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JPH09312372A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

Info

Publication number
JPH09312372A
JPH09312372A JP8150267A JP15026796A JPH09312372A JP H09312372 A JPH09312372 A JP H09312372A JP 8150267 A JP8150267 A JP 8150267A JP 15026796 A JP15026796 A JP 15026796A JP H09312372 A JPH09312372 A JP H09312372A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
lead
lead frame
pellet
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8150267A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihiro Sato
幸弘 佐藤
Kazuo Shimizu
一男 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8150267A priority Critical patent/JPH09312372A/en
Publication of JPH09312372A publication Critical patent/JPH09312372A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the deformation of a lead frame and the increase of manufacturing costs. SOLUTION: A multiple-connection lead frame 1 is prepared by connecting a number of unit lead frames 1a, each having an inner lead group 9 and an outer lead group 8 held by a lead-group holding frame 2. A multiple-connection assembly 16 is prepared by connecting a number of unit heat sink assemblies 16a, each having a heat sink 22 held by a heat-sink holding frame 17. Each unit heat sink assembly 16a is connected with each unit lead frame 1a by caulk- joining a tongue 13b of a C-shaped hole 13 formed on the lead-group holding frame 2 with a through hole 25 of a step member 24 formed on the heat-sink holding frame. Thus, the lead frames are connected to the multiple-connection heat sink assemblies, which avoids deformation of the lead frames upon assembling after the connection process due to the weight of the heat sinks. Since expensive adhesive tape is not used, the manufacturing costs can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、表面実装形樹脂封止パッケージを備えてい
る半導体集積回路装置の放熱性能の向上技術に関するも
ので、例えば、多ピン、低熱抵抗で、小型かつ低価格化
が要求される半導体集積回路装置(以下、ICとい
う。)に利用して有効なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technique for improving heat dissipation performance of a semiconductor integrated circuit device having a surface mount type resin-sealed package. The present invention relates to a resistor effectively used in a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC) which is required to be small in size and low in price.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICの多機能化、高集積化、高速化が進
む最近、ピン数の多い表面実装形樹脂封止パッケージを
備えているICにおいては、熱放散性(放熱性)の良好
な低熱抵抗形パッケージの開発が要望されている。そこ
で、低熱抵抗形パッケージを備えているIC(以下、低
熱抵抗形パッケージICという。)として、ヒートシン
クに直接的にボンディングされた半導体ペレット(以
下、ペレットという。)の周囲に複数本のインナリード
が位置決め配設されているとともに、ペレットの各電極
パッドと各インナリードとの間にワイヤがそれぞれ橋絡
されており、ヒートシンクの少なくとも一部がペレッ
ト、インナリード群およびワイヤと共に樹脂封止体によ
って樹脂封止されているものがある。
2. Description of the Related Art In recent years, ICs are becoming more multifunctional, highly integrated, and faster, and in recent years, ICs equipped with surface mount type resin-sealed packages with a large number of pins have good heat dissipation (heat dissipation). Development of low thermal resistance type packages is desired. Therefore, as an IC provided with a low thermal resistance type package (hereinafter referred to as a low thermal resistance type package IC), a plurality of inner leads are provided around a semiconductor pellet (hereinafter referred to as a pellet) directly bonded to a heat sink. The wire is bridged between each electrode pad of the pellet and each inner lead while being positioned and arranged, and at least a part of the heat sink is resin-molded by the resin sealing body together with the pellet, the inner lead group and the wire. Some are sealed.

【0003】このように構成された低熱抵抗形パッケー
ジICが製造されるに際しては、樹脂封止体が成形され
るまではペレットとインナリード群との位置関係を一定
に維持しておく必要があるため、インナリード群が形成
されたリードフレームとヒートシンクとを機械的に固定
する必要がある。リードフレームとヒートシンクとを機
械的に固定する従来技術としては、次のような固定方法
がある。第1の固定方法は、リードフレームに開設され
た透孔にヒートシンクにエンボス加工によって突設され
たかしめ加工用凸部が嵌入されてかしめ加工(所謂鳩目
加工)によって結合される方法である。第2の固定方法
は、リードフレームとヒートシンクとを接着テープによ
って接着する方法である。
When the low thermal resistance type package IC thus constructed is manufactured, it is necessary to keep the positional relationship between the pellet and the inner lead group constant until the resin sealing body is molded. For this reason, it is necessary to mechanically fix the heat sink and the lead frame on which the inner lead group is formed. As a conventional technique for mechanically fixing the lead frame and the heat sink, there are the following fixing methods. The first fixing method is a method in which a caulking convex portion that is provided by embossing on a heat sink is fitted into a through hole formed in the lead frame, and is joined by caulking (so-called eyelet processing). The second fixing method is a method of bonding the lead frame and the heat sink with an adhesive tape.

【0004】なお、低熱抵抗形パッケージICを述べて
ある例としては、株式会社日経BP社1993年5月3
1日発行「VLSIパッケージング技術(下)」P20
0〜P204や、日本国特許庁公開公報特開平3−28
6558号がある。
Incidentally, as an example in which a low thermal resistance type package IC is described, Nikkei BP Co., Ltd. May 3, 1993
Published on 1st "VLSI Packaging Technology (below)" P20
0 to P204 and Japanese Patent Office Unexamined Publication No. 3-28
There is No. 6558.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
リードフレームとヒートシンクとの固定方法には次のよ
うな問題点がある。多連リードフレームが使用される場
合において、ヒートシンクの重量によってバランスが崩
れるため、リードフレームの変形不良が発生する。ペレ
ットボンディング工程やワイヤボンディング工程におい
て、ヒートシンクが加熱されるため、接着テープとして
高価な耐熱性テープが必要になり、製造コストが増加す
る。板厚の厚いヒートシンク側に形成したかしめ用凸部
にかしめ加工が実施されることにより、かしめ加工装置
が大型になるため、製造コストが増加する。
However, the conventional method of fixing the lead frame and the heat sink has the following problems. When a multiple lead frame is used, the balance of the heat sink is lost due to the weight of the heat sink, resulting in defective lead frame deformation. Since the heat sink is heated in the pellet bonding process and the wire bonding process, an expensive heat resistant tape is required as an adhesive tape, which increases the manufacturing cost. Since the caulking processing is performed on the caulking convex portion formed on the heat sink side having a large plate thickness, the caulking processing apparatus becomes large in size, which increases the manufacturing cost.

【0006】本発明の目的は、リードフレームの変形お
よび製造コストの増加を防止することができる低熱抵抗
形パッケージを備えた半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device having a low thermal resistance type package which can prevent deformation of a lead frame and increase in manufacturing cost.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0009】すなわち、低熱抵抗形パッケージを備えて
いる半導体装置の製造方法は、インナリード群がアウタ
リード群と共にリード群保持枠に保持されたリードフレ
ームが準備されるリードフレーム準備工程と、ヒートシ
ンクがヒートシンク保持枠に保持された単位ヒートシン
ク組立体が複数配列された多連ヒートシンク組立体が準
備される多連ヒートシンク組立体準備工程と、前記多連
ヒートシンク組立体の各単位ヒートシンク組立体に前記
リードフレームが前記ヒートシンク保持枠とリード群保
持枠との間で機械的に結合されて結合体が製造される結
合工程とを備えている。
That is, in a method of manufacturing a semiconductor device having a low thermal resistance type package, a lead frame preparation step of preparing a lead frame in which inner lead groups are held together with outer lead groups in a lead group holding frame, and a heat sink is used as a heat sink. A multiple heat sink assembly preparing step in which a multiple heat sink assembly in which a plurality of unit heat sink assemblies held by a holding frame are arranged is prepared, and the lead frame is attached to each unit heat sink assembly of the multiple heat sink assembly. The heat sink holding frame and the lead group holding frame are mechanically connected to each other to form a combined body.

【0010】前記した半導体装置の製造方法によれば、
リードフレームが機械的に大きな強度を有する多連ヒー
トシンク組立体に組み付けられるため、結合工程以後の
組立作業において、リードフレームがヒートシンクの重
量によって変形されることはない。高価な接着テープを
使用せずに済むため、コストを低減することができる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device described above,
Since the lead frame is mechanically assembled to the multiple heat sink assembly having high strength, the lead frame is not deformed by the weight of the heat sink in the assembly work after the bonding process. Since it is not necessary to use an expensive adhesive tape, the cost can be reduced.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
低熱抵抗形パッケージICの製造方法の概略を示す分解
斜視図である。図2以降はその各工程を説明するための
各説明図である。
1 is an exploded perspective view showing an outline of a method of manufacturing a low thermal resistance type package IC according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 and subsequent drawings are explanatory diagrams for explaining the respective steps.

【0012】本実施形態において、低熱抵抗形パッケー
ジICはヒートシンク付きクワッド・フラット・パッケ
ージを備えているIC(以下、HQFP・ICとい
う。)として構成されている。すなわち、図10に示さ
れているように、HQFP・IC36は、正方形の小板
形状に形成されているシリコン半導体ペレット(以下、
ペレットという。)31と、ペレット31がボンディン
グされているヒートシンク22と、ペレット31の四辺
において放射状に配線されている複数本のインナリード
9と、ペレット31の各電極パッド31aと各インナリ
ード9との間にその両端部をそれぞれボンディングされ
て橋絡されているワイヤ32と、各インナリード9にそ
れぞれ一体的に連結されているアウタリード8と、ペレ
ット31、ヒートシンク22の一部、インナリード9群
およびワイヤ32群を樹脂封止している樹脂封止体34
とを備えている。樹脂封止体34は絶縁性を有する樹脂
が使用されてペレット31によりも充分に大きい正方形
の平盤形状に樹脂成形されている。ヒートシンク22は
熱伝導性の良好な材料が使用されて、樹脂封止体34よ
りも小さくペレット31よりも大きい正方形の平板形状
に形成されている。アウタリード8はガルウイング形状
に屈曲されている。そして、このHQFP・IC36は
次に説明される製造方法によって製造されている。
In this embodiment, the low thermal resistance type package IC is configured as an IC (hereinafter referred to as HQFP IC) equipped with a quad flat package with a heat sink. That is, as shown in FIG. 10, the HQFP / IC 36 has a silicon semiconductor pellet (hereinafter,
It is called pellet. ) 31, a heat sink 22 to which the pellet 31 is bonded, a plurality of inner leads 9 radially arranged on the four sides of the pellet 31, and between each electrode pad 31 a of the pellet 31 and each inner lead 9. A wire 32 having both ends thereof bonded and bridged, an outer lead 8 integrally connected to each inner lead 9, a pellet 31, a part of a heat sink 22, a group of inner leads 9 and a wire 32. Resin encapsulant 34 encapsulating the group with resin
And The resin sealing body 34 is made of a resin having an insulating property and is molded into a square flat plate shape which is sufficiently larger than the pellet 31. The heat sink 22 is made of a material having good thermal conductivity, and is formed in a square flat plate shape smaller than the resin sealing body 34 and larger than the pellet 31. The outer lead 8 is bent in a gull wing shape. The HQFP / IC 36 is manufactured by the manufacturing method described below.

【0013】以下、本発明の一実施形態であるHQFP
・ICの製造方法を説明する。この説明により、HQF
P・IC36の構成の詳細が共に明らかにされる。
The HQFP according to one embodiment of the present invention will be described below.
-Explain the method of manufacturing an IC. By this explanation, HQF
The details of the configuration of the PIC 36 will be clarified together.

【0014】本実施形態に係るHQFP・ICの製造方
法は、図2に示された多連リードフレーム1が準備され
るリードフレーム準備工程を備えている。多連リードフ
レーム1は銅系材料(銅または銅合金)からなる薄板が
用いられて、打ち抜きプレス加工またはエッチング加工
等の適当な手段により一体成形される。多連リードフレ
ーム1の表面には後述するワイヤボンディングを適正に
実施するためのめっき被膜(図示せず)が、銀(Ag)
等を用いためっき加工によって被着されている。多連リ
ードフレーム1は複数の単位リードフレーム(以下、リ
ードフレームという。)1aが一方向に1列に並設され
て構成されている。なお、多連リードフレーム1は同じ
パターンが繰り返されるため、説明および図示は原則と
して一単位について行われている。
The manufacturing method of the HQFP / IC according to this embodiment includes a lead frame preparation step for preparing the multiple lead frame 1 shown in FIG. A thin plate made of a copper-based material (copper or copper alloy) is used for the multiple lead frame 1 and is integrally formed by an appropriate means such as punching press working or etching working. On the surface of the multiple lead frame 1, a plating film (not shown) for properly performing wire bonding described later is formed of silver (Ag).
It is applied by plating using the above. The multiple lead frame 1 is configured by arranging a plurality of unit lead frames (hereinafter, referred to as lead frames) 1a in a row in one direction. In addition, since the same pattern is repeated in the multiple lead frame 1, the description and illustration are made in principle for one unit.

【0015】リードフレーム1aは複数本のインナリー
ドおよびアウタリードを保持するためのリード群保持枠
2を備えており、リード群保持枠2はトップレール3、
ボトムレール4、フロントサイドレール5およびリアサ
イドレール6を正方形の枠形状に組まれて形成されてい
る。リードフレーム1aの正方形の枠内には、ペレット
に対応する大きさの正方形のペレット配置用空所7が相
似形に配されて仮想的に形成されている。トップレール
3、ボトムレール4、フロントサイドレール5およびリ
アサイドレール6の内周辺にはアウタリード8が複数本
ずつ、各辺において等間隔に配されてそれぞれ直角に突
設されている。各アウタリード8にはインナリード9が
それぞれ一体的に連結されており、各インナリード9は
空所7に対して放射状にそれぞれ配置されているととも
に、その内側先端が空所7の各辺において略一直線状に
それぞれ揃えられている。隣合うアウタリード8、8間
にはダム・バー10が直角に架設されており、各ダム・
バー10は一列のアウタリード8群において一直線状に
整列された状態になっている。
The lead frame 1a is provided with a lead group holding frame 2 for holding a plurality of inner leads and outer leads. The lead group holding frame 2 is a top rail 3,
The bottom rail 4, the front side rail 5, and the rear side rail 6 are formed by being assembled in a square frame shape. Inside the square frame of the lead frame 1a, a square pellet arranging space 7 having a size corresponding to the pellets is arranged in a similar shape and is virtually formed. A plurality of outer leads 8 are provided on the inner periphery of the top rail 3, the bottom rail 4, the front side rail 5, and the rear side rail 6 at equal intervals on each side and project at right angles. Inner leads 9 are integrally connected to the respective outer leads 8. The inner leads 9 are arranged radially with respect to the voids 7, and the inner tips thereof are substantially at each side of the voids 7. They are aligned in a straight line. A dam bar 10 is installed at a right angle between the outer leads 8 that are adjacent to each other.
The bars 10 are arranged in a straight line in a group of outer leads 8 in a row.

【0016】フロントサイドレール5にはフロント側ス
リット11がトップレール3およびボトムレール4と直
角に延在されて開設されており、リアサイドレール6に
はリア側スリット12がフロント側スリット11と平行
に開設されている。隣合うリードフレーム1a、1a同
士で一体になったフロントサイドレール5およびリアサ
イドレール6おけるフロント側スリット11とリア側ス
リット12との間にはコ字形状孔13が一対、トップレ
ール3の近傍とボトムレール4の近傍にそれぞれ開設さ
れている。コ字形状孔13において切り抜き孔13aに
よって舌片13bが形成されており、舌片13bは起こ
されて後記する結合爪を形成するようになっている。一
対のコ字形状孔13は同一形状に形成されて、両方の舌
片13b、13bが自由端側が内側になる状態で対称形
にそれぞれ配置されている。
A front side slit 11 is formed in the front side rail 5 so as to extend at a right angle to the top rail 3 and the bottom rail 4, and a rear side slit 12 is formed in the rear side rail 6 in parallel with the front side slit 11. It has been opened. A pair of U-shaped holes 13 are provided between the front side slits 11 and the rear side slits 12 in the front side rails 5 and the rear side rails 6 which are integrated with the adjacent lead frames 1a, 1a, and in the vicinity of the top rails 3. They are opened near the bottom rails 4, respectively. A tongue piece 13b is formed in the U-shaped hole 13 by the cutout hole 13a, and the tongue piece 13b is raised to form a coupling claw described later. The pair of U-shaped holes 13 are formed in the same shape, and both tongue pieces 13b, 13b are symmetrically arranged with the free end sides inside.

【0017】隣合うリードフレーム1a、1a同士で一
体になったフロントサイドレール5およびリアサイドレ
ール6におけるフロント側スリット11とリア側スリッ
ト12との間であって、両コ字形状孔13、13の中央
には位置決め孔14が開設されている。トップレール3
とフロントサイドレール5とが直交したコーナ部には、
後記するトランスファ成形装置におけるサブランナを配
置するための切欠部15が切設されている。
Between the front side slit 11 and the rear side slit 12 in the front side rail 5 and the rear side rail 6 in which the adjacent lead frames 1a, 1a are integrated with each other, the two U-shaped holes 13, 13 are formed. A positioning hole 14 is formed in the center. Top rail 3
And the front side rail 5 are orthogonal to each other,
A cutout portion 15 for arranging a sub runner in a transfer molding apparatus described later is cut out.

【0018】本実施形態に係るHQFP・ICの製造方
法は、図3に示された多連ヒートシンク組立体16が準
備される多連ヒートシンク組立体準備工程を備えてい
る。多連ヒートシンク組立体16は銅系材料(銅または
銅合金)からなる板材であって、厚さが多連リードフレ
ーム1よりも4倍程度厚い板材が用いられて、打ち抜き
プレス加工により一体成形されている。多連ヒートシン
ク組立体16は複数の単位ヒートシンク組立体(以下、
ヒートシンク組立体という。)16aが、一方向に1列
に並設されて構成されており、各ヒートシンク組立体1
6aは前記した多連リードフレーム1の各リードフレー
ム1aに整合するように配列されている。なお、多連ヒ
ートシンク組立体16は同じパターンが繰り返されるた
め、説明および図示は原則として一単位について行われ
ている。
The method of manufacturing the HQFP / IC according to the present embodiment includes a multiple heat sink assembly preparing step in which the multiple heat sink assembly 16 shown in FIG. 3 is prepared. The multiple heat sink assembly 16 is a plate material made of a copper-based material (copper or copper alloy) and has a thickness that is about four times thicker than that of the multiple lead frame 1, and is integrally formed by punching press processing. ing. The multiple heat sink assembly 16 includes a plurality of unit heat sink assemblies (hereinafter,
It is called a heat sink assembly. ) 16a are arranged side by side in a row in one direction, and each heat sink assembly 1
6a are arranged so as to be aligned with each lead frame 1a of the multiple lead frame 1 described above. In addition, since the same pattern is repeated in the multiple heat sink assembly 16, the description and illustration are made in principle for one unit.

【0019】ヒートシンク組立体16aはヒートシンク
を保持するためのヒートシンク保持枠17を備えてい
る。ヒートシンク保持枠17はメイントップレール1
8、メインボトムレール19、メインフロントサイドレ
ール20およびメインリアサイドレール21を備えてお
り、4本のレールは正方形の枠形状に組まれている。メ
イントップレール18およびメインボトムレール19に
は送り孔18aおよび19aがそれぞれ適当に開設され
ている。
The heat sink assembly 16a includes a heat sink holding frame 17 for holding the heat sink. The heat sink holding frame 17 is the main top rail 1
8, a main bottom rail 19, a main front side rail 20, and a main rear side rail 21, and the four rails are assembled in a square frame shape. The main top rail 18 and the main bottom rail 19 are provided with feed holes 18a and 19a, respectively.

【0020】正方形の枠内には正方形の板形状に形成さ
れたヒートシンク22が配置されており、ヒートシンク
22の四隅は正方形枠の四隅に配置された4本のヒート
シンク吊りバー23によって吊持されている。ヒートシ
ンク22の正方形は樹脂封止体よりも小さく、ペレット
よりも大きくなるように設定されている。ヒートシンク
22におけるペレットボンディング側主面の表面には、
後述するペレットボンディングを適正に実施するための
めっき被膜(図示せず)が銀(Ag)等を用いためっき
加工によって被着されている。
A heat sink 22 formed in a square plate shape is arranged in the square frame, and four corners of the heat sink 22 are suspended by four heat sink suspension bars 23 arranged at the four corners of the square frame. There is. The square of the heat sink 22 is set to be smaller than the resin sealing body and larger than the pellet. On the surface of the pellet bonding side main surface of the heat sink 22,
A plating film (not shown) for appropriately performing pellet bonding described later is applied by a plating process using silver (Ag) or the like.

【0021】ヒートシンク組立体16aのメインフロン
トサイドレール20およびメインリアサイドレール21
には、インナリード9をヒートシンク22から浮かせる
ための段差部24が一対ずつ、メイントップレール18
の近傍とメインボトムレール19の近傍にそれぞれ配置
されて、エンボス加工によってそれぞれ形成されてい
る。4個の段差部24は上面が同一平面に形成されてお
り、各段差部24の高さはインナリード9とヒートシン
ク22との間の絶縁ギャップを確保し得る寸法の最小値
に設定されている。各段差部24には機械的結合用の透
孔25がプレス加工によって一体的に開設されており、
透孔25は前記した舌片13bによって形成されて成る
爪部をかしめ着けられるようになっている。メインフロ
ントサイドレール20およびメインリアサイドレール2
1には各位置決め孔26が一対の段差部24、24の中
央にそれぞれ開設されている。
Main front side rails 20 and main rear side rails 21 of the heat sink assembly 16a.
The main top rail 18 has a pair of step portions 24 for floating the inner leads 9 from the heat sink 22.
And the main bottom rail 19 and are formed by embossing. The upper surfaces of the four step portions 24 are formed in the same plane, and the height of each step portion 24 is set to the minimum value of the dimension that can secure the insulating gap between the inner lead 9 and the heat sink 22. . A through hole 25 for mechanical connection is integrally formed in each step portion 24 by press working,
The through hole 25 can be crimped to the claw portion formed by the tongue piece 13b. Main front side rail 20 and main rear side rail 2
In FIG. 1, each positioning hole 26 is formed in the center of the pair of step portions 24, 24.

【0022】メイントップレール18とメインフロント
サイドレール20とが直交するコーナ部には後記するト
ランスファ成形装置におけるサブランナを配置するため
の突出部27が直角方向に内向きに突設されており、突
出部27は前記したリードフレーム1aにおけるサブラ
ンナ配置用の切欠部15に対応するようになっている。
突出部27のメイントップレール18から離れる方向の
長さは、サブランナの長さに対応するように設定されて
おり、長さ方向に直交する横幅はサブランナの幅よりも
大きくなるように設定されている。
At a corner portion where the main top rail 18 and the main front side rail 20 are orthogonal to each other, a projection portion 27 for arranging a sub-runner in a transfer molding apparatus described later is provided so as to project inward at a right angle. The portion 27 corresponds to the cutout portion 15 for disposing the sub runner in the lead frame 1a.
The length of the protruding portion 27 in the direction away from the main top rail 18 is set to correspond to the length of the sub runner, and the lateral width orthogonal to the length direction is set to be larger than the width of the sub runner. There is.

【0023】前記構成に係る多連リードフレーム1と多
連ヒートシンク組立体16とは結合工程において、各単
位が図4に示されているように重なり合うように一体化
される。リードフレーム1aとヒートシンク組立体16
aとはペレット配置用空所7とヒートシンク22とが同
心になるように配置されて上下に重ね合わされる。この
際、リードフレーム1a側の各コ字形状孔13および位
置決め孔14と、ヒートシンク組立体16a側の段差部
24および位置決め孔26とがそれぞれ整合される。続
いて、各コ字形状孔13の舌片13bが各段差部24の
透孔25に挿入されて、段差部24の下端開口縁に内側
から係合するようにそれぞれ屈曲される。これにより、
リードフレーム1aとヒートシンク組立体16aとを機
械的に結合する各爪部28が形成される。各爪部28は
段差部24の透孔25における開口縁を挟む込むため、
リードフレーム1aとヒートシンク組立体16aとは重
ね合わされた状態で機械的に結合される。
In the joining process, the multiple lead frame 1 and the multiple heat sink assembly 16 having the above-described structure are integrated so that the respective units are overlapped as shown in FIG. Lead frame 1a and heat sink assembly 16
“A” is arranged so that the pellet arranging space 7 and the heat sink 22 are concentric with each other and are vertically stacked. At this time, the U-shaped holes 13 and the positioning holes 14 on the lead frame 1a side are aligned with the step portion 24 and the positioning holes 26 on the heat sink assembly 16a side, respectively. Subsequently, the tongue piece 13b of each U-shaped hole 13 is inserted into the through hole 25 of each step portion 24 and bent so as to engage with the lower end opening edge of the step portion 24 from the inside. This allows
Each claw portion 28 that mechanically connects the lead frame 1a and the heat sink assembly 16a is formed. Since each claw portion 28 sandwiches the opening edge of the through hole 25 of the step portion 24,
The lead frame 1a and the heat sink assembly 16a are mechanically coupled to each other in a superposed state.

【0024】この状態において、メインフロントサイド
レール20およびメインリアサイドレール21の互いに
向き合う一対の爪部28、28が互いに対向する側から
各透孔25、25をそれぞれ挟んだ状態になっているた
め、リードフレーム1aとヒートシンク組立体16aと
は互いに長さ方向に相対移動し得る状態になっている。
すなわち、各爪部28は熱膨張係数差等による多連リー
ドフレーム1と多連ヒートシンク組立体16との長さ方
向の変位(伸縮)を吸収し得るように、多連リードフレ
ーム1と多連ヒートシンク組立体16とを機械的に結合
した状態になっている。
In this state, since the pair of claw portions 28, 28 of the main front side rail 20 and the main rear side rail 21 facing each other sandwich the through holes 25, 25 from the opposite sides, respectively. The lead frame 1a and the heat sink assembly 16a are in a state of being able to move relative to each other in the longitudinal direction.
That is, each claw portion 28 and the multiple lead frame 1 and the multiple lead frame 1 can absorb the displacement (expansion and contraction) in the lengthwise direction between the multiple lead frame 1 and the multiple heat sink assembly 16 due to the difference in thermal expansion coefficient or the like. The heat sink assembly 16 is in a mechanically coupled state.

【0025】なお、重ね合わせ作業、挿入作業およびか
しめ加工は、複数個のリードフレーム1aおよびヒート
シンク組立体16aについて同時に実施することができ
る。したがって、作業性はきわめて良好である。
The superposing work, the inserting work and the caulking work can be carried out simultaneously for the plurality of lead frames 1a and the heat sink assembly 16a. Therefore, workability is extremely good.

【0026】リードフレーム1aとヒートシンク組立体
16aとが上下に重ね合わされて結合された結合体29
において、上側のリードフレーム1aにおけるインナリ
ード9群の内側先端部は、下側のヒートシンク組立体1
6aにおけるヒートシンク22の外周縁部に上から見て
所定の寸法だけ内側に入って重なった状態になっている
とともに、ヒートシンク22の上面に対しては段差部2
4の高さだけ極僅かに浮かされた状態になっている。
A combined body 29 in which the lead frame 1a and the heat sink assembly 16a are vertically overlapped and combined with each other.
In the above, the inner end portions of the inner leads 9 in the upper lead frame 1 a are attached to the lower heat sink assembly 1.
The outer peripheral edge portion of the heat sink 22 in 6a is inwardly overlapped by a predetermined dimension when viewed from above, and the step portion 2 is formed on the upper surface of the heat sink 22.
It is in a state of being slightly floated by a height of 4.

【0027】以上のようにして多連リードフレーム1と
多連ヒートシンク組立体16とが結合された結合体29
には、ペレットボンディング工程においてペレットボン
ディング作業が各ヒートシンク22毎に実施され、続い
て、ワイヤボンディング工程において各ペレットおよび
リードフレーム1a毎にワイヤボンディングが実施され
る。この際、結合体29が多連に構成されているため、
これらボンディング作業は結合体29が長手方向にピッ
チ送りされることにより各単位毎に順次実施される。こ
の際、多連ヒートシンク組立体16のメイントップレー
ル18およびメインボトムレール19が送り装置のガイ
ドレール(図示せず)によって支持された状態で案内さ
れるため、多連ヒートシンク組立体16の自重によって
多連リードフレーム1が撓んだり変形したりすることは
ない。
A combined body 29 in which the multiple lead frame 1 and the multiple heat sink assembly 16 are combined as described above.
In the pellet bonding process, the pellet bonding work is performed for each heat sink 22, and subsequently, the wire bonding is performed for each pellet and the lead frame 1a in the wire bonding process. At this time, since the combined body 29 is configured in multiples,
These bonding operations are sequentially performed for each unit by pitch-feeding the combined body 29 in the longitudinal direction. At this time, since the main top rails 18 and the main bottom rails 19 of the multiple heat sink assembly 16 are guided while being supported by the guide rails (not shown) of the feeder, the multiple heat sink assembly 16 is guided by its own weight. The multiple lead frame 1 does not bend or deform.

【0028】図5に示されているように、ペレット31
はヒートシンク22よりも小さい正方形の板形状に形成
されている。ペレット31は半導体装置の製造工程にお
ける所謂前工程においてウエハの状態で半導体素子群や
配線回路等からなる集積回路を作り込まれた後に、ダイ
シング工程において所定の形状に分断されて製造され
る。ペレット31はヒートシンク22の上面に相似形に
配されて、ヒートシンク22とペレット31との間に半
田層によって形成されたボンディング層30によって固
着されている。すなわち、ヒートシンク22の上面に半
田箔が置かれて加熱された状態で、半田箔にペレット3
1が擦り付けられて形成された半田ボンディング層30
によってペレット31はヒートシンク22上にボンディ
ングされている。
As shown in FIG. 5, the pellet 31
Is formed in a square plate shape smaller than the heat sink 22. The pellet 31 is manufactured by forming an integrated circuit including a semiconductor element group, a wiring circuit and the like in a wafer state in a so-called pre-process in a manufacturing process of a semiconductor device, and then dividing the integrated circuit into a predetermined shape in a dicing process. The pellet 31 is arranged on the upper surface of the heat sink 22 in a similar shape, and is fixed to the heat sink 22 and the pellet 31 by a bonding layer 30 formed of a solder layer. That is, while the solder foil is placed on the upper surface of the heat sink 22 and heated, the pellet 3 is applied to the solder foil.
Solder bonding layer 30 formed by rubbing 1
The pellet 31 is bonded to the heat sink 22 by the.

【0029】なお、ペレットボンディングは結合工程前
にヒートシンク22にボンディングしてもよい。ボンデ
ィング層としては、半田層以外に、金−シリコン共晶層
や銀ペースト接着層等々を使用することができる。但
し、形成されたボンディング層はペレット31からヒー
トシンク22への熱伝達の障壁にならないように形成す
ることが望ましい。ちなみに、半田ボンディング層30
は熱伝達率が高いばかりでなく、柔軟性に富むため、ペ
レット31とヒートシンク22との間に作用する機械的
応力を吸収することができる。
The pellet bonding may be bonded to the heat sink 22 before the bonding process. As the bonding layer, other than the solder layer, a gold-silicon eutectic layer, a silver paste adhesive layer, or the like can be used. However, it is desirable that the formed bonding layer not be a barrier to heat transfer from the pellet 31 to the heat sink 22. By the way, the solder bonding layer 30
Has a high heat transfer coefficient and is highly flexible, and can absorb mechanical stress acting between the pellet 31 and the heat sink 22.

【0030】図5に示されているように、ペレット31
と各インナリード9とを電気的に接続するためのワイヤ
32は、その両端部をペレット31の電極パッド31a
とインナリード9の先端部とにそれぞれボンディングさ
れて両者間に橋絡される。この際、インナリード9の内
側先端部がヒートシンク22の外周辺部に重なった状態
になっていることにより、インナリード9側のワイヤボ
ンディング作業に際して、ワイヤ32の押接に対する反
力をヒートシンク22に求めることができる。したがっ
て、ワイヤボンディング作業の実施に際して、従来の熱
圧着式ワイヤボンディング装置や超音波熱圧着式ワイヤ
ボンディング装置および超音波式ワイヤボンディング装
置を使用することができる。
As shown in FIG. 5, the pellet 31
A wire 32 for electrically connecting the inner lead 9 with each of the inner leads 9 has an electrode pad 31a of the pellet 31 at both ends thereof.
And the tips of the inner leads 9 are respectively bonded and bridged between them. At this time, since the inner tip of the inner lead 9 overlaps with the outer peripheral portion of the heat sink 22, a reaction force against the pressing of the wire 32 is applied to the heat sink 22 during the wire bonding work on the inner lead 9 side. You can ask. Therefore, when performing the wire bonding work, the conventional thermocompression bonding wire bonding apparatus, ultrasonic thermocompression bonding wire bonding apparatus, and ultrasonic wire bonding apparatus can be used.

【0031】以上のペレットボンディング作業およびワ
イヤボンディング作業によって、ペレット31に作り込
まれている集積回路は、電極パッド31a、ボンディン
グワイヤ32、インナリード9を介して電気的に外部に
引き出される。
By the above pellet bonding work and wire bonding work, the integrated circuit built in the pellet 31 is electrically pulled out to the outside through the electrode pad 31a, the bonding wire 32, and the inner lead 9.

【0032】結合体29にペレット31およびワイヤ3
2がボンディングされた図5に示されている組立体(以
下、成形ワークという。)33には、樹脂封止体成形工
程において、図6〜図8に示されているトランスファ成
形装置40が使用されて図9に示されている樹脂封止体
34が各単位について同時に成形される。
The pellet 31 and the wire 3 are attached to the combined body 29.
For the assembly body (hereinafter, referred to as a molding work) 33 shown in FIG. 5 to which 2 is bonded, the transfer molding apparatus 40 shown in FIGS. 6 to 8 is used in the resin encapsulation body molding step. Then, the resin sealing body 34 shown in FIG. 9 is simultaneously molded for each unit.

【0033】図6〜図8に示されているトランスファ成
形装置40は、シリンダ装置等(図示せず)によって互
いに型締めされる一対の上型41と下型42とを備えて
いる。上型41と下型42との合わせ面には上型キャビ
ティー凹部43aと下型キャビティー凹部43bとが複
数組、互いに協働してキャビティー43を形成するよう
にそれぞれ没設されている。但し、図示および説明は多
連リードフレームおよび多連ヒートシンク組立体と同様
に一単位について行われている。キャビティー43は成
形ワーク33におけるリードフレーム1aのダム・バー
10が画成する正方形に対応されている。キャビティー
43の全高は成形ワーク33の全高よりも僅かに大きく
設定されている。上型キャビティー凹部43aの深さ
は、成形ワーク33におけるワイヤ32のリードフレー
ム1aからの上方突出高さよりも僅かに大きくなるよう
に設定されている。下型キャビティー凹部43bの深さ
は、成形ワーク33におけるヒートシンク22の下面か
ら段差部24の上面迄の高さと等しくなるように設定さ
れている。
The transfer molding apparatus 40 shown in FIGS. 6 to 8 is provided with a pair of an upper mold 41 and a lower mold 42 which are clamped together by a cylinder device or the like (not shown). On the mating surface of the upper mold 41 and the lower mold 42, a plurality of sets of upper mold cavity recesses 43a and lower mold cavity recesses 43b are respectively recessed so as to cooperate with each other to form the cavity 43. . However, the illustration and description are made for one unit like the multiple lead frame and multiple heat sink assemblies. The cavity 43 corresponds to a square defined by the dam bar 10 of the lead frame 1 a in the molded work 33. The overall height of the cavity 43 is set to be slightly larger than the overall height of the forming work 33. The depth of the upper mold cavity recess 43a is set to be slightly larger than the protruding height of the wire 32 in the forming work 33 from the lead frame 1a. The depth of the lower mold cavity recess 43b is set to be equal to the height from the lower surface of the heat sink 22 to the upper surface of the step portion 24 in the molding work 33.

【0034】下型42の合わせ面にはポット44が開設
されており、ポット44にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ45が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。上型41の合わせ面にはカル46がポット4
4との対向位置に配されて没設されているとともに、互
いに連通されたメインランナ47およびサブランナ48
がメインランナ47の一端をカル46に接続されて没設
されている。サブランナ48の他端は上型キャビティー
凹部43aにおける後記する所定のコーナ部に形成され
たゲート49に接続されており、ゲート49は後記する
レジン50をキャビティー43内に注入し得るように形
成されている。
A pot 44 is opened on the mating surface of the lower mold 42, and a cylinder device (not shown) is provided in the pot 44.
The plunger 45, which is moved forward and backward, is inserted so that resin (hereinafter, referred to as resin) as a molding material can be fed. Cull 46 is in pot 4 on the mating surface of upper mold 41.
4, the main runner 47 and the sub runner 48, which are arranged at a position facing the No. 4 and are recessed and communicated with each other.
One end of the main runner 47 is connected to the cull 46 and is buried. The other end of the sub-runner 48 is connected to a gate 49 formed in a predetermined corner portion of the upper mold cavity recess 43a, which will be described later. The gate 49 is formed so that a resin 50 described later can be injected into the cavity 43. Has been done.

【0035】下型42の合わせ面にはヒートシンク吊り
バー収容穴51が4個、下型キャビティー凹部43bの
4箇所のコーナ部に配されて、その深さが下型キャビテ
ィー凹部43bに一体的に連続するようにそれぞれ没設
されている。したがって、下型キャビティー凹部43b
の各コーナ部は角を切り欠かれて開口した状態になって
いる。各ヒートシンク吊りバー収容穴51の平面形状は
ヒートシンク組立体16aのヒートシンク吊りバー23
の平面形状に対応されており、各ヒートシンク吊りバー
収容穴51は各ヒートシンク吊りバー23をそれぞれ収
容するようになっている。
On the mating surface of the lower die 42, there are four heat sink hanging bar receiving holes 51, which are arranged at four corners of the lower die cavity recess 43b, the depth of which is integrated with the lower die cavity recess 43b. Are so buried that they are continuous. Therefore, the lower mold cavity recess 43b
The corners of each of the corners are notched and open. The planar shape of each heat sink suspension bar accommodation hole 51 is the heat sink suspension bar 23 of the heat sink assembly 16a.
The heat sink suspension bar accommodation holes 51 accommodate the heat sink suspension bars 23, respectively.

【0036】さらに、下型42の合わせ面における上型
41のゲート49に対応する位置のヒートシンク吊りバ
ー収容穴51の外側には突出部収容穴52が、その深さ
がヒートシンク吊りバー収容穴51に連続し、かつ、そ
の一部がヒートシンク吊りバー収容穴51に重なるよう
に没設されている。突出部収容穴52はヒートシンク組
立体16aの突出部27の平面形状に対応されており、
突出部収容穴52は突出部27を収容するようになって
いる。下型42の合わせ面には逃げ凹所53が、下型キ
ャビティー凹部43bから適度に離れた位置から外側に
全体的に没設されている。
Further, a protrusion accommodating hole 52 is provided outside the heat sink hanging bar accommodating hole 51 at a position corresponding to the gate 49 of the upper mold 41 on the mating surface of the lower mold 42, and the depth thereof is the heat sink hanging bar accommodating hole 51. , And a part of it is submerged so as to overlap with the heat sink suspension bar accommodating hole 51. The projecting portion accommodating hole 52 corresponds to the planar shape of the projecting portion 27 of the heat sink assembly 16a,
The protruding portion accommodation hole 52 is configured to accommodate the protruding portion 27. On the mating surface of the lower mold 42, an escape recess 53 is entirely recessed outward from a position appropriately separated from the lower mold cavity recess 43b.

【0037】他方、上型41の合わせ面にはヒートシン
ク吊りバー収容穴埋め戻し用の凸部54が4個、上型キ
ャビティー凹部43aの4箇所のコーナ部にそれぞれ配
されて没設されている。各凸部54の平面形状はヒート
シンク吊りバー収容穴51の平面形状に対応されてお
り、各凸部54の高さは、ヒートシンク吊りバー収容穴
51の深さからヒートシンク吊りバー23の厚さを減じ
た値に設定されている。したがって、ヒートシンク吊り
バー収容穴51はこの凸部54とヒートシンク吊りバー
23とによって埋め戻されるようになっている。つま
り、下型キャビティー凹部43bの各コーナ部にヒート
シンク吊りバー収容穴51によって開設された切欠部
は、各凸部54によって閉塞されるようになっている。
On the other hand, on the mating surface of the upper die 41, four convex portions 54 for backfilling the heat sink suspension bar accommodating holes are arranged and buried in four corner portions of the upper die cavity concave portion 43a. . The planar shape of each convex portion 54 corresponds to the planar shape of the heat sink suspension bar accommodating hole 51, and the height of each convex portion 54 is calculated from the depth of the heat sink suspension bar accommodating hole 51 to the thickness of the heat sink suspension bar 23. It is set to the subtracted value. Therefore, the heat sink suspension bar accommodating hole 51 is backfilled by the convex portion 54 and the heat sink suspension bar 23. That is, the notches formed by the heat sink suspension bar housing holes 51 at the corners of the lower mold cavity recess 43b are closed by the protrusions 54.

【0038】さらに、上型41の合わせ面におけるゲー
ト49に対応する位置のヒートシンク吊りバー収容穴埋
め戻し用の凸部54の外側には、突出部収容穴埋め戻し
用の凸部55が、その高さがヒートシンク吊りバー収容
穴埋め戻し用の凸部54に連続するように突設されてい
る。この凸部55の平面形状は前記ヒートシンク組立体
16aの突出部27の平面形状に対応されており、した
がって、凸部55は突出部27と協働して突出部収容穴
52を埋め戻すようになっている。この凸部55の突出
部27との合わせ面にはサブランナ48が没設されてお
り、この凸部55に連続する前記凸部54におけるヒー
トシンク吊りバー23との合わせ面には、ゲート49が
没設されている。また、上型41の合わせ面には逃げ凹
所56が、上型キャビティー凹部43aから適度に離れ
た位置から外側に全体的に没設されている。
Further, on the outside of the heat sink suspension bar accommodation hole backfilling protrusion 54 at a position corresponding to the gate 49 on the mating surface of the upper die 41, there is provided a protrusion receiving hole backfilling protrusion 55. Is provided so as to be continuous with the convex portion 54 for backfilling the heat sink suspension bar housing hole. The planar shape of the convex portion 55 corresponds to the planar shape of the projecting portion 27 of the heat sink assembly 16a. Therefore, the projecting portion 55 cooperates with the projecting portion 27 to refill the projecting portion accommodating hole 52. Has become. The sub-runner 48 is recessed on the mating surface of the protrusion 55 with the protrusion 27, and the gate 49 is recessed on the mating surface of the protrusion 54 continuous with the heat sink suspension bar 23. It is set up. In addition, an escape recess 56 is entirely provided on the mating surface of the upper mold 41 to the outside from a position appropriately separated from the upper mold cavity recess 43a.

【0039】次に、前記構成に係るトランスファ成形装
置40による成形ワーク33への樹脂封止体34の成形
工程について説明する。
Next, the molding process of the resin sealing body 34 on the molding work 33 by the transfer molding device 40 having the above-mentioned structure will be described.

【0040】成形ワーク33は下型42に装填される。
この際、ヒートシンク22は下型キャビティー凹部43
b内に収容され、各コーナ部のヒートシンク吊りバー2
3および突出部27は各収容穴51および52にそれぞ
れ収容される。この収容状態において、ヒートシンク2
2、ヒートシンク吊りバー23および突出部27の下面
はキャビティー凹部43b、各収容穴51、52の底面
に当接した状態になっている。また、リードフレーム1
aの下面は下型42における上型41との合わせ面に当
接した状態になっている。
The molding work 33 is loaded in the lower mold 42.
At this time, the heat sink 22 is formed by the lower mold cavity recess 43.
The heat sink suspension bar 2 at each corner is housed in b.
3 and the protrusion 27 are housed in the housing holes 51 and 52, respectively. In this housed state, the heat sink 2
2. The bottom surfaces of the heat sink suspension bar 23 and the protruding portion 27 are in contact with the cavity recess 43b and the bottom surfaces of the housing holes 51 and 52. Also, lead frame 1
The lower surface of a is in contact with the mating surface of the lower mold 42 with the upper mold 41.

【0041】続いて、上型41と下型42とが型締めさ
れる。型締めされると、リードフレーム1aのダム・バ
ー10の周りは上型41と下型42の合わせ面間で上下
から挟まれた状態になる。上型41の合わせ面にそれぞ
れ突設された各凸部54、55は、下型42の合わせ面
にそれぞれ没設された各収容穴51、52にそれぞれ嵌
入され、各凸部54、55の下面は各収容穴51、52
に収容されたヒートシンク吊りバー23および突出部2
7の上面に押接した状態になる。この状態において、下
型キャビティー凹部43bの各コーナ部にヒートシンク
吊りバー収容穴51によって開設された切欠部は、各凸
部54によって閉塞された状態になるため、上型キャビ
ティー凹部43aと下型キャビティー凹部43bとによ
って形成されたキャビティー43は、実質的に完全に密
封された状態になる。
Subsequently, the upper die 41 and the lower die 42 are clamped. When the mold is clamped, the area around the dam bar 10 of the lead frame 1a is sandwiched between the upper mold 41 and the lower mold 42 from above and below. The convex portions 54 and 55 that are respectively provided on the mating surface of the upper die 41 are fitted into the respective accommodation holes 51 and 52 that are respectively recessed on the mating surface of the lower die 42, and the convex portions 54 and 55 The lower surface is the accommodation hole 51, 52
Heat sink hanging bar 23 and protrusion 2 housed in
7 is pressed against the upper surface. In this state, the notches formed by the heat sink suspension bar accommodation holes 51 in the respective corners of the lower mold cavity recess 43b are closed by the protrusions 54, so that the upper mold cavity recess 43a and the lower mold cavity recess 43a are closed. The cavity 43 formed by the mold cavity recess 43b is substantially completely sealed.

【0042】次いで、成形材料としてのレジン50がポ
ット44からプランジャ45によりメインランナ47、
サブランナ48およびゲート49を通じてキャビティー
43に送給されて注入される。サブランナ48を流通す
るレジン50はヒートシンク組立体16aにおける突出
部27の上面に沿って流れ、突出部27と下型42に没
設されたゲート49とによって囲まれた流路を通ってキ
ャビティー43内に注入される。
Then, the resin 50 as a molding material is transferred from the pot 44 to the main runner 47 by the plunger 45.
It is fed to the cavity 43 through the sub-runner 48 and the gate 49 and injected. The resin 50 flowing through the sub-runner 48 flows along the upper surface of the protruding portion 27 of the heat sink assembly 16 a, and passes through the flow path surrounded by the protruding portion 27 and the gate 49 buried in the lower mold 42 to form the cavity 43. Injected inside.

【0043】そして、樹脂封止体34はレジン50がキ
ャビティー43に充填されるとともに、レジン50が熱
硬化されることにより樹脂成形される。樹脂封止体34
が樹脂成形された後に、上型41および下型42は型開
きされる。この型開きと同時に、樹脂封止体34は上型
41および下型42に対してエジェクタ・ピン(図示せ
ず)により突き上げられて離型される。この離型に際し
て、エジェクタ・ピンは成形ワーク33のヒートシンク
22の部位も突き上げるように設定することが望まし
い。
The resin encapsulant 34 is resin-molded by filling the cavity 50 with the resin 50 and thermosetting the resin 50. Resin sealing body 34
After the resin is molded, the upper mold 41 and the lower mold 42 are opened. Simultaneously with this mold opening, the resin sealing body 34 is pushed up and released from the upper mold 41 and the lower mold 42 by ejector pins (not shown). At the time of this mold release, it is desirable to set the ejector pins so that the portion of the heat sink 22 of the molded work 33 is also pushed up.

【0044】以上のようにして成形ワーク33に樹脂封
止体34が樹脂成形されて離型された状態において、図
9に示されている成形品35が製造された状態になる。
この成形品35におけるペレット31、インナリード
9、ワイヤ32、ヒートシンク22の一部および4個の
ヒートシンク吊りバー23の一部は、樹脂封止体34の
内部に樹脂封止された状態になっている。すなわち、ヒ
ートシンク22および各ヒートシンク吊りバー23の一
主面は樹脂封止体34の一主面から露出し、他の主面お
よび側面は樹脂封止体34の内部に植え込まれた状態に
なっている。
As described above, in the state where the resin sealing body 34 is resin-molded on the molding work 33 and is released, the molded product 35 shown in FIG. 9 is manufactured.
The pellet 31, the inner lead 9, the wire 32, a part of the heat sink 22, and a part of the four heat sink suspension bars 23 in the molded product 35 are resin-sealed in the resin sealing body 34. There is. That is, one main surface of the heat sink 22 and each heat sink suspension bar 23 is exposed from one main surface of the resin sealing body 34, and the other main surfaces and side surfaces are embedded in the resin sealing body 34. ing.

【0045】詳細な説明および図示は省略するが、樹脂
成形時のランナやカルの成形痕、ばり(flash)は
除去工程において適宜除去される。その後、半田めっき
工程において、成形品35は樹脂封止体34からの露出
面全体にわたって半田めっき被膜(図示せず)を被着さ
れる。半田めっき処理の際、成形品35は多連リードフ
レーム1および多連ヒートシンク組立体16において電
気的に全て接続されているため、電解めっき処理は一括
して実施することができる。
Although detailed description and illustration are omitted, the runner, the molding trace of the cull, and the flash at the time of resin molding are appropriately removed in the removing step. Then, in the solder plating step, the molded product 35 is coated with a solder plating film (not shown) over the entire exposed surface from the resin sealing body 34. During the solder plating process, the molded product 35 is electrically connected to the multiple lead frame 1 and the multiple heat sink assembly 16, so that the electrolytic plating process can be performed collectively.

【0046】その後、成形品35はリード切断成形工程
において、HQFPを成形される。すなわち、ダム・バ
ー10は隣合うアウタリード8、8間において切り落と
される。各アウタリード8は各トップレール3、ボトム
レール4、フロントサイドレール5、リアサイドレール
6から切り離された後に、ガルウイング形状に屈曲成形
される。各ヒートシンク22は各ヒートシンク吊りバー
23の樹脂封止体34との境目から切り離される。
Thereafter, the molded product 35 is molded into HQFP in a lead cutting molding process. That is, the dam bar 10 is cut off between the adjacent outer leads 8, 8. The outer leads 8 are separated from the top rails 3, the bottom rails 4, the front side rails 5, and the rear side rails 6, and then bent and formed into a gull wing shape. Each heat sink 22 is separated from the boundary between each heat sink suspension bar 23 and the resin sealing body 34.

【0047】以上のようにして図10に示されている前
記構成に係るHQFP・IC36が製造されたことにな
る。このHQFP・IC36は図11に示されているよ
うにプリント配線基板に実装される。
The HQFP IC 36 having the above-described structure shown in FIG. 10 is manufactured as described above. The HQFP / IC 36 is mounted on a printed wiring board as shown in FIG.

【0048】図10に示されているプリント配線基板6
0は、ガラス含浸エポキシ樹脂等の絶縁性の板材が使用
されて形成された本体61を備えている。本体61の一
主面にはアウタリード8の平坦部に対応する長方形の小
平板形状に形成されたマウントパッド62が複数個、実
装対象物となるHQFP・IC36におけるアウタリー
ド8群の列に対応する正方形枠形状にそれぞれ配列され
ている。本体61の一主面(上面とする。)には放熱用
のランド63が、マウントパッド62群列が構成する正
方形枠の中央部に配設されており、ランド63はHQF
P・IC36におけるヒートシンク22に対応されてい
る。
The printed wiring board 6 shown in FIG.
0 has a main body 61 formed by using an insulating plate material such as glass-impregnated epoxy resin. A plurality of mount pads 62 formed in a rectangular small flat plate shape corresponding to the flat portion of the outer leads 8 are provided on one main surface of the main body 61, and a square corresponding to the row of the outer leads 8 group in the HQFP / IC 36 to be mounted. They are arranged in a frame shape. A heat-dissipating land 63 is disposed on one main surface (referred to as an upper surface) of the main body 61 at the center of a square frame formed by a group of mount pad 62 groups, and the land 63 is an HQF.
It corresponds to the heat sink 22 in the P-IC 36.

【0049】HQFP・IC36がプリント配線基板6
0に表面実装されるに際して、各マウントパッド62お
よびランド63の上にはクリーム半田等の半田材料(図
示せず)がスクリーン印刷法等の適当な手段によって塗
布される。次いで、半田材料が塗布されたマウントパッ
ド62およびランド63にHQFP・IC36の各アウ
タリード8の平坦部およびヒートシンク22がそれぞれ
接着される。この状態で、半田材料はリフロー半田付け
処理によって溶融された後に固化される。リフロー半田
付け処理によって、アウタリード8とマウントパッド6
2との間、およびヒートシンク22とランド63との間
のそれぞれには、各半田付け部64および65がそれぞ
れ形成される。この状態において、HQFP・IC36
はプリント配線基板60に電気的かつ機械的に接続され
て表面実装された状態になる。
The HQFP / IC 36 is the printed wiring board 6
At the time of surface mounting on 0, a solder material (not shown) such as cream solder is applied onto each mount pad 62 and the land 63 by an appropriate means such as a screen printing method. Next, the flat portion of each outer lead 8 of the HQFP / IC 36 and the heat sink 22 are bonded to the mount pad 62 and the land 63 coated with the solder material, respectively. In this state, the solder material is melted by the reflow soldering process and then solidified. Outer lead 8 and mount pad 6 by reflow soldering process
2 and between the heat sink 22 and the land 63, soldering portions 64 and 65 are formed, respectively. In this state, HQFP IC36
Is electrically and mechanically connected to the printed wiring board 60 and is in a surface-mounted state.

【0050】この実装状態での稼働中、ペレット31が
発熱すると、ペレット31はヒートシンク22に直接ボ
ンディングされているため、その熱はヒートシンク22
に熱伝導によって伝達される。ヒートシンク22はリー
ドフレームの厚さに比較して遙かに厚く、かつ、面積が
大きいため、熱容量がきわめて大きい。したがって、ペ
レット31の発熱はきわめて高い効率をもってヒートシ
ンク22に汲み上げられ、ペレット31はきわめて効果
的に冷却される。そして、ヒートシンク22に直接伝達
された熱は、ランド63を通じてプリント配線基板60
に熱伝導によって放出される。また、ペレット31の発
熱はヒートシンク22に直接的に熱伝導されるととも
に、ヒートシンク22の広い表面積から樹脂封止体34
の全体に拡散される。したがって、ヒートシンク22に
よるペレット31の冷却効果はきわめて高くなる。
When the pellet 31 generates heat during operation in this mounted state, the heat is absorbed in the heat sink 22 because the pellet 31 is directly bonded to the heat sink 22.
Is transferred by heat conduction. Since the heat sink 22 is much thicker than the lead frame and has a large area, it has a very large heat capacity. Therefore, the heat generated by the pellet 31 is pumped to the heat sink 22 with extremely high efficiency, and the pellet 31 is cooled very effectively. Then, the heat directly transmitted to the heat sink 22 passes through the land 63 to the printed wiring board 60.
Is released by heat conduction. Further, the heat generated by the pellet 31 is directly conducted to the heat sink 22.
Is spread throughout. Therefore, the cooling effect of the pellet 31 by the heat sink 22 becomes extremely high.

【0051】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 (1) ペレット31がヒートシンク22に直接的にボ
ンディングされていることにより、ペレット31の発熱
はヒートシンク22に熱伝導によって伝達されるため、
相対的にペレット31はきわめて効果的に冷却されるこ
とになる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. (1) Since the pellet 31 is directly bonded to the heat sink 22, the heat generated by the pellet 31 is transferred to the heat sink 22 by heat conduction.
Relatively, the pellet 31 will be cooled very effectively.

【0052】(2) ヒートシンク22が樹脂封止体3
4の外部に露出されていることにより、ヒートシンク2
2が汲み上げた熱を外気中に放出させることができるた
め、前記(1)の効果をより一層高めることができる。
(2) The heat sink 22 is the resin sealing body 3
Since it is exposed to the outside of the heat sink 2,
Since the heat pumped by 2 can be released to the outside air, the effect of (1) can be further enhanced.

【0053】(3) HQFP・IC36の製造工程に
おいて、リードフレーム1aとヒートシンク組立体16
aとを機械的に結合する爪部28は樹脂封止体34の内
部に埋め込まれないため、爪部28によって樹脂封止体
34の内部におけるインナリード9の配線レイアウトが
規制されることはない。したがって、放熱フィンおよび
それをタブに連結するための放熱フィンリードを有しな
いQFP・ICであってもHQFP・ICとして製造す
ることができる。
(3) In the manufacturing process of the HQFP / IC 36, the lead frame 1 a and the heat sink assembly 16
Since the claw portion 28 for mechanically coupling with a is not embedded inside the resin sealing body 34, the claw portion 28 does not restrict the wiring layout of the inner leads 9 inside the resin sealing body 34. . Therefore, even a QFP IC having no heat radiation fin and a heat radiation fin lead for connecting it to the tab can be manufactured as an HQFP IC.

【0054】(4) 板厚の薄いリードフレームに形成
されたコ字形状孔13の舌片13bをヒートシンクの透
孔25に挿入して屈曲させて機械的結合用爪部28を形
成することにより、板厚の厚いヒートシンクに形成され
たかしめ用凸部をかしめ加工(所謂鳩目加工)して機械
的結合用かしめ部(所謂鳩目部)を形成する場合に比べ
て、結合用の加工装置を小型かつ簡単化することができ
るため、HQFP・ICの製造方法のコスト増を防止す
ることができる。
(4) By inserting the tongue piece 13b of the U-shaped hole 13 formed in the thin lead frame into the through hole 25 of the heat sink and bending it to form the mechanical coupling claw portion 28. In comparison with the case where the caulking convex portion formed on the thick heat sink is caulked (so-called eyelet processing) to form the caulking portion for mechanical coupling (so-called eyelet portion), the processing device for coupling is smaller in size. And since it can be simplified, it is possible to prevent an increase in cost of the manufacturing method of the HQFP / IC.

【0055】(5) リードフレーム1aとヒートシン
ク組立体16aとの結合は機械的結合によって実施され
るため、高価な接着テープの使用を省略してコスト増を
回避することができるとともに、結合時におけるガス発
生等がないため、当該ガス発生等によるペレット等の汚
染を未然に回避することができる。
(5) Since the lead frame 1a and the heat sink assembly 16a are joined by mechanical joining, it is possible to omit the use of an expensive adhesive tape to avoid an increase in cost, and at the time of joining. Since there is no gas generation or the like, it is possible to avoid contamination of pellets or the like due to the gas generation or the like.

【0056】(6) ヒートシンク組立体16aにリー
ドフレーム1aが結合されることにより、ペレット31
およびインナリード9に対する各種作業が実施される際
や、その結合体29が移送される際に、ヒートシンク組
立体16aの重量によるリードフレーム1aの撓みや変
形が発生するのを防止することができる。
(6) The pellet 31 is formed by connecting the lead frame 1a to the heat sink assembly 16a.
It is possible to prevent the lead frame 1a from being bent or deformed due to the weight of the heat sink assembly 16a when various operations are performed on the inner lead 9 or when the combined body 29 is transferred.

【0057】(7) 結合前には、ヒートシンク組立体
16aはリードフレーム1aと別体になっているため、
ヒートシンク22をリードフレーム1aに比べて厚く形
成することができ、その結果、放熱性能を簡単により一
層向上させることができる。他方、リードフレーム1a
は薄く形成することができるため、配線密度を高めるこ
とができる。
(7) Since the heat sink assembly 16a is separate from the lead frame 1a before the connection,
The heat sink 22 can be formed thicker than the lead frame 1a, and as a result, the heat dissipation performance can be further improved easily. On the other hand, the lead frame 1a
Since it can be formed thin, the wiring density can be increased.

【0058】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0059】例えば、樹脂封止体およびヒートシンクの
形状は、正方形に限らず、長方形等の四辺形に形成して
もよい。特に、ヒートシンクは正四辺形に限らず、円形
や多角形に形成してもよい。
For example, the shapes of the resin sealing body and the heat sink are not limited to square shapes, but may be rectangular shapes or other quadrilateral shapes. In particular, the heat sink is not limited to a regular quadrangle, but may be circular or polygonal.

【0060】リードフレームは多連構造に構成するに限
らず、単体に構成して多連ヒートシンク組立体に順次組
み付けて行ってもよい。
The lead frame is not limited to the multiple structure, but may be formed as a single unit and sequentially assembled in the multiple heat sink assembly.

【0061】ヒートシンクは樹脂封止体の内部に一部が
埋め込まれるように構成するに限らず、全体が埋め込ま
れるように構成してもよい。ヒートシンクの一部が樹脂
封止体の一主面が露出される場合には、外付けの放熱フ
ィンを付設することができるように構成してもよい。こ
のような場合には、アウタリードはヒートシンクと反対
側の主面の方向に屈曲させてもよい。
The heat sink is not limited to be partially embedded in the resin sealing body, but may be entirely embedded. When a part of the heat sink exposes one main surface of the resin sealing body, an external heat radiation fin may be attached. In such a case, the outer lead may be bent in the direction of the main surface opposite to the heat sink.

【0062】ヒートシンク組立体を形成する材料として
は、銅系材料を使用するに限らず、アルミニウム系材料
(アルミニウムまたはその合金)等の熱伝導性の良好な
他の金属材料を使用することができる。特に、炭化シリ
コン(SiC)等のように熱伝導性に優れ、かつ、熱膨
張率がペレットの材料であるシリコンのそれと略等しい
材料を使用することが望ましい。
The material for forming the heat sink assembly is not limited to the copper-based material, but other metal materials having good thermal conductivity such as aluminum-based material (aluminum or its alloy) can be used. . In particular, it is desirable to use a material such as silicon carbide (SiC) having excellent thermal conductivity and having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of silicon which is a material of the pellet.

【0063】前記実施形態では、ヒートシンクがプリン
ト配線基板のランドに半田付けされる場合について説明
したが、ヒートシンクは半田付けしなくとも充分な放熱
性能を発揮する。
In the above-described embodiment, the case where the heat sink is soldered to the land of the printed wiring board has been described, but the heat sink exhibits sufficient heat dissipation performance without soldering.

【0064】また、ヒートシンクはグランド端子や給電
端子等のための導電部材と使用してもよい。
Further, the heat sink may be used as a conductive member for a ground terminal, a power supply terminal and the like.

【0065】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるQFP
・ICに適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、QFJ・IC、QFI・IC、S
OP・IC等の表面実装形樹脂封止パッケージを備えた
IC、さらには、それらのパッケージを備えたパワート
ランジスタや、その他の電子装置全般に適用することが
できる。特に、本発明は、小型軽量、多ピンで、しか
も、低価格であり、高い放熱性能が要求される半導体装
置に利用して優れた効果が得られる。
In the above description, the QFP, which is the field of application of the invention mainly made by the present inventor, was the background.
-The case of applying to an IC has been described, but the present invention is not limited to this. QFJ-IC, QFI-IC, S
The present invention can be applied to ICs including surface-mounted resin-sealed packages such as OP / ICs, power transistors including those packages, and other electronic devices in general. In particular, the present invention is small and lightweight, has a large number of pins, is low in price, and can be used in a semiconductor device that requires high heat dissipation performance, and can provide excellent effects.

【0066】[0066]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0067】リードフレームを機械的強度の大きい多連
ヒートシンク組立体に結合することにより、結合工程以
後の組立作業において、リードフレームがヒートシンク
の重量によって変形されるのを防止することができる。
リードフレームを多連ヒートシンク組立体に機械的に結
合することにより、高価な接着テープを使用せずに済む
ため、コストを低減することができる。
By coupling the lead frame to the multiple heat sink assembly having high mechanical strength, it is possible to prevent the lead frame from being deformed by the weight of the heat sink in the assembly work after the coupling process.
Mechanically coupling the leadframe to the multiple heat sink assembly saves cost by avoiding the use of expensive adhesive tape.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施形態であるHQFP・ICの製
造方法の主要部を示す分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing a main part of a method for manufacturing an HQFP / IC according to an embodiment of the present invention.

【図2】多連リードフレームを示しており、(a)は一
部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図
である。
FIG. 2 shows a multiple lead frame, (a) is a partially omitted plan view, and (b) is a sectional view taken along line bb of (a).

【図3】多連ヒートシンク組立体を示しており、(a)
は一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断
面図である。
FIG. 3 shows a multiple heat sink assembly, (a)
Is a partially omitted plan view, and (b) is a sectional view taken along line bb of (a).

【図4】多連リードフレームと多連ヒートシンク組立体
の結合工程後の結合体を示しており、(a)は一部省略
平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図であ
る。
4A and 4B show a combined body of the multiple lead frame and the multiple heat sink assembly after the joining step, wherein FIG. 4A is a partially omitted plan view, and FIG. 4B is taken along line bb of FIG. FIG.

【図5】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後の
組立体を示しており、(a)は一部省略平面図、(b)
は(a)のb−b線に沿う断面図である。
FIG. 5 shows an assembly after the pellet and wire bonding steps, (a) is a partially omitted plan view, (b).
FIG. 7A is a sectional view taken along line bb of FIG.

【図6】樹脂封止体成形工程を示しており、(a)は一
部省略正面断面図、(b)はキャビティーの略対角線に
沿う縦断面図である。
6A and 6B show a resin encapsulant molding step, wherein FIG. 6A is a partially omitted front sectional view, and FIG. 6B is a longitudinal sectional view taken along a substantially diagonal line of a cavity.

【図7】樹脂封止体成形工程で使用される上型を示して
おり、(a)は一部省略底面図、(b)は(a)のb−
b線に沿う断面図、(c)は(a)のc−c線に沿う断
面図である。
FIG. 7 shows an upper mold used in a resin encapsulant molding step, (a) is a partially omitted bottom view, and (b) is (b) of (a).
Sectional drawing which follows the b line, (c) is sectional drawing which follows the cc line of (a).

【図8】同じく下型を示しており、(a)は一部省略平
面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図、(c)
は(a)のc−c線に沿う断面図である。
FIG. 8 also shows a lower mold, (a) is a partially omitted plan view, (b) is a sectional view taken along line bb of (a), (c).
FIG. 4A is a cross-sectional view taken along line cc in (a).

【図9】樹脂封止体成形後を示しており、(a)は一部
省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面図で
ある。
9A and 9B show a state after molding of a resin encapsulant, wherein FIG. 9A is a partially omitted plan view, and FIG. 9B is a sectional view taken along line bb of FIG.

【図10】製造されたHQFP・ICを示しており、
(a)は一部切断平面図、(b)は一部切断正面図、
(c)は対角線に沿う断面図である。
FIG. 10 shows a manufactured HQFP / IC,
(A) is a partially cut plan view, (b) is a partially cut front view,
(C) is a cross-sectional view taken along a diagonal line.

【図11】製造されたHQFP・ICの実装状態を示し
ており、(a)は平面図、(b)は一部切断正面図であ
る。
FIG. 11 shows a mounted state of the manufactured HQFP / IC, in which (a) is a plan view and (b) is a partially cut front view.

【符合の説明】[Description of sign]

1…多連リードフレーム、1a…単位リードフレーム
(リードフレーム)、2…リード群保持枠、3…トップ
レール、4…ボトムレール、5…フロントサイドレー
ル、6…リアサイドレール、7…ペレット配置用空所、
8…アウタリード、9…インナリード、10…ダム・バ
ー、11…フロント側スリット、12…リア側スリッ
ト、13…コ字形状孔、13a…切り抜き孔、13b…
舌片、14…位置決め孔、15…切欠部、16…多連ヒ
ートシンク組立体、16a…単位ヒートシンク組立体
(ヒートシンク組立体)、17…ヒートシンク保持枠、
18…メイントップレール、19…メインボトムレー
ル、20…メインフロントサイドレール、21…メイン
リアサイドレール、22…ヒートシンク、23…ヒート
シンク吊りバー、24…段差部、25…機械的結合用透
孔、26…位置決め孔、27…サブランナ配置用の突出
部、28…爪部、29…多連リードフレームと多連ヒー
トシンク組立体の結合体、30…ボンディング層、31
…ペレット、32…ワイヤ、33…結合体にペレット・
ワイヤボンディングされた組立体(成形ワーク)、34
…樹脂封止体、35…成形品、36…HQFP・IC
(半導体装置)、40…トランスファ成形装置、41…
上型、42…下型、43…キャビティー、43a…上型
キャビティー凹部、43b…下型キャビティー凹部、4
4…ポット、45…プランジャ、46…カル、47…メ
インランナ、48…サブランナ、49…ゲート、50…
レジン、51…ヒートシンク吊りバー収容穴、52…突
出部収容穴、53…逃げ凹所、54…ヒートシンク吊り
バー収容穴埋め戻し用の凸部、55…突出部収容穴埋め
戻し用の凸部、56…逃げ凹所、60…プリント配線基
板、61…基板本体、62…マウントパッド、63…ラ
ンド、64、65…半田付け部。
1 ... Multiple lead frame, 1a ... Unit lead frame (lead frame), 2 ... Lead group holding frame, 3 ... Top rail, 4 ... Bottom rail, 5 ... Front side rail, 6 ... Rear side rail, 7 ... Pellet placement Void,
8 ... Outer lead, 9 ... Inner lead, 10 ... Dam bar, 11 ... Front slit, 12 ... Rear slit, 13 ... U-shaped hole, 13a ... Cutout hole, 13b ...
Tongue piece, 14 ... Positioning hole, 15 ... Notch portion, 16 ... Multiple heat sink assembly, 16a ... Unit heat sink assembly (heat sink assembly), 17 ... Heat sink holding frame,
18 ... Main top rail, 19 ... Main bottom rail, 20 ... Main front side rail, 21 ... Main rear side rail, 22 ... Heat sink, 23 ... Heat sink suspension bar, 24 ... Step portion, 25 ... Mechanical coupling through hole, 26 ... Positioning hole, 27 ... Projection portion for sub runner arrangement, 28 ... Claw portion, 29 ... Combined body of multiple lead frame and multiple heat sink assembly, 30 ... Bonding layer, 31
... Pellets, 32 ... Wires, 33 ...
Wire-bonded assembly (molding work), 34
… Resin encapsulant, 35… Molded product, 36… HQFP / IC
(Semiconductor device), 40 ... Transfer molding device, 41 ...
Upper mold, 42 ... Lower mold, 43 ... Cavity, 43a ... Upper mold cavity recess, 43b ... Lower mold cavity recess, 4
4 ... Pot, 45 ... Plunger, 46 ... Cull, 47 ... Main runner, 48 ... Sub runner, 49 ... Gate, 50 ...
Resin, 51 ... Heat sink hanging bar accommodating hole, 52 ... Projecting portion accommodating hole, 53 ... Escape recess, 54 ... Heat sink hanging bar accommodating hole backfilling convex portion, 55 ... Projecting portion accommodating hole backfilling convex portion, 56 ... Escape recess, 60 ... Printed wiring board, 61 ... Board body, 62 ... Mount pad, 63 ... Land, 64, 65 ... Soldering section.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ペレットがヒートシンクにボンデ
ィングされているとともに複数本のインナリードに電気
的に接続されており、ヒートシンクの少なくとも一部が
ペレット、インナリード群と共に樹脂封止体によって樹
脂封止されている半導体装置の製造方法は次の工程を備
えている、(a) 前記インナリード群がアウタリード
群と共にリード群保持枠に保持されたリードフレームが
準備されるリードフレーム準備工程、(b) 前記ヒー
トシンクがヒートシンク保持枠に保持された単位ヒート
シンク組立体が複数配列された多連ヒートシンク組立体
が準備される多連ヒートシンク組立体準備工程、(c)
前記多連ヒートシンク組立体の各単位ヒートシンク組
立体に前記リードフレームが前記ヒートシンク保持枠と
リード群保持枠との間で機械的に結合されて結合体が製
造される結合工程。
1. A semiconductor pellet is bonded to a heat sink and electrically connected to a plurality of inner leads, and at least a part of the heat sink is resin-sealed with a pellet and an inner lead group by a resin sealing body. The method for manufacturing a semiconductor device includes the following steps: (a) a lead frame preparing step in which a lead frame in which the inner lead group is held in a lead group holding frame together with outer lead groups is prepared; A multiple heat sink assembly preparing step for preparing a multiple heat sink assembly in which a plurality of unit heat sink assemblies in which the heat sinks are held by a heat sink holding frame are arranged;
A coupling step in which the lead frame is mechanically coupled to each unit heat sink assembly of the multiple heat sink assembly between the heat sink holding frame and the lead group holding frame to manufacture a combined body.
【請求項2】 前記リードフレーム準備工程において、
前記多連ヒートシンク組立体の単位ヒートシンク組立体
の配置に対応して前記リードフレームが複数配列された
多連リードフレームが準備されることを特徴とする請求
項1に記載の半導体装置の製造方法。
2. In the lead frame preparing step,
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a multiple lead frame in which a plurality of the lead frames are arranged is prepared corresponding to the arrangement of the unit heat sink assemblies of the multiple heat sink assembly.
【請求項3】 前記リード群保持枠にコ字形状孔が形成
され、前記ヒートシンク保持枠に突設された段差部に透
孔が形成され、前記コ字形状孔の舌片が前記透孔に挿入
されて屈曲された爪部により、前記単位ヒートシンク組
立体に前記リードフレームが結合されることを特徴とす
る請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方
法。
3. A U-shaped hole is formed in the lead group holding frame, a through hole is formed in a step portion projecting on the heat sink holding frame, and a tongue piece of the U-shaped hole is formed in the through hole. 3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the lead frame is coupled to the unit heat sink assembly by the inserted and bent claw portion.
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