JPH09213575A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 誘電体酸化皮膜上へ導電性高分子電解質層を
形成する場合、均一かつ緻密で密着性に優れたものが得
られる固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 【解決手段】 電極体１１の表面に誘電体酸化皮膜１２
を形成し、次に３０重量％より低い濃度の金属酸化物半
導体形成用の溶液に電極体を浸漬して酸化皮膜上に導電
性プレコート層としての金属酸化物半導体層１３を形成
する形成処理を多くとも２回以内施した後、複素環式化
合物およびその誘導体を含む溶液に電極体を浸漬する工
程と、複素環式化合物およびその誘導体の酸化電位より
高い電極電位を有する酸化剤、ドーパントを含む溶液に
電極体を浸漬する工程を複数回交互に繰り返して化学酸
化重合により導電性高分子電解質層１４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化学酸化重合によ
り形成される導電性高分子電解質層を固体電解質とする
固体電解コンデンサの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の電源回路の高周波化に
伴い、すべての電子部品に対して優れた高周波特性（イ
ンピーダンス特性）が求められている。固体電解コンデ
ンサにおいても例外ではなく、これらを実現するため
に、陽極の表面状態、酸化皮膜の形成方法、電解質層の
改善、陰極の表面状態、コンデンサ素子の構造など、あ
らゆる角度から改善、検討がなされている。

【０００３】陽極材料としてアルミニウムやタンタルを
用い、かつ電解質として無機の固体電解質である二酸化
マンガンや二酸化鉛を用いた固体電解コンデンサは、図
９（ａ）（ｂ）に示すように、そのほとんどは製造工法
上の制約から、内部端子１を備え、かつ微粉末を焼結し
てなる陽極体２または内部端子３を備え、かつ粗面化に
より実質の表面積を大きくした陽極箔あるいは陽極板４
に、熱分解反応を利用して固体電解質５を焼き付け形成
し、その後、カーボン、導電性接着剤などにより陰極層
６を順次形成する構造を採用している。これらの固体電
解コンデンサは、その電解質の特徴から、電解液を用い
るアルミ電解コンデンサに比べて温度依存性が小さく、
高周波領域でのレジスタンスが低いという利点を有して
いるが、その反面、耐電圧が低く、かつ生産工法の制約
から生産性の面でやや不利であるという面も抱えてい
る。

【０００４】さらにこの固体電解質５の低レジスタンス
化を追求したものとして、電荷移動錯体であるＴＣＮＱ
塩を利用した有機半導体コンデンサや、複素環式化合物
であるピロール、チオフェン、フランなどを重合して導
電化してなる導電性高分子を利用した機能性高分子コン
デンサが実用化されている。

【０００５】この中でも、導電性高分子は、その固有抵
抗が著しく低いという特徴を有するため、コンデンサの
低レジスタンス化のためには有力な固体電解質である
が、多孔質弁金属よりなる電極体の表面の誘電体酸化皮
膜に対し、均一、かつ緻密で密着性に優れた導電性高分
子電解質層を被覆形成するには、極めて大きな制約を抱
えているものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】多孔質弁金属よりなる
電極体の表面の誘電体酸化皮膜上に、導電性高分子電解
質層を被覆形成する場合、細孔部からなる誘電体酸化皮
膜表面は、浸漬する液体の表面張力と誘電体酸化皮膜表
面の濡れ性により大きな影響を受けるため、細孔内部ま
で均一、かつ緻密で密着性に優れた導電性高分子電解質
層を被覆形成することは極めて困難を有するものであ
る。このため、複素環式化合物およびその誘導体より得
られる導電性高分子電解質層は、形成方法により多少の
差異はあるが、本来密着性に乏しく、かつ密度も形成条
件に大きく左右されるもので、このことが電解質そのも
のの低い固有抵抗とは裏腹に、実際に得られる固体電解
コンデンサの電気特性のロットバラツキの一因となって
いた。

【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、誘電体酸化皮膜上へ導電性高分子
電解質層を形成する場合、均一、かつ緻密で密着性に優
れたものが得られる固体電解コンデンサの製造方法を提
供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、多孔質弁
金属よりなる電極体の表面に誘電体酸化皮膜を形成し、
次いで、３０重量％より低い濃度の金属酸化物半導体層
形成用の溶液に前記電極体を浸漬することにより誘電体
酸化皮膜上に導電性プレコート層としての金属酸化物半
導体層を形成するという形成処理を多くとも２回以内施
し、その後、複素環式化合物およびその誘導体を含む溶
液に前記電極体を浸漬する工程と、複素環式化合物およ
びその誘導体の酸化電位より高い電極電位を有する酸化
剤、ドーパントを含む溶液に前記電極体を浸漬する工程
を複数回交互に繰り返して化学酸化重合により導電性高
分子電解質層を形成するようにしたもので、この製造方
法によれば、誘電体酸化皮膜上への導電性高分子電解質
層の形成も、均一、かつ緻密で密着性に優れたものが得
られるものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、多孔質弁金属よりなる電極体の表面に誘電体酸化皮
膜を形成し、次いで、３０重量％より低い濃度の金属酸
化物半導体層形成用の溶液に前記電極体を浸漬すること
により誘電体酸化皮膜上に導電性プレコート層としての
金属酸化物半導体層を形成するという形成処理を多くと
も２回以内施し、その後、複素環式化合物およびその誘
導体を含む溶液に前記電極体を浸漬する工程と、複素環
式化合物およびその誘導体の酸化電位より高い電極電位
を有する酸化剤、ドーパントを含む溶液に前記電極体を
浸漬する工程を複数回交互に繰り返して化学酸化重合に
より導電性高分子電解質層を形成するようにしたもので
あり、この製造方法によれば、誘電体酸化皮膜上に固体
電解質である導電性高分子電解質層を化学酸化重合によ
り形成するに先立って、表面に誘電体酸化皮膜を形成し
た電極体を３０重量％より低い濃度の金属酸化物半導体
層形成用の溶液に浸漬することにより誘電体酸化皮膜上
に導電性プレコート層としての金属酸化物半導体層を形
成するという形成処理を多くとも２回以内施して、誘電
体酸化皮膜上に導電性プレコート層としての金属酸化物
半導体層を形成するようにしたもので、この金属酸化物
半導体層はミクロ的に見れば細かな結晶粒子が集積した
ものであるが、マクロ的には多孔質弁金属よりなる電極
体の表面に形成された誘電体酸化皮膜に対し、均一、か
つ緻密で、密着性に優れた接続界面を形成することにな
るため、続いて複素環式化合物およびその誘導体を含む
溶液に電極体を浸漬する工程と、複素環式化合物および
その誘導体より高い電極電位を有する酸化剤、ドーパン
トを含む溶液に電極体を浸漬する工程を複数回交互に繰
り返して化学酸化重合を行った場合、複素環式化合物お
よびその誘導体は、金属酸化物半導体層を構成する細か
な結晶粒子が集積した凹凸部によって移動が阻止される
ことになり、これにより、複素環式化合物およびその誘
導体は極めて速やかに電極体の表面に形成された誘電体
酸化皮膜上に導電性高分子電解質層を形成することがで
きるものである。

【００１０】このように導電性プレコート層としての金
属酸化物半導体層は、その細かな結晶粒子が集積した凹
凸部によるアンカー効果により、導電性高分子電解質層
と密着性に優れた良好な接続界面を形成するため、これ
により得られる固体電解コンデンサは極めて安定した低
レジスタンスの電気特性を有するものである。

【００１１】請求項２に記載の発明は、３０重量％より
低い濃度の金属酸化物半導体層形成用の溶液に１重量％
以下の非イオン界面活性剤を添加したものであり、この
製造方法によれば、金属酸化物半導体層形成用の溶液に
１重量％以下の非イオン界面活性剤を添加しているた
め、溶液の安定性の面で優れたものが得られるととも
に、基本的な電気性能（静電容量、損失角の正接、漏れ
電流）もさらに向上させることができるものである。

【００１２】以下、本発明の実施の形態について添付図
面にもとづいて説明する。図１、図２は本発明の固体電
解コンデンサの模式断面図を示したもので、１１は陽極
となる多孔質弁金属よりなる電極体で、この電極体１１
の表面には、陽極酸化などの手段により誘電体酸化皮膜
１２を形成し、そしてこの誘電体酸化皮膜１２の上には
極薄膜の導電性プレコート層としての細かな結晶粒子が
集積した金属酸化物半導体層１３を形成した後、複素環
式化合物およびその誘導体の化学酸化重合により導電性
高分子電解質層１４を形成している。この後、導電性高
分子電解質層１４の上に、コロイダルグラファイト１
５、銀塗料１６を順次塗布し、その後、所定の外装１７
を施して固体電解コンデンサを構成している。

【００１３】次に本発明の具体的な実施の形態１，２，
３と、比較例１，２について説明する。

【００１４】（実施の形態１）図３に示すように、厚み
０．９mm、幅２．０mm、長さ１．３mmのタンタル粉末を
加圧成形、真空焼結して得られた陽極となる電極体２１
の表面に、濃度が５重量％の燐酸水溶液中で３０Ｖの陽
極酸化を行って誘電体酸化皮膜２２を形成し、その後、
この電極体２１を濃度が２５重量％の硝酸マンガン水溶
液に浸漬し、２５０℃で熱分解を行うことにより誘電体
酸化皮膜２２上に導電性プレコート層としての金属酸化
物半導体層２３を形成した。この場合、熱分解作業を１
回行った後、修復化成を施したプレコート処理品、熱分
解作業を２回行った後、修復化成を施したプレコート処
理品、熱分解作業を３回行った後、修復化成を施したプ
レコート処理品、熱分解作業を４回行った後、修復化成
を施したプレコート処理品の４種類のプレコート処理品
を得た。

【００１５】その後、複素環式化合物およびその誘導体
であるプロールモノマー０．７モル／ｌと界面活性剤よ
りなる溶液に前記プレコート処理品を浸漬する工程と、
複素環式化合物およびその誘導体の酸化電位より高い電
極電位を有する酸化剤であるペルオキソ２硫酸アンモニ
ウム０．１モル／ｌと、ドーパントであるナフタレンス
ルホン酸０．０５モル／ｌを含む溶液に前記プレコート
処理品を浸漬する工程を１０回交互に繰り返して化学酸
化重合により導電性高分子電解質層２４を形成した。そ
してこの後は、導電性高分子電解質層２４の上に、コロ
イダルグラファイト２５、銀塗料２６を順次塗布し、そ
の後、所定の外装を施して固体電解コンデンサを構成し
た。

【００１６】（実施の形態２）図３に示すように、厚み
０．９mm、幅２．０mm、長さ１．３mmのタンタル粉末を
加圧成形、真空焼結して得られた陽極となる電極体２１
の表面に、濃度が５重量％の燐酸水溶液中で３０Ｖの陽
極酸化を行って誘電体酸化皮膜２２を形成し、その後、
この電極体２１を濃度が２０重量％の硝酸マンガン水溶
液、濃度が２５重量％の硝酸マンガン水溶液、濃度が３
０重量％の硝酸マンガン水溶液、濃度が３５重量％の硝
酸マンガン水溶液のそれぞれに浸漬し、２５０℃で熱分
解をそれぞれ１回行った後、修復化成を施すことにより
誘電体酸化皮膜２２上に導電性プレコート層としての金
属酸化物半導体層２３を形成した４種類のプレコート処
理品を得た。

【００１７】その後、複素環式化合物およびその誘導体
であるピロールモノマー０．７モル／ｌと界面活性剤よ
りなる溶液に前記プレコート処理品を浸漬する工程と、
複素環式化合物およびその誘導体の酸化電位より高い電
極電位を有する酸化剤であるペルオキソ２硫酸アンモニ
ウム０．１モル／ｌと、ドーパントであるナフタレンス
ルホン酸０．０５モル／ｌを含む溶液に前記プレコート
処理品を浸漬する工程を１０回交互に繰り返して化学酸
化重合により導電性高分子電解質層２４を形成した。そ
してこの後は、導電性高分子電解質層２４の上に、コロ
イダルグラファイト２５、銀塗料２６を順次塗布し、そ
の後、所定の外装を施して固体電解コンデンサを構成し
た。

【００１８】（実施の形態３）図３に示すように、厚み
０．９mm、幅２．０mm、長さ１．３mmのタンタル粉末を
加圧成形、真空焼結して得られた陽極となる電極体２１
の表面に、濃度が５重量％の燐酸水溶液中で３０Ｖの陽
極酸化を行って誘電体酸化皮膜２２を形成し、その後、
低発泡性のポリオキシエチレンアルキルエーテル系の非
イオン界面活性剤を０．０１重量％、０．０５重量％、
０．１重量％、０．５重量％、１重量％添加した濃度が
２５重量％の硝酸マンガン水溶液のそれぞれに前記電極
体２１を浸漬し、２５０℃で熱分解をそれぞれ１回行っ
た後、修復化成を施すことにより誘電体酸化皮膜２２上
に導電性プレコート層としての金属酸化物半導体層２３
を形成した５種類のプレコート処理品を得た。

【００１９】その後、複素環式化合物およびその誘導体
であるピロールモノマー０．７モル／ｌと界面活性剤よ
りなる溶液に前記プレコート処理品を浸漬する工程と、
複素環式化合物およびその誘導体の酸化電位より高い電
極電位を有する酸化剤であるペルオキソ２硫酸アンモニ
ウム０．１モル／ｌと、ドーパントであるナフタレンス
ルホン酸０．０５モル／ｌを含む溶液に前記プレコート
処理品を浸漬する工程を１０回交互に繰り返して化学酸
化重合により導電性高分子電解質層２４を形成した。そ
してこの後は、導電性高分子電解質層２４の上に、コロ
イダルグラファイト２５、銀塗料２６を順次塗布し、そ
の後、所定の外装を施して固体電解コンデンサを構成し
た。

【００２０】（比較例１）図４に示すように、厚み０．
９mm、幅２．０mm、長さ１．３mmのタンタル粉末を加圧
成形、真空焼結して得られた陽極となる電極体３１の表
面に、濃度が５重量％の燐酸水溶液中で３０Ｖの陽極酸
化を行って誘電体酸化皮膜３２を形成し、その後、この
電極体３１を液温が２５０℃で、かつ濃度が２５重量％
の硝酸マンガン水溶液に浸漬する熱分解を４回行い、さ
らにこの電極体３１を液温が２５０℃で、かつ濃度が４
０重量％の硝酸マンガン水溶液に浸漬する熱分解を４回
行うことにより、前記誘電体酸化皮膜３２の上に二酸化
マンガンよりなる金属酸化物半導体層３３を形成し、さ
らにこの後、金属酸化物半導体層３３の上に、コロイダ
ルグラファイト３４、銀塗料３５を順次塗布し、その
後、所定の外装を施して固体電解コンデンサを構成し
た。

【００２１】（比較例２）図５に示すように、厚み０．
９mm、幅２．０mm、長さ１．３mmのタンタル粉末を加圧
成形、真空焼結して得られた陽極となる電極体４１の表
面に、濃度が５重量％の燐酸水溶液中で３０Ｖの陽極酸
化を行って誘電体酸化皮膜４２を形成し、その後、複素
環式化合物およびその誘導体であるピロールモノマー
０．７モル／ｌと界面活性剤よりなる溶液に前記電極体
４１を浸漬する工程と、ペルオキソ２硫酸アンモニウム
０．１モル／ｌとドーパントであるナフタレンスルホン
酸０．０５モル／ｌを含む溶液に前記電極体４１を浸漬
する工程を１０回繰り返して化学酸化重合により、前記
誘電体酸化皮膜４２の上に導電性高分子電解質層４３を
形成し、さらにこの後、導電性高分子電解質層４３の上
に、コロイダルグラファイト４４、銀塗料４５を順次塗
布し、その後、所定の外装を施して固体電解コンデンサ
を構成した。

【００２２】（表１）は本発明の実施の形態１と比較例
１，２により得られた固体電解コンデンサのそれぞれに
ついて基本的な電気性能（静電容量、損失角の正接、漏
れ電流）を測定した結果を示したものであり、また図６
はそれらのインピーダンスの周波数特性を示したもので
ある。

【００２３】

【表１】

【００２４】（表１）から明らかなように、本発明の実
施の形態１は比較例１と比べて基本的な電気性能におい
て優れており、また濃度が２５重量％の硝酸マンガン水
溶液に電極体を浸漬し、２５０℃で熱分解を行う回数
は、２回以内の処理をした場合に、比較例２と比べて基
本的な電気性能において全く遜色がないことがわかる。

【００２５】また図６から明らかなように、本発明の実
施の形態１における（１）（２）は比較例１，２に比べ
て導電性高分子固体電解質の低インダクタンスの効果が
明確となっているものである。

【００２６】（表２）は本発明の実施の形態２と比較例
１，２により得られた固体電解コンデンサのそれぞれに
ついて基本的な電気性能（静電容量、損失角の正接、漏
れ電流）を測定した結果を示したものであり、また図７
はそれらのインピーダンスの周波数特性を示したもので
ある。

【００２７】

【表２】

【００２８】（表２）から明らかなように、本発明の実
施の形態２は比較例１と比べて基本的な電気性能におい
て優れており、また硝酸マンガン水溶液に電極体を浸漬
し、２５０℃で熱分解を１回行う場合における硝酸マン
ガン水溶液の濃度は、３０重量％より低い濃度とした場
合に、比較例２と比べて基本的な電気性能において全く
遜色がないことがわかる。

【００２９】また図７から明らかなように、本発明の実
施の形態２における（２０）（２５）（３０）は比較例
１，２に比べて導電性高分子固体電解質の低インダクタ
ンスの効果が明確となっているものである。

【００３０】（表３）は本発明の実施の形態３と比較例
１，２により得られた固体電解コンデンサのそれぞれに
ついて基本的な電気性能（静電容量、損失角の正接、漏
れ電流）を測定した結果を示したものであり、また図８
はそれらのインピーダンスの周波数特性を示したもので
ある。

【００３１】

【表３】

【００３２】（表３）から明らかなように、本発明の実
施の形態３は比較例１と比べて基本的な電気性能におい
て優れており、また濃度が２５重量％の硝酸マンガン水
溶液に電極体を浸漬し、２５０℃で熱分解を１回行う場
合において硝酸マンガン水溶液に添加される低発泡性の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル系の非イオン界面
活性剤の添加量は、１重量％以下の場合に、比較例２と
比べて基本的な電気性能において全く遜色がないことが
わかる。

【００３３】また図８から明らかなように、本発明の実
施の形態３における（０．０１）（０．０５）（０．
１）（０．５）（１）は比較例１，２に比べて導電性高
分子固体電解質の低インダクタンスの効果が明確となっ
ているものである。

【００３４】そしてまた導電性プレコート層としての金
属酸化物半導体層が、結晶粒子が集積した凹凸部による
アンカー効果により導電性高分子電解質層と密着性に優
れた良好な接続界面を形成することは、焼結電極体表面
および破断面の走査形電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察
された。

【００３５】さらに本発明の実施の形態３において確認
できたように、低い濃度の金属酸化物半導体層形成用の
溶液（硝酸マンガン水溶液）に対して添加される低発泡
性の非イオン界面活性剤はかなり微量であってもその効
果は顕著であるが、非イオン界面活性剤が高濃度になる
と、液安定性、残存による影響などが逆に懸念されるた
め、支障のない限り、非イオン界面活性剤の添加量は微
量に抑制すべきである。

【００３６】なお、上記本発明の実施の形態１において
は、電極体２１として、タンタル粉末を加圧成形、真空
焼結したものを用いたが、これに限定されるものではな
く、多孔質弁金属で電極体を構成したものであれば、い
かなるものでも用いることができるものである。

【００３７】また電極体２１が浸漬される溶液として
は、本発明の実施の形態１においては、複素環式化合物
およびその誘導体であるピロールモノマーと界面活性剤
よりなるものを用いたが、複素環式化合物およびその誘
導体、ベンゼン、ナフタレンおよびその誘導体などの溶
解を高める溶媒を単一または混合した溶液を用いてもよ
いものである。

【００３８】

【発明の効果】以上のように本発明の固体電解コンデン
サの製造方法は、多孔質弁金属よりなる電極体の表面に
誘電体酸化皮膜を形成し、次いで、３０重量％より低い
濃度の金属酸化物半導体層形成用の溶液に前記電極体を
浸漬することにより誘電体酸化皮膜上に導電性プレコー
ト層としての金属酸化物半導体層を形成するという形成
処理を多くとも２回以内施し、その後、複素環式化合物
およびその誘導体を含む溶液に前記電極体を浸漬する工
程と、複素環式化合物およびその誘導体の酸化電位より
高い電極電位を有する酸化剤、ドーパントを含む溶液に
前記電極体を浸漬する工程を複数回交互に繰り返して化
学酸化重合により導電性高分子電解質層を形成するよう
にしたもので、この製造方法によれば、誘電体酸化皮膜
上に固体電解質である導電性高分子電解質層を化学酸化
重合により形成するに先立って、表面に誘電体酸化皮膜
を形成した電極体を３０重量％より低い濃度の金属酸化
物半導体形成用の溶液に浸漬することにより誘電体酸化
皮膜上に導電性プレコート層としての金属酸化物半導体
層を形成するという形成処理を多くとも２回以内施し
て、誘電体酸化皮膜上に導電性プレコート層としての金
属酸化物半導体層を形成するようにしたものであって、
この金属酸化物半導体層はミクロ的に見れば細かな結晶
粒子が集積したものであるが、マクロ的には多孔質弁金
属よりなる電極体の表面に形成された誘電体酸化皮膜に
対し、均一、かつ緻密で、密着性に優れた接続界面を形
成することになるため、続いて複素環式化合物およびそ
の誘導体を含む溶液に電極体を浸漬する工程と、複素環
式化合物およびその誘導体より高い電極電位を有する酸
化剤、ドーパントを含む溶液に電極体を浸漬する工程を
複数回交互に繰り返して化学酸化重合を行った場合、複
素環式化合物およびその誘導体は、金属酸化物半導体層
を構成する細かな結晶粒子が集積した凹凸部によって移
動が阻止されることになり、これにより、複素環式化合
物およびその誘導体は極めて速やかに電極体の表面に形
成された誘電体酸化皮膜上に導電性高分子電解質層を形
成することができるものである。

【００３９】このように導電性プレコート層としての金
属酸化物半導体層は、その細かな結晶粒子が集積した凹
凸部によるアンカー効果により、導電性高分子電解質層
と密着性に優れた良好な接続界面を形成するため、これ
により得られる固体電解コンデンサは極めて安定した低
レジスタンスの電気特性を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の固体電解コンデンサを示す模式断面図

【図２】図１のＡ部の拡大断面図

【図３】本発明の実施の形態１，２，３における固体電
解コンデンサを示す破断斜視図

【図４】比較例１における固体電解コンデンサを示す破
断斜視図

【図５】比較例２における固体電解コンデンサを示す破
断斜視図

【図６】本発明の実施の形態１と比較例１，２により得
られた固体電解コンデンサのインピーダンスと測定周波
数との関係を示す特性図

【図７】本発明の実施の形態２と比較例１，２により得
られた固体電解コンデンサのインピーダンスと測定周波
数との関係を示す特性図

【図８】本発明の実施の形態３と比較例１，２により得
られた固体電解コンデンサのインピーダンスと測定周波
数との関係を示す特性図

【図９】（ａ）従来の固体電解コンデンサにおける陽極
体からなるコンデンサ素子の破断斜視図 （ｂ）従来の固体電解コンデンサにおける陽極箔または
陽極板からなるコンデンサ素子の破断斜視図

【符号の説明】

１１，２１， 電極体 １２，２２ 誘電体酸化皮膜 １３，２３ 金属酸化物半導体層 １４，２４ 導電性高分子電解質層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多孔質弁金属よりなる電極体の表面に誘
   電体酸化皮膜を形成し、次いで、３０重量％より低い濃
   度の金属酸化物半導体層形成用の溶液に前記電極体を浸
   漬することにより誘電体酸化皮膜上に導電性プレコート
   層としての金属酸化物半導体層を形成するという形成処
   理を多くとも２回以内施し、その後、複素環式化合物お
   よびその誘導体を含む溶液に前記電極体を浸漬する工程
   と、複素環式化合物およびその誘導体の酸化電位より高
   い電極電位を有する酸化剤、ドーパントを含む溶液に前
   記電極体を浸漬する工程を複数回交互に繰り返して化学
   酸化重合により導電性高分子電解質層を形成するように
   した固体電解コンデンサの製造方法。
2. 【請求項２】 ３０重量％より低い濃度の金属酸化物半
   導体層形成用の溶液に１重量％以下の非イオン界面活性
   剤を添加した請求項１記載の固体電解コンデンサの製造
   方法。