JPH09304409A - 力変位センサ付カンチレバー - Google Patents
力変位センサ付カンチレバーInfo
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- JPH09304409A JPH09304409A JP11930296A JP11930296A JPH09304409A JP H09304409 A JPH09304409 A JP H09304409A JP 11930296 A JP11930296 A JP 11930296A JP 11930296 A JP11930296 A JP 11930296A JP H09304409 A JPH09304409 A JP H09304409A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レバーのたわみを良好にし、計測感度を改善
した力変位センサ付カンチレバーを提供することにあ
る。 【解決手段】 支持部1からレバー部2が片持ち梁式に
延びており、該レバー部2の基部にくびれ部4a、4b
が形成されている。また、該くびれ部4a、4bに対応
するレバー部2上に、例えばU字状の抵抗層5からなる
変位検出器が構成されている。前記くびれ部4a、4b
は、レバー部2の幅方向を切り欠いて形成してもよい
し、その厚さを薄くして形成してもよい。この発明によ
れば、前記レバー部の先端に設けられたチップ(探針)
に小さな力が働いても前記レバー部はたわみを生ずるの
で、高感度の力変位センサ付カンチレバーを提供するこ
とができるようになる。
した力変位センサ付カンチレバーを提供することにあ
る。 【解決手段】 支持部1からレバー部2が片持ち梁式に
延びており、該レバー部2の基部にくびれ部4a、4b
が形成されている。また、該くびれ部4a、4bに対応
するレバー部2上に、例えばU字状の抵抗層5からなる
変位検出器が構成されている。前記くびれ部4a、4b
は、レバー部2の幅方向を切り欠いて形成してもよい
し、その厚さを薄くして形成してもよい。この発明によ
れば、前記レバー部の先端に設けられたチップ(探針)
に小さな力が働いても前記レバー部はたわみを生ずるの
で、高感度の力変位センサ付カンチレバーを提供するこ
とができるようになる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は走査型原子間力顕
微鏡(AFM)等の走査型プローブ顕微鏡に使用される
力変位センサ付カンチレバーに関し、特にその検出感度
を改善した力変位センサ付カンチレバーに関する。
微鏡(AFM)等の走査型プローブ顕微鏡に使用される
力変位センサ付カンチレバーに関し、特にその検出感度
を改善した力変位センサ付カンチレバーに関する。
【0002】
【従来の技術】走査型原子間力顕微鏡(AFM)等の走
査型プローブ顕微鏡においては、試料表面とプローブと
の間の相互作用を利用して、試料表面の微細な組織や構
造を検出するために、片持ち梁の先端に探針を装着した
力変位センサ付カンチレバーが使用されている。例え
ば、特開平6−323845号公報には、シリコンウエ
ハに支持され、自由端にチップを有するシリコンの酸化
膜または窒化膜で形成された薄膜弾性体と、該薄膜弾性
体上に電極、薄膜、電極の順に装着された層構造とから
なる走査型力顕微鏡用薄膜式力検出プローブが開示され
ている。また、該薄膜弾性体の形状としては、長方形型
および三角形型が示されている。この薄膜式力検出プロ
ーブによれば、該プローブを試料の表面にXY方向に走
査すると、該試料表面の凹凸に応じてチップが斥力を受
け、前記薄膜弾性体が変形する。薄膜弾性体が変形する
と、前記電極に挟まれた薄膜が曲げ応力を受けまた該電
極間の電気容量が変化し、検出信号が変化する。この結
果、前記試料の表面の組織あるいは微細な構造を計測す
ることができるようになる。
査型プローブ顕微鏡においては、試料表面とプローブと
の間の相互作用を利用して、試料表面の微細な組織や構
造を検出するために、片持ち梁の先端に探針を装着した
力変位センサ付カンチレバーが使用されている。例え
ば、特開平6−323845号公報には、シリコンウエ
ハに支持され、自由端にチップを有するシリコンの酸化
膜または窒化膜で形成された薄膜弾性体と、該薄膜弾性
体上に電極、薄膜、電極の順に装着された層構造とから
なる走査型力顕微鏡用薄膜式力検出プローブが開示され
ている。また、該薄膜弾性体の形状としては、長方形型
および三角形型が示されている。この薄膜式力検出プロ
ーブによれば、該プローブを試料の表面にXY方向に走
査すると、該試料表面の凹凸に応じてチップが斥力を受
け、前記薄膜弾性体が変形する。薄膜弾性体が変形する
と、前記電極に挟まれた薄膜が曲げ応力を受けまた該電
極間の電気容量が変化し、検出信号が変化する。この結
果、前記試料の表面の組織あるいは微細な構造を計測す
ることができるようになる。
【0003】また、他の従来例として、特開平5−19
6458号公報に開示されているものがある。この公報
には、シリコン基板のP+形領域に、砒素インプラント
により形成されたU字型のN+ピエゾ抵抗体を有する片
持梁アームが示されている。ピエゾ抵抗体は応力を受け
ると、該応力に応じて抵抗率が変化するので、該ピエゾ
抵抗体の抵抗率の変化を検出することにより、試料表面
の形状を計測することができる。
6458号公報に開示されているものがある。この公報
には、シリコン基板のP+形領域に、砒素インプラント
により形成されたU字型のN+ピエゾ抵抗体を有する片
持梁アームが示されている。ピエゾ抵抗体は応力を受け
ると、該応力に応じて抵抗率が変化するので、該ピエゾ
抵抗体の抵抗率の変化を検出することにより、試料表面
の形状を計測することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の片持ち梁式の力変位センサは、そのレバーのた
わみを良好にすることに関して、格別の配慮がなされて
いなかった。この発明の目的は、前記した従来技術に鑑
み、レバーのたわみを良好にし、計測感度を改善した力
変位センサ付カンチレバーを提供することにある。
た従来の片持ち梁式の力変位センサは、そのレバーのた
わみを良好にすることに関して、格別の配慮がなされて
いなかった。この発明の目的は、前記した従来技術に鑑
み、レバーのたわみを良好にし、計測感度を改善した力
変位センサ付カンチレバーを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ために、この発明は、支持部に片持ち梁式に支持された
レバー部を有する力変位センサ付カンチレバーにおい
て、前記レバー部の前記支持部付近に、くびれ部を設け
た点に特徴がある。また、前記レバー部の前記くびれ部
に対応する位置に、該レバー部の変位を電気信号に変え
る変位検出部を設けた点に特徴がある。さらに、本発明
は、前記レバー部の前記支持部付近に、該レバー部の変
位を電気信号に変え、かつ該レバー部を励振する検出・
励振部を設けた点に特徴がある。
ために、この発明は、支持部に片持ち梁式に支持された
レバー部を有する力変位センサ付カンチレバーにおい
て、前記レバー部の前記支持部付近に、くびれ部を設け
た点に特徴がある。また、前記レバー部の前記くびれ部
に対応する位置に、該レバー部の変位を電気信号に変え
る変位検出部を設けた点に特徴がある。さらに、本発明
は、前記レバー部の前記支持部付近に、該レバー部の変
位を電気信号に変え、かつ該レバー部を励振する検出・
励振部を設けた点に特徴がある。
【0006】本発明によれば、前記くびれ部において、
カンチレバーがたわみ易くなるので、該カンチレバーの
先端に設けられているチップに小N型ではレバー部2の
長手方向がSi基板の<100>方向が良い。さな力が
働いてもカンチレバーはたわみ、計測感度を改善するこ
とができるようになる。また、前記レバー部の支持部付
近に励振部が設けられているので、カンチレバーは該支
持部付近でたわみ易くなり、計測感度を改善することが
できるようになる。
カンチレバーがたわみ易くなるので、該カンチレバーの
先端に設けられているチップに小N型ではレバー部2の
長手方向がSi基板の<100>方向が良い。さな力が
働いてもカンチレバーはたわみ、計測感度を改善するこ
とができるようになる。また、前記レバー部の支持部付
近に励振部が設けられているので、カンチレバーは該支
持部付近でたわみ易くなり、計測感度を改善することが
できるようになる。
【0007】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
を詳細に説明する。図1は本発明の力変位センサ付カン
チレバーの一実施形態を示し、同図(a) は平面図、(b)
は側面図、(c) は図(a) のA−A´線拡大断面図を示
す。また、同図(d) は図(c) の変形例を示す。
を詳細に説明する。図1は本発明の力変位センサ付カン
チレバーの一実施形態を示し、同図(a) は平面図、(b)
は側面図、(c) は図(a) のA−A´線拡大断面図を示
す。また、同図(d) は図(c) の変形例を示す。
【0008】図1(a) 〜(c) に示されているように、力
変位センサ付カンチレバーは、例えばSi基板からなる
支持部1と、該支持部1から延びるレバー部2と、その
先端に取り付けられたチップ3とを有している。該レバ
ー部2の支持部1近傍には、本発明に従って、くびれ部
4a、4bが形成され、少なくとも該くびれ部4a、4
bに対応するレバー部2上に変位検出器が構成されてい
る。該くびれ部4a、4bは切欠部であってもよいし、
部分的にエッチングした凹部であってもよい。
変位センサ付カンチレバーは、例えばSi基板からなる
支持部1と、該支持部1から延びるレバー部2と、その
先端に取り付けられたチップ3とを有している。該レバ
ー部2の支持部1近傍には、本発明に従って、くびれ部
4a、4bが形成され、少なくとも該くびれ部4a、4
bに対応するレバー部2上に変位検出器が構成されてい
る。該くびれ部4a、4bは切欠部であってもよいし、
部分的にエッチングした凹部であってもよい。
【0009】該変位検出器は、一例として、不純物拡散
あるいはイオンインプラ等で形成されたU字状の抵抗層
5と、該抵抗層5の両端に形成された2つの低抵抗部6
a、6bと、該低抵抗部6a、6bに接続された電極7
a、7bから構成されている。Siの単結晶基板を使用
して抵抗層5をP型またはN型の不純物層で形成する場
合は、次の組み合わせが感度が大きくなり好ましい。N
型ではレバー部2の長手方向がSi基板の<100>方
向が良い。P型ではレバー部2の長手方向がSi基板の
<111>方向または、感度が半分になるが、<110
>,<112>方向でも良い。
あるいはイオンインプラ等で形成されたU字状の抵抗層
5と、該抵抗層5の両端に形成された2つの低抵抗部6
a、6bと、該低抵抗部6a、6bに接続された電極7
a、7bから構成されている。Siの単結晶基板を使用
して抵抗層5をP型またはN型の不純物層で形成する場
合は、次の組み合わせが感度が大きくなり好ましい。N
型ではレバー部2の長手方向がSi基板の<100>方
向が良い。P型ではレバー部2の長手方向がSi基板の
<111>方向または、感度が半分になるが、<110
>,<112>方向でも良い。
【0010】該変位検出器の他の例として、図1(d) に
示されているように、メタル、Ni−Cr、W等からな
る抵抗層8と電極9から構成するようにしてもよい。該
変位検出器のさらに他の例を、図2(e) 、(f) で説明す
る。同図(f) は図(e) のB−B´線断面図を示す。ま
た、図中の図1(a) と同符号は同一または同等物を示
す。この例は、変位検出器12を圧電体で構成したもの
である。該圧電体変位検出器12は図(f) から明らかな
ように、レバー部2上に形成された電極12aと、Zn
O、PZT等からなる圧電体12bと、該圧電体12b
の上面に形成された電極12cとから構成されている。
各電極12a,12bは各々電極7a,7bに対応す
る。また材料は、Au,Al,Ti,Pt,Cr等のう
ちの少なくとも一つからなる。
示されているように、メタル、Ni−Cr、W等からな
る抵抗層8と電極9から構成するようにしてもよい。該
変位検出器のさらに他の例を、図2(e) 、(f) で説明す
る。同図(f) は図(e) のB−B´線断面図を示す。ま
た、図中の図1(a) と同符号は同一または同等物を示
す。この例は、変位検出器12を圧電体で構成したもの
である。該圧電体変位検出器12は図(f) から明らかな
ように、レバー部2上に形成された電極12aと、Zn
O、PZT等からなる圧電体12bと、該圧電体12b
の上面に形成された電極12cとから構成されている。
各電極12a,12bは各々電極7a,7bに対応す
る。また材料は、Au,Al,Ti,Pt,Cr等のう
ちの少なくとも一つからなる。
【0011】本実施形態によれば、前記レバー部2の支
持部1の近傍にくびれ部4a、4bが形成されているの
で、該レバー部2は該くびれ部4a、4bにおいてたわ
み易くなる。このため、チップ3に小さな力が働いて
も、レバー部2はたわみを発生することができるように
なる。また、チップ3に従来装置と同じ大きさの力が働
いた場合には、従来装置のそれに比べてたわみ量を大き
くすることができる。したがって、前記変位検出器によ
ってチップ3にかかる小さな力まで検出できるようにな
り、また、チップ3に従来装置と同じ大きさの力が加わ
った場合には変位検出器からの検出出力を従来装置のそ
れに比べて大きくすることができるようになるので、高
感度の力変位センサ付カンチレバーを提供することがで
きるようになる。
持部1の近傍にくびれ部4a、4bが形成されているの
で、該レバー部2は該くびれ部4a、4bにおいてたわ
み易くなる。このため、チップ3に小さな力が働いて
も、レバー部2はたわみを発生することができるように
なる。また、チップ3に従来装置と同じ大きさの力が働
いた場合には、従来装置のそれに比べてたわみ量を大き
くすることができる。したがって、前記変位検出器によ
ってチップ3にかかる小さな力まで検出できるようにな
り、また、チップ3に従来装置と同じ大きさの力が加わ
った場合には変位検出器からの検出出力を従来装置のそ
れに比べて大きくすることができるようになるので、高
感度の力変位センサ付カンチレバーを提供することがで
きるようになる。
【0012】次に、本発明の第2の実施形態を図3を参
照して説明する。図3(a) は平面図、同図(b) は図(a)
のC−C´線断面図を示す。また、同図(c) は変位検出
器の他の具体例の平面図を示す。さらに、図4は変位検
出器のさらに他の具体例を示し、同図(d) は平面図、同
図(e) は部分的詳細図、同図(f) は図(e) のD−D´線
断面図を示す。
照して説明する。図3(a) は平面図、同図(b) は図(a)
のC−C´線断面図を示す。また、同図(c) は変位検出
器の他の具体例の平面図を示す。さらに、図4は変位検
出器のさらに他の具体例を示し、同図(d) は平面図、同
図(e) は部分的詳細図、同図(f) は図(e) のD−D´線
断面図を示す。
【0013】この実施形態は、レバー部2の支持部1近
傍であってかつその中央部に、凹部あるいは孔部(貫通
孔部)からなるくびれ部11を形成し、その上または近
傍に変位検出器12を載置した点に特徴がある。一例と
しての変位検出器12は、同図(b) に示されているよう
に、図2(f)で説明したのと同じ材料からなり、かつレ
バー部2の前記くびれ部11を含む領域に形成された電
極12aと、圧電体12bと、該圧電体12bの上面に
形成された電極12cからなる圧電体センサから構成さ
れている。該くびれ部11が凹部の場合には、その周辺
部にテーパーを付けると、前記電極12aを滑らかに形
成することができるので好適である。
傍であってかつその中央部に、凹部あるいは孔部(貫通
孔部)からなるくびれ部11を形成し、その上または近
傍に変位検出器12を載置した点に特徴がある。一例と
しての変位検出器12は、同図(b) に示されているよう
に、図2(f)で説明したのと同じ材料からなり、かつレ
バー部2の前記くびれ部11を含む領域に形成された電
極12aと、圧電体12bと、該圧電体12bの上面に
形成された電極12cからなる圧電体センサから構成さ
れている。該くびれ部11が凹部の場合には、その周辺
部にテーパーを付けると、前記電極12aを滑らかに形
成することができるので好適である。
【0014】他の例としての変位検出器は、同図(c) に
示されているように、前記くびれ部11の近傍に形成さ
れたU字状の抵抗層5あるいは抵抗層8から構成されて
いる。これらの抵抗層5および8は、図1(c) 、(d) で
説明したのと同一の材料で作成することができるので、
説明を省略する。
示されているように、前記くびれ部11の近傍に形成さ
れたU字状の抵抗層5あるいは抵抗層8から構成されて
いる。これらの抵抗層5および8は、図1(c) 、(d) で
説明したのと同一の材料で作成することができるので、
説明を省略する。
【0015】さらに他の例としての変位検出器12は、
図4(d) に示されているように、前記くびれ部11の近
傍に形成されたU字状の圧電体センサから構成されてい
る。該変位検出器12は、同図(e) および(f) から明ら
かなように、レバー部2の一面上に形成された電極12
aと、その上面に積層して形成された圧電体12bと、
さらにその上面に形成された電極12cから構成されて
いる。また、前記電極12aは端子13aと接続されて
おり、電極12cは端子13bと接続されている。
図4(d) に示されているように、前記くびれ部11の近
傍に形成されたU字状の圧電体センサから構成されてい
る。該変位検出器12は、同図(e) および(f) から明ら
かなように、レバー部2の一面上に形成された電極12
aと、その上面に積層して形成された圧電体12bと、
さらにその上面に形成された電極12cから構成されて
いる。また、前記電極12aは端子13aと接続されて
おり、電極12cは端子13bと接続されている。
【0016】本実施形態によれば、レバー部2の支持部
1近傍に凹部あるいは孔部からなるくびれ部11が形成
されているので、チップ3に小さな力が働いても、レバ
ー部2にたわみを発生させることができ、感度の高い力
変位センサ付カンチレバーを提供することができるよう
になる。
1近傍に凹部あるいは孔部からなるくびれ部11が形成
されているので、チップ3に小さな力が働いても、レバ
ー部2にたわみを発生させることができ、感度の高い力
変位センサ付カンチレバーを提供することができるよう
になる。
【0017】次に、本発明の第3の実施形態を図5を参
照して説明する。図5(a) は平面図、同図(b) は側面図
を示す。ここでは、くびれ部のみを説明し、変位検出器
については、前記した第1、2実施形態のものを使用す
るものとする。本実施形態は、レバー部21の中央部に
貫通孔23を設け、かつレバー部2の支持部1近傍に凹
部からなるくびれ部22a、22bを形成した点に特徴
がある。この実施形態においても、前記第1、第2実施
形態と同様に、くびれ部22a、22bを設けたことに
より、チップ3に加わる力に対するレバー部21のたわ
み量を大きくすることができるようになり、高感度の力
変位センサ付カンチレバーを提供することができるよう
になる。変位検出器は、レバー部21上に抵抗体を形成
する方式、すなわち図1(c) 又は(d) と同じ方式を用い
るのが好ましい。
照して説明する。図5(a) は平面図、同図(b) は側面図
を示す。ここでは、くびれ部のみを説明し、変位検出器
については、前記した第1、2実施形態のものを使用す
るものとする。本実施形態は、レバー部21の中央部に
貫通孔23を設け、かつレバー部2の支持部1近傍に凹
部からなるくびれ部22a、22bを形成した点に特徴
がある。この実施形態においても、前記第1、第2実施
形態と同様に、くびれ部22a、22bを設けたことに
より、チップ3に加わる力に対するレバー部21のたわ
み量を大きくすることができるようになり、高感度の力
変位センサ付カンチレバーを提供することができるよう
になる。変位検出器は、レバー部21上に抵抗体を形成
する方式、すなわち図1(c) 又は(d) と同じ方式を用い
るのが好ましい。
【0018】前記レバー部21の中央部に形成された貫
通孔23に代えて、薄肉部にしてもよい。この場合に
は、薄肉部とくびれ部22a、22bの段差をテーパー
状にし、変位検出器は、図3(a) 、(b) と同様の圧電体
センサを用いるのが好ましい。次に、本発明の第4の実
施形態を図6を参照して説明する。同図(a) は平面図、
(b) はその部分的詳細図を示す。この実施形態は、レバ
ー部2の支持部1付近に、該レバー部2の変位を電気信
号に変え、かつ該レバー部2を励振する検出・励振部3
1を設けた点に特徴があり、他の符号は図1と同一また
は同等物を示す。
通孔23に代えて、薄肉部にしてもよい。この場合に
は、薄肉部とくびれ部22a、22bの段差をテーパー
状にし、変位検出器は、図3(a) 、(b) と同様の圧電体
センサを用いるのが好ましい。次に、本発明の第4の実
施形態を図6を参照して説明する。同図(a) は平面図、
(b) はその部分的詳細図を示す。この実施形態は、レバ
ー部2の支持部1付近に、該レバー部2の変位を電気信
号に変え、かつ該レバー部2を励振する検出・励振部3
1を設けた点に特徴があり、他の符号は図1と同一また
は同等物を示す。
【0019】該検出・励振部31は、一例として、同図
(b) に示されているように、抵抗体からなる検出部31
aと、圧電体からなる励振部31bとから構成すること
ができる。端子32から励振信号が印加されると、励振
部31bは励振され、端子33から検出信号が出力され
る。この実施形態によれば、レバー部2の支持部1付近
が励振部31bによって励振されるので、レバー部2が
たわみ易くなり、サイクリックコンタクトモードの高感
度力変位センサ付カンチレバーを提供することができる
ようになる。
(b) に示されているように、抵抗体からなる検出部31
aと、圧電体からなる励振部31bとから構成すること
ができる。端子32から励振信号が印加されると、励振
部31bは励振され、端子33から検出信号が出力され
る。この実施形態によれば、レバー部2の支持部1付近
が励振部31bによって励振されるので、レバー部2が
たわみ易くなり、サイクリックコンタクトモードの高感
度力変位センサ付カンチレバーを提供することができる
ようになる。
【0020】図7はこの実施形態の変形例を示すもので
あり、レバー部2の支持部1付近に、くびれ部32a、
32bが形成されている。このくびれ部32a、32b
は図1のくびれ部4a、4bと同等のものである。この
変形例の構成にすると、前記サイクリックコンタクトモ
ードの変位センサ付カンチレバーの感度をさらに向上す
ることができるようになる。
あり、レバー部2の支持部1付近に、くびれ部32a、
32bが形成されている。このくびれ部32a、32b
は図1のくびれ部4a、4bと同等のものである。この
変形例の構成にすると、前記サイクリックコンタクトモ
ードの変位センサ付カンチレバーの感度をさらに向上す
ることができるようになる。
【0021】上記の各実施形態では、本発明の好ましい
実施形態を示したが、本発明はこれらに限定されること
なく、種々の変形が可能であり、これらの変形例も本発
明の範囲に入ることは勿論である。
実施形態を示したが、本発明はこれらに限定されること
なく、種々の変形が可能であり、これらの変形例も本発
明の範囲に入ることは勿論である。
【0022】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、レバー部の前記支持部付近に、くびれ部を設
けたので、該レバー部の先端に装着されたチップ(探
針)に小さな力が働いても、これを検出することができ
るようになる。このため、高感度の力変位センサ付カン
チレバーを提供することができるようになる。また、該
チップに従来と同じ力が働いた時には、レバー部のたわ
み量が従来の変位センサ付カンチレバーのそれより大き
くなり、より大きな検出出力を得ることができるという
効果がある。
によれば、レバー部の前記支持部付近に、くびれ部を設
けたので、該レバー部の先端に装着されたチップ(探
針)に小さな力が働いても、これを検出することができ
るようになる。このため、高感度の力変位センサ付カン
チレバーを提供することができるようになる。また、該
チップに従来と同じ力が働いた時には、レバー部のたわ
み量が従来の変位センサ付カンチレバーのそれより大き
くなり、より大きな検出出力を得ることができるという
効果がある。
【図1】本発明の第1の実施形態の平面図、側面図およ
び一部断面図を示す。
び一部断面図を示す。
【図2】第1実施形態の変位検出器の変形例の平面図と
断面図を示す。
断面図を示す。
【図3】本発明の第2の実施形態の平面図および断面図
を示す。
を示す。
【図4】第2実施形態の変位検出器の変形例の平面図と
断面図を示す。
断面図を示す。
【図5】本発明の第3の実施形態の平面図および側面図
を示す。
を示す。
【図6】本発明の第4の実施形態の平面図および検出・
励振部の一具体例を示す。
励振部の一具体例を示す。
【図7】第4実施形態の変形例の平面図を示す。
1 支持部 2、21 レバー部 3 チップ 4a,4b,22a,22b,32a,32b くびれ
部 5 U字状の抵抗層 6a,6b 低抵抗部 7a,7b 電極 8 抵抗層 9 電極 31 検出・励振部
部 5 U字状の抵抗層 6a,6b 低抵抗部 7a,7b 電極 8 抵抗層 9 電極 31 検出・励振部
Claims (7)
- 【請求項1】 支持部に片持ち梁式に支持されたレバー
部を有する力変位センサ付カンチレバーにおいて、 前記レバー部の前記支持部付近に、くびれ部を設けたこ
とを特徴とする力変位センサ付カンチレバー。 - 【請求項2】 請求項1の力変位センサ付カンチレバー
において、 前記レバー部の前記くびれ部に対応する位置に、該レバ
ー部の変位を電気信号に変える変位検出部を設けたこと
を特徴とする力変位センサ付カンチレバー。 - 【請求項3】 請求項2の力変位センサ付カンチレバー
において、 前記変位検出部は抵抗体または圧電体で形成されている
ことを特徴とする力変位センサ付カンチレバー。 - 【請求項4】 支持部に片持ち梁式に支持されたレバー
部を有する力変位センサ付カンチレバーにおいて、 前記レバー部の前記支持部付近に、該レバー部の変位を
電気信号に変え、かつ該レバー部を励振する検出・励振
部を設けたことを特徴とする力変位センサ付カンチレバ
ー。 - 【請求項5】 請求項4の力変位センサ付カンチレバー
において、 前記レバー部の前記支持部付近に、くびれ部を設けたこ
とを特徴とする力変位センサ付カンチレバー。 - 【請求項6】 請求項5の力変位センサ付カンチレバー
において、 前記検出部は抵抗体で作成し、前記励振部は圧電体で作
成したことを特徴とする力変位センサ付カンチレバー。 - 【請求項7】 請求項1または5の力変位センサ付カン
チレバーにおいて、 前記くびれ部は、レバー部の幅方向又は厚さ方向に切り
欠きを設けることにより構成されたことを特徴とする力
変位センサ付カンチレバー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11930296A JPH09304409A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 力変位センサ付カンチレバー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11930296A JPH09304409A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 力変位センサ付カンチレバー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09304409A true JPH09304409A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14758064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11930296A Pending JPH09304409A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | 力変位センサ付カンチレバー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09304409A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004020368A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Japan Science & Technology Corp | ロボット指関節等に応用できる高感度トルクセンサ調整方法 |
JP2007120967A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Instruments Inc | 微小力測定装置及び生体分子観察方法 |
JP2007120965A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Instruments Inc | 計測プローブ及び計測プローブの製造方法 |
JP2007532923A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | マイクロメカニクスおよびナノメカニクス装置の金属薄膜ピエゾ抵抗変換および自己感知式spmプローブへの応用 |
JP2008241683A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-10-09 | Seiko Instruments Inc | 顕微鏡用プローブ及び走査型プローブ顕微鏡 |
JP2009047477A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Seiko Instruments Inc | 顕微鏡用プローブ及び走査型プローブ顕微鏡 |
CN102252578A (zh) * | 2010-05-20 | 2011-11-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 径向偏差测量仪及其测量方法、带液金属罐容量检定方法 |
JP2012203001A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Nanoworld Ag | 片持梁を備えたマイクロマシン構成部材及び一体化された電気的な機能エレメント |
JP2012211911A (ja) * | 2004-06-21 | 2012-11-01 | Capres A S | プローブの位置合せを行なう方法 |
CN107219026A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-29 | 广东省计量科学研究院(华南国家计量测试中心) | 一种多方向微纳力测量装置及测量方法 |
WO2019151533A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 圧力分布センサ |
-
1996
- 1996-05-14 JP JP11930296A patent/JPH09304409A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004020368A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Japan Science & Technology Corp | ロボット指関節等に応用できる高感度トルクセンサ調整方法 |
JP2007532923A (ja) * | 2004-04-15 | 2007-11-15 | カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー | マイクロメカニクスおよびナノメカニクス装置の金属薄膜ピエゾ抵抗変換および自己感知式spmプローブへの応用 |
JP2017021040A (ja) * | 2004-06-21 | 2017-01-26 | カプレス・アクティーゼルスカブCapres A/S | プローブの位置合せを行なう方法 |
JP2012211911A (ja) * | 2004-06-21 | 2012-11-01 | Capres A S | プローブの位置合せを行なう方法 |
JP2007120965A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Instruments Inc | 計測プローブ及び計測プローブの製造方法 |
JP2007120967A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Instruments Inc | 微小力測定装置及び生体分子観察方法 |
JP2008241683A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-10-09 | Seiko Instruments Inc | 顕微鏡用プローブ及び走査型プローブ顕微鏡 |
JP2009047477A (ja) * | 2007-08-16 | 2009-03-05 | Seiko Instruments Inc | 顕微鏡用プローブ及び走査型プローブ顕微鏡 |
CN102252578A (zh) * | 2010-05-20 | 2011-11-23 | 中国石油化工股份有限公司 | 径向偏差测量仪及其测量方法、带液金属罐容量检定方法 |
JP2012203001A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Nanoworld Ag | 片持梁を備えたマイクロマシン構成部材及び一体化された電気的な機能エレメント |
CN107219026A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-29 | 广东省计量科学研究院(华南国家计量测试中心) | 一种多方向微纳力测量装置及测量方法 |
WO2019151533A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 圧力分布センサ |
JP2019135458A (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 圧力分布センサ |
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