JPH0930892A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0930892A JPH0930892A JP20645795A JP20645795A JPH0930892A JP H0930892 A JPH0930892 A JP H0930892A JP 20645795 A JP20645795 A JP 20645795A JP 20645795 A JP20645795 A JP 20645795A JP H0930892 A JPH0930892 A JP H0930892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- gas
- plasma
- plasma cvd
- inner vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バッチ内の膜厚分布の改善を図ることができ
るプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 チャンバ１は、外容器２とチャンバウォール
３とから構成されている。チャンバ１の内部は、減圧さ
れ、チャンバウォール３の底面の中央部に配置されたガ
ス導入口５を介して、原料ガスがチャンバウォール３の
内部に導入される。ガス導入口５の上側には、じゃま板
１１が配置され、じゃま板１１の縁部とチャンバウォー
ル３との間には、ガス導入口５を介して導入された原料
ガスの流路となる空隙１３が設けられている。これによ
り、ガス導入口５を介して導入された原料ガスがチャン
バウォール３の近傍に拡散され、更にチャンバウォール
３とじゃま板１１の縁部との間の空隙１３を介してプラ
ズマ生成室６に供給される。チャンバウォール３の内部
に拡散された原料ガスは、プラズマ生成室 で生成れた
プラズマ放電によって分解される。
るプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 チャンバ１は、外容器２とチャンバウォール
３とから構成されている。チャンバ１の内部は、減圧さ
れ、チャンバウォール３の底面の中央部に配置されたガ
ス導入口５を介して、原料ガスがチャンバウォール３の
内部に導入される。ガス導入口５の上側には、じゃま板
１１が配置され、じゃま板１１の縁部とチャンバウォー
ル３との間には、ガス導入口５を介して導入された原料
ガスの流路となる空隙１３が設けられている。これによ
り、ガス導入口５を介して導入された原料ガスがチャン
バウォール３の近傍に拡散され、更にチャンバウォール
３とじゃま板１１の縁部との間の空隙１３を介してプラ
ズマ生成室６に供給される。チャンバウォール３の内部
に拡散された原料ガスは、プラズマ生成室 で生成れた
プラズマ放電によって分解される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、減圧状態でプラズマ
放電によって原料ガスを分解して成膜するプラズマＣＶ
Ｄ装置に関し、特にＤＬＣ（Diamond-Like Carbon ）薄
膜の成膜に好適なプラズマＣＶＤ装置に関する。
放電によって原料ガスを分解して成膜するプラズマＣＶ
Ｄ装置に関し、特にＤＬＣ（Diamond-Like Carbon ）薄
膜の成膜に好適なプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＤＬＣ膜などの薄膜を形成す
る方法として、プラズマＣＶＤ（Plasma-Chemical Vapo
r Deposition）技術が知られている。このプラズマＣＶ
Ｄは、減圧した状態でプラズマ放電を行い、原料ガスを
分解して成膜する方法である。
る方法として、プラズマＣＶＤ（Plasma-Chemical Vapo
r Deposition）技術が知られている。このプラズマＣＶ
Ｄは、減圧した状態でプラズマ放電を行い、原料ガスを
分解して成膜する方法である。
【０００３】図５は、従来のプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す斜視図である。チャンバ１は、真空ポンプによっ
て排気され、減圧されている。チャンバ１には、円筒状
のチャンバウォール３が配置され、この開口側に円板状
の基板ホルダ７が配置されている。基板ホルダ７には、
複数の基板８が着脱自在に保持されている。チャンバウ
ォール３の底面の中央部には、シャワ先端状のガス導入
口５が設けられ、これを介してＣX ＨY （炭化水素）な
どの原料ガスがチャンバウォール３により区画されたプ
ラズマ生成室６に導入される。導入された原料ガスは、
プラズマ生成室６でプラズマ放電によって分解され、得
られた炭素粒によって基板８上に炭素膜が形成される。
を示す斜視図である。チャンバ１は、真空ポンプによっ
て排気され、減圧されている。チャンバ１には、円筒状
のチャンバウォール３が配置され、この開口側に円板状
の基板ホルダ７が配置されている。基板ホルダ７には、
複数の基板８が着脱自在に保持されている。チャンバウ
ォール３の底面の中央部には、シャワ先端状のガス導入
口５が設けられ、これを介してＣX ＨY （炭化水素）な
どの原料ガスがチャンバウォール３により区画されたプ
ラズマ生成室６に導入される。導入された原料ガスは、
プラズマ生成室６でプラズマ放電によって分解され、得
られた炭素粒によって基板８上に炭素膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプラズマＣＶＤ装置では、図６（ａ）に示すよ
うに、基板ホルダの中心位置から離れる程、成膜速度
（以下、レートという）が小さくなり、複数の基板から
なる１バッチ内の膜厚分布に±１０％程度のばらつきが
生じるという問題がある。
た従来のプラズマＣＶＤ装置では、図６（ａ）に示すよ
うに、基板ホルダの中心位置から離れる程、成膜速度
（以下、レートという）が小さくなり、複数の基板から
なる１バッチ内の膜厚分布に±１０％程度のばらつきが
生じるという問題がある。
【０００５】この発明は、このような問題点に鑑みなさ
れたもので、複数の基板間の膜厚分布の均一化を図るこ
とができるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
する。
れたもので、複数の基板間の膜厚分布の均一化を図るこ
とができるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るプラズマ
ＣＶＤ装置は、減圧されるチャンバと、このチャンバ内
に原料ガスを導入するガス導入口を備える原料ガス導入
手段と、前記チャンバ内に構成されて導入された原料ガ
スを分解するプラズマ生成室と、このプラズマ生成室で
分解された粒子による成膜を行う複数の基板を着脱自在
に保持する基板ホルダとを有するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記導入された原料ガスを前記チャンバの内壁
近傍に拡散させて前記プラズマ生成室に周囲から供給す
る拡散手段を備えることを特徴とする。
ＣＶＤ装置は、減圧されるチャンバと、このチャンバ内
に原料ガスを導入するガス導入口を備える原料ガス導入
手段と、前記チャンバ内に構成されて導入された原料ガ
スを分解するプラズマ生成室と、このプラズマ生成室で
分解された粒子による成膜を行う複数の基板を着脱自在
に保持する基板ホルダとを有するプラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記導入された原料ガスを前記チャンバの内壁
近傍に拡散させて前記プラズマ生成室に周囲から供給す
る拡散手段を備えることを特徴とする。
【０００７】より具体的には、前記ガス導入口が、前記
チャンバの底部中央部に配置され、前記拡散手段は、前
記ガス導入口上部に配置されて前記チャンバの内壁との
間に空隙を有する拡散板からなることを特徴とする。
チャンバの底部中央部に配置され、前記拡散手段は、前
記ガス導入口上部に配置されて前記チャンバの内壁との
間に空隙を有する拡散板からなることを特徴とする。
【０００８】また、より具体的には、前記拡散手段が、
複数のガス導入口を分散配置したリング状パイプである
ことを特徴とする。
複数のガス導入口を分散配置したリング状パイプである
ことを特徴とする。
【０００９】
【作用】この発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、チャ
ンバ内に導入された原料ガスをチャンバの内壁近傍に拡
散させてプラズマ生成室にその周囲から供給することに
より、プラズマ生成室で分解される粒子の密度分布を均
一化することができ、もって複数の基板上に成膜される
薄膜の膜厚分布を均一化することができる。
ンバ内に導入された原料ガスをチャンバの内壁近傍に拡
散させてプラズマ生成室にその周囲から供給することに
より、プラズマ生成室で分解される粒子の密度分布を均
一化することができ、もって複数の基板上に成膜される
薄膜の膜厚分布を均一化することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
ついて説明する。図１は、この発明の一実施例に係るプ
ラズマＣＶＤ装置の構成を示す斜視図であり、図２は断
面図である。
ついて説明する。図１は、この発明の一実施例に係るプ
ラズマＣＶＤ装置の構成を示す斜視図であり、図２は断
面図である。
【００１１】チャンバ１は、接地された外容器２と、直
流電圧ＤＣ１が印加された内容器（以下、チャンバウォ
ールという）２とから構成されている。チャンバ１の内
部は、真空ポンプによって排気され、減圧される。
流電圧ＤＣ１が印加された内容器（以下、チャンバウォ
ールという）２とから構成されている。チャンバ１の内
部は、真空ポンプによって排気され、減圧される。
【００１２】ガス導入管４は、チャンバウォール３の底
部中央部を貫通して配設され、その先端にシャワ先端状
のガス導入口５が設けられている。このガス導入口５の
上側には、拡散板（以下、じゃま板という）１１が配置
され、支持部材１２を介してチャンバウォール３の底面
に支持されている。拡散板１１の縁部とチャンバウォー
ル３との間には、ガス導入口５を介して導入された原料
ガスの流路となる空隙１３が設けられている。
部中央部を貫通して配設され、その先端にシャワ先端状
のガス導入口５が設けられている。このガス導入口５の
上側には、拡散板（以下、じゃま板という）１１が配置
され、支持部材１２を介してチャンバウォール３の底面
に支持されている。拡散板１１の縁部とチャンバウォー
ル３との間には、ガス導入口５を介して導入された原料
ガスの流路となる空隙１３が設けられている。
【００１３】チャンバウォール３内部のじゃま板１１の
上側が、プラズマ生成室６を構成している。プラズマ生
成室６には、高周波電源ＡＣ１によって電力が供給され
るフィラメント２１と、直流電源ＤＣ２によりバイアス
された放電用の対向電極２２とが配置され、原料ガスを
放電によりプラズマ化するようになっている。図１では
省略したが、図２に示すように、チャンバウォール３の
開口部には、格子状の引き出し電極２３が配置され、こ
れによりプラズマ生成室６で生成された正イオン粒子が
引き出されるようになっている。また、引き出し電極２
３の上部には、引き出される粒子の密度分布を補正する
補正板２４が配置されている。
上側が、プラズマ生成室６を構成している。プラズマ生
成室６には、高周波電源ＡＣ１によって電力が供給され
るフィラメント２１と、直流電源ＤＣ２によりバイアス
された放電用の対向電極２２とが配置され、原料ガスを
放電によりプラズマ化するようになっている。図１では
省略したが、図２に示すように、チャンバウォール３の
開口部には、格子状の引き出し電極２３が配置され、こ
れによりプラズマ生成室６で生成された正イオン粒子が
引き出されるようになっている。また、引き出し電極２
３の上部には、引き出される粒子の密度分布を補正する
補正板２４が配置されている。
【００１４】チャンバウォール３の上側引き出し電極２
３の上部が成膜室であって、ここにチャンバ１内で回転
駆動される基板ホルダ７が配置されている。基板ホルダ
７の下面には、複数の基板８が着脱自在に保持される。
３の上部が成膜室であって、ここにチャンバ１内で回転
駆動される基板ホルダ７が配置されている。基板ホルダ
７の下面には、複数の基板８が着脱自在に保持される。
【００１５】これにより、ガス導入口５から供給される
原料ガスがチャンバウォール３の近傍に拡散され、更に
チャンバウォール３とじゃま板１１の縁部との間の空隙
１３を介してプラズマ生成室６に周囲から供給される。
チャンバウォール３の内部に拡散された原料ガスは、プ
ラズマ生成室６でプラズマ放電によって分解される。
原料ガスがチャンバウォール３の近傍に拡散され、更に
チャンバウォール３とじゃま板１１の縁部との間の空隙
１３を介してプラズマ生成室６に周囲から供給される。
チャンバウォール３の内部に拡散された原料ガスは、プ
ラズマ生成室６でプラズマ放電によって分解される。
【００１６】なお、原料ガスとして、例えばＤＬＣ膜を
成膜する場合には、ＣX ＨY （炭化水素）を用いる。ま
た、これを用いて、アモルファス炭素薄膜を成膜するこ
とも可能である。
成膜する場合には、ＣX ＨY （炭化水素）を用いる。ま
た、これを用いて、アモルファス炭素薄膜を成膜するこ
とも可能である。
【００１７】この実施例によれば、じゃま板１１のある
場合には、ガス導入口５を介して導入された原料ガスは
チャンバウォール３の内壁の近傍に拡散され、図６
（ｂ）に示すように、バッチ内の膜厚分布のばらつきを
改善させることができる。このため、例えば磁気ヘッド
等のＤＬＣ膜厚が均一化し、製品歩留まりを向上させる
ことができる。
場合には、ガス導入口５を介して導入された原料ガスは
チャンバウォール３の内壁の近傍に拡散され、図６
（ｂ）に示すように、バッチ内の膜厚分布のばらつきを
改善させることができる。このため、例えば磁気ヘッド
等のＤＬＣ膜厚が均一化し、製品歩留まりを向上させる
ことができる。
【００１８】次に、このように構成されたプラズマＣＶ
Ｄ装置における膜厚分布について説明する。表１は、上
述したプラズマＣＶＤ装置を用いて種々の条件でＤＬＣ
膜の成膜テストを行った結果を示している。
Ｄ装置における膜厚分布について説明する。表１は、上
述したプラズマＣＶＤ装置を用いて種々の条件でＤＬＣ
膜の成膜テストを行った結果を示している。
【００１９】このテストでは、チャンバウォール３の高
さを可変としたときの現状のチャンバウォール３と基板
ホルダ７との距離からの変化量Δｈ［ｍｍ］、基板ホル
ダ７と引き出し電極２３との距離ｌ［ｍｍ］、チャンバ
ウォール３の開口部への絶縁物の配置の有無、じゃま板
１１によるガス補正の有無、基板ホルダ７への熱放散を
制御するためのフィラメント２１の上側へのカバーの配
置の有無、及び補正板２４の有無を条件項目とし、バッ
チ内の厚膜分布を調べた。
さを可変としたときの現状のチャンバウォール３と基板
ホルダ７との距離からの変化量Δｈ［ｍｍ］、基板ホル
ダ７と引き出し電極２３との距離ｌ［ｍｍ］、チャンバ
ウォール３の開口部への絶縁物の配置の有無、じゃま板
１１によるガス補正の有無、基板ホルダ７への熱放散を
制御するためのフィラメント２１の上側へのカバーの配
置の有無、及び補正板２４の有無を条件項目とし、バッ
チ内の厚膜分布を調べた。
【００２０】Ｎｏ．２は、チャンバウォール３の高さを
変化させた場合の各テスト結果であり、プラズマが不安
定となっている。これは、現状の高さがプラズマ安定の
観点から適正化されていることを示すものである。絶縁
物、あるいはカバーによる効果はない。Ｎｏ．１とＮ
ｏ．２とは、補正板２４の有無の違いのみであり、補正
板２４を設けなかった場合には、１バッチ内の膜厚分布
のばらつきは±３５．１％であるが、補正板２４を設け
た場合には、１バッチ内の膜厚分布のばらつきは±８．
５％となり、改善される。Ｎｏ．３は、補正板２４を設
けると共に、じゃま板１１によるガス補正を行った場合
のテスト結果である。この場合には、１バッチ内の膜厚
分布のばらつきは±５．４％となり、更に改善される。
変化させた場合の各テスト結果であり、プラズマが不安
定となっている。これは、現状の高さがプラズマ安定の
観点から適正化されていることを示すものである。絶縁
物、あるいはカバーによる効果はない。Ｎｏ．１とＮ
ｏ．２とは、補正板２４の有無の違いのみであり、補正
板２４を設けなかった場合には、１バッチ内の膜厚分布
のばらつきは±３５．１％であるが、補正板２４を設け
た場合には、１バッチ内の膜厚分布のばらつきは±８．
５％となり、改善される。Ｎｏ．３は、補正板２４を設
けると共に、じゃま板１１によるガス補正を行った場合
のテスト結果である。この場合には、１バッチ内の膜厚
分布のばらつきは±５．４％となり、更に改善される。
【００２１】
【表１】
【００２２】図３は、同テストにおける基板ホルダの中
心位置からのＤＬＣ膜の膜厚分布を示す図である。図に
示すように、この実施例であるＮｏ．３の効果は明かで
ある。
心位置からのＤＬＣ膜の膜厚分布を示す図である。図に
示すように、この実施例であるＮｏ．３の効果は明かで
ある。
【００２３】図４は、この発明における他の実施例のプ
ラズマＣＶＤ装置の構成を示す斜視図である。この実施
例では、ガス拡散手段として、先の実施例のじゃま板１
１の代わりに、原料ガスを導入する複数のガス導入口３
１を分散配置したリング状パイプ３２をチャンバウォー
ル３の底部にチャンバウォール３と同軸に配置してい
る。これにより、ガス導入口３１を介して導入された原
料ガスは、チャンバウォール３の内壁の近傍に拡散さ
れ、基板８の表面近傍における原料ガスの密度分布を補
正することができる。このため、先の実施例と同様に、
バッチ内の膜厚分布のばらつきを改善させることができ
る。
ラズマＣＶＤ装置の構成を示す斜視図である。この実施
例では、ガス拡散手段として、先の実施例のじゃま板１
１の代わりに、原料ガスを導入する複数のガス導入口３
１を分散配置したリング状パイプ３２をチャンバウォー
ル３の底部にチャンバウォール３と同軸に配置してい
る。これにより、ガス導入口３１を介して導入された原
料ガスは、チャンバウォール３の内壁の近傍に拡散さ
れ、基板８の表面近傍における原料ガスの密度分布を補
正することができる。このため、先の実施例と同様に、
バッチ内の膜厚分布のばらつきを改善させることができ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
拡散手段が原料ガス導入手段によって導入された原料ガ
スをチャンバの内壁近傍からプラズマ生成室に供給する
ことにより、プラズマ生成室で生成される粒子の密度分
布を均一化して、成膜された薄膜の膜厚分布を均一化す
ることができる。
拡散手段が原料ガス導入手段によって導入された原料ガ
スをチャンバの内壁近傍からプラズマ生成室に供給する
ことにより、プラズマ生成室で生成される粒子の密度分
布を均一化して、成膜された薄膜の膜厚分布を均一化す
ることができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るプラズマＣＶＤ装
置の構成を示す斜視図である。
置の構成を示す斜視図である。
【図２】 同実施例におけるチャンバの詳細な構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】 同実施例における基板ホルダの中心位置から
のＤＬＣ膜の膜厚分布を示す図である。
のＤＬＣ膜の膜厚分布を示す図である。
【図４】 この発明における他の実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置の構成を示す斜視図である。
Ｄ装置の構成を示す斜視図である。
【図５】 従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す斜視
図である。
図である。
【図６】 この発明の実施例における膜厚分布と従来の
膜厚分布とを示す図である。
膜厚分布とを示す図である。
１…チャンバ、２…外容器、３…チャンバウォール、４
…ガス導入管、５，３１…ガス導入口、６…プラズマ生
成室、７…基板ホルダ、８…基板、１１…じゃま板、１
２…支持部材、１３…空隙、２１…フィラメント、２２
…対向電極、２３…引き出し電極、２４…補正板、３２
…リング状パイプ。
…ガス導入管、５，３１…ガス導入口、６…プラズマ生
成室、７…基板ホルダ、８…基板、１１…じゃま板、１
２…支持部材、１３…空隙、２１…フィラメント、２２
…対向電極、２３…引き出し電極、２４…補正板、３２
…リング状パイプ。
Claims (3)
- 【請求項１】 減圧されるチャンバと、 このチャンバ内に原料ガスを導入するガス導入口を備え
る原料ガス導入手段と、 前記チャンバ内に構成されて導入された原料ガスを分解
するプラズマ生成室と、 このプラズマ生成室で分解された粒子による成膜を行う
複数の基板を着脱自在に保持する基板ホルダとを有する
プラズマＣＶＤ装置において、 前記導入された原料ガスを前記チャンバの内壁近傍に拡
散させて前記プラズマ生成室に周囲から供給する拡散手
段を備えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記ガス導入口は、前記チャンバの底部
中央部に配置され、 前記拡散手段は、前記ガス導入口上部に配置されて前記
チャンバの内壁との間に空隙を有する拡散板からなるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記拡散手段は、複数のガス導入口を分
散配置したリング状パイプであることを特徴とする請求
項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20645795A JPH0930892A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20645795A JPH0930892A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0930892A true JPH0930892A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16523702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20645795A Pending JPH0930892A (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0930892A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599367B1 (en) | 1998-03-06 | 2003-07-29 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP20645795A patent/JPH0930892A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599367B1 (en) | 1998-03-06 | 2003-07-29 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7709063B2 (en) | Remote plasma apparatus for processing substrate with two types of gases | |
| TW514672B (en) | A plasma processing system and a method for plasma processing a substrate | |
| US8025731B2 (en) | Gas injection system for plasma processing | |
| US6178918B1 (en) | Plasma enhanced chemical processing reactor | |
| CN101443474B (zh) | 改善大面积基板均匀性的方法和设备 | |
| US20060096540A1 (en) | Apparatus to manufacture semiconductor | |
| US5556474A (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR960005831A (ko) | 가스첨가, 감소된 챔버 직경 및 감소된 rf 웨이퍼 페데스탈 직경에 의해 개선된 플라즈마 균일성을 가진 플라즈마 반응기 | |
| KR20000062949A (ko) | 플라즈마 ｃｖｄ 막 형성장치 | |
| JPH08274074A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH03146674A (ja) | 拡散プラズマによって補助された化学処理装置 | |
| JPH057861B2 (ja) | ||
| US5743966A (en) | Unwinding of plastic film in the presence of a plasma | |
| US6116187A (en) | Thin film forming apparatus | |
| JPH0930892A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH08153682A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2680888B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS60123033A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0644138U (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH065522A (ja) | 高周波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP7278896B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPH04312797A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPH04211115A (ja) | Ｒｆプラズマｃｖｄ装置ならびに該装置による薄膜形成方法 | |
| JPH09241850A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP3802990B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |