JPH09326258A - 固体電解質膜の製造方法 - Google Patents
固体電解質膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温固体電解質型燃料電池などに用いられる
薄くて充分に緻密な固体電解質膜を容易に製造できる方
法を提供する。 【解決手段】 電極基板上にＣＶＤーＥＶＤ法により形
成される固体電解質膜の製造方法において、前記電極基
板上に電気泳動電着法により前記形成されるべき固体電
解質膜と同質の電解質膜を形成し、前記電気泳動電着法
により形成した電解質膜を１３００℃以下の温度で焼成
後、前記固体電解質膜をＣＶＤーＥＶＤ法により形成さ
せることを特徴とする固体電解質膜の製造方法。
薄くて充分に緻密な固体電解質膜を容易に製造できる方
法を提供する。 【解決手段】 電極基板上にＣＶＤーＥＶＤ法により形
成される固体電解質膜の製造方法において、前記電極基
板上に電気泳動電着法により前記形成されるべき固体電
解質膜と同質の電解質膜を形成し、前記電気泳動電着法
により形成した電解質膜を１３００℃以下の温度で焼成
後、前記固体電解質膜をＣＶＤーＥＶＤ法により形成さ
せることを特徴とする固体電解質膜の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高温固体電解質型
燃料電池などに用いられる固体電解質膜の製造方法に関
する。
燃料電池などに用いられる固体電解質膜の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】固体電解質型燃料電池の基本的な構造
は、アノード電極、電解質膜、カソード電極からなり、
次のような原理で発電が行われる。
は、アノード電極、電解質膜、カソード電極からなり、
次のような原理で発電が行われる。
【０００３】すなわち、１０００℃前後の運転温度下
で、アノード電極側に水素などの燃料ガス、カソード電
極側に空気などの酸化剤ガスを流通させ、カソード電極
／電解質界面で酸化剤ガスである酸素を電気化学的に還
元して陰イオンとし、電解質膜を介して存在する酸素分
圧の差をドライビングフォースとして、この酸素イオン
をアノード電極側に移動させ、アノード電極側の燃料ガ
スと反応させて電気化学的に酸化する。このとき、アノ
ード電極とカソード電極を電気的に接続すると電流が取
り出せる。
で、アノード電極側に水素などの燃料ガス、カソード電
極側に空気などの酸化剤ガスを流通させ、カソード電極
／電解質界面で酸化剤ガスである酸素を電気化学的に還
元して陰イオンとし、電解質膜を介して存在する酸素分
圧の差をドライビングフォースとして、この酸素イオン
をアノード電極側に移動させ、アノード電極側の燃料ガ
スと反応させて電気化学的に酸化する。このとき、アノ
ード電極とカソード電極を電気的に接続すると電流が取
り出せる。
【０００４】このような固体電解質型燃料電池による発
電においては、電解質膜の抵抗が低ければ低いほど高い
発電効率が期待できるので電解質膜はできるだけ薄い方
が望ましい。しかし、薄くすると割れ易くなるので、通
常は機械的強度を稼ぐためにアノード電極やカソード電
極を基板として、その上に数十μｍから数百μｍの薄い
電解質膜を形成するプロセスが多く採用されている。
電においては、電解質膜の抵抗が低ければ低いほど高い
発電効率が期待できるので電解質膜はできるだけ薄い方
が望ましい。しかし、薄くすると割れ易くなるので、通
常は機械的強度を稼ぐためにアノード電極やカソード電
極を基板として、その上に数十μｍから数百μｍの薄い
電解質膜を形成するプロセスが多く採用されている。
【０００５】また、電解質膜がポーラスで使用ガスに対
して充分に緻密でないと、酸素ガスがイオンになること
なく電解質膜を通過してしまうため、燃料電池の発電効
率が著しく損なわれる。そのため、電解質膜が緻密であ
ることも望まれている。
して充分に緻密でないと、酸素ガスがイオンになること
なく電解質膜を通過してしまうため、燃料電池の発電効
率が著しく損なわれる。そのため、電解質膜が緻密であ
ることも望まれている。
【０００６】固体電解質膜を電極基板上に形成する方法
としては、ＣＶＤ（化学蒸着）ーＥＶＤ（電気化学蒸
着）法、スラリーディッピング法、電気泳動電着法およ
びプラズマジェットなどによる溶射法などがある。
としては、ＣＶＤ（化学蒸着）ーＥＶＤ（電気化学蒸
着）法、スラリーディッピング法、電気泳動電着法およ
びプラズマジェットなどによる溶射法などがある。
【０００７】ＣＶＤーＥＶＤ法は、米国特許第４，６０
９，５６２号に開示されているように、電解質膜を構成
する金属の化合物のガスと水蒸気や酸素などの酸化剤ガ
スを高温で反応させて電解質膜を形成する方法である。
この方法により数１０μｍの薄くて緻密な膜形成ができ
るが、原料を気相で供給するため歩留りが著しく低く、
また、製膜速度が非常に遅いので生産性も著しく劣る。
９，５６２号に開示されているように、電解質膜を構成
する金属の化合物のガスと水蒸気や酸素などの酸化剤ガ
スを高温で反応させて電解質膜を形成する方法である。
この方法により数１０μｍの薄くて緻密な膜形成ができ
るが、原料を気相で供給するため歩留りが著しく低く、
また、製膜速度が非常に遅いので生産性も著しく劣る。
【０００８】スラリーディッピング法、電気泳動電着法
および溶射法は、電解質膜の材料となるジルコニアなど
の粒子を基板上に堆積させ電解質膜を形成する方法であ
る。製膜速度はＣＶＤーＥＶＤ法に比べ著しく速いが、
ポーラスな膜になり易く、緻密性に優れた電解質膜を得
ることが難しい。これらの方法で緻密な電解質膜を形成
する方法として、特開平７−１４２０７２号公報や文献
１〔Ｔ．Ｉｓｈｉｈａｒａ、Ｋ．Ｓｈｉｍｏｓｅ、Ｔ．
Ｓｈｉｏｍｉｔｓｕ ａｎｄ Ｙ．Ｔａｋｉｔａ；Ｐｒ
ｏｃ．Ｖｏｌ．９５ー１、ｐ．３３４、Ｔｈｅ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、Ｉｎｃ
（１９９５）〕に開示されている方法があるが、いずれ
も粒子の堆積と焼成を５〜６回繰り返す必要があるた
め、生産性が著しく悪い。
および溶射法は、電解質膜の材料となるジルコニアなど
の粒子を基板上に堆積させ電解質膜を形成する方法であ
る。製膜速度はＣＶＤーＥＶＤ法に比べ著しく速いが、
ポーラスな膜になり易く、緻密性に優れた電解質膜を得
ることが難しい。これらの方法で緻密な電解質膜を形成
する方法として、特開平７−１４２０７２号公報や文献
１〔Ｔ．Ｉｓｈｉｈａｒａ、Ｋ．Ｓｈｉｍｏｓｅ、Ｔ．
Ｓｈｉｏｍｉｔｓｕ ａｎｄ Ｙ．Ｔａｋｉｔａ；Ｐｒ
ｏｃ．Ｖｏｌ．９５ー１、ｐ．３３４、Ｔｈｅ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、Ｉｎｃ
（１９９５）〕に開示されている方法があるが、いずれ
も粒子の堆積と焼成を５〜６回繰り返す必要があるた
め、生産性が著しく悪い。
【０００９】そこで、生産性を著しく低下させることな
く緻密な電解質膜を形成するために、特開昭６２ー２６
８０６３号公報、特開昭６３ー１６４１７４号公報、特
開昭６３ー２８５８７７号公報などには、製膜速度の速
いスラリーディッピング法あるいは溶射法により電解質
膜を目標とする膜厚近くまで形成し、そのポーラスな膜
上にさらに同質の電解質をＣＶＤ法、ＣＶＤーＥＶＤ
法、ＰＶＤ（物理蒸着）法などにより短時間堆積させて
目標の膜厚にすると同時に封孔して緻密化する２段階製
膜法が提案されている。
く緻密な電解質膜を形成するために、特開昭６２ー２６
８０６３号公報、特開昭６３ー１６４１７４号公報、特
開昭６３ー２８５８７７号公報などには、製膜速度の速
いスラリーディッピング法あるいは溶射法により電解質
膜を目標とする膜厚近くまで形成し、そのポーラスな膜
上にさらに同質の電解質をＣＶＤ法、ＣＶＤーＥＶＤ
法、ＰＶＤ（物理蒸着）法などにより短時間堆積させて
目標の膜厚にすると同時に封孔して緻密化する２段階製
膜法が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スラリ
ーディッピング法では、バインダーを混合して電解質粒
子のスラリーの粘性を増加させているが、このバインダ
ーが膜中に残存するためその後のＣＶＤーＥＶＤ法によ
って完全には封孔がなされず、充分に緻密な膜を得るこ
とができない。また、製膜時の液だれにより均一な膜厚
を得ることが難しい。
ーディッピング法では、バインダーを混合して電解質粒
子のスラリーの粘性を増加させているが、このバインダ
ーが膜中に残存するためその後のＣＶＤーＥＶＤ法によ
って完全には封孔がなされず、充分に緻密な膜を得るこ
とができない。また、製膜時の液だれにより均一な膜厚
を得ることが難しい。
【００１１】溶射法では、製膜する粒子を高温で溶融し
高速度で基板材料に吹き付けて衝突変形させながら積層
させて製膜するが、その原理上、外部に閉じた空隙が残
るためその後のＣＶＤーＥＶＤ法によって完全には封孔
がなされず、スラリーディッピング法と同様、充分に緻
密な膜が得られない。また、吹き付け時間や吹き付け角
度により膜厚や密度が異なるため、広い面積を有する複
雑な形状の電解質膜の膜厚や密度を制御することが難し
い。
高速度で基板材料に吹き付けて衝突変形させながら積層
させて製膜するが、その原理上、外部に閉じた空隙が残
るためその後のＣＶＤーＥＶＤ法によって完全には封孔
がなされず、スラリーディッピング法と同様、充分に緻
密な膜が得られない。また、吹き付け時間や吹き付け角
度により膜厚や密度が異なるため、広い面積を有する複
雑な形状の電解質膜の膜厚や密度を制御することが難し
い。
【００１２】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、薄くて充分に緻密な固体電解質膜を容
易に製造できる方法を提供することを目的とする。
なされたもので、薄くて充分に緻密な固体電解質膜を容
易に製造できる方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、電極基板上
にＣＶＤーＥＶＤ法により形成させる固体電解質膜の製
造方法において、前記電極基板上に電気泳動電着法によ
り前記形成されるべき固体電解質膜と同質の電解質膜を
形成し、前記電気泳動電着法により形成した電解質膜を
１３００℃以下の温度で焼成後、前記固体電解質膜をＣ
ＶＤーＥＶＤ法により形成させることを特徴とする固体
電解質膜の製造方法により解決される。
にＣＶＤーＥＶＤ法により形成させる固体電解質膜の製
造方法において、前記電極基板上に電気泳動電着法によ
り前記形成されるべき固体電解質膜と同質の電解質膜を
形成し、前記電気泳動電着法により形成した電解質膜を
１３００℃以下の温度で焼成後、前記固体電解質膜をＣ
ＶＤーＥＶＤ法により形成させることを特徴とする固体
電解質膜の製造方法により解決される。
【００１４】電気泳動電着法では、スラリーディッピン
グ法のようにバインダーを用いる必要がなく、また、電
着であるため電解質粒子間の空隙は全て外部に開いた状
態となる。さらに、ある決まったゼータ電位を持つ電解
質粒子を電解浴中に生じさせる電位勾配によって泳動さ
せ基板上に堆積させる方法であるため、電解質粒子は電
位勾配の大きい部分（電解質の膜厚が薄い部分や充填密
度の低い部分）に優先的に泳動、電着するため、均一な
厚さと充填密度の膜が得られる。
グ法のようにバインダーを用いる必要がなく、また、電
着であるため電解質粒子間の空隙は全て外部に開いた状
態となる。さらに、ある決まったゼータ電位を持つ電解
質粒子を電解浴中に生じさせる電位勾配によって泳動さ
せ基板上に堆積させる方法であるため、電解質粒子は電
位勾配の大きい部分（電解質の膜厚が薄い部分や充填密
度の低い部分）に優先的に泳動、電着するため、均一な
厚さと充填密度の膜が得られる。
【００１５】したがって、電極基板上に電気泳動電着法
により形成されるべき固体電解質膜と同質の電解質膜を
形成後、固体電解質膜をＣＶＤーＥＶＤ法により形成さ
せれば、電解質粒子間の空隙にもガスは浸透できるの
で、薄くて充分に緻密な固体電解質膜を形成できる。
により形成されるべき固体電解質膜と同質の電解質膜を
形成後、固体電解質膜をＣＶＤーＥＶＤ法により形成さ
せれば、電解質粒子間の空隙にもガスは浸透できるの
で、薄くて充分に緻密な固体電解質膜を形成できる。
【００１６】このとき、固体電解質膜の電極基板への密
着性を確保するため、電気泳動電着法により固体電解質
膜を形成後焼成する必要がある。焼成は１３００℃を超
えると基板と膜を構成する元素の相互拡散が著しくなっ
たり、電気泳動電着法により形成された膜とＣＶＤーＥ
ＶＤ法により形成された膜の界面で剥離が生じたりし
て、燃料電池の発電効率を著しく低下させるので１３０
０℃以下の温度で行う必要がある。
着性を確保するため、電気泳動電着法により固体電解質
膜を形成後焼成する必要がある。焼成は１３００℃を超
えると基板と膜を構成する元素の相互拡散が著しくなっ
たり、電気泳動電着法により形成された膜とＣＶＤーＥ
ＶＤ法により形成された膜の界面で剥離が生じたりし
て、燃料電池の発電効率を著しく低下させるので１３０
０℃以下の温度で行う必要がある。
【００１７】ＣＶＤーＥＶＤ法を、固体電解質膜を構成
する金属の化合物のガスの圧力Ｐ１と酸化剤ガスの圧力
Ｐ２の圧力差（Ｐ１−Ｐ２）が−３〜１０Ｔｏｒｒの範
囲にある条件で行うと、封孔による緻密化のために要す
るＣＶＤーＥＶＤの処理時間を短縮できるので好まし
い。
する金属の化合物のガスの圧力Ｐ１と酸化剤ガスの圧力
Ｐ２の圧力差（Ｐ１−Ｐ２）が−３〜１０Ｔｏｒｒの範
囲にある条件で行うと、封孔による緻密化のために要す
るＣＶＤーＥＶＤの処理時間を短縮できるので好まし
い。
【００１８】固体電解質膜が安定化ジルコニアの場合、
塩化ジルコニウムのガスを用いたＣＶＤーＥＶＤ法によ
り、容易に緻密な安定化ジルコニア膜の形成が可能とな
る。
塩化ジルコニウムのガスを用いたＣＶＤーＥＶＤ法によ
り、容易に緻密な安定化ジルコニア膜の形成が可能とな
る。
【００１９】
【００２０】
（実施例１）電極基板材料として、固体電解質型燃料電
池の空気極の性質も合わせ持つ多孔質のランタンカルシ
ウムマンガナイトを用い、その基板上に、安定化ジルコ
ニア粒子（８ｍｏｌ％Ｙ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 ）、ヨウ素を
溶媒アセチルアセトン１ｌに対しそれぞれ２０ｇ、０．
５ｇ含む浴中で電気泳動電着法により安定化ジルコニア
の膜を形成した後空気中で１０００〜１５００℃の範囲
で温度を変えて６時間焼成した。この段階における膜厚
は２０〜３０μｍで、膜中の空隙率は約３０％であっ
た。
池の空気極の性質も合わせ持つ多孔質のランタンカルシ
ウムマンガナイトを用い、その基板上に、安定化ジルコ
ニア粒子（８ｍｏｌ％Ｙ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 ）、ヨウ素を
溶媒アセチルアセトン１ｌに対しそれぞれ２０ｇ、０．
５ｇ含む浴中で電気泳動電着法により安定化ジルコニア
の膜を形成した後空気中で１０００〜１５００℃の範囲
で温度を変えて６時間焼成した。この段階における膜厚
は２０〜３０μｍで、膜中の空隙率は約３０％であっ
た。
【００２１】次に、上記のようにして得られた電解質膜
に、電解質側に塩化ジルコニウムと塩化イットリウムを
揮発させたガスを圧力Ｐ１で、基板側に酸化剤ガスであ
る水蒸気を含む酸素ガスを圧力Ｐ２で流通させ、圧力差
（Ｐ１−Ｐ２）を１．５Ｔｏｒｒに保持し、１２００℃
で封孔に必要な時間プラス４５分間のＣＶＤーＥＶＤ法
により安定化ジルコニアを膜厚が３０〜４０μｍとなる
ように堆積させた試料１〜６を作製した。
に、電解質側に塩化ジルコニウムと塩化イットリウムを
揮発させたガスを圧力Ｐ１で、基板側に酸化剤ガスであ
る水蒸気を含む酸素ガスを圧力Ｐ２で流通させ、圧力差
（Ｐ１−Ｐ２）を１．５Ｔｏｒｒに保持し、１２００℃
で封孔に必要な時間プラス４５分間のＣＶＤーＥＶＤ法
により安定化ジルコニアを膜厚が３０〜４０μｍとなる
ように堆積させた試料１〜６を作製した。
【００２２】そして、ＣＶＤーＥＶＤ法による封孔時間
の測定や、こうして作製した空気極／電解質膜の２層構
造の試料の電解質膜側表面に、白金ペースト製の燃料極
を設け発電セルを形成し、発電効率を調査した。
の測定や、こうして作製した空気極／電解質膜の２層構
造の試料の電解質膜側表面に、白金ペースト製の燃料極
を設け発電セルを形成し、発電効率を調査した。
【００２３】封孔時間とは、ＣＶＤーＥＶＤ処理中に基
板側に流通させた酸素ガスが電解質側すなわちＣＶＤー
ＥＶＤの雰囲気中に流出してくる量をモニターし、ＣＶ
ＤーＥＶＤ処理を開始してから雰囲気中に流出してくる
酸素ガス量が急激に低下するまでの時間である。
板側に流通させた酸素ガスが電解質側すなわちＣＶＤー
ＥＶＤの雰囲気中に流出してくる量をモニターし、ＣＶ
ＤーＥＶＤ処理を開始してから雰囲気中に流出してくる
酸素ガス量が急激に低下するまでの時間である。
【００２４】発電効率は、燃料ガスに水素、水蒸気の混
合ガスを、酸化剤ガスに酸素を用いて、１０００℃にて
発電試験を行い、発電起電圧が６００ｍＶにおける発生
電力密度で評価した。
合ガスを、酸化剤ガスに酸素を用いて、１０００℃にて
発電試験を行い、発電起電圧が６００ｍＶにおける発生
電力密度で評価した。
【００２５】結果を表１に示す。電極基板ランタンカル
シウムマンガナイト上に、電気泳動電着法により安定化
ジルコニアの電解質膜を形成し、空気中で１３００℃以
下の温度で焼成後、ジルコニウムを含む化合物のガスを
用いたＣＶＤーＥＶＤ法により安定化ジルコニアを堆積
させた本発明による試料１〜４は、いずれも封孔時間が
短く、発生電力密度が０．３Ｗ／ｃｍ2 以上で発電効率
に優れていることがわかる。
シウムマンガナイト上に、電気泳動電着法により安定化
ジルコニアの電解質膜を形成し、空気中で１３００℃以
下の温度で焼成後、ジルコニウムを含む化合物のガスを
用いたＣＶＤーＥＶＤ法により安定化ジルコニアを堆積
させた本発明による試料１〜４は、いずれも封孔時間が
短く、発生電力密度が０．３Ｗ／ｃｍ2 以上で発電効率
に優れていることがわかる。
【００２６】一方、焼成温度が１３００℃を超える試料
５、６では、封孔時間は短いが、。基板と膜の相互拡散
などの問題により発生電力密度が０．０６Ｗ／ｃｍ2 以
下と著しく発電効率に劣る。
５、６では、封孔時間は短いが、。基板と膜の相互拡散
などの問題により発生電力密度が０．０６Ｗ／ｃｍ2 以
下と著しく発電効率に劣る。
【００２７】
【表１】
【００２８】（実施例２）実施例１と同様な方法で電気
泳動電着法により形成した膜を温度１２５０℃で焼成
後、実施例１と同様なＣＶＤーＥＶＤ法により圧力差
（Ｐ１−Ｐ２）を−８〜２０Ｔｏｒｒの範囲で変えて安
定化ジルコニアを堆積させた試料７〜１３を作製した。
泳動電着法により形成した膜を温度１２５０℃で焼成
後、実施例１と同様なＣＶＤーＥＶＤ法により圧力差
（Ｐ１−Ｐ２）を−８〜２０Ｔｏｒｒの範囲で変えて安
定化ジルコニアを堆積させた試料７〜１３を作製した。
【００２９】そして、実施例１と同様な方法で封孔時間
を測定した。結果を表２に示す。
を測定した。結果を表２に示す。
【００３０】圧力差（Ｐ１−Ｐ２）が−３〜１０Ｔｏｒ
ｒの範囲にある試料８〜１２では、２時間未満の短い封
孔時間の得られることがわかる。
ｒの範囲にある試料８〜１２では、２時間未満の短い封
孔時間の得られることがわかる。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、薄くて充分に緻密な固体電解質膜を容易に製
造できる方法を提供できる。
いるので、薄くて充分に緻密な固体電解質膜を容易に製
造できる方法を提供できる。
【００３３】また、ＣＶＤーＥＶＤ法では高温で塩化ジ
ルコニウムや塩化イットリウムなどの塩化物のガスを用
いるため製膜中に電極基板の変質が起こる場合がある
が、本発明法のように電極基板上に予め電気泳動電着法
により電解質膜を形成しておけば、塩化物のガスが直接
電極基板に接することがなくなるのでこの電極基板の変
質を防止できる。
ルコニウムや塩化イットリウムなどの塩化物のガスを用
いるため製膜中に電極基板の変質が起こる場合がある
が、本発明法のように電極基板上に予め電気泳動電着法
により電解質膜を形成しておけば、塩化物のガスが直接
電極基板に接することがなくなるのでこの電極基板の変
質を防止できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真部 保彦 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 電極基板上にＣＶＤーＥＶＤ法により形
成させる固体電解質膜の製造方法において、前記電極基
板上に電気泳動電着法により前記形成されるべき固体電
解質膜と同質の電解質膜を形成し、前記電気泳動電着法
により形成した電解質膜を１３００℃以下の温度で焼成
後、前記固体電解質膜をＣＶＤーＥＶＤ法により形成さ
せることを特徴とする固体電解質膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記ＣＶＤーＥＶＤ法を、固体電解質膜
を構成する金属の化合物のガスの圧力Ｐ１と酸化剤ガス
の圧力Ｐ２の圧力差（Ｐ１−Ｐ２）が−３〜１０Ｔｏｒ
ｒの範囲にある条件で行うことを特徴とする請求項１に
記載の固体電解質膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記固体電解質膜が安定化ジルコニアで
あり、前記金属の化合物のガスが塩化ジルコニウムのガ
スであることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の固体電解質膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9031959A JPH09326258A (ja) | 1996-04-02 | 1997-02-17 | 固体電解質膜の製造方法 |
| US09/162,536 US6093297A (en) | 1996-04-02 | 1998-09-29 | Method for depositing solid electrolyte layer |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-79999 | 1996-04-02 | ||
| JP7999996 | 1996-04-02 | ||
| JP9031959A JPH09326258A (ja) | 1996-04-02 | 1997-02-17 | 固体電解質膜の製造方法 |
| US09/162,536 US6093297A (en) | 1996-04-02 | 1998-09-29 | Method for depositing solid electrolyte layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326258A true JPH09326258A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=27287530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9031959A Withdrawn JPH09326258A (ja) | 1996-04-02 | 1997-02-17 | 固体電解質膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6093297A (ja) |
| JP (1) | JPH09326258A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846588B2 (en) | 2002-01-16 | 2005-01-25 | Alberta Research Council Inc. | Hollow inorganic membranes produced by metal or composite electrodeposition |
| US7736772B2 (en) * | 2002-02-14 | 2010-06-15 | Alberta Research Council, Inc. | Tubular solid oxide fuel cell stack |
| GB2386126B (en) * | 2002-03-06 | 2006-03-08 | Ceres Power Ltd | Forming an impermeable sintered ceramic electrolyte layer on a metallic foil substrate for solid oxide fuel cell |
| US8709674B2 (en) * | 2005-04-29 | 2014-04-29 | Alberta Research Council Inc. | Fuel cell support structure |
| CN116856020B (zh) * | 2023-09-04 | 2024-01-05 | 中石油深圳新能源研究院有限公司 | Ysz电解质层及其制备方法和电池 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4609562A (en) * | 1984-12-20 | 1986-09-02 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus and method for depositing coating onto porous substrate |
| JPS62268063A (ja) * | 1986-05-14 | 1987-11-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 固体電解質の製造方法 |
| JPS63164174A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 固体電解質燃料電池の製造方法 |
| JPS63285877A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 固体電解質の製造方法 |
| JP3071373B2 (ja) * | 1994-11-24 | 2000-07-31 | 日本鋼管株式会社 | ジルコニア薄膜の製造方法 |
| US5989634A (en) * | 1997-06-25 | 1999-11-23 | Isenberg; Arnold O. | Process of manufacturing solid oxygen ion conducting oxide layers |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP9031959A patent/JPH09326258A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-09-29 US US09/162,536 patent/US6093297A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6093297A (en) | 2000-07-25 |
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