JPH0927651A - Semiconductor laser - Google Patents
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- JPH0927651A JPH0927651A JP17530195A JP17530195A JPH0927651A JP H0927651 A JPH0927651 A JP H0927651A JP 17530195 A JP17530195 A JP 17530195A JP 17530195 A JP17530195 A JP 17530195A JP H0927651 A JPH0927651 A JP H0927651A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、Ｙ．Ｋ．Ｓｉｎ，Ｈ．Ｈｏｒｉｋａｗａ，Ｙ．
Ｍａｔｓｕｉ ａｎｄ Ｔ．Ｋａｍｉｊｏｈ 『ＵＬＴ
ＲＡＬＯＷ ＬＡＳＥＲ ＴＨＲＥＳＨＯＬＤ ＡＮＤ
ＨＩＧＨ ＳＰＥＥＤ ＩｎＧａＡｓ−ＧａＡｓ−Ｉ
ｎＧａＰ ＢＵＲＩＥＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵ
ＲＥ ＳＴＲＡＩＮＥＤ ＱＵＡＮＴＵＭ ＷＥＬＬ
ＬＡＳＥＲＳ ＦＯＲＯＰＴＩＣＡＬ ＩＮＴＷＥＲＣ
ＯＮＮＥＣＴＳ』 ＥＬＥＣＴＯＲＮＩＣＳＬＥＴＴＥ
ＲＳ １３ｔｈ Ｍａｙ １９９３，Ｖｏｌ．２９ Ｎ
ｏ．１０ ｐｐ．８７３−８７５に記載されるものがあ
った。2. Description of the Related Art Conventionally, techniques in such a field include:
For example, Y. K. Sin, H .; Horikawa, Y .;
Matsui and T.M. Kamijoh "ULT
RAW LASER THRESHOLD AND
HIGH SPEED InGaAs-GaAs-I
nGaP BURIED HETEROSTRUCTU
RE STRAINED QUANTUM WELL
LASERS FOROPTICAL INTWERC
ONNECTS ”ELECTRONNIC SLETTE
RS 13th May 1993, Vol. 29 N
o. 10 pp. 873-875.
【０００３】この文献に開示されるように、従来の半導
体レーザは、ｐ−ＧａＡｓ基板上に順次ｐ−ＩｎＧａＰ
クラッド層、活性層、ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層、ｎ−
ＧａＡｓコンタクト層を設け、それらの両側に、ｎ−Ｉ
ｎＧａＰ電流ブロック層、ｐ−ＩｎＧａＰ電流ブロック
層を設け、さらに上面下面それぞれにオーミック電極を
設けた埋め込みヘテロ構造である。As disclosed in this document, the conventional semiconductor laser has a p-InGaP substrate on which a p-InGaP substrate is sequentially formed.
Clad layer, active layer, n-InGaP clad layer, n-
GaAs contact layers are provided, and n-I is provided on both sides of them.
This is a buried heterostructure in which an nGaP current blocking layer and a p-InGaP current blocking layer are provided, and an ohmic electrode is provided on each of the upper and lower surfaces.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体レーザは、活性領域のｐ−ｎ接合に対し
て逆バイアスとなる電気的ノイズにより破損しやすいと
いう欠点を持っていた。本発明は、上記問題点を除去
し、逆バイアスの電気的ノイズに対して破損し難い、信
頼性の高い半導体レーザを提供することを目的とする。However, the above-mentioned conventional semiconductor laser has a drawback that it is easily damaged by electrical noise that is reverse-biased to the pn junction in the active region. An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems and to provide a highly reliable semiconductor laser which is hard to be damaged by reverse bias electric noise.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）同一基板上にレーザダイオード部分と、電気的分
離溝を隔てて前記レーザダイオード部分と逆並列接続さ
れるダイオード部分とを設けるようにしたものである。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides (1) a laser diode portion and an anti-parallel connection with the laser diode portion on the same substrate with an electrical separation groove. A diode portion is provided.
【０００６】（２）上記（１）記載の半導体レーザにお
いて、前記レーザダイオード部分が埋め込みヘテロ構造
である。 （３）上記（２）記載の半導体レーザにおいて、第１導
電型（ｎ型）基板上に構成される第１導電型（ｎ型）ク
ラッド層上に逆ダイオードの第２導電型（ｐ型）層が配
置され、さらにその上に逆ダイオードの第１導電型（ｎ
型）層が配置されるようにしたものである。(2) In the semiconductor laser described in (1) above, the laser diode portion has a buried heterostructure. (3) In the semiconductor laser described in (2) above, a second conductivity type (p type) of an inverse diode is formed on a first conductivity type (n type) cladding layer formed on a first conductivity type (n type) substrate. A layer is disposed on top of which a first conductivity type (n
(Type) layers are arranged.
【０００７】（４）上記（２）記載の半導体レーザにお
いて、第２導電型（ｐ型）基板上に構成される第２導電
型（ｐ型）クラッド層上に逆ダイオードの第１導電型
（ｎ型）層が配置され、さらにその上に逆ダイオードの
第２導電型（ｐ型）層が配置されるようにしたものであ
る。 （５）上記（３）記載の半導体レーザにおいて、前記レ
ーザダイオード部分のｐ側オーミック電極と、前記逆並
列ダイオードのｎ側オーミック電極が共通の配線電極で
接続されるようにしたものである。(4) In the semiconductor laser described in the above (2), the first conductivity type () of the reverse diode is formed on the second conductivity type (p type) clad layer formed on the second conductivity type (p type) substrate. The n-type) layer is arranged, and the second conductivity type (p-type) layer of the reverse diode is further arranged thereon. (5) In the semiconductor laser described in (3) above, the p-side ohmic electrode of the laser diode portion and the n-side ohmic electrode of the antiparallel diode are connected by a common wiring electrode.
【０００８】（６）上記（４）記載の半導体レーザにお
いて、前記レーザダイオード部分のｎ側オーミック電極
と、前記逆並列ダイオードのｐ側オーミック電極が共通
の配線電極で接続されるようにしたものである。(6) In the semiconductor laser described in (4), the n-side ohmic electrode of the laser diode portion and the p-side ohmic electrode of the antiparallel diode are connected by a common wiring electrode. is there.
【０００９】[0009]
（１）請求項１〜４記載の半導体レーザによれば、レー
ザダイオード部分に対して逆バイアスとなるように電圧
が印加されたとき、電流は逆並列ダイオード部分を順方
向に流れるので、逆バイアスのノイズによる素子の破壊
を防ぐことができる。(1) According to the semiconductor lasers of claims 1 to 4, when a voltage is applied to the laser diode portion so as to be reverse biased, a current flows in the forward direction in the antiparallel diode portion. It is possible to prevent the element from being damaged by the noise.
【００１０】（２）請求項５及び６記載の半導体レーザ
によれば、上記（１）記載の効果に加えて、必要な配線
の数を上記（１）の場合よりも低減することができるた
め、配線工程の簡略化を図ることができる。(2) According to the semiconductor lasers of the fifth and sixth aspects, in addition to the effect of the above (1), the number of required wirings can be reduced as compared with the case of the above (1). Therefore, the wiring process can be simplified.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す
半導体レーザの断面図、図２はその半導体レーザの製造
工程断面図（その１）、図３はその半導体レーザの製造
工程断面図（その２）、図４はその半導体レーザの製造
工程断面図（その３）である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1 is a sectional view of a semiconductor laser showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of manufacturing steps of the semiconductor laser (No. 1), FIG. 3 is a sectional view of manufacturing steps of the semiconductor laser (No. 2), FIG. 4 is a sectional view (3) of the manufacturing process of the semiconductor laser.
【００１２】図１に示すように、この半導体レーザは、
レーザダイオード部分６０と、並列ダイオード部分６１
を含む。１０はｎ−ＧａＡｓ基板、１２はｎ−ＩｎＧａ
Ｐクラッド層、１４は活性層、１６はｐ−ＩｎＧａＰク
ラッド層、１８はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、２０はｐ
−ＩｎＧａＰ電流ブロック層、２２はｎ−ＩｎＧａＰ電
流ブロック層、２４はレーザダイオードｐ側オーミック
電極、２８はレーザダイオードｎ側オーミック電極であ
り、これらで埋め込みヘテロ構造のレーザダイオード部
分６０を構成する。As shown in FIG. 1, this semiconductor laser is
Laser diode portion 60 and parallel diode portion 61
including. 10 is an n-GaAs substrate, 12 is n-InGa
P clad layer, 14 is active layer, 16 is p-InGaP clad layer, 18 is p-GaAs contact layer, 20 is p
-InGaP current blocking layer, 22 is an n-InGaP current blocking layer, 24 is a laser diode p-side ohmic electrode, 28 is a laser diode n-side ohmic electrode, and these constitute a laser diode portion 60 of a buried hetero structure.
【００１３】活性層１４の構成は、下部より、ＩｎＧａ
ＡｓＰ層（厚さ８００Å：Ｅｇ＝１．４６ｅＶ）、Ｇａ
Ａｓ層（１００Å）、ＩｎＧａＡｓ層（厚さ７０Å）、
ＧａＡｓ層（１００Å）、ＩｎＧａＡｓＰ層（厚さ８０
０Å：Ｅｇ＝１．４６ｅＶ）とする。４０は並列ダイオ
ードｐ−ＩｎＧａＰ層、４２は並列ダイオードｎ−Ｉｎ
ＧａＰ層、４４は並列ダイオードｐ側オーミック電極、
４６は並列ダイオードｎ側オーミック電極であり、これ
らで並列ダイオード部分６１を構成する。The active layer 14 is composed of InGa from the bottom.
AsP layer (thickness 800Å: Eg = 1.46 eV), Ga
As layer (100 Å), InGaAs layer (thickness 70 Å),
GaAs layer (100Å), InGaAsP layer (thickness 80
0Å: Eg = 1.46 eV). 40 is a parallel diode p-InGaP layer, 42 is a parallel diode n-In
GaP layer, 44 is a parallel diode p-side ohmic electrode,
A parallel diode n-side ohmic electrode 46 constitutes a parallel diode portion 61.
【００１４】この半導体レーザの製造工程を図２〜図４
を用いて説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、ＭＯＶＰＥ（Ｍ
ｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｕｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）により、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に
ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層１２、活性層１４、ｐ−Ｉｎ
ＧａＰクラッド層１６を順次成長させる。2 to 4 show the manufacturing process of this semiconductor laser.
This will be described with reference to FIG. (1) First, as shown in FIG. 2 (a), MOVPE (M
et al Organic Vapor Phase
By epitaxy), the n-InGaP cladding layer 12, the active layer 14, and the p-In are formed on the n-GaAs substrate 10.
The GaP clad layer 16 is sequentially grown.
【００１５】（２）次いで、図２（ｂ）に示すように、
ストライプ状ＳｉＯ2 膜７０をマスクとして、臭化水素
酸、過酸化水素混合溶液により、ｐ−ＩｎＧａＰクラッ
ド層１６、活性層１４およびｎ−ＩｎＧａＰクラッド層
１２の途中までをエッチングする。 （３）次に、図２（ｃ）に示すように、ストライプ状Ｓ
ｉＯ2 膜７０をマスクとするＭＯＶＰＥ選択成長によ
り、ｐ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層２０、ｎ−ＩｎＧａ
Ｐ電流ブロック層２２を順次成長させる。(2) Next, as shown in FIG.
Using the striped SiO 2 film 70 as a mask, the p-InGaP clad layer 16, the active layer 14 and the n-InGaP clad layer 12 are partially etched with a mixed solution of hydrobromic acid and hydrogen peroxide. (3) Next, as shown in FIG.
By the MOVPE selective growth using the iO 2 film 70 as a mask, the p-InGaP current blocking layer 20 and the n-InGa are formed.
The P current blocking layer 22 is grown sequentially.
【００１６】（４）次に、図３（ａ）に示すように、ス
トライプ状ＳｉＯ2 膜７０をフッ酸により除去した後、
ＭＯＶＰＥにより、ｐ−クラッド層１６、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１８を成長させる。 （５）次に、図３（ｂ）に示すように、活性層１４より
幅が広いストライプ状ＳｉＯ2 膜７２をマスクとして、
臭化水素酸、過酸化水素混合溶液により、ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１８、ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層１６およ
びｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層２２の途中までをエッ
チングする。(4) Next, as shown in FIG. 3A, after the striped SiO 2 film 70 is removed by hydrofluoric acid,
P-clad layer 16, p-GaAs by MOVPE
The contact layer 18 is grown. (5) Next, as shown in FIG. 3B, the stripe-shaped SiO 2 film 72 having a width wider than that of the active layer 14 is used as a mask.
P-GaAs with hydrobromic acid and hydrogen peroxide mixed solution
The contact layer 18, the p-InGaP cladding layer 16 and the n-InGaP current blocking layer 22 are partially etched.
【００１７】（６）次に、図３（ｃ）に示すように、ス
トライプ状フォトレジスト７４をマスクとして、塩酸に
よりｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層２２、およびｐ−Ｉ
ｎＧａＰ電流ブロック層２０の途中までをエッチングす
る。 （７）次に、図４（ａ）に示すように、フォトレジスト
７４を除去した後、ストライプ状開口部を有するフォト
レジスト７６をマスクとして、塩酸によりｎ−ＩｎＧａ
Ｐ電流ブロック層２２、ｐ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層
２０、およびｎ−ＩｎＧａＰクラッド層１２の途中まで
をエッチングする。この工程により、並列ダイオードｎ
−ＩｎＧａＰ層４２が、ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層
２２から分離され、並列ダイオードｐ−ＩｎＧａＰ層４
０が、ｐ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層２０から分離され
る。なお、この工程におけるエッチングはｎ−ＩｎＧａ
Ｐクラッド層１２より下方に達してもよい。(6) Next, as shown in FIG. 3C, using the stripe-shaped photoresist 74 as a mask, the n-InGaP current blocking layer 22 and p-I are formed by hydrochloric acid.
The nGaP current blocking layer 20 is partially etched. (7) Next, as shown in FIG. 4A, after removing the photoresist 74, n-InGa is added with hydrochloric acid using the photoresist 76 having the stripe-shaped opening as a mask.
The P current blocking layer 22, the p-InGaP current blocking layer 20, and the n-InGaP cladding layer 12 are partially etched. By this process, the parallel diode n
The -InGaP layer 42 is separated from the n-InGaP current blocking layer 22, and the parallel diode p-InGaP layer 4 is formed.
0 is separated from the p-InGaP current blocking layer 20. Note that etching in this step is performed using n-InGa.
It may reach below the P clad layer 12.
【００１８】（８）次いで、図４（ｂ）に示すように、
ストライプ状フォトレジスト７６とストライプ状ＳｉＯ
2 膜７２を除去した後、レーザダイオードｐ側オーミッ
ク電極２４、レーザダイオードｎ側オーミック電極２
８、並列ダイオードｐ側オーミック電極４４および並列
ダイオードｎ側オーミック電極４６を、蒸着とリフトオ
フにより形成する。(8) Then, as shown in FIG.
Striped photoresist 76 and striped SiO
2 After removing the film 72, the laser diode p-side ohmic electrode 24 and the laser diode n-side ohmic electrode 2
8. The parallel diode p-side ohmic electrode 44 and the parallel diode n-side ohmic electrode 46 are formed by vapor deposition and lift-off.
【００１９】以下、この半導体レーザの動作について説
明する。この半導体レーザの動作は、図５に示す等価回
路で説明できる。すなわち、レーザダイオード部分６０
は、順方向ダイオード８０に相当し、並列ダイオード部
分６１は、逆方向ダイオード８１に相当する。レーザダ
イオードｐ側オーミック電極２４、並列ダイオードｎ側
オーミック電極４６に正電圧、レーザダイオードｎ側オ
ーミック電極２８、並列ダイオードｐ側オーミック電極
４４に負電圧を印加すると、レーザダイオード部分６０
に対して順バイアス、並列ダイオード部分６１に対して
逆バイアスとなるので、電流はレーザダイオード部分６
０のみを通って流れ、レーザ光が出力される。The operation of this semiconductor laser will be described below. The operation of this semiconductor laser can be explained by the equivalent circuit shown in FIG. That is, the laser diode portion 60
Corresponds to the forward diode 80, and the parallel diode portion 61 corresponds to the reverse diode 81. When a positive voltage is applied to the laser diode p-side ohmic electrode 24 and the parallel diode n-side ohmic electrode 46, and a negative voltage is applied to the laser diode n-side ohmic electrode 28 and the parallel diode p-side ohmic electrode 44, the laser diode portion 60 is obtained.
Since it is forward-biased with respect to the parallel diode portion 61 and reverse-biased with respect to the parallel diode portion 61, the current flows in the laser diode portion 6
It flows through only 0, and laser light is output.
【００２０】ノイズ等により上記と逆極性の電圧が印加
されると、レーザダイオード部分６０に対して逆バイア
ス、並列ダイオード部分６１に対して順バイアスとなる
ので、電流は並列ダイオード部分６１のみを通って流れ
る。図６は本発明の第２実施例を示す半導体レーザの断
面図である。この実施例は第１実施例に加え、レーザダ
イオードｐ側オーミック電極２４と並列ダイオードｎ側
オーミック電極４６の間の領域を覆うＳｉＯ2 膜９６
と、第１表面配線電極９０、第２表面配線電極９２およ
び裏面配線電極９４を設けたものである。ＳｉＯ2 膜９
６は、ｐ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層２０、並列ダイオ
ードｐ−ＩｎＧａＰ層４０、およびｎ−ＩｎＧａＰクラ
ッド層１２と、第１表面配線電極９０の間を絶縁する必
要がある。When a voltage having a polarity opposite to the above is applied due to noise or the like, the laser diode portion 60 is reverse biased and the parallel diode portion 61 is forward biased, so that the current passes through only the parallel diode portion 61. Flowing. FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor laser showing a second embodiment of the present invention. This embodiment is, in addition to the first embodiment, a SiO 2 film 96 covering a region between the laser diode p-side ohmic electrode 24 and the parallel diode n-side ohmic electrode 46.
And a first front surface wiring electrode 90, a second front surface wiring electrode 92, and a back surface wiring electrode 94. SiO 2 film 9
6 is required to insulate the p-InGaP current blocking layer 20, the parallel diode p-InGaP layer 40, the n-InGaP cladding layer 12 and the first surface wiring electrode 90 from each other.
【００２１】この半導体レーザの動作は第１実施例と同
様であり、図５に示す等価回路で説明できる。第１表面
配線電極９０に正電圧、第２表面配線電極９２、裏面配
線電極９４に負電圧を印加すると、レーザダイオード部
分６０に対して順バイアス、並列ダイオード部分６１に
対して逆バイアスとなるので、電流はレーザダイオード
部分６０のみを通って流れ、レーザ光が出力される。The operation of this semiconductor laser is similar to that of the first embodiment, and can be explained by the equivalent circuit shown in FIG. When a positive voltage is applied to the first front surface wiring electrode 90 and a negative voltage is applied to the second front surface wiring electrode 92 and the back surface wiring electrode 94, a forward bias is applied to the laser diode portion 60 and a reverse bias is applied to the parallel diode portion 61. , The current flows only through the laser diode portion 60, and laser light is output.
【００２２】また、ノイズ等により、上記と逆極性の電
圧が印加されると、レーザダイオード部分６０に対して
逆バイアス、並列ダイオード部分６１に対して順バイア
スとなるので、電流は並列ダイオード部分６１のみを通
って流れる。なお、本発明は上記実施例の半導体の導電
型を反転した構成にして実施することもできる。すなわ
ち、図１及び図６の対応個所（各部に′を付す）におい
て、１０′はｐ−ＧａＡｓ基板、１２′はｐ−ＩｎＧａ
Ｐクラッド層、１４′は活性層、１６′はｎ−ＩｎＧａ
Ｐクラッド層、１８′はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、２
０′はｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層、２２′はｐ−Ｉ
ｎＧａＰ電流ブロック層、２４′はレーザダイオードｎ
側オーミック電極、２８′はレーザダイオードｐ側オー
ミック電極となし、これらで埋め込みヘテロ構造のレー
ザダイオード部分６０′を構成する。When a voltage of the opposite polarity is applied due to noise or the like, the laser diode portion 60 is reverse biased and the parallel diode portion 61 is forward biased, so that the current flows in the parallel diode portion 61. Flows through only. Note that the present invention can also be carried out with a structure in which the conductivity type of the semiconductor of the above-described embodiment is inverted. That is, in the corresponding portions (marked with'in each part) in FIGS. 1 and 6, 10 'is a p-GaAs substrate and 12' is p-InGa.
P clad layer, 14 'active layer, 16' n-InGa
P cladding layer, 18 'is an n-GaAs contact layer, 2
0'is an n-InGaP current blocking layer, 22 'is a p-I
nGaP current blocking layer, 24 'is a laser diode n
The side ohmic electrode 28 'serves as a laser diode p-side ohmic electrode and constitutes a laser diode portion 60' having a buried hetero structure.
【００２３】更に、４０′は並列ダイオードｎ−ＩｎＧ
ａＰ層、４２′は並列ダイオードｐ−ＩｎＧａＰ層、４
４′は並列ダイオードｎ側オーミック電極、４６′は並
列ダイオードｐ側オーミック電極であり、これらで並列
ダイオード部分６１′を構成する。また、同じ構造で材
料を変更することもできる。さらに、結晶成長方法やエ
ッチング方法を変えて実施することもできる。Further, 40 'is a parallel diode n-InG.
aP layer, 42 'is a parallel diode p-InGaP layer, 4'
Reference numeral 4'denotes a parallel diode n-side ohmic electrode, and reference numeral 46 'denotes a parallel diode p-side ohmic electrode, which form a parallel diode portion 61'. Also, the material can be changed with the same structure. Further, the crystal growth method and the etching method can be changed and carried out.
【００２４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１〜４記載の発明によれば、レーザダイオ
ード部分に対して逆バイアスとなるように電圧が印加さ
れたとき、電流は並列ダイオード部分を順方向に流れる
ので、逆バイアスのノイズによる素子の破壊を防ぐこと
ができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the invention described in claims 1 to 4, when a voltage is applied to the laser diode portion so as to be reverse biased, a current flows in the forward direction in the parallel diode portion, so that noise of reverse bias is generated. It is possible to prevent the element from being damaged by.
【００２６】（２）請求項５及び６記載の発明によれ
ば、上記（１）記載の効果に加えて、必要な配線の数を
上記（１）の場合よりも低減することができるため、配
線工程の簡略化を図ることができる。(2) According to the invention described in claims 5 and 6, in addition to the effect described in the above (1), the number of required wirings can be reduced more than in the case of the above (1). The wiring process can be simplified.
【図１】本発明の第１実施例を示す半導体レーザの断面
図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例を示す半導体レーザの製造
工程断面図（その１）である。FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor laser manufacturing process showing the first embodiment of the present invention (No. 1).
【図３】本発明の第１実施例を示す半導体レーザの製造
工程断面図（その２）である。FIG. 3 is a manufacturing process sectional view (No. 2) of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１実施例を示す半導体レーザの製造
工程断面図（その３）である。FIG. 4 is a sectional view (No. 3) of the manufacturing steps of the semiconductor laser according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第１実施例を示す半導体レーザの等価
回路図である。FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the semiconductor laser showing the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２実施例を示す半導体レーザの断面
図である。FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor laser showing a second embodiment of the present invention.
１０ ｎ−ＧａＡｓ基板 １２ ｎ−ＩｎＧａＰクラッド層 １４ 活性層 １６ ｐ−ＩｎＧａＰクラッド層 １８ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ２０ ｐ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層 ２２ ｎ−ＩｎＧａＰ電流ブロック層 ２４ レーザダイオードｐ側オーミック電極 ２８ レーザダイオードｎ側オーミック電極 ４０ 並列ダイオードｐ−ＩｎＧａＰ層 ４２ 並列ダイオードｎ−ＩｎＧａＰ層 ４４ 並列ダイオードｐ側オーミック電極 ４６ 並列ダイオードｎ側オーミック電極 ６０ レーザダイオード部分 ６１ 並列ダイオード部分 ７０，７２ ストライプ状ＳｉＯ2 膜 ７４，７６ ストライプ状フォトレジスト ８０ 順方向ダイオード ８１ 逆方向ダイオード ９０ 第１表面配線電極 ９２ 第２表面配線電極 ９４ 裏面配線電極 ９６ ＳｉＯ2 膜10 n-GaAs substrate 12 n-InGaP clad layer 14 Active layer 16 p-InGaP clad layer 18 p-GaAs contact layer 20 p-InGaP current block layer 22 n-InGaP current block layer 24 Laser diode p-side ohmic electrode 28 Laser diode n-side ohmic electrode 40 parallel diode p-InGaP layer 42 parallel diode n-InGaP layer 44 parallel diode p-side ohmic electrode 46 parallel diode n-side ohmic electrode 60 laser diode portion 61 parallel diode portion 70, 72 striped SiO 2 film 74, 76 Striped photoresist 80 Forward diode 81 Reverse diode 90 First surface wiring electrode 92 Second surface wiring electrode 94 Back surface wiring electrode 96 SiO 2 film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山内 義則 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Yoshinori Yamauchi 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd.
Claims (6)
電気的分離溝を隔てて前記レーザダイオード部分と逆並
列接続されるダイオード部分とを設けるようにしたこと
を特徴とする半導体レーザ。1. A laser diode portion on the same substrate,
A semiconductor laser, wherein a laser diode portion and a diode portion connected in anti-parallel are provided with an electrical separation groove therebetween.
前記レーザダイオード部分が埋め込みヘテロ構造である
ことを特徴とする半導体レーザ。2. The semiconductor laser according to claim 1, wherein
A semiconductor laser, wherein the laser diode portion has a buried heterostructure.
ｎ型化合物半導体基板上に構成されるｎ型化合物半導体
クラッド層上に逆並列ダイオードのｐ型化合物半導体層
が配置され、さらにその上に逆ダイオードのｎ型化合物
半導体層が配置されるようにしたことを特徴とする半導
体レーザ。3. The semiconductor laser according to claim 2, wherein
The p-type compound semiconductor layer of the antiparallel diode is arranged on the n-type compound semiconductor clad layer formed on the n-type compound semiconductor substrate, and the n-type compound semiconductor layer of the reverse diode is further arranged thereon. A semiconductor laser characterized by the above.
ｐ型化合物半導体基板上に構成されるｐ型化合物半導体
クラッド層上に逆並列ダイオードのｎ型化合物半導体層
が配置され、さらにその上に逆ダイオードのｐ型化合物
半導体層が配置されるようにしたことを特徴とする半導
体レーザ。4. The semiconductor laser according to claim 2, wherein
The n-type compound semiconductor layer of the anti-parallel diode is arranged on the p-type compound semiconductor clad layer formed on the p-type compound semiconductor substrate, and the p-type compound semiconductor layer of the reverse diode is further arranged thereon. A semiconductor laser characterized by the above.
前記レーザダイオード部分のｐ側オーミック電極と、前
記逆並列ダイオードのｎ側オーミック電極が共通の配線
電極で接続されるようにしたことを特徴とする半導体レ
ーザ。5. The semiconductor laser according to claim 3,
A semiconductor laser, wherein a p-side ohmic electrode of the laser diode portion and an n-side ohmic electrode of the antiparallel diode are connected by a common wiring electrode.
前記レーザダイオード部分のｎ側オーミック電極と、前
記逆並列ダイオードのｐ側オーミック電極が共通の配線
電極で接続されるようにしたことを特徴とする半導体レ
ーザ。6. The semiconductor laser according to claim 4, wherein
A semiconductor laser, wherein an n-side ohmic electrode of the laser diode portion and a p-side ohmic electrode of the antiparallel diode are connected by a common wiring electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17530195A JPH0927651A (en) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | Semiconductor laser |
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|---|---|---|---|
| JP17530195A JPH0927651A (en) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | Semiconductor laser |
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| JPH0927651A true JPH0927651A (en) | 1997-01-28 |
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ID=15993710
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| JP17530195A Withdrawn JPH0927651A (en) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | Semiconductor laser |
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| JP (1) | JPH0927651A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-07-12 JP JP17530195A patent/JPH0927651A/en not_active Withdrawn
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