JPH095764A

JPH095764A - 液晶表示基板

Info

Publication number: JPH095764A
Application number: JP15284995A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Ogawa; 和宏小川; Masuyuki Ota; 益幸太田; Kazuhiko Yanagawa; 和彦柳川; Keiichiro Ashizawa; 啓一郎芦沢; Masahiro Yanai; 雅弘箭内
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-06-20
Filing date: 1995-06-20
Publication date: 1997-01-10

Abstract

(57)【要約】【目的】その広視野角特性のさらなる向上を図る。【構成】液晶層を介して互いに対向して配置される透
明基板のうち、その一方の液晶層側の面に表示用電極と
基準電極とが備えられ、これら表示用電極と基準電極の
間に透明基板面と平行に発生させる電界によって前記液
晶層の光透過率を変化させる液晶表示基板において、前
記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対し
て平行な同一面内に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板に係り、
いわゆる横電界方式と称される液晶表示基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】いわゆる横電界方式と称される液晶表示
基板は、液晶層を介して互いに対向して配置される透明
基板のうち、その一方の液晶層側の面に表示用電極と基
準電極とが備えられ、これら表示用電極と基準電極の間
に透明基板面と平行に発生させる電界によって前記液晶
層の光透過率を変化させる液晶表示基板をいう。

【０００３】このような構成からなる液晶表示基板は、
その表示面に対して斜めの方向から該表示面を観察して
も階調反転や色変化が起こらず、画質が殆ど劣化するこ
とのない、いわゆる広視野角特性を有するものとなって
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示基板は、たとえば、液晶層にそ
の厚み方向に電界を発生させて該液晶層の光透過率を変
化させるものと比較して、大幅な広視野角特性の向上を
達成できるものとなっているが、いまだに一定の視野角
内に制限されるものであった。

【０００５】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、広視野角特性のさらなる
向上を図った液晶表示基板を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【０００７】すなわち、液晶層を介して互いに対向して
配置される透明基板のうち、その一方の液晶層側の面に
表示用電極と基準電極とが備えられ、これら表示用電極
と基準電極の間に透明基板面と平行に発生させる電界に
よって前記液晶層の光透過率を変化させる液晶表示基板
において、前記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透
明基板に対して平行な同一面内に形成されていることを
特徴とするものである。

【０００８】

【作用】このように構成された液晶表示基板において、
表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対して
平行な同一面内に形成されており、それらの間には透明
基板に対する高低差のないものとなっている。

【０００９】このため、画素電極と基準電極との間に発
生させる電界は、透明基板に対して平行に、すなわち液
晶に対しその厚み方向と完全に直交する方向に印加され
ることになる。

【００１０】このことは、電界が印加されることによっ
て並設される液晶分子は、透明基板に対して平行な面内
で並設され、該面に対して傾斜して存在するようなこと
はなくなる。

【００１１】したがって、表示面に対して斜めの方向か
ら該表示面を観察した場合に、その観察する方向に長軸
が一致づけられる液晶分子が全く存在しなくなる。

【００１２】そして、このような状態は観察する方向を
かなり傾けても同様であって全く変わることはないこと
から、広視野角特性の大幅な向上を図ることができるよ
うになる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明による液晶表示基板の実施例に
ついて説明する。

【００１４】〔実施例Ｉ〕基板構成まず、図１１は、本発明による液晶表示基板が組み込ま
れた液晶表示装置の一実施例を示す概略構成図である。

【００１５】同図において、液晶表示基板１００があ
る。この液晶表示基板１００は液晶を介して互いに対向
配置された２枚の透明基板を備え、その一方の透明基板
ＳＵＢの液晶側の面には図中ｙ方向に延在しかつｘ方向
に並設された映像信号線ＤＬが形成され、また、この映
像信号線ＤＬに絶縁されてｘ方向に延在しかつｙ方向に
並設された走査信号線ＧＬが形成されている。

【００１６】これら映像信号線ＤＬおよび走査信号線Ｇ
Ｌに囲まれた各矩形の領域が画素領域を構成するように
なるが、この液晶表示基板は上述したようにいわゆる横
電界方式のものであることから、上述した各信号線の他
に基準信号線ＣＭも形成されている。

【００１７】すなわち、この基準信号線ＣＭは図中ｘ方
向に延在しかつｙ方向に並設されて形成され、各画素領
域においてはその画素を間にして対応する走査信号線Ｇ
Ｌと平行に形成されるようになっている。

【００１８】この各画素領域の詳細な構成は後に図２等
を用いて説明する。

【００１９】そして、この液晶表示基板１００の周囲に
は、走査信号線ＧＬに接続されて配置される垂直走査回
路１０１、および映像信号線ＤＬに接続されて配置され
る映像信号駆動回路１０２が配置されている。これら垂
直走査回路１００および映像信号駆動回路１０２はたと
えばテープキャリア方式で形成された半導体装置等から
なっているものである。

【００２０】前記垂直走査回路１０１は、各走査信号線
ＧＬに走査信号を印加することによって該信号線をｙ方
向にたとえば順次選択し、その選択のタイミングに合わ
せて前記映像信号駆動回路１０２は各映像信号線ＤＬに
映像信号を供給している。

【００２１】それぞれの信号の供給は表示情報処理回路
１０３によって制御されるようになっており、この表示
信号処理回路１０３は、クロック回路１４を介して垂直
走査回路１０１を駆動させるとともに、映像信号駆動回
路１０３を駆動させるようになっている。

【００２２】また、表示信号処理回路１０３は、液晶表
示基板１００の前記基準信号線ＣＭのそれぞれに基準電
圧を直接印加するようになっている。

【００２３】図２は、前記液晶表示基板１００の各画素
領域のうちの一つの画素領域を示した平面図である。

【００２４】同図において、画素領域は、図中ｘ方向に
延在する走査信号線ＡＯ／ＧＬおよび基準信号線ＡＯ／
ＣＭと、ｙ方向に延在しかつｘ方向に並設する各映像信
号線ＤＬとで囲まれて形成されている。

【００２５】ここで、走査信号線ＡＯ／ＧＬおよび基準
信号線ＡＯ／ＣＭは、その材料としてそれぞれアルミニ
ュウム（Ａｌ）が用いられているとともに、その露出す
る表面全域（側面を含む）にいわゆる陽極化成による酸
化アルミニュウムＡＯが形成されたものとなっている。
また、映像信号線ＤＬは、クロム（Ｃｒ）層で形成され
ている。

【００２６】映像信号線ＤＬは、その下層の走査信号線
ＡＯ／ＧＬおよび基準信号線ＡＯ／ＣＭに対して、その
交差部において形成されたシリコン窒化膜ＳｉＮ_Xとア
モルファスシリコンａ−Ｓｉとの積層体ＡＳ／ＳＮから
なる層間絶縁膜を介して絶縁されるようになっている。

【００２７】そして、これら各層間絶縁膜のうちの一つ
（図中、左上の層間絶縁膜）は、走査信号線ＡＯ／ＧＬ
上を画素領域側に及んで延在され、この延在領域は薄膜
トランジスタＴＦＴの形成領域を構成している。

【００２８】すなわち、この薄膜トランジスタＴＦＴの
形成領域において、映像信号線ＤＬから前記積層体ＡＳ
／ＳＮ上を延在して形成されたドレイン電極ＤＴとこの
ドレイン電極ＤＴに若干離間されて形成されたソース電
極ＳＴを備えることによって、前記走査信号線ＡＯ／Ｇ
Ｌの一部をゲート電極とした薄膜トランジスタＴＦＴが
形成されている。

【００２９】これにより、走査信号線ＡＯ／ＧＬに走査
信号（電圧）が供給された場合、積層体ＡＳ／ＳＮの下
層にあるシリコン窒化膜（ゲート絶縁膜として機能す
る）を介してその上層のアモルファスシリコンａ−Ｓｉ
層内にチャネル層が形成され、映像信号線ＤＬからの映
像信号は前記ドレイン電極ＤＴを介してソース電極ＳＴ
に供給されるようになる。

【００３０】そして、ソース電極ＳＴは表示電極ＳＬと
一体に形成されており、この表示電極ＳＬは、画素領域
を略２分するようにして図中ｙ方向に延在して配置され
ている。なお、この実施例において、前記表示電極ＳＬ
は映像信号線ＤＬと同一の材料、すなわちクロム（Ｃ
ｒ）によって構成されている。

【００３１】また、基準信号線ＡＯ／ＣＭはその一部を
図中ｙ方向に延在させて形成された基準電極ＣＴを２個
備え、それぞれの基準電極は前記表示電極ＳＬを間にし
かつこの表示電極ＳＬと比較的大きな距離を隔てて配置
されているとともに、映像信号線ＤＬとはかなり近接さ
れた状態で配置されている。

【００３２】この場合、基準電極ＣＴは、上述したよう
にその表面において酸化アルミニュウムからなる絶縁膜
が形成されていることから、電気的短絡を生ぜしめるこ
となく映像信号線ＤＬに近接させることができ、いわゆ
る開口率を向上させることができるようになる。

【００３３】そして、このように構成された表示電極Ｓ
Ｌと基準電極ＣＴとの間に透明基板１００Ａの主表面と
ほぼ平行な電界が発生する構成となる。すなわち、この
電界によって液晶の紙面と垂直方向における光透過率を
変化させることができるようになり、この方式が横電界
方式と称される所以となっている。

【００３４】本実施例では、１画素は表示電極ＳＬを１
個、基準電極を２個により構成したが、各々２，３個、
さらには３，４個にしても良い。

【００３５】ここで、表示電極と基準電極ＣＴは、それ
らの間に絶縁膜を介在しておらず、透明基板ＳＵＢの主
表面上に直接形成され、透明基板ＳＵＢの表面と平行な
同一面に形成されている。

【００３６】このため、画素電極と基準電極との間に発
生させる電界は、透明基板に対して完全に平行に、すな
わち液晶に対しその厚み方向と完全に直交する方向に印
加されることになる。

【００３７】このことは、電界が印加されることによっ
て並設される液晶分子は、透明基板に対して平行な面内
で並設され、該面に対して傾斜して存在するようなこと
はなくなる。

【００３８】したがって、表示面に対して斜めの方向か
ら該表示面を観察した場合に、その観察する方向に長軸
が一致づけられる液晶分子が全く存在しなくなる。

【００３９】そして、このような状態は観察する方向を
かなり傾けても同様であって全く変わることはないこと
から、広視野角特性の大幅な向上を図ることができるよ
うになる。

【００４０】なお、表示電極ＳＬのソース電極ＳＬとは
反対側における端部は基準信号線ＡＯ／ＣＭと重畳され
て形成され、この重畳部において積極的に付加容量Ｃ
_STgを構成するようになっている。この場合の誘電体膜
は基準信号線ＡＯ／ＣＭの表面に形成されている酸化ア
ルミニュウムＡＯである。

【００４１】このように、付加容量Ｃ_STgの誘電体は比
較的膜厚の小さな酸化アルミニュウムＡＯで構成される
ことから、その面積を大きくしなくても大きな容量を確
保できるという効果を奏するようになる。

【００４２】なお、この付加容量は、たとえば薄膜トラ
ンジスタＴＦＴがオフした後の映像情報を次の選択時間
まで保持させる等の目的で形成されているものである。

【００４３】そして、図示していないが、このように構
成された透明基板の主表面には前記映像信号線ＤＬ等を
全て覆ってシリコン窒化膜からなるパッシベーション膜
ＰＳが形成されている。

【００４４】図１は、図２のＡ−Ａ’線における断面図
を示した構成図である。同図から明らかとなるように、
映像信号線ＤＬ、表示電極ＳＬ、および基準電極ＣＭ
は、それぞれ透明基板ＳＵＢの主表面に直接形成された
ものとなっている。

【００４５】図６は、透明基板ＳＵＢの周辺にまで延在
される走査信号線ＧＬが、前記垂直走査回路１０１の端
子と接続されるべく個所となる電極端子１０の部分の構
成を示した断面図である。

【００４６】同図において、走査信号線ＧＬの末端部に
おいては、その表面に酸化アルミニュウムＡＯが形成さ
れておらず、これにより露呈されているアルミニュウム
層の一部に前記電極端子１０となるＩＴＯ（Indium-Tin
-Oxide）膜が形成されている。

【００４７】そして、いまだ露呈されているアルミニュ
ウム層および前記ＩＴＯ膜の一部を覆って映像信号線Ｄ
Ｌと同材料からなる導電層２０が形成されている。

【００４８】この導電層２０は、映像信号線ＤＬとは電
気的には全く独立して形成されるものであり、走査信号
線ＧＬとＩＴＯ膜からなる電極端子１０とのコンタクト
に信頼性をもたせる機能を有するようになっている。す
なわち、アルミニュウムからなる走査信号線ＧＬとＩＴ
Ｏ膜との接触のみでは、ＩＴＯ膜とアルミニュウムとの
界面に絶縁性の酸化アルミニュウム膜を形成してしまい
抵抗値のバラツキを生じさせるのを防止するようにして
いる。

【００４９】図７は、透明基板ＳＵＢの周辺ににまで延
在される映像信号線ＤＬが、前記映像信号駆動回路１０
２の端子と接続されるべく個所となる電極端子１０の部
分の構成を示した断面図である。

【００５０】この場合、映像信号線ＤＬの末端部におい
て電極端子１０となるＩＴＯ膜の一部が重畳されて形成
されているのみとなっている。映像信号線ＤＬが酸化し
難い材料で構成されていることから、特に、図６に示す
ような工夫を要することのない構成となっている。

【００５１】図３は、上述のように構成された透明基板
が組み込まれた液晶表示基板の断面を示した構成図であ
る。

【００５２】同図において、上述した透明基板ＳＵＢと
は別個の透明基板ＳＵＢ’がそれぞれ液晶ＬＣを介して
対向配置されて構成されている。

【００５３】透明基板ＳＵＢ’の液晶側の面には、各画
素領域を縁取るようにして形成されたブラックマトリッ
スク層ＢＭが形成され、さらに、これらブラックマトリ
ックス層ＢＭに囲まれた画素領域にはカラーフィルタ層
ＣＦがその周辺を該ブラックマトリックス層ＢＭに重畳
させて形成されている。

【００５４】そして、このようなブラックマトリッスク
層ＢＭおよびカラーフィルタ層ＣＦが形成された透明基
板ＳＵＢ’の主表面には、これら各層を覆ってシリコン
窒化膜からなるパッシベーション膜ＰＳ’が形成されて
いる。このパッシベーション膜ＰＳ’は主としてカラー
フィルタ層ＣＦを保護するためにある。

【００５５】なお、同図には、表示用電極ＳＬと基準電
極ＣＴとの間に発生した電界Ｅによる液晶（分子）ＬＣ
の配列状態を示している。

【００５６】このような実施例による液晶表示基板によ
れば、表示用電極ＳＬと基準電極ＣＴはそれぞれ前記透
明基板ＳＵＢに対して平行な同一面内に形成されてお
り、それらの間には透明基板ＳＵＢに対する高低差のな
いものとなっている。

【００５７】このため、表示用電極ＳＬと基準電極ＣＴ
との間に発生させる電界Ｅは、透明基板ＳＵＢに対して
平行に、すなわち液晶層に対しその厚み方向と完全に直
交する方向に印加されることになる。

【００５８】このことは、電界Ｅが印加されることによ
って並設される液晶（分子）ＬＣは、透明基板ＳＵＢに
対して平行な面内で並設され、該面に対して傾斜して存
在するようなことはなくなる。

【００５９】したがって、表示面に対して斜めの方向か
ら該表示面を観察した場合に、その観察する方向に長軸
が一致づけられる液晶分子が全く存在しなくなる。

【００６０】そして、このような状態は観察する方向を
かなり傾けても同様であって全く変わることはないこと
から、広視野角特性の大幅な向上を図ることができるよ
うになる。

【００６１】なお、上述した実施例では、基準電極ＡＯ
／ＣＭの断面は図１に示したように、ほぼ矩形状をなし
ているものであるが、図１０に示すように、その長手方
向に沿った辺をいわゆるテーパ加工された台形をなす形
状としてもよいことはいうまでもない。

【００６２】このようにした場合、パッシベーション膜
ＰＳの形成に当たって、その表面に急激な段差部がなく
なり、該パッシベーション膜ＰＳの表面に形成する配向
膜ＯＲ１のラビング処理を行い易いという効果を奏す
る。

【００６３】また、基準電極ＡＯ／ＣＭと同材料からな
る走査信号線ＡＯ／ＧＬを同様の処理がなされることに
よって、その後に交差して形成される映像信号線ＤＬの
段切れによる断線の発生を抑制できるという効果をも奏
する。

【００６４】製造方法工程１．透明基板ＳＵＢの主表面に、その全域にわたっ
てアルミニュウム（Ａｌ）膜を形成する。その後、周知
のフォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法
を用いて選択エッチングし、図４に示すパターンからな
るアルミニュウ膜を残存させるとともに、それ以外の領
域のアルミニュウム膜を全て除去する。

【００６５】その後、陽極化成により、残存されたアル
ミニュウム膜の露呈された表面の全域（側面を含む）に
酸化アルミニュウムを形成する。

【００６６】この場合の陽極化成においては、その化成
対象となるアルミニュウム膜に電力を供給する必要があ
るが、その供給端子としては図６に示したようにＩＴＯ
膜１０および導電膜２０に接続されるべく個所を選択す
ることができる。

【００６７】これにより、透明基板ＳＵＢの主表面に、
走査信号線ＡＯ／ＧＬおよび基準信号線ＡＯ／ＣＭが形
成される。

【００６８】工程２．透明基板ＳＵＢの主表面の全域
に、前記走査信号線ＡＯ／ＧＬおよび基準信号線ＡＯ／
ＣＭをも覆って、シリコン窒化膜（ＳｉＮ_X）、アモル
ファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ）、さらには高濃度不純物
層ｎ型Ｓｉ層を順次形成することによって積層体を形成
する。この場合の成膜方法としてはいわゆるプラズマＣ
ＶＤ法を用いた連続成膜を行なうのが好適となる。

【００６９】これにより形成された積層体を周知のフォ
トリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を用い
て選択エッチングし、図５に示すパターンからなる積層
体を残存させるとともに、それ以外の領域にある積層体
を全て除去する。この場合の選択エッチングとしては、
ＳＦ₆を用いたドライエッチング方法を適用させること
によって迅速な加工を行なうことができるようになる。

【００７０】これにより、前記走査信号線ＡＯ／ＧＬお
よび基準信号線ＡＯ／ＣＭと次の工程で形成される映像
信号線ＤＬとの層間絶縁を図る層間絶縁膜と、これら層
間絶縁膜のうちの一つの層間絶縁膜が延在されて一体的
に形成された薄膜トランジスタ形成領域とが形成され
る。

【００７１】この場合、前記積層体はそれらを構成する
各層のパターンに相違がなく全く同一のパターンとなっ
ていることから、工程数の低減を図る効果を奏する。

【００７２】工程３．このように加工された透明基板Ｓ
ＵＢの主表面に、その全域にわたってＩＴＯ膜を形成す
る。これにより形成されたＩＴＯ膜を周知のフォトリソ
グラフィ技術を用いた選択エッチング方法を用いて選択
エッチングし、図６および図７に示す電極端子１０を残
存させるとともに、それ以外の領域にあるＩＴＯ膜を全
て除去する。

【００７３】工程４．このように加工された透明基板Ｓ
ＵＢの主表面に、その全域にわたってクロム（Ｃｒ）膜
を形成する。これにより形成されたクロム膜を周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を用
いて選択エッチングし、図２に示すパターンからなるク
ロム膜を残存させるとともに、それ以外の領域にあるク
ロム膜を全て除去する。

【００７４】これにより、映像信号線ＤＬおよび表示電
極ＳＬが形成さるととともに、薄膜トランジスタＴＦＴ
の形成領域において該映像信号線ＤＬと一体的に形成さ
れたドレイン電極ＤＴおよび表示電極ＳＬと一体的に形
成されたソース電極ＳＴが同時に形成される。

【００７５】そして、この場合、図６に示した導電層２
０が、やはり同じ工程で形成されるようになっている。

【００７６】工程５．このように加工された透明基板Ｓ
ＵＢの主表面に、その全域にわたってシリコン窒化膜を
たとえばＣＶＤ法を用いて形成する。これにより形成さ
れたシリコン窒化膜を周知のフォトリソグラフィ技術を
用いた選択エッチング方法により選択エッチングし、電
極端子１０のみを露呈させる。

【００７７】これにより、電極端子１０の部分が露呈さ
れたパッシベーション膜ＰＳが形成されることになる。

【００７８】その後は、このパッシベーション膜ＰＳの
主表面の全域に樹脂膜を形成し、その表面をラビングす
ることにより配向膜ＯＲ１を形成する。

【００７９】以上説明した製造方法によれば、フォトリ
ソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法による選択
エッチングの工程をわずか５工程で済ませることから、
製造工程を低減できるとともに、それによって微細加工
を達成することができる効果を奏する。

【００８０】〔実施例II〕図１３は、図２に対応した図
で、画素領域におけるパターンの他の実施例を示してい
る。

【００８１】同図から明らかになるように、画素電極Ｓ
Ｌは２個に枝分かれして形成され、これにともない、基
準電極ＣＴは各画素電極ＳＬをそれぞれ間に位置づける
ようにして３個設けられている。

【００８２】このようにした場合、画素のいわゆる開口
領域は小さくなるが、画素電極ＳＬと基準電極ＣＴとを
近接して配置できることから、それらの間に発生する電
界の量を大きくでき、液晶の駆動を行い易くできる。

【００８３】図１２は、図１３のＢ−Ｂ’線における断
面図を示しており、実施例Ｉに示した構成と異なるの
は、基準電極ＣＴにある（この場合、走査信号線ＡＯ／
ＧＬの断面も同様である）。

【００８４】すなわち、基準電極ＣＴは、下層導電膜Ｃ
ＭＤを内在させて積層させたアルミニュウム層からなる
上層導電膜ＣＭＵの表面に陽極化成で形成されたアルミ
ニュウム酸化膜が被着された構成となっている。この場
合、下層導電膜とアルミニュウム層は、それぞれフォト
リソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法を適用さ
せて形成されるものとなっている。

【００８５】このように構成した理由は、基準電極ＣＴ
を形成する場合における断線予防対策とするものであ
る。すなわち、前記下層導電膜あるいはアルミニュウム
層のいずれかにおいてその製造工程中に断線が生じた状
態で形成されても、その断線個所が全く同じ部分となる
確率は少なく、結果として基準電極ＣＴそれ自体として
断線が生じないものを得ることができるようになる。

【００８６】本実施例は、たとえば陽極化成された走査
信号線ＡＯ／ＧＬおよび基準電極ＣＴの絶縁耐圧性の優
れていることに着目し、映像信号線ＤＬとの間に介在さ
れていた絶縁膜を不要とすることによって、該基準電極
ＣＴと表示用電極ＳＬとを同一の平面内に配置できるよ
うにしたものである。

【００８７】ここで、図８を用いて、アルミニュウム層
を陽極化成することによって得られる酸化アルミニュウ
ムの絶縁耐圧性を説明する。同図は、液晶表示基板に組
み込まれた走査信号線ＡＯ／ＧＬにおける絶縁耐圧性に
伴う故障結果について、いわゆるワイブル分布を示すグ
ラフである。このグラフの各プロットの傾きが大きいほ
どその信頼性があることが知られている。

【００８８】このことから、酸化アルミニュウムの絶縁
耐圧性が良好なことが判る。

【００８９】上述した各実施例では、基準電極ＣＴおよ
び走査信号線ＡＯ／ＧＬの材料としてアルミニュウムを
用いたものであるが、これに限定されることはなく、た
とえばタンタルあるいはその合金であってもよいことは
いうまでもない。この場合においても、陽極化成によっ
て酸化膜を形成することができる。

【００９０】その絶縁耐圧性については、図８に対応さ
せたグラフである図９に示すように、極めて良好である
ことが判る。

【００９１】さらに、上述した実施例では、陽極化成に
よって走査信号線ＡＯ／ＧＬおよび基準電極ＣＴの表面
に絶縁膜を形成したものであるが、これに限定されるこ
とはなく、たとえば、プラズマ酸化法を用いても同様の
効果を奏する。

【００９２】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板によれば、その広視野角特性
のさらなる向上を図ることができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示基板を構成する一方の透
明基板の一実施例を示す断面図である。

【図２】本発明による液晶表示基板における画素領域パ
ターンの一実施例を示す平面図である。

【図３】本発明による液晶表示基板の一実施例を示す断
面図である。

【図４】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す一工程図である。

【図５】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す一工程図である。

【図６】本発明による液晶表示基板の走査信号線に接続
される端子電極の一実施例を示す断面図である。

【図７】本発明による液晶表示基板の映像信号線に接続
される端子電極の一実施例を示す断面図である。

【図８】本発明による液晶表示基板の基準電極として陽
極化成されたアルミニュウムを用いた場合の効果を示す
グラフである。

【図９】本発明による液晶表示基板の基準電極として陽
極化成されたタンタルを用いた場合の効果を示すグラフ
である。

【図１０】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す断面図である。

【図１１】本発明による液晶表示基板を組み込んだ液晶
表示装置の一実施例を示したブロック構成図である。

【図１２】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す断面図である。

【図１３】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す平面図である。

【符号の説明】

１００……液晶表示基板、ＡＯ／ＧＬ……走査信号線、
ＳＬ……表示用電極、ＣＴ……基準電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者芦沢啓一郎千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者箭内雅弘千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所電子デバイス事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を介して互いに対向して配置され
る透明基板のうち、その一方の液晶層側の面に表示用電
極と基準電極とが備えられ、これら表示用電極と基準電
極の間に透明基板面と平行に発生させる電界によって前
記液晶層の光透過率を変化させる液晶表示基板におい
て、前記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対
して平行な同一面内に形成されていることを特徴とする
液晶表示基板。
【請求項２】表示用電極と基準電極はそれぞれ透明基
板に対して他の材料層を介在させることなく直接に形成
されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示基
板。
【請求項３】透明基板上に形成された基準電極はその
材料の酸化によって形成された絶縁膜によって被覆され
ていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示基板。
【請求項４】透明基板上に形成された基準電極はその
表面において陽極化成によって酸化された絶縁膜が形成
されていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示基
板。
【請求項５】基準電極の材料はアルミニュウムあるい
はその合金からなる請求項４記載の液晶表示基板。
【請求項６】基準電極の材料はタンタルあるいはその
合金からなる請求項４記載の液晶表示基板。
【請求項７】液晶層を介して互いに対向して配置され
る透明基板のうち、その一方の液晶層側の面にｘ方向に
延在しかつｙ方向に並設される走査信号線および基準信
号線と、ｙ方向に延在しかつｘ方向に並設される映像信
号線と、前記走査信号線からの走査信号の供給によって
オンされる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜ト
ランジスタを介して前記映像信号線からの映像信号が供
給される表示用電極と、この表示用電極と対向しかつ前
記基準信号線と接続されて形成される基準電極とが備え
られ、これら表示用電極と基準電極の間に透明基板面と
平行に発生させる電界によって前記液晶層の光透過率を
変化させる液晶表示装置において、前記表示用電極と基準電極はそれぞれ前記透明基板に対
して平行な同一面内に形成されていることを特徴とする
液晶表示基板。
【請求項８】走査信号線、表示用電極、および基準電
極はそれぞれ透明基板に対して他の材料層を介在させる
ことなく直接に形成されていることを特徴とする請求項
７記載の液晶表示基板。
【請求項９】透明基板上に形成された走査信号線およ
び基準電極はその材料の酸化によって形成された絶縁膜
によって被覆されていることを特徴とする請求項７記載
の液晶表示基板。
【請求項１０】透明基板上に形成された走査信号線およ
び基準電極はその表面において陽極化成によって酸化さ
れた絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項９
記載の液晶表示基板。
【請求項１１】走査信号線および基準電極の材料はア
ルミニュウムあるいはその合金からなる請求項１０記載
の液晶表示基板。
【請求項１２】走査信号線および基準電極の材料はタ
ンタルあるいはその合金からなる請求項１０記載の液晶
表示基板。
【請求項１３】走査信号線および基準信号線に対する
映像信号線の層間絶縁およびこの層間絶縁膜の延在部と
して形成され薄膜トランジスタの形成領域となる部分を
構成する絶縁層および半導体層の順次積層体は同一パタ
ーンの順次積層体からなっていることを特徴とする請求
項９記載の液晶表示基板。