる。
或いは、fmax=1/(2nmaxT)なる単一周波数なる
(デューティ比50%)で記録したマーク上に、fmin
=1/(nminT)なる単一周波数(デューティ比50
%)の信号でオーバーライト(このとき、記録パルスは
分割してもしなくても良いが、PwとPeの2値で変調を
行う)したときに、fminのキャリアレベルと消去され
たfmaxのキャリアレベルの差が約20dB以上となる
ようにPeを選ぶ。なお、Pwはfmax及びfminの記録信
号のC/N比(Carrier to Noise 比)が約45dB以
上となるように選ばれる。
In particular, Pe is selected as the power that can erase the amorphous mark when it is irradiated only once by direct current. More specifically, f max = 1 / (2n
max T) or f min = 1 / (2n min T) When a mark recorded at a single frequency (duty ratio 50%) is directly irradiated with Pe, the carrier level of the erased signal Pe is selected so that the attenuation is about 20 dB or more.
Alternatively, f max = 1 / (2n max T) comprising a single frequency is on mark recorded with (a duty ratio of 50%), f min
= 1 / (n min T) single frequency (duty ratio 50
%) Overwriting (at this time, the recording pulse may or may not be divided, but is modulated by the binary value of Pw and Pe) and the carrier level of f min and the erased f max. Pe is selected so that the difference in carrier level of is about 20 dB or more. Incidentally, P w is chosen to C / N ratio of a recording signal of f max and f m i n (Carrier to Noise ratio) of about 45dB or more.

【0022】Pw、Peおよび、クロック周期Tを記録時
の線速に応じて変更することは公知である。しかし、本
発明のごとく、パルス分割方法を線速に応じて、しかも
一定の法則に従って変化させることは、本発明者等が最
初に提案するものである。これらのパルス分割方法を記
述するパラメータは、線速に応じて連続的に変化させて
もよいが、一定の線速の範囲ごとに段階的に変化させて
もよい。
It is known that Pw, Pe and the clock cycle T are changed according to the linear velocity during recording. However, the present inventors first proposed to change the pulse division method according to the linear velocity and according to a certain law as in the present invention. The parameters describing these pulse division methods may be continuously changed according to the linear velocity, or may be changed stepwise for each constant linear velocity range.

【0023】上記の光記録方法で、記録パワーをオフと
するβiT期間におけるバイアスパワーPbiが、通常の
3値記録を行う場合の消去に必要なパワーPe以下の任
意値をとり(図4)、しかもPbiの値がβiTの間に変
化し数種類のレベルをとってもよいものとすることが出
来る。この場合、熱分布を細かく制御することが可能に
なり、非晶質マークの形が整えられ、また、記録信号の
ジッターを良好にすることが可能になる。また、より急
冷的になるために、再結晶化領域を小さくすることが可
能で、記録感度が向上する場合もある。ここで、Pbi
0になるとサーボ信号がとれなくなり、トラッキングサ
ーボがかからなくなるので好ましくない。また、Pbi
Peを超えると、記録層が溶融するため、かえって消去
不可能となるため好ましくない。結局、Pbiは、0より
大でPe以下であることが好ましい。
In the above optical recording method, the bias power Pb i in the β i T period in which the recording power is turned off takes an arbitrary value equal to or lower than the power Pe required for erasing in the case of performing normal three-value recording (see FIG. 4) Moreover, the value of Pb i may change during β i T, and several levels may be taken. In this case, the heat distribution can be finely controlled, the shape of the amorphous mark can be adjusted, and the jitter of the recording signal can be improved. Further, since the material is cooled more rapidly, the recrystallized region can be made smaller and the recording sensitivity may be improved in some cases. Here, when P bi becomes 0, the servo signal cannot be obtained and tracking servo is not applied, which is not preferable. On the other hand, if P bi exceeds Pe, the recording layer is melted, and erasing becomes impossible, which is not preferable. After all, P bi is preferably greater than 0 and less than or equal to Pe.

【0024】Vが10m/sとなる高線速では、特にP
bをPb=Pe(一定)としてオーバーライトできる媒体
が望ましい。高線速では、クロック周期が短くPbの切
り替え回路に高速応答性が必要になるためである。しか
し、低線速で使用する場合には、クロック周期が長く、
パルス制御回路の応答性に対する要求が緩和されるの
で、非晶質マークの形を整えるために、Pbを1種類の
値ではなく、数種類の組み合わせにすることは、回路を
複雑にするものの、時には好ましい。図5(a)に例示
した4Tマークのためのパターンでは、βiTの期間中
に、まず、0<Pb<Peをとり、次いで、Pb=Peと変
化する場合を挙げた。また、図5(b)に例示したパタ
ーンでは、先にPb=Peをとり、その後Pb<Peと変化
する例をあげた。このように、βiTにおいてPbiが複
数の値PbiJ(但し、βi=ΣJβiJであり、PbiJは、β
i内をさらに分割した区間βiJTにおいてとるバイアス
パワー値)をとりうる場合には、上記θiに代えて、 θi=Σj(PbijβijT)/(Pe・βiT) を定義し、(2)式及び(4)式が成り立つようにす
る。
At a high linear velocity where V is 10 m / s, P
It is desirable to use a medium that can be overwritten with b being Pb = Pe (constant). This is because at a high linear velocity, the clock cycle is short and the Pb switching circuit requires high-speed response. However, when used at low linear velocity, the clock period is long,
Since the requirement for the responsiveness of the pulse control circuit is relaxed, it is sometimes necessary to use a combination of several kinds of Pb instead of one kind of value in order to shape the shape of the amorphous mark, although the circuit becomes complicated. preferable. In the pattern for the 4T mark illustrated in FIG. 5A, the case where 0 <Pb <Pe is first set and then Pb = Pe is changed during the period of β i T has been described. In the pattern illustrated in FIG. 5B, Pb = Pe is first taken, and then Pb <Pe is changed. Thus, in β i T, Pb i has a plurality of values Pb iJ (where β i = Σ J β iJ , and Pb iJ is β
If capable of forming a bias power values) to take in further dividing interval beta iJ T within i, instead of the θ i, θ i = Σ j (Pb ij β ij T) / (Pe · β i T) Is defined so that the expressions (2) and (4) are satisfied.

【0025】上記の光記録方法において、マーク先端部
は、直前のレーザーパワーが消去パワーであり、通常は
温度が上がりにくいため、先頭の分割パルスのパルス幅
をその後に続くパルスより長くすると良い場合がある。
この例を図6(a)に示した。また、個々の分割された
記録パルスの立ち上がりは、必ずしもクロック周期と同
期している必要はないが、パルス制御回路を簡単にする
ためには、同期していることが望ましい。ただし、その
場合にも、一つのマーク長に対する先頭パルスまたは最
終パルスの立ち上がりだけをクロック周期Tから高々T
だけずらすことは、異なるマーク間の熱干渉を補正する
上で効果がある。さらには、先行するマークとの熱干渉
を抑制するため、後続マークの先頭パルスの直前(最大
でも2T時間経過以前)にオフパルス区間を設けること
も複雑にはなるが有効である。この例を図6(b)に示
した。
In the above-mentioned optical recording method, since the laser power immediately before is the erasing power at the tip of the mark and the temperature is usually hard to rise, it is desirable to make the pulse width of the first divided pulse longer than the pulse that follows it. There is.
This example is shown in FIG. Further, the rising edge of each divided recording pulse does not necessarily have to be synchronized with the clock cycle, but it is desirable to be synchronized in order to simplify the pulse control circuit. However, even in that case, only the rising edge of the first pulse or the last pulse for one mark length is at most T from the clock cycle T.
The offset is effective in correcting thermal interference between different marks. Further, in order to suppress thermal interference with the preceding mark, it is effective to provide an off pulse section immediately before the leading pulse of the succeeding mark (before the elapse of 2T time at the maximum), though it becomes complicated. This example is shown in FIG.

【0026】記録パワーPwは、個々の線速において
は、パルス長nTに依存せず一定であり、且つ、一つの
マーク内の分割された個々のパルス相互で一定であるこ
とが、パルス制御回路を簡素化する上で望ましい。しか
しながら、1つのマーク内の先頭パルスの記録パワーか
ら後続するパルスの記録パワーを段階的に変化させる、
特に後続パルスの記録パワーを低めにすることは、時に
は有効となる。場合によっては、さらに、nTマークを
記録するのに、必要なパルス長nT分のレーザパワー、
つまり、(α1+β1+・・・・・+αm+βm)=nとな
るパルス列を印加すると、加熱時間が長くなりすぎて、
必要な長さより長いマークが書けてしまうことがある。
その場合には、(α1+β1+・・・・・+αm+βm)=
n−j(jは0<j≦2の範囲の実数)として、それに
応じてパルス分割数m=n−kを変化させてもよい。図
7には、例として、βi(1≦i≦m−1)を一定と
し、βmのみ異なる値とするパターンを例示した。この
場合、βmの調整により、n−jを変化させ、所望のマ
ーク長nTを得ることができる。
The recording power Pw is constant irrespective of the pulse length nT at each linear velocity, and is constant between the divided individual pulses in one mark. It is desirable in simplifying. However, the recording power of the subsequent pulse is gradually changed from the recording power of the first pulse in one mark,
In particular, lowering the recording power of the subsequent pulse is sometimes effective. Depending on the case, further, the laser power for the pulse length nT necessary for recording the nT mark,
That is, when a pulse train of (α 1 + β 1 + ... + α m + β m ) = n is applied, the heating time becomes too long,
Sometimes it is possible to write a mark that is longer than the required length.
In that case, (α 1 + β 1 + ... + α m + β m ) =
As n-j (j is a real number in the range of 0 <j ≦ 2), the pulse division number m = n-k may be changed accordingly. In FIG. 7, as an example, a pattern in which β i (1 ≦ i ≦ m−1) is constant and only β m has a different value is illustrated. In this case, by adjusting β m , n−j can be changed to obtain a desired mark length nT.

【0027】線速に応じて変化させるべきパルス分割方
法のパラメータは前述のように少なくとも2種類ある
が、このパラメータのうち、パルス分割数m=n−k、
パルス長n−j、及び、αi+βiを線速によらず一定と
し、VL<V1<V2<Vhとなる線速度V1、V2におい
て、(1)−(4)式の全てが成り立つようにすること
は、パルス制御回路を簡素化する上で望ましい。より一
層望ましくは、使用する最大線速度Vhにおいて、 α1h=0.5、1.0、又は1.5、及び β1h=αih=0.5(2≦i≦m) とし、且つ、全ての線速度において、 αi+βi=1.0(2≦i≦m) とする。このようにすると、個々の記録パルスの立ち上
がりが、一定の遅延は別として、基準クロックに同期す
る。従って、パルス制御回路の設計が更に容易になる。
ここで、線速度VL≦V<Vhの範囲の線速度Vにおい
て、低線速になればなるほど、パルス幅を短くして再結
晶化を防げばよい。しかし、あまりパルス幅を短くする
と、記録感度が悪くなり好ましくないので、実際上は
0.05<αiと下限を設けることが好ましい。
As described above, there are at least two types of parameters of the pulse division method that should be changed according to the linear velocity. Among these parameters, the pulse division number m = n−k,
(1)-(4) at the linear velocities V 1 and V 2 where V L <V 1 <V 2 <V h , where the pulse length n−j and α i + β i are constant regardless of the linear velocity. It is desirable to make all of the equations valid in order to simplify the pulse control circuit. Even more preferably, at the maximum linear velocity V h used, α 1h = 0.5, 1.0, or 1.5 and β 1h = α ih = 0.5 (2 ≦ i ≦ m), and , Α i + β i = 1.0 (2 ≦ i ≦ m) at all linear velocities. In this way, the rising edge of each recording pulse is synchronized with the reference clock, apart from the constant delay. Therefore, the design of the pulse control circuit becomes easier.
Here, in the linear velocity V in the range of linear velocity V L ≦ V <V h , the lower the linear velocity, the shorter the pulse width may be to prevent recrystallization. However, if the pulse width is made too short, the recording sensitivity is deteriorated, which is not preferable. Therefore, in practice, it is preferable to set the lower limit of 0.05 <α i .

【0028】本発明では、マーク長変調記録を対象とす
るが、マーク端検出方式には制限されない。すなわち、
Jpn.J.Appl.Phys.、Vol.31(1992)、584-589ppに開示され
ているような、単純な直流レベルによるスライス、又
は、2回微分によるピーク検出のいずれでもよい。ま
た、同文献に開示されているような、マーク端の検出を
マーク前端と後端とで別々に行う方法も有効である。
The present invention is intended for mark length modulation recording, but is not limited to the mark edge detection method. That is,
Jpn.J.Appl.Phys., Vol.31 (1992), 584-589pp, a simple DC level slicing, or peak detection by double differentiation may be used. Further, as disclosed in the same document, a method of separately detecting the mark end at the mark front end and the mark end is also effective.

【0029】本発明を適用できる光記録媒体は、いわゆ
る相変化型記録媒体であって、結晶状態を未記録状態と
し、非晶質の記録マークを形成する形式のものである。
この種の相変化媒体の構成の1例を図8に示す。もちろ
ん、本発明はこの層構成に限定されるものではない。図
8において、基板1上に、下部保護層2、相変化型の記
録層3、上部保護層4、金属または半導体からなる反射
層5、及び、紫外線または熱硬化樹脂からなる保護層6
が順次に形成されている。符号2−5で示した各層は、
通常はスパッタ法で成膜される薄膜である。記録再生用
の集束光は、一般に、透明基板1を透過して記録層3に
照射される。記録層3は記録パワーPwの照射により局
所的に加熱されて溶融し、集束光照射光のオフにより、
急激に冷却され、固化する際に非晶質となる。非晶質マ
ークはPeの照射により、融点以下で結晶化温度以上の
温度となるように加熱されて再結晶化され、消去され
る。このような原理でオーバーライトできる記録層材料
としては、すでに述べたようなGeSbTe合金(なかで
も、GeTeとSb2Te3の疑似2元合金)、Sb70Te30
晶組成の近傍でAg、Cu、Au、Ge、Pd、Pt等を添加
したものが挙げられる。これらの合金では、特にSb量
の制御により、結晶化速度および非晶質形成能、あるい
は結晶化温度を制御し、使用する線速度にあわせて最適
化を行っている。例えば、GeTe−Sb2Te3疑似2元合
金にSbを添加していくと、非晶質形成能が増し、結晶
化速度が遅くなるので、低線速向きとなる。また、記録
層2や保護層4の厚み、保護層2、4及び反射層5の熱
伝導率を制御することで、記録時に形成された溶融領域
の過冷却速度を制御することでも、線速に適合させる制
御が可能となる。例えば、保護層の熱伝導率を高くす
る、或いは、記録層および上部保護層の厚みを15−3
0nmとして、記録層から反射層への熱拡散を促進する
と、非晶質形成が促進されるので、低線速向きとなる。
The optical recording medium to which the present invention can be applied is a so-called phase change type recording medium in which the crystalline state is an unrecorded state and an amorphous recording mark is formed.
FIG. 8 shows an example of the structure of this type of phase change medium. Of course, the present invention is not limited to this layer structure. In FIG. 8, a lower protective layer 2, a phase-change recording layer 3, an upper protective layer 4, a reflective layer 5 made of metal or semiconductor, and a protective layer 6 made of ultraviolet or thermosetting resin are provided on a substrate 1.
Are sequentially formed. Each layer indicated by reference numeral 2-5 is
Usually, it is a thin film formed by a sputtering method. Focused light for recording and reproduction is generally transmitted through the transparent substrate 1 and applied to the recording layer 3. The recording layer 3 is locally heated and melted by the irradiation of the recording power Pw, and by turning off the focused light irradiation light,
It becomes amorphous when rapidly cooled and solidified. The amorphous mark is heated by the irradiation of Pe to a temperature below the melting point and above the crystallization temperature, recrystallized, and erased. As a recording layer material which can be overwritten by such a principle, GeSbTe alloys (among others, a pseudo binary alloy of GeTe and Sb 2 Te 3 ) as described above, Ag in the vicinity of the Sb 70 Te 30 eutectic composition, Examples thereof include Cu, Au, Ge, Pd, Pt and the like. In these alloys, the crystallization rate and the amorphous forming ability or the crystallization temperature are controlled by controlling the amount of Sb, and the alloy is optimized according to the linear velocity to be used. For example, when going Sb added to the GeTe-Sb 2 Te 3 pseudo binary alloy, an amorphous forming ability is increased, since the crystallization speed is reduced, the low linear velocity direction. Further, by controlling the thicknesses of the recording layer 2 and the protective layer 4, and the thermal conductivity of the protective layers 2 and 4 and the reflective layer 5, it is possible to control the supercooling rate of the melted region formed at the time of recording to obtain the linear velocity. It is possible to control to adapt to. For example, increase the thermal conductivity of the protective layer, or increase the thickness of the recording layer and the upper protective layer to 15-3.
When the thickness is set to 0 nm, if thermal diffusion from the recording layer to the reflective layer is promoted, amorphous formation is promoted, and the direction is low linear velocity.

【0030】本発明の具体的な応用例としては、記録可
能なコンパクトディスク(CD−E)が挙げられる。C
D−Eでは、VL=1.2〜1.4m/sであり、1倍
速、及び、2、4、6倍速の全てで記録再生できれば望
ましい。このような、CD−Eの使用方法は、公表され
てはいないが、現在すでに市場に出回っている、ライト
ワンス型の記録可能CD(CD−R、CD−Recrordabl
e)では、1−6倍速の広線速で記録可能であることが
望ましいとされている。この場合、好ましいパルス分割
方法としては、まず、マーク長変調方式としてm=n、
n−1、又は、n−2なるEFM変調を採用し、Vとし
てVL、2VL、4VLまたは、6VLの有限個の値を取り
うるものとする。線速2VL以上においてα1h=1.5
又は1.0、β1h=αih=0.5(2≦i≦m)とし、
且つ、全ての線速度において、α i+βi-1=1.0(2
≦i≦m)としている。更に、線速度2VLではPbi
Pr±0.5mW(1≦i≦m、Prは再生光パワー)、
線速度Vh=4VL又は6VLにおいてはPbi=Pe±0.
5mW(1≦i≦m)、線速度VLにおいては0.05
<αi<0.5(2≦i≦m)及びα1L≦α1hとなるよ
うに線速度に応じて記録パルス分割方法を変更させる。
但し、βm≠0.5(0であり得る)とする。すなわ
ち、各マーク最後端のオフパルス期間はマーク内のオフ
パルス期間と異なる時間とすることが出来る。こうする
ことで、種々の線速度で記録を行う多種のドライブ装置
に対して、1種類の媒体で対応できる。
As a concrete application example of the present invention, recording is possible.
A compact disc (CD-E) that can be used is mentioned. C
In D-E, VL= 1.2 to 1.4 m / s, which is 1 time
It would be desirable if we could record and reproduce at all speeds and 2, 4, and 6x speeds.
Good. The usage of CD-E is publicly announced.
Not, but now on the market, Wright
Once type recordable CD (CD-R, CD-Recrordabl
In e), it is possible to record at a wide linear velocity of 1-6 times speed.
It is said to be desirable. In this case, the preferred pulse division
As a method, first, as a mark length modulation method, m = n,
Adopt EFM modulation of n-1 or n-2,
VL, 2VL4VLOr 6VLTake a finite number of
Let's get it. Linear velocity 2VLAbove α1h= 1.5
Or 1.0, β1h= Αih= 0.5 (2 ≦ i ≦ m),
And at all linear velocities, α i+ Βi-1= 1.0 (2
≦ i ≦ m). Furthermore, linear velocity 2VLThen Pbi=
Pr ± 0.5 mW (1 ≦ i ≦ m, Pr is the reproduction light power),
Linear velocity Vh= 4VLOr 6VLAt Pbi= Pe ± 0.
5mW (1 ≦ i ≦ m), linear velocity VLAt 0.05
i<0.5 (2 ≦ i ≦ m) and α1L≤α1hWill be
The recording pulse division method is changed according to the linear velocity.
However, βm ≠ 0.5 (may be 0). Sand
The off pulse period at the end of each mark is off within the mark.
The time period can be different from the pulse period. do this
By doing so, various drive devices that record at various linear velocities
However, one type of medium can be used.

【0031】上記光記録方法に適したCD−E記録媒体
として、より具体的には、基板上に少なくとも下部誘電
体保護層、{(GeTe)y(Sb2Te31-y1-xSb
x(0≦x<0.1、0.2<y<0.9)記録層、上
部誘電体保護層、金属反射層を順に設けてなり、記録層
膜厚が15−30nm、上部誘電体保護層膜厚が10−
30nmとした相変化型媒体が挙げられる。或いは、こ
の記録層を、My(Te1-xSbx1-y(0≦y<0.3、
0.5<x<0.9、M=In、Ga、Zn、Ge、Sn、
Si、Co、Cr、Cu、Ag、Au、Pd、Pt、S、Se、
Oのうちの少なくとも1種)に代えてもよい。特開平4
−212735号公報及び特開平5−62193号公報
は、特にCD線速において書き換え可能なGeSbTe記
録層を用いた相変化型記録媒体に関する方法の先願であ
り、長マークで記録パルスを分割する記録方法が示され
ている。しかし、上記2倍速2VLにおけるパルス分割
方法は示唆すらされておらず、また、2、4、6倍速で
記録するときに生じる線速度依存性の問題についてはな
んら触れていない。更に、ある一定の法則に従って記録
パルス分割方法を変更して、線速依存性を克服する方法
については、全く開示されていない。特開平7−372
51号公報、及びその発明者等による学会発表(Intern
ational symposium on Optical Memory、 1995、 Knana
zawa、 Japan、No.P-33)においては、AgInSbTe記
録層を用いたCD−E媒体の例及びその記録方法が例示
されている。しかしながら、やはり、線速度依存性の問
題及びその解決方法についてはなんら開示されていな
い。
As a CD-E recording medium suitable for the above optical recording method, more specifically, at least a lower dielectric protective layer, {(GeTe) y (Sb 2 Te 3 ) 1-y } 1- , on a substrate is used. x Sb
x (0 ≦ x <0.1, 0.2 <y <0.9) a recording layer, an upper dielectric protection layer, and a metal reflection layer are sequentially provided, and the recording layer has a film thickness of 15 to 30 nm. Protective layer thickness is 10-
A phase change medium having a thickness of 30 nm can be used. Alternatively, this recording layer may be formed as M y (Te 1-x Sb x ) 1-y (0 ≦ y <0.3,
0.5 <x <0.9, M = In, Ga, Zn, Ge, Sn,
Si, Co, Cr, Cu, Ag, Au, Pd, Pt, S, Se,
At least one of O) may be substituted. Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4
JP-A-212735 and JP-A-5-62193 are prior applications for a method relating to a phase-change recording medium using a GeSbTe recording layer rewritable especially at a CD linear velocity, and recording by dividing a recording pulse by a long mark. The method is shown. However, there is no suggestion of the pulse division method at the double speed 2V L, and there is no mention of the problem of linear velocity dependence that occurs when recording at the speeds of 2, 4, and 6 times. Further, there is no disclosure about a method of overcoming the linear velocity dependence by changing the recording pulse division method according to a certain law. JP-A-7-372
Publication No. 51, and conference presentations by the inventors (Intern
ational symposium on Optical Memory, 1995, Knana
Sawa, Japan, No. P-33) exemplifies a CD-E medium using an AgInSbTe recording layer and a recording method thereof. However, again, there is no disclosure about the linear velocity dependence problem and its solution.

【0032】上記例において、最小線速度VLが1.2
〜1.4m/Sの範囲にあるマーク長変調記録にあって
は、mをm=n、n−1又はn−2に選定し、線速度V
がV=VL、2VL、4VL、又は、6VLの有限個の値を
もとるものと選定し、この各線速度Vにおいて、iが2
≦α≦mの範囲では、αi+βi=1.0とし、且つ、i
が1≦i≦mの範囲ではPbi=Pr±0.5mWとし、
線速度Vが低下するとき、全てのiに対してαiが単調
に減少するように構成することが出来る。また、この場
合、βm≠0とすることが、トラッキングサーボの観点
から好ましい。
In the above example, the minimum linear velocity V L is 1.2.
For mark length modulation recording in the range of up to 1.4 m / S, m is selected as m = n, n-1 or n-2, and the linear velocity V
There V = V L, 2V L, 4V L, or chosen shall take also a finite number of values of 6V L, in the each linear velocity V, i is 2
In the range of ≦ α ≦ m, α i + β i = 1.0, and i
In the range of 1 ≦ i ≦ m, P bi = P r ± 0.5 mW,
When the linear velocity V decreases, α i can be monotonically decreased for all i. In this case, β m ≠ 0 is preferable from the viewpoint of tracking servo.

【0033】本発明のもう一つの有効な利用方法は、一
定角速度(constant angular velocity、CAV)で回
転する相変化型ディスクの内外周の線速度差によって生
じる線速度依存性を解消することである。すなわち、記
録領域の内外周の半径が2倍以上になるような半径の大
きな媒体では、内外周に2倍以上の線速度差が生じる。
線速度依存性を克服するために、内外周で記録層組成や
層構成を変化させることは、製造時に特別の工夫を要し
困難である。そこで内外周の線速度に応じて、本発明に
従って記録パルス分割方法を変化させることにより、半
径方向に均一な媒体においても、ディスク全面にわたっ
て不都合無く情報を記録できる。この記録パルス分割方
法の半径位置に伴う変更は、例えば、通常のZCAV
(ZonedCAV)方式の媒体では、半径位置における基
準クロック周期の切り替えと連動して行えば良い。
Another effective use of the present invention is to eliminate the linear velocity dependence caused by the difference in linear velocity between the inner and outer circumferences of the phase-change type disk rotating at a constant angular velocity (CAV). . That is, in a medium having a large radius such that the inner and outer radii of the recording area are double or more, the linear velocity difference is double or more on the inner and outer circumferences.
It is difficult to change the recording layer composition and the layer structure on the inner and outer circumferences in order to overcome the linear velocity dependence, because it requires special measures during manufacturing. Therefore, by changing the recording pulse division method according to the present invention according to the linear velocities of the inner and outer circumferences, it is possible to record information on the entire surface of the disk without any inconvenience even on a medium which is uniform in the radial direction. The change of the recording pulse division method depending on the radial position is, for example, a normal ZCAV.
In the case of the (Zoned CAV) type medium, it may be performed in conjunction with the switching of the reference clock cycle at the radial position.

【0034】本発明の光記録方法をより簡便に且つ有効
に利用するため、使用するディスクに、予め例えば凹凸
のピット情報にでパルス分割に関する情報を記録する。
そのパルス分割情報は、例えば、上記パラメータ(P
w、Pe、Pb、m、j、k、αi、βi)のうち可変とす
るものの組合せを、使用する線速度に合わせて変更する
ように記載されていることが好ましい。この記載は、V
L≦V≦Vhの範囲の線速度Vにおいて、VL及びVhにお
ける線速度のみに関して分割方法が記載され、その間の
Vについしては、VL及びVhに対するパラメータを補間
して利用することが可能である。また、上記のCD−E
では、リードインエリアにある蛇行した溝の周波数変調
により、上記パルス分割に関する情報をあらかじめ基板
に記載してもよい。ディスク駆動装置は、予めディスク
に記載されたパルス分割方法を読みとり、指定されたパ
ルス分割方法及び線速度で記録を行うパルス分割スキー
ムを自動的に実施する。このようなディスク駆動装置を
採用することにより、線速依存性は相互に異なるもの
の、記録情報のフォーマットが相互に同じ複数の相変化
媒体が市場に共存した場合にも、その互換性をとること
が可能となる。つまり、本発明は、ある特定の相変化媒
体上に、ある特定の固定されたパルス分割方法のみを採
用したディスク駆動装置で記録した場合に、再結晶化が
生じて正常なマークが記録されないという問題を解消し
得る。
In order to use the optical recording method of the present invention more easily and effectively, information about pulse division is recorded beforehand on the disc to be used, for example, as pit information of irregularities.
The pulse division information is, for example, the parameter (P
It is preferable that the combination of w, Pe, Pb, m, j, k, α i and β i ) which are variable is changed according to the linear velocity to be used. This description is V
For linear velocities V within the range of L ≤ V ≤ V h , the division method is described only for the linear velocities at V L and V h, and for V in between, the parameters for V L and V h are interpolated and used. It is possible to In addition, the above CD-E
Then, the information regarding the pulse division may be written on the substrate in advance by frequency modulation of the meandering groove in the lead-in area. The disk drive reads the pulse division method written on the disk in advance, and automatically implements a pulse division scheme in which recording is performed at a specified pulse division method and linear velocity. By adopting such a disk drive device, although the linear velocity dependences are different from each other, compatibility is maintained even when a plurality of phase change media having the same recording information format coexist in the market. Is possible. That is, according to the present invention, when recording is performed on a specific phase change medium by a disk drive device that adopts only a specific fixed pulse division method, recrystallization occurs and a normal mark is not recorded. Can solve the problem.

【0035】上記のように、本発明では、線速度に対応
してパルス分割方法を変えることで、線速度の大きく違
う条件、例えばVh≧2VLの線速度範囲で記録を行って
も、ディスク上に良好な温度分布を作ることが可能とな
り、低線速における再結晶化や、高線速における消し残
り等が抑えられて、1枚のディスクを相変化媒体では、
従来不可能とされてきた広い線速において使用できる。
As described above, according to the present invention, by changing the pulse division method according to the linear velocity, even if recording is performed under the condition that the linear velocity is greatly different, for example, in the linear velocity range of V h ≧ 2V L , It becomes possible to create a good temperature distribution on the disc, suppress recrystallization at low linear velocity, unerased residue at high linear velocity, etc.
It can be used in a wide range of linear velocities that were previously impossible.

【0036】以下に本発明の実施形態例(実施例)を示
すが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例では、680nmのレーザ
ーダイオード、NA=0.60の光学レンズを搭載した
パルステック社製光ディスクドライブテスタを用いて記
録(1ビーム・オーバーライト)を行った。再生光パワ
ーPrは1.0mWで線速によらず一定とした。また、
クロック周期Tは線速に反比例させるものとし、1.4
m/sでの記録時にT=143nsec(7MHz)、
10m/sでT=20.0nsecとなるように選定し
た。
The embodiments (examples) of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited to the following examples. In the following examples and comparative examples, recording (1 beam overwriting) was performed using an optical disk drive tester manufactured by Pulstec Co., Ltd. equipped with a laser diode of 680 nm and an optical lens of NA = 0.60. The reproducing light power Pr was 1.0 mW and was constant regardless of the linear velocity. Also,
The clock cycle T is assumed to be inversely proportional to the linear velocity, and 1.4
When recording at m / s, T = 143 nsec (7 MHz),
It was selected so that T = 20.0 nsec at 10 m / s.

【0037】[実施例1、比較例1、2] 実施例1と
して、ポリカーボネート基板上に(ZnS)80(Si
220[mol%]層を100nm、Ge22.2Sb22.2Te
55.6[at%]層を25nm、(ZnS)80(SiO220
[mol%]層を20nm、Al合金層を100nm順次に
マグネトロンスパッタリング法にて積層し、更にその上
に紫外線硬化樹脂を4μm設けることにより作成したデ
ィスクを用いた。まず、3T/9T/7T/9T/11
T/9T(下線部がマーク、下線無し部がマーク間に相
当する)のパターンを繰り返し含む繰返しパターンによ
る評価を行った。適当な条件で数回オーバーライトした
後に、再生信号中の11T/9T信号振幅のピーク波高
値の中心レベルでスライスし、マーク長を検出した。検
出にはタイムインターバルアナライザー(TIA、ヒュ
ーレットパッカード製、E1725A)及び簡易法(Jp
n.J.Appl.Phys.、Vol.31(1992)、584-589pp等に開示され
た簡易ピーク検出法)を用いた。
Example 1, Comparative Examples 1 and 2 As Example 1, (ZnS) 80 (Si
O 2 ) 20 [mol%] layer 100 nm, Ge 22.2 Sb 22.2 Te
55.6 [at%] layer is 25 nm, (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20
A disk was prepared by sequentially stacking a [mol%] layer with a thickness of 20 nm and an Al alloy layer with a thickness of 100 nm by a magnetron sputtering method, and further providing an ultraviolet curable resin thereon to a thickness of 4 μm. First, 3T / 9T / 7T / 9T / 11
The evaluation was performed using a repeating pattern including a T / 9T pattern (the underlined portion corresponds to the mark and the non-underlined portion corresponds to the mark). After overwriting several times under appropriate conditions, the mark length was detected by slicing at the center level of the peak crest value of the 11T / 9T signal amplitude in the reproduced signal. A time interval analyzer (TIA, manufactured by Hewlett-Packard, E1725A) and a simple method (Jp
nJAppl.Phys., Vol.31 (1992), 584-589pp, etc. was used.

【0038】線速度10m/sにおいて図9(a)で示
すようなパターン、すなわち、m=n−j、j=0(P
e=Pbであるから、j=0.2でも同じ)、α1=1.
5、β1=0.5、αi=βi=0.5(i≧2)とした
パルス分割法を用いた(例えば、Proc.Int.Symp.on Opt
ical Memory、1991、291-296pp参照)。Pw=12.0m
W、Pe=4.0mWでオーバーライトを行い、図10
(a)に示したオッシログラフのような良好な再生波形
が得られた。同様に、クロック周期を線速に応じて調節
し、適当なPw及びPeを選ぶことで、20m/sまでの
範囲でオーバーライトを試みたところ、すべて、良好な
記録波形がえられた。また、3T、7T、11Tのマー
ク長でTの10%未満という良好なマーク長ジッターが
得られた。
At a linear velocity of 10 m / s, the pattern as shown in FIG. 9A, that is, m = n-j, j = 0 (P
Since e = Pb, the same holds true for j = 0.2), α 1 = 1.
5, the pulse division method with β 1 = 0.5 and α i = β i = 0.5 (i ≧ 2) was used (for example, Proc.Int.Symp.on Opt
ical Memory, 1991, 291-296 pp). Pw = 12.0m
W and Pe = 4.0 mW overwrite, and
A good reproduced waveform like the oscillograph shown in (a) was obtained. Similarly, when the clock period was adjusted according to the linear velocity and appropriate Pw and Pe were selected to attempt overwriting in the range of up to 20 m / s, good recording waveforms were all obtained. Further, good mark length jitter of less than 10% of T was obtained at mark lengths of 3T, 7T and 11T.

【0039】比較例1として、同様の構成でパルス分割
のパターンを線速度で変化させず、クロック周期Tのみ
を調整し、1.4m/sでオーバーライトを試みた。こ
の場合、いかなるPwとPeの組み合わせにおいても、7
Tおよび11Tマークの記録が不可能であった。図10
(b)にその波形の一例(比較的ましな例)を示した。
マーク長が長い場合に、マーク前半部分がマーク後半部
分の記録時の余熱により再結晶化し、非晶質マークの記
録ができなかったものと考えられる。更に、比較例2と
して、1.4m/s用に最適化するために、記録層の組
成を先の例よりSbリッチとしたGe23Sb28Te49とした
ところ、非晶質マークは十分に形成されたものの、結晶
化速度が遅いため、10m/sでは非晶質マークの消去
比が不十分であり、オーバーライトには適さなかった。
As Comparative Example 1, an attempt was made to overwrite at 1.4 m / s by adjusting only the clock cycle T without changing the pulse division pattern at the linear velocity with the same configuration. In this case, 7 for any combination of Pw and Pe
Recording of T and 11T marks was impossible. FIG.
An example (relatively better example) of the waveform is shown in (b).
It is considered that when the mark length was long, the first half of the mark was recrystallized due to the residual heat during the recording of the second half of the mark, and the amorphous mark could not be recorded. Further, as Comparative Example 2, in order to optimize for 1.4 m / s, the composition of the recording layer was made to be Sb rich, Ge 23 Sb 28 Te 49, and the amorphous marks were sufficiently formed. Although formed, the crystallization speed was slow, so that the erasing ratio of the amorphous mark was insufficient at 10 m / s, which was not suitable for overwriting.

【0040】そこで、最も困難なケースとして、10−
20m/sで使用する高線速用媒体で1.4m/sでも
良好な記録を行うために、本発明の趣旨に従って、以下
のようにパルス分割方法の最適化を試みた。[実施例2] 線速度10−20m/s用に最適化した
ディスクを用いて、線速度1.4m/sで上記の繰返し
マーク長パターンによるオーバーライトを試みた。m=
n、j=0.2、Pe=4mWとし、PbはPb=Pbi
0.2mWと一定にし、且つ、nTマーク形成のための
n個の分割記録パルスの幅Tpを、Tp=αiTと一定に
し、記録パワーPwを可変とした。このパルスパターン
を図9(b)に示した。Tp≧50nsecでは、ほと
んど非晶質化せず、TIAによるマーク端の検出そのも
のができなかった。図11(a)及び(b)は夫々、T
pをさらに短くした場合のマーク長及びマーク長ジッタ
ーのPw依存性を各nTマーク(3T、7T、11T)
について示す。Tp=30nsec未満(即ち、0.2
1T未満)とした場合に、Pw=14〜17mWにおい
て、記録マークnTに対応した適正なマーク長と、0.
1T未満の良好なジッターが選られた。なお、Tp=1
2nsec(0.084T)では、PwとしてPw>16
mW以上が必要であり、上記テスタでは感度不足であっ
た。
Therefore, the most difficult case is 10-
In order to perform good recording even at 1.4 m / s on a medium for high linear velocity used at 20 m / s, an attempt was made to optimize the pulse division method as follows in accordance with the spirit of the present invention. [Example 2] Using a disk optimized for a linear velocity of 10-20 m / s, an attempt was made to overwrite by the above-described repeated mark length pattern at a linear velocity of 1.4 m / s. m =
n, j = 0.2, Pe = 4 mW, and Pb is Pb = Pb i =
The width Tp of the n divided recording pulses for forming the nT mark was kept constant at 0.2 mW, Tp = α i T, and the recording power Pw was made variable. This pulse pattern is shown in FIG. When Tp ≧ 50 nsec, almost no amorphization occurred, and the mark edge itself could not be detected by TIA. 11A and 11B respectively show T
Pw dependence of mark length and mark length jitter when p is further shortened for each nT mark (3T, 7T, 11T)
About. Tp = less than 30 nsec (that is, 0.2
(Less than 1T), at Pw = 14 to 17 mW, an appropriate mark length corresponding to the recording mark nT and 0.
A good jitter of less than 1T was selected. Note that Tp = 1
In 2 nsec (0.084T), Pw> 16 as Pw
Since mW or more is required, the tester has insufficient sensitivity.

【0041】本実施例では、βiについては、βn以外は
みな等しく、βnのみをj=0.2となるように調整し
ている。[実施例3] Tp=20nsec(αi=0.14)、
m=n、j=0.2、Pe=0.4mWの条件下で、Pb
およびPwを可変とした。図12(a)及び(b)に夫
々、マーク長及びマーク長ジッターのPw、Pb依存性を
図11(a)及び(b)と同様に示す。Pbが1mW程
度より小さければ、Pw=14〜17mWで、ほぼ0.
1T以下の良好なジッターが得られた。なお、0<Pb
<Prとしても、トラッキングサーボ等に影響はなかっ
た。Pb=0.2mWとPbをPrより低くしても、この
程度の時間であれば、トラッキングサーボははずれな
い。
[0041] In this embodiment, beta i, except beta n are all equal, is adjusted only beta n such that j = 0.2. Example 3 Tp = 20 nsec (α i = 0.14),
Under the conditions of m = n, j = 0.2, Pe = 0.4 mW, Pb
And Pw were made variable. 12A and 12B show the dependence of the mark length and the mark length jitter on Pw and Pb, respectively, as in FIGS. 11A and 11B. If Pb is smaller than about 1 mW, then Pw = 14 to 17 mW, which is almost 0.
A good jitter of 1T or less was obtained. Note that 0 <Pb
<Pr does not affect the tracking servo or the like. Even if Pb = 0.2 mW and Pb is made lower than Pr, the tracking servo cannot be lost within this time.

【0042】実施例2、3から、1.4m/s〜20m
/sといった広範囲の線速度で使用する場合には、特
に、低線速側において、αiを小さくすることと、Pbを
小さくすることを併用すると良好な結果が得られること
が判明した。[実施例4] Tp=20nsec(αi=0.14
T)、Pb=0.2mW、Pe=4mWにおいて、m=n
又はm=n−1とした場合のマーク長およびマーク長ジ
ッターのPw及びj依存性を夫々、図13(m=nの場
合)、図14(m=n−1の場合)に示した。マーク長
は、n−j=Σ(αi+βi)に強く依存する。m=n、
及び、m=n−1のいずれにおいてもj=0.2〜0.
7の範囲に最適点が存在することがわかる。m=n−1
の場合には、1.4m/s〜20m/sの範囲におい
て、mを一定とし、n−j及びαiのみを線速度に応じ
て変化させればよいことから好ましい。パルス制御回路
としては、mが線速に応じて変化する場合より一定にで
きるほうが回路構成上好ましいからである。また、n=
3、7、11のマーク長を含む繰返しパターンを用いて
良好な結果を得たことにより、n=3から11の全ての
マーク長を含むパターンが採用される、例えば、コンパ
クトディスク(CD)で用いられるEFM変調方式にお
いて、広範囲の線速度でオーバーライトが可能になった
ことを意味する。但し、T=143nsecでの最短マ
ーク長である3Tは0.6μmに相当し、現行のCDよ
り高密度である。しかし、これが、現行のCDなみの
0.8〜0.9μmとなっても、若干のパルス幅等の最
適化を行えば、同様に広範囲の線速度でオーバーライト
可能になる。一方、最短マーク長がさらに小さくなる、
例えば、ディジタルビデオディスクにおけるマーク長変
調記録でも同様である。むしろ、マーク長が短い方が、
再結晶化が起こりにくいので、線速依存性に関する問題
は軽減される。このような高密度記録媒体においても、
本発明のパルス分割方法は適用可能である。
From Examples 2 and 3, 1.4 m / s to 20 m
It has been found that when used in a wide range of linear velocities such as / s, particularly when the linear velocity is low, a combination of reducing α i and reducing Pb gives good results. Example 4 Tp = 20 nsec (α i = 0.14)
T), Pb = 0.2 mW, Pe = 4 mW, m = n
Alternatively, the dependence of the mark length and mark length jitter on Pw and j when m = n−1 is shown in FIG. 13 (when m = n) and FIG. 14 (when m = n−1), respectively. The mark length strongly depends on n−j = Σ (α i + β i ). m = n,
And m = n−1, j = 0.2 to 0.
It can be seen that the optimum point exists in the range of 7. m = n-1
In the case of, it is preferable that m is constant and only n−j and α i are changed according to the linear velocity in the range of 1.4 m / s to 20 m / s. This is because it is preferable for the pulse control circuit from the viewpoint of the circuit configuration that it can be kept constant as compared with the case where m changes according to the linear velocity. Also, n =
Good results have been obtained with repetitive patterns containing mark lengths of 3, 7 and 11, so that patterns containing all mark lengths from n = 3 to 11 are adopted, for example in a compact disc (CD). This means that the EFM modulation method used allows overwriting in a wide range of linear velocities. However, 3T, which is the shortest mark length at T = 143 nsec, corresponds to 0.6 μm, which is higher in density than the current CD. However, even if this is 0.8 to 0.9 μm, which is the same as the current CD, if a slight optimization of the pulse width and the like is performed, overwriting can be performed in a wide range of linear velocities as well. On the other hand, the shortest mark length becomes smaller,
For example, the same applies to mark length modulation recording on a digital video disc. Rather, the shorter mark length
Since recrystallization is less likely to occur, the problem regarding linear velocity dependence is reduced. Even in such a high-density recording medium,
The pulse division method of the present invention is applicable.

【0043】[実施例5] 10m/sと1.4m/s
との間の中間線速において、上記相変化媒体に上記繰返
しパターンをオーバーライトすることとし、例として、
2.8m/sにおける記録を行なった。その結果、Tp
=15−20nsec.、j=0.2、m=n、Pe=
4mW、Pb=0.2mWとしたパルス分割パターンに
おいて、Pw=約15mW以上で、適正なマーク長及び
0.1T以下の良好なジッターが得られた。したがっ
て、本実施例の媒体に対しては、少なくとも、CD線速
の1−2倍速においては、同じパターンを適用できる。
一方、CD線速の約4倍速である5.6m/sにおいて
は、m=n−1、j=0.0、Pb=Pe、Tp=20n
secとしたところ、Pw=16mW及びPe=4mW
で、0.1T以下の良好なジッターが得られた。
Example 5 10 m / s and 1.4 m / s
At an intermediate linear velocity between and, the phase change medium is overwritten with the repeating pattern, and as an example,
Recording was performed at 2.8 m / s. As a result, Tp
= 15-20 nsec. , J = 0.2, m = n, Pe =
In the pulse division pattern with 4 mW and Pb = 0.2 mW, when Pw = about 15 mW or more, an appropriate mark length and a good jitter of 0.1 T or less were obtained. Therefore, the same pattern can be applied to the medium of the present embodiment at least at 1-2 times the CD linear velocity.
On the other hand, at 5.6 m / s which is about 4 times the CD linear velocity, m = n-1, j = 0.0, Pb = Pe, Tp = 20n.
When set to sec, Pw = 16 mW and Pe = 4 mW
Then, a good jitter of 0.1 T or less was obtained.

【0044】[実施例6] 本発明は、高線速と低線速
でのパルス長変調方式が異なる場合にも適用できる。本
実施例6では、実際に、10−20m/sの範囲では、
コンピュータ周辺機器と光記録媒体で用いられる、n=
2から8迄のマーク長からなる(1、7)RLL(run-
length-limited)符号を用い、1.4m/sにおいては
EFM変調を用いてオーバーライトすることを試みた。
この場合、クロック周期Tを一定としたほうがマーク端
検出回路が容易になる。もっとも、必ずしも厳密に一致
する必要はない。物理的な最短マーク長は、その媒体の
物理的特性で決まる線密度の下限であるから、一定にし
たほうが良い。そこで、上記(1、7)変調における最
短マーク2TとEFM変調における3Tマークをいずれ
も0.6μmとするようにクロック周期を変えることが
有効となる。図15(a)〜(c)に夫々、線速10m
/s(EFM変調)、5.6m/s(EFM変調)、及
び、1.4m/s(1−7変調)におけるアイパターン
を示した。同図にみるように、各線速において良好な波
形が得られており、最短マークにおいても、マーク長ジ
ッターは0.1T未満であった。
[Embodiment 6] The present invention can be applied to the case where the pulse length modulation method is different between the high linear velocity and the low linear velocity. In the sixth embodiment, in the range of 10-20 m / s,
Used in computer peripherals and optical recording media, n =
(1, 7) RLL (run- consisting of mark length from 2 to 8)
Attempts were made to overwrite by using EFM modulation at 1.4 m / s using a length-limited) code.
In this case, if the clock cycle T is constant, the mark edge detection circuit becomes easier. However, it does not necessarily have to be an exact match. The physical shortest mark length is the lower limit of the linear density determined by the physical characteristics of the medium, so it is better to keep it constant. Therefore, it is effective to change the clock cycle so that both the shortest mark 2T in the (1 and 7) modulation and the 3T mark in the EFM modulation are 0.6 μm. The linear velocity of 10 m is shown in each of FIGS.
The eye patterns at / s (EFM modulation), 5.6 m / s (EFM modulation), and 1.4 m / s (1-7 modulation) are shown. As shown in the figure, a good waveform was obtained at each linear velocity, and the mark length jitter was less than 0.1 T even at the shortest mark.

【0045】[(実施例7] 記録媒体として、記録層
にAg4.2In5.2Sb62.6Te23.0の組成の合金薄膜を用
い、層構成としては実施例1と同様としたものを用意し
た。記録には、波長が780nmの半導体レーザ、NA
=0.55の光学レンズを用いた。CD2倍線速4.8
m/sにおいて、EFM変調方式に対して、図16に示
したパルス分割方式で、Pw=12mW、Pe=6mW、
Pb=Pr=0.8mWのパターンにより記録したとこ
ろ、良好なアイパターンが得られた。すなわち各マーク
のジッターがクロック周期の10%未満となった。この
媒体を同じパルス分割方式で、クロック周期を倍にして
CD1倍速で記録したところ、再結晶化が著しく、良好
なアイパターンが選られなかった。しかし、αiを0.
33(2≦i≦m、α1は1.0で変化させず)、Pw=
11mw、Pe=5mW、Pb=Pr=0.8mWとした
ところ、良好なアイパターンが得られた。
[0045] As [(Example 7 A recording medium, an alloy thin film of the composition of Ag 4.2 In 5.2 Sb 62.6 Te 23.0 the recording layer, as the layer structure was prepared which was the same as in Example 1. The recording Is a semiconductor laser with a wavelength of 780 nm, NA
= 0.55 optical lens was used. CD double speed 4.8
At m / s, Pw = 12 mW, Pe = 6 mW by the pulse division method shown in FIG. 16 with respect to the EFM modulation method.
When recording with a pattern of Pb = Pr = 0.8 mW, a good eye pattern was obtained. That is, the jitter of each mark was less than 10% of the clock cycle. When this medium was recorded at the CD1 speed by doubling the clock cycle using the same pulse division method, recrystallization was remarkable and a good eye pattern could not be selected. However, if α i is 0.
33 (2 ≦ i ≦ m, α 1 is 1.0 and remains unchanged), Pw =
When 11 mw, Pe = 5 mW, and Pb = Pr = 0.8 mW were set, a good eye pattern was obtained.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明の記録方式を用いることにより、
媒体の材質を変えることなく、媒体の線速度マージン、
特に、低線速側のマージンを広げることができ、広い線
速度の範囲でオーバーライト記録が可能となる。また、
記録データのフォーマットには互換性がありながら、記
録時の線速度が異なる種々のドライブに対して同一の媒
体で対応でき、各線速用に最適化する必要がなくなるの
で、媒体互換性の問題が解消できる。
By using the recording system of the present invention,
Without changing the material of the medium, the linear velocity margin of the medium,
In particular, the margin on the low linear velocity side can be widened, and overwrite recording can be performed in a wide linear velocity range. Also,
Although the recording data format is compatible, it is possible to support various drives with different linear velocities at the time of recording with the same medium, and there is no need to optimize for each linear velocity. It can be resolved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の非晶質マークの反射特性を示すグラフ。FIG. 1 is a graph showing the reflection characteristics of a conventional amorphous mark.

【図2】図1の非晶質マークの構造を示す模式的平面
図。
FIG. 2 is a schematic plan view showing the structure of the amorphous mark of FIG.

【図3】nTマークを記録するマーク長変調方式におけ
るパルスパターンを例示する波形図。
FIG. 3 is a waveform diagram illustrating a pulse pattern in a mark length modulation method for recording an nT mark.

【図4】本発明で採用されるマーク長変調におけるパル
スパターンを例示する波形図。
FIG. 4 is a waveform diagram illustrating a pulse pattern in mark length modulation adopted in the present invention.

【図5】(a)及び(b)は夫々、4Tマークを記録す
るパルスパターンを例示する波形図。
5A and 5B are waveform diagrams illustrating pulse patterns for recording a 4T mark, respectively.

【図6】(a)及び(b)は夫々、パルス印加期間を変
えたときのパルスパターンを例示する波形図。
6A and 6B are waveform diagrams illustrating pulse patterns when the pulse application period is changed, respectively.

【図7】本発明の実施例で採用されるパルスパターンを
例示する波形図。
FIG. 7 is a waveform diagram illustrating a pulse pattern adopted in the embodiment of the present invention.

【図8】本発明で採用される記録媒体の層構成を示す断
面図。
FIG. 8 is a sectional view showing the layer structure of a recording medium adopted in the present invention.

【図9】(a)及び(b)は夫々、本発明の実施例で採
用されるパルスパターンの波形図。
9A and 9B are waveform diagrams of pulse patterns used in the embodiments of the present invention.

【図10】(a)及び(b)は夫々、実施例1及び比較
例1の再生波形を示すオッシログラフ写真
10A and 10B are oscillograph photographs showing reproduced waveforms of Example 1 and Comparative Example 1, respectively.

【図11】(a)及び(b)は夫々、実施例2における
マーク長及びジッターの記録パワー依存性を示すグラ
フ。
11A and 11B are graphs showing the recording power dependence of the mark length and the jitter in Example 2, respectively.

【図12】(a)及び(b)は夫々、実施例3における
図11(a)及び(b)と同様なグラフ。
12A and 12B are graphs similar to FIGS. 11A and 11B in Example 3, respectively.

【図13】(a)及び(b)は夫々、実施例4における
図11(a)及び(b)と同様なグラフ。
13A and 13B are graphs similar to FIGS. 11A and 11B in Example 4, respectively.

【図14】(a)及び(b)は夫々、実施例4におけ
る、m=n及びm=n−1のときの図13と同様な図。
FIGS. 14A and 14B are diagrams similar to FIG. 13 when m = n and m = n−1 in the fourth embodiment, respectively.

【図15】(a)〜(c)は夫々、EFM変調、又は、
1ー7変調における再生されたアイパターンを示すオッ
シログラフ写真。
15A to 15C are respectively EFM modulation or
An oscillograph picture showing the reconstructed eye pattern in 1-7 modulation.

【図16】実施例7における記録波形のパターンを示す
波形図。
FIG. 16 is a waveform chart showing a pattern of a recording waveform in Example 7.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下部保護層 3 記録層 4 上部保護層 5 反射層 6 保護層 1 substrate 2 lower protective layer 3 recording layer 4 upper protective layer 5 reflective layer 6 protective layer

フロントページの続き (72)発明者 堀江 通和 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内Continuation of the front page (72) Inventor Towa Kawai 1000 Kamoshida-cho, Aoba-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsubishi Chemical Corporation Yokohama Research Institute

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザーパワーをクロック周期Tに従っ
て記録パワーPw、消去パワーPe、及び、バイアスパワ
ーPbの少なくとも3値の間で変調することで光学的に
識別可能な非晶質マークの形成又は消去を行って、光学
的情報記録媒体にデータを記録・消去する光記録方法に
おいて、 光学的記録媒体上の線速度Vを、最大線速度Vh及び最
小線速度VLに従って、VL≦V≦Vhの範囲で可変と
し、 線速度Vのときのクロック周期Tを、線速度Vに従って
可変とし、 記録パワーPwを印加する期間をα1T、α2T、・・
・、αmTとし且つバイアスパワーPbを印加する期間を
β1T、β2T、・・・、βmTとして、レーザパワーの
ための印加期間を順次にα1T、β1T、α2T、β2T、
・・・・、αmT、βmTと選定することで、nを2以上
の整数として長さnTの非晶質マークを記録する記録パ
ワーをm個のパルスに分割し、 kを0から2迄の整数から成るパラメータ、jを0から
2迄の実数からなるパラメータとし、且つ、前記nの最
小値をnminとして、 nmin−k≧1、m=n−k、α1+β1+・・・・・+
αm+βm=n−jを条件として、前記線速度Vに対応し
て、αiTの組合せ、及び、Pbの少なくとも一方を変化
させることを特徴とする光記録方法。
1. Forming or erasing an optically distinguishable amorphous mark by modulating a laser power among at least three values of a recording power Pw, an erasing power Pe, and a bias power Pb in accordance with a clock cycle T. In the optical recording method for recording and erasing data on the optical information recording medium, the linear velocity V on the optical recording medium is set to V L ≦ V ≦ according to the maximum linear velocity V h and the minimum linear velocity V L. Variable in the range of V h , the clock period T at the linear velocity V is made variable according to the linear velocity V, and the period for applying the recording power Pw is α 1 T, α 2 T, ...
·, Α m T and to and the period for applying the bias power P b β 1 T, β 2 T, ···, as beta m T, sequentially alpha 1 T the application period for the laser power, beta 1 T , Α 2 T, β 2 T,
.., α m T, β m T, the recording power for recording the amorphous mark of the length nT is divided into m pulses, where n is an integer of 2 or more, and k is 0. Is a parameter consisting of integers from 1 to 2, j is a parameter consisting of a real number from 0 to 2, and the minimum value of n is n min , n min −k ≧ 1, m = n−k, α 1 + β 1 + ・ ・ ・ ・ ・ +
At least one of the combination of α i T and P b is changed corresponding to the linear velocity V under the condition of α m + β m = n−j.
【請求項2】 前記速度に対応して、βiTにおける前
記バイアスパワーPbiを変化することに代えて、バイア
スパワーPbiと消去パワーpeとの比Pbi/Pe=θi
変化させることを特徴とする請求項1に記載の光記録方
法。
2. The ratio P bi / Pe = θ i between the bias power P bi and the erasing power p e is replaced by changing the bias power P b i at β i T corresponding to the speed. The optical recording method according to claim 1, wherein the optical recording method is changed.
【請求項3】 線速度VL≦V≦Vh(Vh≧2VL)の範
囲で、少なくとも記録時の線速度を連続的または段階的
に可変とし、 αiLT、αilT、αi2T、αihTを夫々、線速度VがV
L、V1、V2、Vhのときの分割された個々のパルスのパ
ルス幅とするとき、VL<V1<V2<Vhとなる線速度V
1及びV2においては、1≦i≦mなるすべてのiに対し
て、αiL≦αil≦αi2≦αih、且つ、θiL≦θil≦θi2
≦θihとし、且つ、少なくともVLにおいてはαiL<α
ih、又は、θiL<θihとすることを特徴とする請求項2
に記載の光記録方法。
3. A linear velocity V L ≦ V ≦ V h (V h ≧ 2V L ), at least the linear velocity during recording is made variable continuously or stepwise, and α iL T, α il T, α i2 T and α ih T are linear velocities V and V, respectively.
When the pulse width of each divided pulse is L , V 1 , V 2 , and V h , the linear velocity V is such that V L <V 1 <V 2 <V h
In 1 and V 2 , for all i satisfying 1 ≦ i ≦ m, α iL ≦ α il ≦ α i2 ≦ α ih , and θ iL ≦ θ il ≦ θ i2
≦ θ ih , and α iL <α at least at V L
ih or θ iLih.
The optical recording method described in.
【請求項4】 最大線速度Vhを1.2〜1.4m/S
の範囲にある最小線速度VLの2〜6倍の範囲とするマ
ーク長変調記録であって、 mをm=n、n−1又はn−2に選定し、 線速度VがV=VL、2VL、4VL、又は、6VLの有限
個の値をもとるものと選定し、 上記各線速度Vにおいて、iが2≦α≦mの範囲におい
て、αi+βi=1.0とし、且つ、iが1≦i≦mの範
囲においてPbi=Pr±0.5mWとし、 線速度Vが低下するとき、全てのiに対してαiが単調
に減少することを特徴とする請求項3に記載の光記録方
法。
4. The maximum linear velocity V h is 1.2 to 1.4 m / S.
Is a mark length modulation recording in which the linear velocity V is in the range of 2 to 6 times the minimum linear velocity V L , and m is selected as m = n, n-1 or n-2, and the linear velocity V is V = V L , 2V L , 4V L , or 6V L is selected to take a finite number of values, and α i + β i = 1.0 within the range of 2 ≦ α ≦ m at each linear velocity V. and then, and, i is a P bi = P r ± 0.5mW in the range of 1 ≦ i ≦ m, when the linear velocity V decreases, and characterized in that alpha i decreases monotonically for all i The optical recording method according to claim 3.
【請求項5】 βm≠0であることを特徴とする請求項
4に記載の光記録方法。
5. The optical recording method according to claim 4, wherein β m ≠ 0.
【請求項6】 Thを線速度がVhのときのクロック周期
とすると、線速度Vの時のクロック周期TがT=T
h(Vh/V)であることを特徴とする請求項1乃至5の
一に記載の光記録方法。
6. When T h is a clock period when the linear velocity is V h , the clock period T when the linear velocity is V is T = T.
The optical recording method according to claim 1, wherein the optical recording method is h (V h / V).
【請求項7】 使用する最大線速度Vhにおいて、α1h
=1.5又は1.0、iが2≦i≦mの範囲としてβ1h
=αih=0.5とし、且つ、すべての線速度Vにおい
て、iを2≦i≦mの範囲の値として、αi+βi=1.
0としたことを特徴とする請求項3に記載の光記録方
法。
7. At the maximum linear velocity V h used, α 1h
= 1.5 or 1.0, and β is 1 h as a range of i ≦ 2 ≦ i ≦ m
= Α ih = 0.5, and for all linear velocities V, i is a value in the range of 2 ≦ i ≦ m, α i + β i = 1.
The optical recording method according to claim 3, wherein the optical recording method is 0.
【請求項8】 線速度VがVL≦V<Vhの範囲では、i
が2≦i≦mの範囲で、2≦α1<αih、且つ、0.0
5<αi<0.5であることを特徴とする請求項7に記
載の光記録方法。
8. When the linear velocity V is in the range of VL ≦ V <Vh, i
Is in the range of 2 ≦ i ≦ m, 2 ≦ α 1ih , and 0.0
The optical recording method according to claim 7, wherein 5 <α i <0.5.
【請求項9】 2≦i≦mの範囲のiに対して、αi
一定であり、且つ、α1>αiであることを特徴とする請
求項3に記載の光記録方法。
9. The optical recording method according to claim 3, wherein α i is constant and α 1 > α i for i in the range of 2 ≦ i ≦ m.
【請求項10】 iが1≦i<mの範囲に対してβiが一
定値をとり、且つ、βmが、該一定値とは異なり、且
つ、0であり得ることを特徴とする請求項3に記載の光
記録方法。
10. The method according to claim 1, wherein β i has a constant value in the range of 1 ≦ i <m, and β m is different from the constant value and can be 0. Item 5. The optical recording method according to Item 3.
【請求項11】 上記マーク長変調記録におけるnのと
りうる範囲が、線速度Vに従って異なることを特徴とす
る3に記載の光記録方法。
11. The optical recording method according to claim 3, wherein the range of n in the mark length modulation recording varies according to the linear velocity V.
【請求項12】 最小のマーク長nminTに対してnmin
T×Vが一定であることを特徴とする請求項11に記載
の光記録方法。
12. n min for the minimum mark length n min T
The optical recording method according to claim 11, wherein T × V is constant.
【請求項13】 使用する最大線速度Vhを、1.2〜
1.4m/Sの範囲にある最小線速度VLの2〜6倍の
範囲とし、m=n、n−1又はn−2としたマーク長変
調のEFM変調を用い、 線速度VをVL、2VL、4VL又は6VLの有限個の値と
して選定し、 線速度Vが2VL以上において、α1h=1.5又は1.
0、iが1≦i≦mの範囲においてβ1h=αih=0.5
とし、 全ての線速度Vにおいて、iが2≦i≦mの範囲におい
てαi+βi-1=1.0とし、 線速度Vが2VLにおいて、iが1≦i≦mの範囲に対
して、Prを再生光パワーとして、Pbi=Pr±0.5
mWとし、 線速度VがVLにおいて、iが1≦i≦mの範囲におい
て0.05<αi<0.5、且つ、α1L≦α1hとし、 線速度VhにおいてPbi=Peとすることを特徴とする請
求項3に記載の光記録方法。
13. The maximum linear velocity V h used is 1.2 to
The linear velocity V is set to V by using EFM modulation of mark length modulation with m = n, n−1 or n−2 in a range of 2 to 6 times the minimum linear velocity V L in the range of 1.4 m / S. L, 2V L, selected as a finite number of values of 4V L or 6V L, the linear velocity V is above 2V L, α 1h = 1.5 or 1.
Β 1h = α ih = 0.5 when 0 and i are in the range of 1 ≦ i ≦ m
For all linear velocities V, α i + β i-1 = 1.0 in the range of i ≦ 2 ≦ i ≦ m, and for the range of i ≦ 1 ≦ m ≦ m in the case of linear velocity V of 2V L And Pr as the reproduction light power, P bi = P r ± 0.5
mW, and when linear velocity V is V L , i is 0.05 ≦ α i <0.5 and α 1L ≦ α 1h in the range of 1 ≦ i ≦ m, and P bi = P at linear velocity V h The optical recording method according to claim 3, wherein the optical recording medium is e .
【請求項14】 βm≠0.5であることを特徴とする
請求項13に記載の光記録方法。録方法。
14. The optical recording method according to claim 13, wherein β m ≠ 0.5. Recording method.
【請求項15】 Thを線速度がVhのときのクロック周
期とすると、線速度Vの時のクロック周期TがT=Th
(Vh/V)であることを特徴とする請求項14又は1
5に記載の光記録方法。
15. When T h is a clock period when the linear velocity is V h , the clock period T when the linear velocity is V is T = T h.
( Vh / V).
The optical recording method according to item 5.
【請求項16】 基板上に少なくとも下部誘電体保護
層、記録層、上部誘電体保護層、及び、金属反射層を順
に設けてなる相変化型媒体において、前記記録層が
{(Geey(Sb2Te31-y1-xSbx(xは0≦x
<0.1の範囲で、yは0.2<y<0.9の範囲の数
値)及び{My(Te1-xSbx1-y(yは0≦y<0.3
の範囲で、xは0.5<x<0.9の範囲の数値で、M
はIn、Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Pb、Co、Cr、C
u、Ag、Au、Pd、Pt、S、Se、Oのうちの少なくと
も1種を示す)の少なくとも1種からなり、前記記録層
の膜厚が15−30nm、上部誘電体保護層の膜厚が1
0−30nmであることを特徴とする光記録用媒体。
16. A phase-change type medium comprising a substrate on which at least a lower dielectric protective layer, a recording layer, an upper dielectric protective layer, and a metal reflective layer are sequentially provided, wherein the recording layer is {(G e T e ) Y (Sb 2 Te 3 ) 1-y } 1-x Sb x (x is 0 ≦ x
In the range of <0.1, y is a numerical value in the range of 0.2 <y <0.9) and {M y (Te 1-x Sb x ) 1-y (y is 0 ≦ y <0.3
, X is a numerical value in the range of 0.5 <x <0.9, and M
Is In, Ga, Zn, Ge, Sn, Si, Pb, Co, Cr, C
u, Ag, Au, Pd, Pt, S, Se, and O)), the recording layer has a thickness of 15 to 30 nm, and the upper dielectric protective layer has a thickness of 15 to 30 nm. Is 1
An optical recording medium having a thickness of 0 to 30 nm.
【請求項17】 ディスク本体と該ディスク本体上に記
録された照射光のためのパルス分割情報とを備え、該パ
ルス分割情報が、使用されるディスク本体の線速度に従
って複数のパルス分割方法から1つを選択するための情
報であることを特徴とする相変化型光学的情報記録媒
体。
17. A disc body and pulse division information for irradiation light recorded on the disc body, wherein the pulse division information is one of a plurality of pulse division methods according to the linear velocity of the disc body used. A phase change type optical information recording medium, characterized in that it is information for selecting one.
【請求項18】 マーク長変調された記録情報と照射光
のパルス分割情報とを有する相変化型光学的情報記録媒
体に用いるディスク駆動装置であって、記録媒体の線速
度に従って、前記パルス分割情報に含まれる複数のパル
ス分割方法の1つを選択してパルス分割を実行すること
を特徴とするディスク駆動装置。
18. A disk drive device for use in a phase-change optical information recording medium having mark length modulated recording information and irradiation light pulse division information, wherein the pulse division information is according to the linear velocity of the recording medium. 2. A disk drive device, characterized in that one of a plurality of pulse division methods included in is selected to execute pulse division.
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